JPH02183583A - 超伝導制御素子 - Google Patents
超伝導制御素子Info
- Publication number
- JPH02183583A JPH02183583A JP1003240A JP324089A JPH02183583A JP H02183583 A JPH02183583 A JP H02183583A JP 1003240 A JP1003240 A JP 1003240A JP 324089 A JP324089 A JP 324089A JP H02183583 A JPH02183583 A JP H02183583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- superconducting
- magnetostrictive
- control element
- high speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 46
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000111306 Torreya nucifera Species 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電流制御素子、磁気センサー スイッチング素
子、電流増幅素子等超伝導特性を制御して素子化した超
伝導制御素子に関する。
子、電流増幅素子等超伝導特性を制御して素子化した超
伝導制御素子に関する。
（従来の技術）
超伝導特性を制御する方法には周知の、ようにジョセフ
ソン素子や５ＱＵＩＤの用に極微細加工を施すタイプと
機能材料１９８８年４月号ｐ５に述べられているように
ヒーターにより超伝導薄膜の温度分布を制御することに
より微細加工と同じ効果を与え超伝導特性を制御するタ
イプが上げられる。
ソン素子や５ＱＵＩＤの用に極微細加工を施すタイプと
機能材料１９８８年４月号ｐ５に述べられているように
ヒーターにより超伝導薄膜の温度分布を制御することに
より微細加工と同じ効果を与え超伝導特性を制御するタ
イプが上げられる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら従来の方法は極微細加工をする場合加工工
程が複雑になると共に加工装置も極限を要求されるため
歩留りが悪く且非常に高コストになっていた。また温度
による制御は伝導速度（熱）が遅いため設定条件が安定
するまでに時間がかかりスイッチング素子の様に高速化
を要求されるものには適していなかった。
程が複雑になると共に加工装置も極限を要求されるため
歩留りが悪く且非常に高コストになっていた。また温度
による制御は伝導速度（熱）が遅いため設定条件が安定
するまでに時間がかかりスイッチング素子の様に高速化
を要求されるものには適していなかった。
本発明はこの様な問題を解決するものであり、極微細加
工を必要とせず、且制御時間が短く高速化の可能な超伝
導制御素子を容易に低コストで得んとするものである。
工を必要とせず、且制御時間が短く高速化の可能な超伝
導制御素子を容易に低コストで得んとするものである。
（課題を解決するための手段）
上記の問題を解決するため本発明による超伝導制御素子
は１）超伝導材料と磁歪材料を直接またはバッファー層
等中間層を介して接合したこと２）超伝導材料が層状構
造であることを特徴とする特（実施例） 以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。
は１）超伝導材料と磁歪材料を直接またはバッファー層
等中間層を介して接合したこと２）超伝導材料が層状構
造であることを特徴とする特（実施例） 以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図と第２図に本発明より成る超伝導制御素子を示し
た。第１図が平面図で第２図が断面図である。先ず（１
００）配向した単結晶のＳｉウェハー基板１上に（Ｙ２
Ｏ２） ０．０９ （Ｚ ｒ ０２） ０．９１組成の
イツトリア安定化ジルコニア膜２（以下ＹＳＺ１１２と
する）を２０００人形成する。このＹＳＺ膜２は（２０
０）配向したエピタキシャル成長膜であり後に形成する
超伝導膜３とＳｉウェハー基板１との成膜や熱処理過程
に於ける反応、拡散を防止するためのものである０次に
このＹＳ２膜２上にＨｏ ＩＢ ａｌ、７ｃ ａｏ、３
ｃ ｕ３０ｙ、 Ｈｏ ＩＢ ａ２Ｃｕ３０ｙ、
Ｎ ｂ Ｎ組成の超伝導Ｂ’Ａ ３．３′３“を各々３
０００人、２０００人、１５００人形成する。超伝導膜
３．３′は一部エビタキシャル成長した多結晶膜であり
主に電流を流す層。超伝導膜３“は超伝導膜３と超伝導
膜３′に外部力）らの磁気の影響を与えないための磁気
シールドを目的とした層である。この超伝導膜３″の材
料は電流を流す超伝導膜３、超伝導膜３′に用ｌ／Ｘる
材料よりコヒーレンス長さが長い方が良く、更に好まし
くは磁束の漏れの無い第１種超伝導体が良い。
た。第１図が平面図で第２図が断面図である。先ず（１
００）配向した単結晶のＳｉウェハー基板１上に（Ｙ２
Ｏ２） ０．０９ （Ｚ ｒ ０２） ０．９１組成の
イツトリア安定化ジルコニア膜２（以下ＹＳＺ１１２と
する）を２０００人形成する。このＹＳＺ膜２は（２０
０）配向したエピタキシャル成長膜であり後に形成する
超伝導膜３とＳｉウェハー基板１との成膜や熱処理過程
に於ける反応、拡散を防止するためのものである０次に
