JPH02184501A - ハロゲン化シラン化合物を含有する担体ガスからガス状の汚染性化合物、とくにドープ成分化合物を除去する方法 - Google Patents
ハロゲン化シラン化合物を含有する担体ガスからガス状の汚染性化合物、とくにドープ成分化合物を除去する方法Info
- Publication number
- JPH02184501A JPH02184501A JP1291434A JP29143489A JPH02184501A JP H02184501 A JPH02184501 A JP H02184501A JP 1291434 A JP1291434 A JP 1291434A JP 29143489 A JP29143489 A JP 29143489A JP H02184501 A JPH02184501 A JP H02184501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zeolite
- carrier gas
- compound
- hydrogen
- compounds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 35
- -1 silane halide compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 title description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 21
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 8
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 abstract description 73
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 60
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 abstract description 59
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 2
- UNYSKUBLZGJSLV-UHFFFAOYSA-L calcium;1,3,5,2,4,6$l^{2}-trioxadisilaluminane 2,4-dioxide;dihydroxide;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[OH-].[OH-].[Ca+2].O=[Si]1O[Al]O[Si](=O)O1.O=[Si]1O[Al]O[Si](=O)O1 UNYSKUBLZGJSLV-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910052676 chabazite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 18
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 13
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 4
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMTQQYYKAHVGBJ-UHFFFAOYSA-N 3-(3,4-DICHLOROPHENYL)-1,1-DIMETHYLUREA Chemical compound CN(C)C(=O)NC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 XMTQQYYKAHVGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005293 duran Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSBVERYRVPGNGG-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[[oxido(oxo)silyl]oxy]silane hydrate Chemical compound O.[Mg+2].[Mg+2].[O-][Si](=O)O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])=O FSBVERYRVPGNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S95/00—Gas separation: processes
- Y10S95/90—Solid sorbent
- Y10S95/902—Molecular sieve
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少なくとも痕跡量の、ガス状もしくは蒸気状
のハロゲン化シラン化合物ならびに要すればハロゲン化
水素を含有する担体ガス、とくに水素から、ガス状の汚
染性化合物、とくにドープ成分化合物を除去するための
方法に関する。
のハロゲン化シラン化合物ならびに要すればハロゲン化
水素を含有する担体ガス、とくに水素から、ガス状の汚
染性化合物、とくにドープ成分化合物を除去するための
方法に関する。
気相分離法、たとえはシーメンス(Siemens)法
による、高温のケイ素担持体上での、もしくは流動圧内
に分散されたケイ素粒子上での揮発性ケイ素化合物の分
解などの、気相分離法による多結晶性超純ケイ素の製造
に関連する多くの工程、ケイ素層のエピタキシャル(配
向成長法)的分離、あるいは四塩化ケイ素の水素含有シ
ランへの変換においては、関連する反応は、原則として
定量的には進行しない。その際に最終生産物として取得
されるガス混合体は、新しく生成したガス状生成物と共
に、多かれ少なかれ、大きな割合で、出発物質テらびに
使用された担体ガス、一般には水素またはたとえばアル
ゴンなどの希ガスを含有する。
による、高温のケイ素担持体上での、もしくは流動圧内
に分散されたケイ素粒子上での揮発性ケイ素化合物の分
解などの、気相分離法による多結晶性超純ケイ素の製造
に関連する多くの工程、ケイ素層のエピタキシャル(配
向成長法)的分離、あるいは四塩化ケイ素の水素含有シ
ランへの変換においては、関連する反応は、原則として
定量的には進行しない。その際に最終生産物として取得
されるガス混合体は、新しく生成したガス状生成物と共
に、多かれ少なかれ、大きな割合で、出発物質テらびに
使用された担体ガス、一般には水素またはたとえばアル
ゴンなどの希ガスを含有する。
廃棄されるべき資源を可能な限りの細かな配慮で利用し
つくし、また、廃棄物の発生を避けるためだけにでも、
少なくとも、これらガス混合物中の個々の成分を再利用
することがきわめて望ましい。
つくし、また、廃棄物の発生を避けるためだけにでも、
少なくとも、これらガス混合物中の個々の成分を再利用
することがきわめて望ましい。
しかしながら、多くの場合、そのような再利用は、好ま
しくない分配平衡のために気相中の汚染性化合物、とく
にドープ成分化合物の富化と結びついていて、妨げられ
ている。このことは、たとえばリンもしくはヒ素のハロ
ゲン化合物またはとくに水素化合物などの周期律表中第
VA族元素の揮発性化合物の形態をとって現れることの
あるn−ドープ性の不純物についてまず第一に当てはま
ることではあるが、しかし、揮発性のホウ素化合物また
はアルミニウム化合物をベースとするpドープ性の不純
物についても通用する。もちろん、富化効果はとくにそ
のようなガスの場合に不都合なことには目立っておこる
のであり、これはしばしば引き続いてまたは循環的に生
ずるのであって、本質的には担体ガスとして、また反応
物としては実質的により低い程度にしか作用しない水素
または担体ガスとしていずれにせよ不活性なアルゴン等
の希ガスなどと同様である。場合により伴なわれてくる
そのような担体ガス中の他の汚染性不純物の例は、たと
えばグラファイトがその発生源であろうと問題視される
ことがあるエチレンなどの炭化水素またはジクロロエタ
ンなどのハロゲン化炭化水素、ならびにたとえば特定の
条件の下に鋼から遊離されることがある塩化鉄または塩
化チタンなどの揮発性金属ハロゲン化物である。
しくない分配平衡のために気相中の汚染性化合物、とく
にドープ成分化合物の富化と結びついていて、妨げられ
ている。このことは、たとえばリンもしくはヒ素のハロ
ゲン化合物またはとくに水素化合物などの周期律表中第
VA族元素の揮発性化合物の形態をとって現れることの
あるn−ドープ性の不純物についてまず第一に当てはま
ることではあるが、しかし、揮発性のホウ素化合物また
はアルミニウム化合物をベースとするpドープ性の不純
物についても通用する。もちろん、富化効果はとくにそ
のようなガスの場合に不都合なことには目立っておこる
のであり、これはしばしば引き続いてまたは循環的に生
ずるのであって、本質的には担体ガスとして、また反応
物としては実質的により低い程度にしか作用しない水素
または担体ガスとしていずれにせよ不活性なアルゴン等
の希ガスなどと同様である。場合により伴なわれてくる
そのような担体ガス中の他の汚染性不純物の例は、たと
えばグラファイトがその発生源であろうと問題視される
ことがあるエチレンなどの炭化水素またはジクロロエタ