このＹＳ２膜２上にＨｏ ＩＢ ａｌ、７ｃ ａｏ、３
ｃ ｕ３０ｙ、 Ｈｏ ＩＢ ａ２Ｃｕ３０ｙ、
Ｎ ｂ Ｎ組成の超伝導Ｂ’Ａ ３．３′３“を各々３
０００人、２０００人、１５００人形成する。超伝導膜
３．３′は一部エビタキシャル成長した多結晶膜であり
主に電流を流す層。超伝導膜３“は超伝導膜３と超伝導
膜３′に外部力）らの磁気の影響を与えないための磁気
シールドを目的とした層である。この超伝導膜３″の材
料は電流を流す超伝導膜３、超伝導膜３′に用ｌ／Ｘる
材料よりコヒーレンス長さが長い方が良く、更に好まし
くは磁束の漏れの無い第１種超伝導体が良い。
次にこの超伝導膜３“上にＡｇを２５０人形成する。こ
の膜は用いた酸化物超伝導体は酸素が移動し易く不安定
であるためその防止を目的とした中間層４である。酸素
移動は超伝導体の特性を変えるだけでなく後に形成する
磁歪膜５の劣化も招く。
の膜は用いた酸化物超伝導体は酸素が移動し易く不安定
であるためその防止を目的とした中間層４である。酸素
移動は超伝導体の特性を変えるだけでなく後に形成する
磁歪膜５の劣化も招く。
次に中間層４上にＴ ｂ ０．３Ｄ ｙ ０．７Ｆ ｅ
１．９組成の磁歪膜５を２８００ＯＡ形成した。この
磁歪膜５はアモルファスである。アモルファスで大きな
磁歪定数を持つ材料は少ないがアモルファス系は本実施
例のように多層膜構造で磁歪膜５の結晶方向制御が困難
な場合や超伝導材料の劣化防止のため熱処理を極力避け
たい場合に適する。次に磁歪膜５の酸化防止膜６を形成
し超伝導制御素子を得た。
１．９組成の磁歪膜５を２８００ＯＡ形成した。この
磁歪膜５はアモルファスである。アモルファスで大きな
磁歪定数を持つ材料は少ないがアモルファス系は本実施
例のように多層膜構造で磁歪膜５の結晶方向制御が困難
な場合や超伝導材料の劣化防止のため熱処理を極力避け
たい場合に適する。次に磁歪膜５の酸化防止膜６を形成
し超伝導制御素子を得た。
実施例２
第３図に示すように配向したＴ ｂ ０．２２Ｈｏ Ｏ
，７８Ｆｅ１．９［１１１］系磁歪基板１０上にｐｔよ
り成る中間層１１を７００Ａ形成する。この中間層１１
の形成は基板の酸化防止を行うためである。
，７８Ｆｅ１．９［１１１］系磁歪基板１０上にｐｔよ
り成る中間層１１を７００Ａ形成する。この中間層１１
の形成は基板の酸化防止を行うためである。
次にＮｂとＥ ｒ １．２Ｂ ａｏ、８ｃ ｕ Ｏｙ組
成の超伝導膜１２’ １２を中間層１１上に形成する
。
成の超伝導膜１２’ １２を中間層１１上に形成する
。
超伝導膜１２は主に電流を流す層であり、超伝導膜１２
′は磁気シールド層である。次に超伝導膜１２上にＢａ
を含むため水分に弱く分解し易い超伝導膜１２の保護と
して透明保護膜１３を形成し超伝導制御素子を作成した
。
′は磁気シールド層である。次に超伝導膜１２上にＢａ
を含むため水分に弱く分解し易い超伝導膜１２の保護と
して透明保護膜１３を形成し超伝導制御素子を作成した
。
実施例３
配向したＥｒ０．３５ｍ０．７Ｆｅ２系磁歪基板１０を
用いて実施例２と同構造の超伝導制御素子を作成した。
用いて実施例２と同構造の超伝導制御素子を作成した。
尚ここに用いた磁歪材料は実施例２で用いた磁歪材料と
は反対の磁歪効果（膨張と収縮）を示すものである。
は反対の磁歪効果（膨張と収縮）を示すものである。
上記の得られた超伝導制御素子を用いて磁場を膜に対し
て垂直方向く図中のＣ方向）に強度を変えて印加し電流
−電圧特性を測定した。結果を第４図、第５図、第６図
に示した。 （それぞれ実施例１、実施例２、実施例３
である。） 図に示されているように磁場の印加により電流−電圧特
性が変化して明確なスイッチング動作が見られる。また
磁場の印加強度により電流値が変化し電流制御作用も持
っている事が判る。この作用を逆に応用すれば磁気セン
サーにもなり、また磁気を検出して直接電流値を制御す
る素子にもなる。 （尚磁歪薄膜を形成する前の状態で
は磁場を印加してもこの様に顕著な変化は見られない、
）これらの動作°は磁歪薄膜の磁歪効果より発生した応
力を超伝導薄膜の粒界の弱結合部や格子に直接伝えるた
めに発生するものであるためスイッチング動作は高速に
行われる。
て垂直方向く図中のＣ方向）に強度を変えて印加し電流
−電圧特性を測定した。結果を第４図、第５図、第６図
に示した。 （それぞれ実施例１、実施例２、実施例３
である。） 図に示されているように磁場の印加により電流−電圧特
性が変化して明確なスイッチング動作が見られる。また
磁場の印加強度により電流値が変化し電流制御作用も持
っている事が判る。この作用を逆に応用すれば磁気セン
サーにもなり、また磁気を検出して直接電流値を制御す
る素子にもなる。 （尚磁歪薄膜を形成する前の状態で
は磁場を印加してもこの様に顕著な変化は見られない、
）これらの動作°は磁歪薄膜の磁歪効果より発生した応
力を超伝導薄膜の粒界の弱結合部や格子に直接伝えるた
めに発生するものであるためスイッチング動作は高速に
行われる。
尚本実施例では磁歪層の酸化防止を主目的として超伝導
材料と磁歪材料間に中間層を形成しているが磁歪材料に
フェライトガーネット系の様に酸化物を用いると必要が
なくなるため直接接合してもよい。向上記実施例で酸素
欠損型層状ペロブスカイトと一般的に言われる層状構造
を持った超伝導材料を用いているのは等方性的材料に較
べ磁歪材料と組み合わせた時の効果が大きいためである
が層状構造でなくても差し仕えない。（この若番よコヒ
ーレント長の差、結晶の構造に起因する岡ＩＩ （主力
の差によるものと思われる。） 現在話題になっているセラミック系高臨界温度超伝導物