ンなどのハロゲン化炭化水素、ならびにたとえば特定の
条件の下に鋼から遊離されることがある塩化鉄または塩
化チタンなどの揮発性金属ハロゲン化物である。
したがって、これらの担体ガスの再利用のためには、そ
のような揮発性の汚染性化合物とくにドープ成分化合物
を可能なかぎり完全に除去することが不可欠である。し
かし、担体ガスが原則として少なくとも痕跡量であり、
しかし多くはその著しく大きな部分がハロゲン化シラン
ならびにしばしばそれに加えてさらにハロゲン化水素す
なわち酸性成分を含有し、その高反応性のために分離が
鋭敏に妨害されることがあるという事実により困難にさ
れている。シランの精製を事実上目的としている西ドイ
ツ特許出願公開第2755824号ならびにこれに対応
する米国特許第4099936号にもとづく工程におい
ては、この成分は、したがって、複雑な工程中で、低温
における活性炭への連続的吸着をともなう蒸留過程を通
じてはじめて吸収されるのであり、このことは、その際
、ヒ化水素およびリン化水素が同じくきわめて低い温度
において多孔性ケイ酸マグネシウムに捕捉されるのに先
立つものである。西ドイツ特許公告第1095796号
ならびに対応する米国特許第2971607号にもとづ
く工程もまたシランのみを対象とするものであり、ゼオ
ライl−AまたはXを使用し、0°C以下の温度ならび
に大気圧以下の圧力の下においてヒ素、リンおよびホウ
素の揮発性化合物のシランからの除去が行なわれる。
のような揮発性の汚染性化合物とくにドープ成分化合物
を可能なかぎり完全に除去することが不可欠である。し
かし、担体ガスが原則として少なくとも痕跡量であり、
しかし多くはその著しく大きな部分がハロゲン化シラン
ならびにしばしばそれに加えてさらにハロゲン化水素す
なわち酸性成分を含有し、その高反応性のために分離が
鋭敏に妨害されることがあるという事実により困難にさ
れている。シランの精製を事実上目的としている西ドイ
ツ特許出願公開第2755824号ならびにこれに対応
する米国特許第4099936号にもとづく工程におい
ては、この成分は、したがって、複雑な工程中で、低温
における活性炭への連続的吸着をともなう蒸留過程を通
じてはじめて吸収されるのであり、このことは、その際
、ヒ化水素およびリン化水素が同じくきわめて低い温度
において多孔性ケイ酸マグネシウムに捕捉されるのに先
立つものである。西ドイツ特許公告第1095796号
ならびに対応する米国特許第2971607号にもとづ
く工程もまたシランのみを対象とするものであり、ゼオ
ライl−AまたはXを使用し、0°C以下の温度ならび
に大気圧以下の圧力の下においてヒ素、リンおよびホウ
素の揮発性化合物のシランからの除去が行なわれる。
発明における課題は、ガス状の汚染性かつとくにドープ
成分化合物を、少なくとも痕跡量のハロゲン化シランな
らびに場合によってはハロゲン化水素したがって酸性成
分を含有する担体ガスから除去するための方法を提供す
ることであった。このことは、ガス和からの元素状超純
ケイ素の分離またはそのための中間体の製造に際して行
なわれることと同様である。さらに、この工程を単純化
し、取扱いが容易な条件の下においてかつ化学薬品の消
費量を僅少にして実施し得るようにすることも課題であ
った。
成分化合物を、少なくとも痕跡量のハロゲン化シランな
らびに場合によってはハロゲン化水素したがって酸性成
分を含有する担体ガスから除去するための方法を提供す
ることであった。このことは、ガス和からの元素状超純
ケイ素の分離またはそのための中間体の製造に際して行
なわれることと同様である。さらに、この工程を単純化
し、取扱いが容易な条件の下においてかつ化学薬品の消
費量を僅少にして実施し得るようにすることも課題であ
った。
この課題は、担体ガスをM、/、1.0・Azzoi・
xsiO,・yH,Oの組成を持つゼオライトと接触さ
せることを特徴とする方法をとることにより解決された
。この式において、Mはメンデレーエフの元素周期律表
の第IA族または第1rA族に属する元素、水素もしく
はN Haであり、nはこれら元素の価数に相当し、モ
ル比x=siOx/A l z O3は最低限2であり
、yの値はOに近い数である。
xsiO,・yH,Oの組成を持つゼオライトと接触さ
せることを特徴とする方法をとることにより解決された
。この式において、Mはメンデレーエフの元素周期律表
の第IA族または第1rA族に属する元素、水素もしく
はN Haであり、nはこれら元素の価数に相当し、モ
ル比x=siOx/A l z O3は最低限2であり
、yの値はOに近い数である。
ゼオライト、もしくはしばしばその別名とされる分子あ
るいは、古くから知られていて市場で入手可能のもので
ある。このものは、一部は天然の堆積に由来し、一部は
合成的製造法を通じて入手される。これらは、−船釣に
ケイ酸塩(多くはアルカリーならびにアルカリ土類アル
モシリケート)であって、酸素ブリッジにより結合され
たテトラヘドロン(四面配位体)の構造からなり、互に
均等な大きさの開孔ならびに細管により接続された均質
空欠部を持つ空間配置をとっている。ゼオライトは、た
とえばエックス線試験において回折像によって区分され
かつ特徴づけられる。重要な特徴としては、そのほか、
空孔幅ならびにSin、/Af20.モル比があり、こ
れによりたとえば合成ゼオライトは種々の品種(たとえ
ばA−、XY−ZSM形)に区分される。ゼオライトに
ついての詳細な解説として、L 、 P upprに
よる論説「ゼオライト−その性質と工業的応用」、Ch
emie uns、Zeit 20巻(1986)11
7〜127ページ、ならびにここに引用された文献があ
る。
るいは、古くから知られていて市場で入手可能のもので
ある。このものは、一部は天然の堆積に由来し、一部は
合成的製造法を通じて入手される。これらは、−船釣に
ケイ酸塩(多くはアルカリーならびにアルカリ土類アル
モシリケート)であって、酸素ブリッジにより結合され
たテトラヘドロン(四面配位体)の構造からなり、互に
均等な大きさの開孔ならびに細管により接続された均質
空欠部を持つ空間配置をとっている。ゼオライトは、た
とえばエックス線試験において回折像によって区分され
かつ特徴づけられる。重要な特徴としては、そのほか、
空孔幅ならびにSin、/Af20.モル比があり、こ
れによりたとえば合成ゼオライトは種々の品種(たとえ
ばA−、XY−ZSM形)に区分される。ゼオライトに
ついての詳細な解説として、L 、 P upprに
よる論説「ゼオライト−その性質と工業的応用」、Ch
emie uns、Zeit 20巻(1986)11
7〜127ページ、ならびにここに引用された文献があ
る。
本発明において用いられるゼオライトは、好ましくはメ
ンデレーエフ元素周期律表中の第IA族または第HA族
である元素Mをナトリウム、カリウム、マグネシウムお
よびカルシウムとするゼオライトであり、とくに、ナト
リウムおよび/またはカルシウムに富む形態の、または
これら両元素に富む混合形態のゼオライトである。Mを
水素またはアンモニウムとするゼオライトは、妨害性カ
チオンの除去をとくに入念に注意することを要する場合
に用いれば有利である。この場合、水素は、脱水による
除去が可能な水として物理的に結合されて存在するので
はなく、構造中において化学的に強固に結合された形態
で存在するものである。
ンデレーエフ元素周期律表中の第IA族または第HA族
である元素Mをナトリウム、カリウム、マグネシウムお
よびカルシウムとするゼオライトであり、とくに、ナト
リウムおよび/またはカルシウムに富む形態の、または
これら両元素に富む混合形態のゼオライトである。Mを
水素またはアンモニウムとするゼオライトは、妨害性カ
チオンの除去をとくに入念に注意することを要する場合
に用いれば有利である。この場合、水素は、脱水による
除去が可能な水として物理的に結合されて存在するので
はなく、構造中において化学的に強固に結合された形態
で存在するものである。
上記の式’yHzOJにより示されているゼオライト中
の物理的結合水の含有量を可能な限り低くすること、す
なわちゼロに接近させるか、理想的にはまったくゼロに
等しくするということは重要である。したがって、ゼオ
ライトはその無水形態のものが用いられ、その場合、約
0.1重量%の残存水含有量は、許容され得る最大値で
あることが判明している。その際、無水形態に製造され
たゼオライトを使用することも可能である。しかし、原
則的には、本来含水状態で存在していたゼオライトを脱
水して使用に供することも可能である。
の物理的結合水の含有量を可能な限り低くすること、す
なわちゼロに接近させるか、理想的にはまったくゼロに
等しくするということは重要である。したがって、ゼオ
ライトはその無水形態のものが用いられ、その場合、約
0.1重量%の残存水含有量は、許容され得る最大値で
あることが判明している。その際、無水形態に製造され
たゼオライトを使用することも可能である。しかし、原
則的には、本来含水状態で存在していたゼオライトを脱
水して使用に供することも可能である。
この脱水は、たとえば100ないし400°C1とくに
200ないし400 ’Cで長時間加熱するなどの温度
操作により達成することができ、それに対して補足的に
または代替的に減圧処理を適用することによっても遂行
され得る。このように、無水状態に誘導されたゼオライ
トあるいはあらかじめ無水として提供されたゼオライト
は、しばしばきわめて攻撃的なものである処理条件の下
においてとくに安定でかつ効果的であることが示されて
いる。無水性はたとえば重量測定法によって検査するこ
とができ、その場合高温度においてゼオライトを通過せ
しめられる乾燥不活性ガス流、たとえば窒素ガス流の水
分吸収量(たとえば、間接的にはこれに作用せしめられ
る乾燥剤の重量増加)が測定される。ゼオライトは、増
加がもはや認められなくなったときに無水であるとみな
すことができる。
200ないし400 ’Cで長時間加熱するなどの温度
操作により達成することができ、それに対して補足的に
または代替的に減圧処理を適用することによっても遂行
され得る。このように、無水状態に誘導されたゼオライ
トあるいはあらかじめ無水として提供されたゼオライト
は、しばしばきわめて攻撃的なものである処理条件の下
においてとくに安定でかつ効果的であることが示されて
いる。無水性はたとえば重量測定法によって検査するこ
とができ、その場合高温度においてゼオライトを通過せ
しめられる乾燥不活性ガス流、たとえば窒素ガス流の水
分吸収量(たとえば、間接的にはこれに作用せしめられ
る乾燥剤の重量増加)が測定される。ゼオライトは、増
加がもはや認められなくなったときに無水であるとみな
すことができる。
貧アルミニウムゼオライト、すなわち、Sin。
/AJ!!03モル比が少なくとも2、とくに2.4な
いし120であるものの使用もまた有利であると認めら
れている。極限の場合、すなわちアルミニウム不合のゼ
オライトが用いられる場合には、この比率は無限大の値
をとることさえもあり得る。
いし120であるものの使用もまた有利であると認めら
れている。極限の場合、すなわちアルミニウム不合のゼ
オライトが用いられる場合には、この比率は無限大の値
をとることさえもあり得る。
この場合、精製されるべき担体ガスがゼオライトからの
アルミニウム、すなわち基本的にはドープ性不純物によ
る新しい汚染は最小限となる。
アルミニウム、すなわち基本的にはドープ性不純物によ
る新しい汚染は最小限となる。
有効なゼオライトの空孔内径は4人と20人の間であり
、とくに5人と10人の間である。この範囲の空孔径の
場合には、担体ガス中に含有される汚染性化合物、とく
にドープ性化合物のゼオライトによるとくに効果的な結
合が確認されているが、それに対して、ガス相中に共存
するハロゲン化シランまたはハロゲン化水素によって、
それらがしばしば観測されるように結合から排除される
ということが少なくなる。原則的には、空孔内径はすで
にその製造業者の仕様書に見出し得るものである。必要
ならば、たとえばエックス線構造解析または既知標準試
料との回折像の比較により、これを分析的に確認し、あ
るいは検査することも行なわれる。
、とくに5人と10人の間である。この範囲の空孔径の
場合には、担体ガス中に含有される汚染性化合物、とく
にドープ性化合物のゼオライトによるとくに効果的な結
合が確認されているが、それに対して、ガス相中に共存
するハロゲン化シランまたはハロゲン化水素によって、
それらがしばしば観測されるように結合から排除される
ということが少なくなる。原則的には、空孔内径はすで
にその製造業者の仕様書に見出し得るものである。必要
ならば、たとえばエックス線構造解析または既知標準試
料との回折像の比較により、これを分析的に確認し、あ
るいは検査することも行なわれる。
本方法での使用に原則的に適合するゼオライトの例は、
X形、Y形またはたとえばゼオライトZSM5またはZ
SMI 1のようなペンタシル(p 6ntasil
)形の合成ゼオライトである。天然産ゼオライトの適合
するものとして、たとえばチャバサアイト(Chaba
s j t)を挙げることができる。
X形、Y形またはたとえばゼオライトZSM5またはZ
SMI 1のようなペンタシル(p 6ntasil
)形の合成ゼオライトである。天然産ゼオライトの適合
するものとして、たとえばチャバサアイト(Chaba
s j t)を挙げることができる。
−船釣にはゼオライトは粉末形態および粒状形態のいず
れかで使用に供される。
れかで使用に供される。
この方法は、混合ガスから汚染性化合物、とくにドープ
性化合物を除去する際の応用に適するものであり、ガス
相を経由する元素状超純ケイ素の製造、あるいはガス相
からのケイ素のエピタキシャル(配向成長的)分離、な
らびにこれらの反応のための中間体の製造においても同
様である。
性化合物を除去する際の応用に適するものであり、ガス
相を経由する元素状超純ケイ素の製造、あるいはガス相
からのケイ素のエピタキシャル(配向成長的)分離、な
らびにこれらの反応のための中間体の製造においても同
様である。
この混合ガスは、希ガスあるいは、とくに、場合によっ
ては部分的に反応に関与することもあり得る水素、なら
びにハロゲン化シランおよび酸性成分としてのハロゲン
化水素の部分など、1種もしくは多種の担体ガスを含ん
でいる。このようなガス混合体に対する典型的な例は、
トリクロロシラン/水素混合物の高温担持物体たとえば
ケイ素またはグラファイト薄片からなるものの上での分
解によるケイ素の分離の場合などのガス混合物であって
、このガス混合物には、多くは70ないし99.9容量
%の割合で存在する水素のほかに未反応のトリクロロシ
ラン、反応に際して生成した四塩化ケイ素、場合によっ
ては高級塩化シランおよび塩化水素、ならびに揮発性の
汚染性化合物とくにドープ成分化合物の一定水準が含ま
れている。このガス混合物はあらかじめ調整された形で
使用に供される。すなわち、これらはあらかじめ処理段
階を経過せしめられ、そこではたとえば塩化シランは凍
結法もしくはその他たとえば吸着的分離過程を通じて痕
跡量まで、すなわち約0.1容量%まで水素から分離さ
れる。類似の事情の下にある一例として、いわゆるテト
ラ変換すなわち四塩化ケイ素/水素混合物の含水素シラ
ン化合物、とくにトリクロロシランへの転換に際して発
生するガス混合物があり、その主成分は、同じく、およ
そ70ないし99.9容量%の割合の水素である。他の
例は、ガス相からのエピタキシャル分離に際して使用さ
れるガス混合物であり、これは担体ガスとして大ていは
希ガスとくにアルゴンを含有し、それに加えてケイ素と
して遊離されるジクロロシランなどの塩化シランガスを
含有しており、あるいは流動床中に分散せしめられたケ
イ素粒子上へのケイ素の流動床沈積に際して用いられる
ガス混合物があり、その際には、通常、モノシラン、塩
素化シランまたは臭素化シランが揮発性ケイ素化合物と
して、担体ガスとしての水素またはアルゴンの他に用い
られる。単純化をはかるため、下記のような、この種適
合ガス混合物がさらに担体ガスとして示されるが、それ
らの詳しい組成については示されていない。
ては部分的に反応に関与することもあり得る水素、なら
びにハロゲン化シランおよび酸性成分としてのハロゲン
化水素の部分など、1種もしくは多種の担体ガスを含ん
でいる。このようなガス混合体に対する典型的な例は、
トリクロロシラン/水素混合物の高温担持物体たとえば
ケイ素またはグラファイト薄片からなるものの上での分
解によるケイ素の分離の場合などのガス混合物であって
、このガス混合物には、多くは70ないし99.9容量
%の割合で存在する水素のほかに未反応のトリクロロシ
ラン、反応に際して生成した四塩化ケイ素、場合によっ
ては高級塩化シランおよび塩化水素、ならびに揮発性の
汚染性化合物とくにドープ成分化合物の一定水準が含ま
れている。このガス混合物はあらかじめ調整された形で
使用に供される。すなわち、これらはあらかじめ処理段
階を経過せしめられ、そこではたとえば塩化シランは凍
結法もしくはその他たとえば吸着的分離過程を通じて痕
跡量まで、すなわち約0.1容量%まで水素から分離さ
れる。類似の事情の下にある一例として、いわゆるテト
ラ変換すなわち四塩化ケイ素/水素混合物の含水素シラ
ン化合物、とくにトリクロロシランへの転換に際して発
生するガス混合物があり、その主成分は、同じく、およ
そ70ないし99.9容量%の割合の水素である。他の
例は、ガス相からのエピタキシャル分離に際して使用さ
れるガス混合物であり、これは担体ガスとして大ていは
希ガスとくにアルゴンを含有し、それに加えてケイ素と
して遊離されるジクロロシランなどの塩化シランガスを
含有しており、あるいは流動床中に分散せしめられたケ
イ素粒子上へのケイ素の流動床沈積に際して用いられる
ガス混合物があり、その際には、通常、モノシラン、塩
素化シランまたは臭素化シランが揮発性ケイ素化合物と
して、担体ガスとしての水素またはアルゴンの他に用い
られる。単純化をはかるため、下記のような、この種適
合ガス混合物がさらに担体ガスとして示されるが、それ
らの詳しい組成については示されていない。
本方法に従い、n−ドープ性のガス状または蒸気状の形
態で存在する不純物が調整された担体ガスから除去され
るのであるが、p−ドープ性の作用についても同様であ
る。その例は、メンデレーエフの元素周期律表の第VA
族元素、中でもリンおよびヒ素の揮発性水素化合物、ハ
ロゲン化合物とくに塩素化合物であり、とくにはホスフ
ィンがある。第n[A族元素の揮発性化合物、たとえば
p−ドープ性の作用をするハロゲン化アルミニウムなど
もまた、それにより分離され得る。同様に、本方法はエ
チレンまたはジクロロエタンを例とする炭化水素または
ハロゲン化炭化水素、あるいは塩化鉄または塩化チタン
がその実例とれさる揮発性金属ハロゲン化物などの、他
の汚染性ガス状化合物の分離に適している。
態で存在する不純物が調整された担体ガスから除去され
るのであるが、p−ドープ性の作用についても同様であ
る。その例は、メンデレーエフの元素周期律表の第VA
族元素、中でもリンおよびヒ素の揮発性水素化合物、ハ
ロゲン化合物とくに塩素化合物であり、とくにはホスフ
ィンがある。第n[A族元素の揮発性化合物、たとえば
p−ドープ性の作用をするハロゲン化アルミニウムなど