質の中にはレーザーで励起すると発光するものが有るこ
とが発見され、超伝導体を用しまたモノリシック光電子
集積回路が実現できる可Ｎ’Ｑ性があることが示唆され
ている。そこで実施例２の素子に於て励起源にＡｒレー
ザーを、検出器【こフォトダイオードを用い磁歪効果に
より超伝導薄膜に応力を加えたときフォトルミネッセン
ススペクトルに変化があるか調査したところ僅かで番よ
あるが差が見られた。このことは更に磁場によるスイッ
チ効果も光電子集積回路に付与できる事を示している。
材料と磁歪材料間に中間層を形成しているが磁歪材料に
フェライトガーネット系の様に酸化物を用いると必要が
なくなるため直接接合してもよい。向上記実施例で酸素
欠損型層状ペロブスカイトと一般的に言われる層状構造
を持った超伝導材料を用いているのは等方性的材料に較
べ磁歪材料と組み合わせた時の効果が大きいためである
が層状構造でなくても差し仕えない。（この若番よコヒ
ーレント長の差、結晶の構造に起因する岡ＩＩ （主力
の差によるものと思われる。） 現在話題になっているセラミック系高臨界温度超伝導物
質の中にはレーザーで励起すると発光するものが有るこ
とが発見され、超伝導体を用しまたモノリシック光電子
集積回路が実現できる可Ｎ’Ｑ性があることが示唆され
ている。そこで実施例２の素子に於て励起源にＡｒレー
ザーを、検出器【こフォトダイオードを用い磁歪効果に
より超伝導薄膜に応力を加えたときフォトルミネッセン
ススペクトルに変化があるか調査したところ僅かで番よ
あるが差が見られた。このことは更に磁場によるスイッ
チ効果も光電子集積回路に付与できる事を示している。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば磁歪材料のＥＨ場によ
る変形応力を超伝導材料の粒界弱結合部や格子に直接加
えることにより超伝導特性を制御する方法であるため従
来のような極微細加工を瀉１要とせず安価に且容易に作
製出来る。またスイッチ反応も高速に行うことが出来る
。
る変形応力を超伝導材料の粒界弱結合部や格子に直接加
えることにより超伝導特性を制御する方法であるため従
来のような極微細加工を瀉１要とせず安価に且容易に作
製出来る。またスイッチ反応も高速に行うことが出来る
。
尚この超伝導制御素子は電流制御素子、磁気センサー
スイッチング素子、電流増幅素子、光電子集積回路等に
応用することが可能である。
スイッチング素子、電流増幅素子、光電子集積回路等に
応用することが可能である。
第１図は本発明による電流制御素子の平面図。
第２図は本発明による電流制御素子（実施例１）の平面
図におけるＡ−Ａ’方向断面図。 第３図は本発明による電流制御素子（実施例２と実施例
３）の平面図に於けるＡ−Ａ’方向断面図。 第４図は本発明による電流制御素子（実施例１）の電流
−電圧特性を示す図。 第５図は本発明による電流制御素子（実施例２）の電流
−電圧特性を示す図。 第６図は本発明による電流制御素子（実施例３）の電流
−電圧特性を示す図。 １・・・Ｓｉウェハー基板 ２ ・ ３ ・ ３ ′ ３″ ４ ・ ５ ・ ６ ・ １０ ・ ・ １１ ・ ・ １２′ １２ ・ １３ ・ ＹＳＺ膜 超伝導膜 超伝導膜 超伝導膜（磁気シールド用） 中間層 磁歪膜 酸化防止膜 磁歪基板 中間層（ｐｔ） 超伝導膜（磁気シールド用） 超伝導膜 透明保護膜 以上 第私圓 第９図 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳 雅誉 他１名 某乙図 茅 の
図におけるＡ−Ａ’方向断面図。 第３図は本発明による電流制御素子（実施例２と実施例
３）の平面図に於けるＡ−Ａ’方向断面図。 第４図は本発明による電流制御素子（実施例１）の電流
−電圧特性を示す図。 第５図は本発明による電流制御素子（実施例２）の電流
−電圧特性を示す図。 第６図は本発明による電流制御素子（実施例３）の電流
−電圧特性を示す図。 １・・・Ｓｉウェハー基板 ２ ・ ３ ・ ３ ′ ３″ ４ ・ ５ ・ ６ ・ １０ ・ ・ １１ ・ ・ １２′ １２ ・ １３ ・ ＹＳＺ膜 超伝導膜 超伝導膜 超伝導膜（磁気シールド用） 中間層 磁歪膜 酸化防止膜 磁歪基板 中間層（ｐｔ） 超伝導膜（磁気シールド用） 超伝導膜 透明保護膜 以上 第私圓 第９図 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳 雅誉 他１名 某乙図 茅 の
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）超伝導材料と磁歪材料を直接またはバッファー層等
中間層を介して接合したことを特徴とする超伝導制御素
子。 ２）超伝導材料が層状構造であることを特徴とする請求
項１記載の超伝導制御素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003240A JPH02183583A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 超伝導制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003240A JPH02183583A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 超伝導制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02183583A true JPH02183583A (ja) | 1990-07-18 |