もまた、それにより分離され得る。同様に、本方法はエ
チレンまたはジクロロエタンを例とする炭化水素または
ハロゲン化炭化水素、あるいは塩化鉄または塩化チタン
がその実例とれさる揮発性金属ハロゲン化物などの、他
の汚染性ガス状化合物の分離に適している。
本方法においては、そのつど選択されたゼオライトが、
精製されるべきガスとのはげしい接触が可能となるよう
な形で提供される。これに適する方法としては、公知の
慣用的吸着法があり、この方法においては、ガス相に含
有されるガス状物質の固体吸収剤との結合が取扱われる
。ゼオライトは、好ましくはたとえばデユランガラス、
石英ガラスまたは耐食性ステンレス鋼で製作された吸着
管内に装入されて固定相とされ、その管内を精製される
べき担体ガスが通過せしめられ、そのガス出口には、た
とえば除塵フィルターなどの補助器具が付設されていて
もよい。基本的には、ガス流中にもまた、そのような吸
着管が多数連続的に接続されていてもよい。その他、ガ
ス流がゼオライトの固定床の上をかすめ過ぎるようにす
ることにも可能性がある。流動床の使用もまた除外され
るべきではない。
精製されるべきガスとのはげしい接触が可能となるよう
な形で提供される。これに適する方法としては、公知の
慣用的吸着法があり、この方法においては、ガス相に含
有されるガス状物質の固体吸収剤との結合が取扱われる
。ゼオライトは、好ましくはたとえばデユランガラス、
石英ガラスまたは耐食性ステンレス鋼で製作された吸着
管内に装入されて固定相とされ、その管内を精製される
べき担体ガスが通過せしめられ、そのガス出口には、た
とえば除塵フィルターなどの補助器具が付設されていて
もよい。基本的には、ガス流中にもまた、そのような吸
着管が多数連続的に接続されていてもよい。その他、ガ
ス流がゼオライトの固定床の上をかすめ過ぎるようにす
ることにも可能性がある。流動床の使用もまた除外され
るべきではない。
本方法における独特の利点は、容易に到達し得る温和な
温度の下で遂行され得ることである。好ましくは、調整
された担体ガスと接触せしめられる場合、提供されたゼ
オライトは室温、すなわち15ないし25°Cの温度範
囲に保持される。−船釣には0ないし50°Cの温度範
囲が適切であると認められる。より低い温度においては
、好ましくない凝縮現象が先行することがあり、反対に
それよりも高い温度においては、ゼオライトの結合能力
の明かな低下が始まる。
温度の下で遂行され得ることである。好ましくは、調整
された担体ガスと接触せしめられる場合、提供されたゼ
オライトは室温、すなわち15ないし25°Cの温度範
囲に保持される。−船釣には0ないし50°Cの温度範
囲が適切であると認められる。より低い温度においては
、好ましくない凝縮現象が先行することがあり、反対に
それよりも高い温度においては、ゼオライトの結合能力
の明かな低下が始まる。
適当な圧力は0.5ないし10バールの範囲であり、好
ましくは工ないし2バールである。その上限は、基本的
には装置的な制限によってではあるが、場合によっては
生じることのある、ガス相中の個別の成分の液化傾向に
よって規定される。精製されるべき担体ガスを提供され
たゼオライトと接触せしめるための流速は、本質的には
同様に装置的実態に従って設定され、予備的試験におけ
る状況に従い目的に合せた確定が行なわれる。
ましくは工ないし2バールである。その上限は、基本的
には装置的な制限によってではあるが、場合によっては
生じることのある、ガス相中の個別の成分の液化傾向に
よって規定される。精製されるべき担体ガスを提供され
たゼオライトと接触せしめるための流速は、本質的には
同様に装置的実態に従って設定され、予備的試験におけ
る状況に従い目的に合せた確定が行なわれる。
本発明の利点として付加えるべき点は、汚染性化合物、
とくにドープ成分化合物に対する吸収能力を用いつくさ
れたゼオライトが、再生されて、担体ガスからそれらを
除去することに再利用され得るということである。とく
に有利なことには、この再生が、ゼオライトの温度を5
0ないし300”C,好ましくは200ないし300°
Cに上昇させることによって遂行される。その際、再生
されるべきゼオライトを取り出して、専用の再生ステー
ション中で再調整を行なう。また、ゼオライトがたとえ
ば、加熱可能な吸着管中に装入されているのであれば、
その使用部位において再生を行なうことさえも同様に可
能である。その際には、再生の継続のために担体ガスの
供給が中断されるのであるが、この場合、とくに精緻な
本方法の変形法に従い、平行的に配置されたゼオライト
装入の吸着用装置を通じて担体ガス流が流され、そのゼ
オライトは、引続いて類似の方法で再生にかけることが
できる。このような方法で、担体ガスの仕上げ処理を連
続的に実施することができる。
とくにドープ成分化合物に対する吸収能力を用いつくさ
れたゼオライトが、再生されて、担体ガスからそれらを
除去することに再利用され得るということである。とく
に有利なことには、この再生が、ゼオライトの温度を5
0ないし300”C,好ましくは200ないし300°
Cに上昇させることによって遂行される。その際、再生
されるべきゼオライトを取り出して、専用の再生ステー
ション中で再調整を行なう。また、ゼオライトがたとえ
ば、加熱可能な吸着管中に装入されているのであれば、
その使用部位において再生を行なうことさえも同様に可
能である。その際には、再生の継続のために担体ガスの
供給が中断されるのであるが、この場合、とくに精緻な
本方法の変形法に従い、平行的に配置されたゼオライト
装入の吸着用装置を通じて担体ガス流が流され、そのゼ
オライトは、引続いて類似の方法で再生にかけることが
できる。このような方法で、担体ガスの仕上げ処理を連
続的に実施することができる。
ゼオライトの再生は、温度の上昇と同時に、圧力を作動
圧力よりも低い値、好ましくは0.1バ一ル未満に低下
させることによっても加速される。
圧力よりも低い値、好ましくは0.1バ一ル未満に低下
させることによっても加速される。
原理的には、この圧力減少は温度上昇を伴うことなしに
でも実施することができ、実際、とくに、温度感受性の
ゼオライト、汚染性化合物ならびにドープ成分化合物が
存在していて、高温度におけるそれらの分解のためにゼ
オライトの再利用が困難になるような場合にはそのよう
になされる。同じくとくに温度感受性のゼオライトの場
合に適用可能な他の再生方法して、知られたものに不活
性ガス流中で実施される圧力負荷交番法(D ruck
lastwechselverfahren )がある
。
でも実施することができ、実際、とくに、温度感受性の
ゼオライト、汚染性化合物ならびにドープ成分化合物が
存在していて、高温度におけるそれらの分解のためにゼ
オライトの再利用が困難になるような場合にはそのよう
になされる。同じくとくに温度感受性のゼオライトの場
合に適用可能な他の再生方法して、知られたものに不活
性ガス流中で実施される圧力負荷交番法(D ruck
lastwechselverfahren )がある
。
再生において分離されたリン化水素、ヒ化水素などの揮
発性ドープ成分化合物は、たとえば、苛性ソーダ中に導
入するなど、適当な試薬との反応により無害化される。
発性ドープ成分化合物は、たとえば、苛性ソーダ中に導
入するなど、適当な試薬との反応により無害化される。
その他、これらをそれ自身同様に有用な化学薬品に捕捉
して濃縮し、ついでそれらをたとえばドープ成分として
更新利用し得るようにすることにも可能性がある。
して濃縮し、ついでそれらをたとえばドープ成分として
更新利用し得るようにすることにも可能性がある。
再生されたゼオライトは、再び精製されるべき担体ガス
と接触せしめられ、それに含有される揮発性の汚染性化
合物、とくにドープ成分化合物と結合する能力を再び獲
得する。同様に、繰返し使用の後で再度再生にかけるこ
とができ、結局、はとんど無制限に再利用の可能性を示
すこととなる。
と接触せしめられ、それに含有される揮発性の汚染性化
合物、とくにドープ成分化合物と結合する能力を再び獲
得する。同様に、繰返し使用の後で再度再生にかけるこ
とができ、結局、はとんど無制限に再利用の可能性を示
すこととなる。
したがって、本方法における化学薬品使用の必要性はき
わめて小さい。ゼオライトの作動状態は、熱伝導検出器
または光イオン化検出器を用い、汚染性化合物、とくに
ドープ成分化合物の比率を担体ガスのゼオライトとの接
触の前後に比較することによって容易に追跡される。出
口側での含有量が許容限界値を超えて上昇したならば、
担体ガスのそれ以上の送入を中止した直後に再生を実施
する。各再生処理過程間の間隔は、ゼオライトの能力お
よび担体ガス中のドープ成分化合物および汚染性化合物
の含有量に応じて、また、場合によっては、予備試験に
よって見積ることができる。
わめて小さい。ゼオライトの作動状態は、熱伝導検出器
または光イオン化検出器を用い、汚染性化合物、とくに
ドープ成分化合物の比率を担体ガスのゼオライトとの接
触の前後に比較することによって容易に追跡される。出
口側での含有量が許容限界値を超えて上昇したならば、
担体ガスのそれ以上の送入を中止した直後に再生を実施
する。各再生処理過程間の間隔は、ゼオライトの能力お
よび担体ガス中のドープ成分化合物および汚染性化合物
の含有量に応じて、また、場合によっては、予備試験に
よって見積ることができる。
本発明にもとづく方法は、僅少な装置面での支出、化学
薬品の少ない所要量およびゆるやかな条件の下において
、処理の困難な担体ガス組成物から揮発性の汚染性化合
物、とくにドープ成分化合物を除去することを可能にす
る。
薬品の少ない所要量およびゆるやかな条件の下において
、処理の困難な担体ガス組成物から揮発性の汚染性化合
物、とくにドープ成分化合物を除去することを可能にす
る。
下記の実施例は、本発明に対してさらに説明を加えるこ
とにおいて有用なものであり、制限の意図を持つものと
解されるべきではない。
とにおいて有用なものであり、制限の意図を持つものと
解されるべきではない。
実施例1
ステンレス鋼製吸着管(直径的2cm)に市販品粒状X
形ゼオライ)(Ca冨富化、空孔径約8人、x=2.4
)約500gを充填した。はじめに、ゼオライトを活性
化し、かつ完全に脱水するため、この管を約2時間、約
370°Cの温度に保持し、それと同時に軽い真空状態
(絶対圧約0.4バール)に置いた。
形ゼオライ)(Ca冨富化、空孔径約8人、x=2.4
)約500gを充填した。はじめに、ゼオライトを活性
化し、かつ完全に脱水するため、この管を約2時間、約
370°Cの温度に保持し、それと同時に軽い真空状態
(絶対圧約0.4バール)に置いた。
ついで、このように前処理された管を、精製されるべき
担体ガス流中に挿入した。このガスは水素からなってい
て、約1容量%の塩素化シラン(主としてほぼ等量の四
塩化ケイ素およびトリクロロシラン)、約1容量%の塩
化水素ならびに痕跡量(約1ppm)のリン化水素を含
有していた。
担体ガス流中に挿入した。このガスは水素からなってい
て、約1容量%の塩素化シラン(主としてほぼ等量の四
塩化ケイ素およびトリクロロシラン)、約1容量%の塩
化水素ならびに痕跡量(約1ppm)のリン化水素を含
有していた。
ガス流は、吸着管の通過に際して、温度約20°C1圧
力約2バールとされた。流速は約3ないし6β/分(標
準状態換算)とされた。
力約2バールとされた。流速は約3ないし6β/分(標
準状態換算)とされた。
この条件は約10時間継続され、その際、吸着管から離
れ去るガス流のリン含有量が、富化法(ケイ素層の分離
とそのリン含有量の定量)によって確定された。ここに
おいて、未処理担体ガス中のホスフィン含有量との対比
で、約55%のホスフィン含有量減少があった。
れ去るガス流のリン含有量が、富化法(ケイ素層の分離
とそのリン含有量の定量)によって確定された。ここに
おいて、未処理担体ガス中のホスフィン含有量との対比
で、約55%のホスフィン含有量減少があった。
約10時間後、調整されるべき担体ガスの導入が停止さ
れ、代って純水素流が適用された。同時に、約15°C
/分の上昇率で約230°Cまで温度が上昇せしめられ
、圧力が約0.02バールに低下せしめられた。ここに
おいて、ゼオライトに結合されたホスフィンが再び遊離
せしめられ、水素流によって搬出された。この再生段階
は、約1.5時間後に終了した。ついで吸着管内のゼオ
ライトが再び担体ガス流中に挿入され、ホスフィンの除
去に使用された。
れ、代って純水素流が適用された。同時に、約15°C
/分の上昇率で約230°Cまで温度が上昇せしめられ
、圧力が約0.02バールに低下せしめられた。ここに
おいて、ゼオライトに結合されたホスフィンが再び遊離
せしめられ、水素流によって搬出された。この再生段階
は、約1.5時間後に終了した。ついで吸着管内のゼオ
ライトが再び担体ガス流中に挿入され、ホスフィンの除
去に使用された。
実施例2
デユラン(Duran)ガラス製吸着管(直径的1.5
011、長さ約30cm)内に、ペンタシル(Pent
asil)ゼオライトZSMII(空孔径的5.5人、
X=110、MはNaおよび痕跡量のH)の燗焼形のも
の約5gを充填した。管には、ガス入口に濾過板を取付
け、ガス出口は塵埃防止のために石英綿で塞いだ。温度
管理のための付加物として、内部温度計が組み込まれた
。
011、長さ約30cm)内に、ペンタシル(Pent
asil)ゼオライトZSMII(空孔径的5.5人、
X=110、MはNaおよび痕跡量のH)の燗焼形のも
の約5gを充填した。管には、ガス入口に濾過板を取付
け、ガス出口は塵埃防止のために石英綿で塞いだ。温度
管理のための付加物として、内部温度計が組み込まれた
。
はじめに、吸着管内のゼオライトを活性化しかつ脱水す
るために真空化が行なわれ、かつ約6時間、約230°
Cに加熱した。その後2時間、乾燥水素での掃気を継続
した。終期においては、ガス流による湿分の導入はもは
や確認されなかった。
るために真空化が行なわれ、かつ約6時間、約230°
Cに加熱した。その後2時間、乾燥水素での掃気を継続
した。終期においては、ガス流による湿分の導入はもは
や確認されなかった。
こうして、ゼオライトが無水状態に置かれたことが保証
された。
された。
ここにおいて、吸着管内の温度が約20°Cに調節され
、かつ、水素流の導入が開始された。この水素流には、
凍結法による塩素化シランの除去のために先行された処
理過程の後にガス相中に残存部分として溜まっていた、
約30ppmのリン化水素ならびに痕跡量(約1ないし
10ppm)のトリクロロシランが付加的に含有されて
いた。流速は約1.5 d/分に設定された。
、かつ、水素流の導入が開始された。この水素流には、
凍結法による塩素化シランの除去のために先行された処
理過程の後にガス相中に残存部分として溜まっていた、
約30ppmのリン化水素ならびに痕跡量(約1ないし
10ppm)のトリクロロシランが付加的に含有されて
いた。流速は約1.5 d/分に設定された。
吸着管を離れ去るガス流中のリン化水素の比率は、ガス
クロマトグラフを用いて管理された。これは装置の検出
限界であるtoppbよりも低いものであった。12時
間後になってようやく水準の上昇が始まり、それにより
、ゼオライトの吸収能力が使いつくされたということが
知られた。
クロマトグラフを用いて管理された。これは装置の検出
限界であるtoppbよりも低いものであった。12時
間後になってようやく水準の上昇が始まり、それにより
、ゼオライトの吸収能力が使いつくされたということが
知られた。
汚染水素ガスの送入が中止されたあと、再生を行なうた
めに、吸着管の温度が約150°Cに高められ、純水素
が導入された。これによりゼオライトに吸着されていた
リン化水素が速やかに再放出され、水素流により運び去
られた。1時間後には、PH,はもはや水素中に検出さ
れなかった。こうして処理は終了し、ゼオライトの再使
用のための準備が整った。
めに、吸着管の温度が約150°Cに高められ、純水素
が導入された。これによりゼオライトに吸着されていた
リン化水素が速やかに再放出され、水素流により運び去
られた。1時間後には、PH,はもはや水素中に検出さ
れなかった。こうして処理は終了し、ゼオライトの再使
用のための準備が整った。
比較試験において、吸着管は、吸着過程において、他の
条件は等しくしておいて、約100°Cの温度に保持さ
れた。この場合、吸着管を離れ去るガス流中のリン化水
素含有量の上昇は、9.6分後にすでに安定化した。
条件は等しくしておいて、約100°Cの温度に保持さ
れた。この場合、吸着管を離れ去るガス流中のリン化水
素含有量の上昇は、9.6分後にすでに安定化した。
以下に好適な態様を例示する。
1、ゼオライトが、2.4ないし120の間から選ばれ
た数のXで示されるモル比を有することを特徴とする特
許請求の範囲に記載された方法。
た数のXで示されるモル比を有することを特徴とする特
許請求の範囲に記載された方法。
2、空孔の内径が4〜20人であるゼオライトを使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲もしくは零項1に記
載の方法。
ることを特徴とする特許請求の範囲もしくは零項1に記
載の方法。
3、ゼオライトが、0ないし50°Cの温度で担体ガス
と接触せしめられることを特徴とする特許請求の範囲も
しくは本項1または2のいずれか1以上に記載された方
法。
と接触せしめられることを特徴とする特許請求の範囲も
しくは本項1または2のいずれか1以上に記載された方
法。
4、ゼオライトが、0.5〜10バールの圧力の下にお
いて担体ガスと接触せしめられることを特徴とする特許
請求の範囲もしくは零項1〜3のいずれか1以上に記載
された方法。
いて担体ガスと接触せしめられることを特徴とする特許
請求の範囲もしくは零項1〜3のいずれか1以上に記載
された方法。
5、塩素化シラン含有担′体ガスが使用されることを特
徴とする特許請求の範囲もしくは零項1〜4のいずれか
1以上に記載された方法。
徴とする特許請求の範囲もしくは零項1〜4のいずれか
1以上に記載された方法。
66使用されるゼオライトが、ゼオライトX。
ゼオライトY、チャバサアイト(Chabasit)お
よびペンタシル(P entasil)の群から選ばれ
たものであることを特徴とする特許請求の範囲もしくは
零項1〜6のいずれか1以上に記載された方法。
よびペンタシル(P entasil)の群から選ばれ
たものであることを特徴とする特許請求の範囲もしくは
零項1〜6のいずれか1以上に記載された方法。
7、ゼオライトが、周期的に、担体ガスとの接触、再生
およびその後再度担体ガスとの接触に付されることを特
徴とする特許請求の範囲もしくは零項1〜7のいずれか
1以上に記載された方法。
およびその後再度担体ガスとの接触に付されることを特
徴とする特許請求の範囲もしくは零項1〜7のいずれか
1以上に記載された方法。
8、ゼオライトが、温度上昇および/または圧力変化に
より再生されることを特徴とする零項7に記載された方
法。
より再生されることを特徴とする零項7に記載された方
法。
9、ゼオライトが、50ないし300°Cまでの温度上
昇により再生されることを特徴とする零項8に記載され
た方法。
昇により再生されることを特徴とする零項8に記載され
た方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、担体ガスが、組成 M_2_/_nO・Al_2O_3・xSiO_2・y
H_2O(ここにMはメンデレーエフの元素周期律表中
の第 I A族もしくは第IIA族に属する元素、Hもしく
はNH_4であり、nはこれら元素の原子価に相当する
数であり、モル比 x=SiO_2/Al_2O_3 は少なくとも2であり、yの値は零に近い数である。) のゼオライトと接触せしめられることを特徴とする。 ガス状もしくは蒸気状のハロゲン化シラン化合物ならび
に場合によってはハロゲン化水素を少なくとも痕跡量含
有する担体ガス、とくに水素から、ガス状の汚染性化合
物、とくにドープ成分化合物を除去するための方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3843313.3 | 1988-12-22 | ||
DE3843313A DE3843313A1 (de) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | Verfahren zur entfernung von gasfoermigen kontaminierenden, insbesondere dotierstoffverbindungen aus halogensilanverbindungen enthaltenden traegergasen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02184501A true JPH02184501A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=6369903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1291434A Pending JPH02184501A (ja) | 1988-12-22 | 1989-11-10 | ハロゲン化シラン化合物を含有する担体ガスからガス状の汚染性化合物、とくにドープ成分化合物を除去する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5051117A (ja) |
JP (1) | JPH02184501A (ja) |
DE (1) | DE3843313A1 (ja) |
IT (1) | IT1238349B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017043523A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 信越化学工業株式会社 | 水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940001410B1 (ko) * | 1989-12-16 | 1994-02-23 | 미쓰이도오아쓰가가꾸 가부시끼가이샤 | 기체상 염소의 농축방법 |
DE4113597C2 (de) * | 1990-04-28 | 1996-10-17 | Babcock Anlagen Gmbh | Verfahren zur Reinigung von Abgasen |
US5290342A (en) * | 1990-12-05 | 1994-03-01 | Ethyl Corporation | Silane compositions and process |
US5211931A (en) * | 1992-03-27 | 1993-05-18 | Ethyl Corporation | Removal of ethylene from silane using a distillation step after separation using a zeolite molecular sieve |
US5453113A (en) * | 1994-04-11 | 1995-09-26 | Uop | Process for separation and recovery of methyl chloride from vent streams containing isobutane |
US5445742A (en) * | 1994-05-23 | 1995-08-29 | Dow Corning Corporation | Process for purifying halosilanes |
US6132492A (en) * | 1994-10-13 | 2000-10-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sorbent-based gas storage and delivery system for dispensing of high-purity gas, and apparatus and process for manufacturing semiconductor devices, products and precursor structures utilizing same |
US6204180B1 (en) | 1997-05-16 | 2001-03-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for manufacturing semiconductor devices, products and precursor structures utilizing sorbent-based fluid storage and dispensing system for reagent delivery |
US5704967A (en) * | 1995-10-13 | 1998-01-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and delivery system comprising high work capacity physical sorbent |
US5518528A (en) * | 1994-10-13 | 1996-05-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Storage and delivery system for gaseous hydride, halide, and organometallic group V compounds |
US6083298A (en) * | 1994-10-13 | 2000-07-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Process for fabricating a sorbent-based gas storage and dispensing system, utilizing sorbent material pretreatment |
US5707424A (en) * | 1994-10-13 | 1998-01-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Process system with integrated gas storage and delivery unit |
US5693306A (en) * | 1994-11-28 | 1997-12-02 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Production process for refined hydrogen iodide |
US6168652B1 (en) * | 1995-10-23 | 2001-01-02 | Dow Corning Corporation | Process for purifying halosilanes |
US5916245A (en) * | 1996-05-20 | 1999-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | High capacity gas storage and dispensing system |
AU713214B2 (en) * | 1996-05-20 | 1999-11-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and delivery system comprising high work capacity physical sorbent |
US6027547A (en) * | 1997-05-16 | 2000-02-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and dispensing vessel with modified high surface area solid as fluid storage medium |
US6019823A (en) * | 1997-05-16 | 2000-02-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sorbent-based fluid storage and dispensing vessel with replaceable sorbent cartridge members |
US5985008A (en) * | 1997-05-20 | 1999-11-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sorbent-based fluid storage and dispensing system with high efficiency sorbent medium |
US5851270A (en) * | 1997-05-20 | 1998-12-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low pressure gas source and dispensing apparatus with enhanced diffusive/extractive means |
US5910292A (en) * | 1997-08-19 | 1999-06-08 | Aeronex, Inc. | Method for water removal from corrosive gas streams |
US5980608A (en) * | 1998-01-07 | 1999-11-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Throughflow gas storage and dispensing system |
US6406519B1 (en) * | 1998-03-27 | 2002-06-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas cabinet assembly comprising sorbent-based gas storage and delivery system |
US6660063B2 (en) | 1998-03-27 | 2003-12-09 | Advanced Technology Materials, Inc | Sorbent-based gas storage and delivery system |
US6070576A (en) * | 1998-06-02 | 2000-06-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Adsorbent-based storage and dispensing system |
US6444013B1 (en) * | 2000-09-19 | 2002-09-03 | The Boc Group, Inc. | Purification of methylsilanes |
US7105037B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-09-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Semiconductor manufacturing facility utilizing exhaust recirculation |
JP2004149393A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Japan Pionics Co Ltd | 不活性ガスの精製方法 |
US6991671B2 (en) | 2002-12-09 | 2006-01-31 | Advanced Technology Materials, Inc. | Rectangular parallelepiped fluid storage and dispensing vessel |
US8002880B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-08-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas storage and dispensing system with monolithic carbon adsorbent |
US7494530B2 (en) * | 2002-12-10 | 2009-02-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas storage and dispensing system with monolithic carbon adsorbent |
US6743278B1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas storage and dispensing system with monolithic carbon adsorbent |
US8679231B2 (en) | 2011-01-19 | 2014-03-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | PVDF pyrolyzate adsorbent and gas storage and dispensing system utilizing same |
EP2855009A4 (en) | 2012-05-29 | 2016-04-13 | Entegris Inc | CARBON ADSORBENT FOR THE REMOVAL OF HYDROGEN SULFIDE FROM GAS, AND REGENERATION OF ADSORBENT |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4930355A (ja) * | 1972-07-13 | 1974-03-18 | ||
JPS4941294A (ja) * | 1972-07-28 | 1974-04-18 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL241272A (ja) * | 1958-07-14 | |||
US3658696A (en) * | 1969-06-17 | 1972-04-25 | Texaco Inc | Selected adsorption with a silanized crystalline alumino-silicate |
US3982912A (en) * | 1971-03-31 | 1976-09-28 | Yoshifumi Yatsurugi | Method for preparation of an improved K-A type zeolite and for separation by adsorption polar and non-polar molecules |
US3698157A (en) * | 1971-06-01 | 1972-10-17 | Mobil Oil Corp | Separation of mixtures with modified zeolites |
US4019880A (en) * | 1975-09-26 | 1977-04-26 | Union Carbide Corporation | Adsorption of carbon monoxide using silver zeolites |
US4019879A (en) * | 1975-09-26 | 1977-04-26 | Union Carbide Corporation | Selective adsorption of carbon monoxide from gas streams |
US4257885A (en) * | 1976-02-04 | 1981-03-24 | Union Carbide Corporation | Novel zeolite compositions and processes for preparing and using same |
US4099936A (en) * | 1976-12-16 | 1978-07-11 | Union Carbide Corporation | Process for the purification of silane |
JPS5399071A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-30 | Nec Corp | Removing apparatus of exhaust gas |
IT1088820B (it) * | 1977-12-05 | 1985-06-10 | Smiel Spa | Processo di purificazione di clorosilani impiegabili nella preparazione di silicio per elettronica |
US4676967A (en) * | 1978-08-23 | 1987-06-30 | Union Carbide Corporation | High purity silane and silicon production |
US4309259A (en) * | 1980-05-09 | 1982-01-05 | Motorola, Inc. | High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride |
NL8005645A (nl) * | 1980-10-13 | 1982-05-03 | Euratom | Werkwijze voor het omkeerbaar opsluiten van gassen of dampen in een natuurlijk of synthetisch zeoliet. |
DE3139705C2 (de) * | 1981-10-06 | 1983-11-10 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Aufarbeitung der bei der Siliciumabscheidung und der Siliciumtetrachlorid-Konvertierung anfallenden Restgase |
DE3143993A1 (de) * | 1981-11-05 | 1983-05-11 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Molekularsieb-zeolith fuer die gewinnung von wasserstoff mit der druckwechsel-adsorptions-technik |
JPS60225638A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-09 | Nippon Atom Ind Group Co Ltd | ヨウ素吸着剤 |
US4554141A (en) * | 1984-05-14 | 1985-11-19 | Ethyl Corporation | Gas stream purification |
US4557921A (en) * | 1984-06-27 | 1985-12-10 | Ethyl Corporation | Purification of halide |
JPS61242901A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-29 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 臭素回収用吸着剤及び臭素回収方法 |
US4663052A (en) * | 1985-12-12 | 1987-05-05 | Union Carbide Corporation | Drying process using chabazite-type adsorbents |
US4772296A (en) * | 1987-05-12 | 1988-09-20 | Eagle-Picher Industries, Inc. | Method of purifying and depositing group IIIa and group Va compounds to produce epitaxial films |
US4744221A (en) * | 1987-06-29 | 1988-05-17 | Olin Corporation | Zeolite based arsine storage and delivery system |
-
1988
- 1988-12-22 DE DE3843313A patent/DE3843313A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1291434A patent/JPH02184501A/ja active Pending
- 1989-11-24 IT IT04859989A patent/IT1238349B/it active IP Right Grant
-
1990
- 1990-12-20 US US07/631,190 patent/US5051117A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4930355A (ja) * | 1972-07-13 | 1974-03-18 | ||
JPS4941294A (ja) * | 1972-07-28 | 1974-04-18 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017043523A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 信越化学工業株式会社 | 水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 |
WO2017038346A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 信越化学工業株式会社 | 水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 |
US10611635B2 (en) | 2015-08-28 | 2020-04-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Hydrogen gas recovery system and hydrogen gas separation and recovery method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT8948599A1 (it) | 1991-05-24 |
IT1238349B (it) | 1993-07-13 |
IT8948599A0 (it) | 1989-11-24 |
DE3843313A1 (de) | 1990-06-28 |
US5051117A (en) | 1991-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02184501A (ja) | ハロゲン化シラン化合物を含有する担体ガスからガス状の汚染性化合物、とくにドープ成分化合物を除去する方法 | |
US4215096A (en) | Removal of acidic contaminants from gas streams by caustic impregnated activated carbon | |
CN107848796B (zh) | 氢气回收系统及氢气的分离回收方法 | |
US4127598A (en) | Process for removing biphenyls from chlorosilanes | |
US4273751A (en) | Removal of acidica contaminants from gas streams by caustic impregnated activated carbon | |
JP2004515344A (ja) | 水素化物ガス、不活性ガス及び非反応性ガスを精製するための方法及び材料 | |
TWI225467B (en) | Vacuum preparation of hydrogen halide drier | |
EP0145539B1 (en) | Mercury adsorbent carbons and carbon molecular sieves | |
JPWO2006109427A1 (ja) | 六塩化二ケイ素の精製方法及び高純度六塩化二ケイ素 | |
JP3636390B2 (ja) | ハロシラン類の精製方法 | |
TW546164B (en) | Cleaning process and cleaning agent for harmful gas | |
JP2875542B2 (ja) | ガス分離法 | |
KR100923941B1 (ko) | 산 기체 및 매트릭스 기체를 포함하는 수분 감소된 조성물, 상기 조성물을 포함하는 제품 및 이의 제조 방법 | |
EP0271618A1 (en) | Mercury absorbent carbon molecular sieves | |
JP6698762B2 (ja) | 水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 | |
WO2014030766A1 (en) | Method for treating exhaust gas containing inorganic halogenated gas | |
US5094830A (en) | Process for removal of water and silicon mu-oxides from chlorosilanes | |
JPS61197415A (ja) | ジクロロシランの精製法 | |
CA2268489C (en) | Adsorbent for separating halogenated aromatic compounds and separation method using it | |
GB1567096A (en) | Process for removing biphenyls from | |
JPS5869715A (ja) | モノシランの精製方法 | |
JPH09169776A (ja) | ハロシランの炭化水素含有量低下方法 | |
JP2796754B2 (ja) | 液状炭化水素中の水銀除去法 | |
US5057242A (en) | Composition, process, and apparatus, for removal of water and silicon mu-oxides from chlorosilanes | |
US20230126756A1 (en) | Boron oxide-containing adsorbent and related methods and devices |