Family
ID=11551933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1003240A Pending JPH02183583A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 超伝導制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02183583A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0569781A1 (de) * | 1992-05-11 | 1993-11-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Supraleitungseinrichtung mit zwei Leiterstücken aus Hoch-Tc-Supraleitermaterial und dazwischenliegender Übergangszone |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043884A (ja) * | 1983-08-20 | 1985-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 超伝導素子 |
| JPS63308975A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Toshiba Corp | 電流制御素子 |
| JPH01148928A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 応力センサ |
-
1989
- 1989-01-10 JP JP1003240A patent/JPH02183583A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043884A (ja) * | 1983-08-20 | 1985-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 超伝導素子 |
| JPS63308975A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Toshiba Corp | 電流制御素子 |
| JPH01148928A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 応力センサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0569781A1 (de) * | 1992-05-11 | 1993-11-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Supraleitungseinrichtung mit zwei Leiterstücken aus Hoch-Tc-Supraleitermaterial und dazwischenliegender Übergangszone |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1997034327A1 (en) | Wide josephson junction with asymmetric control lines | |
| JPH06504881A (ja) | 超電導薄膜に結晶境界接合を生成して得られたデバイス及び生成するための方法 | |
| Wang et al. | Electromagnetic coupling character of [001] twist boundaries in sintered Bi2Sr2CaCu2O8+ x bicrystals | |
| JPH02183583A (ja) | 超伝導制御素子 | |
| Chaudhari et al. | Critical current measurements in single crystals and single-grain boundaries in YBa 2 Cu 3 O 7 films | |
| JPH0472777A (ja) | 超電導デバイス用基板 | |
| US6839578B2 (en) | Method of forming high temperature superconducting Josephson junction | |
| JPH02183582A (ja) | 超伝導制御素子 | |
| Chen et al. | Growth of completely (110)-and (111)-oriented MgO films on H-terminated (100) silicon substrate by pulsed laser deposition | |
| Liebenberg et al. | Angular dependence of critical currents of high temperature superconducting films in high magnetic fields prepared by metalorganic deposition | |
| Yugay et al. | Superconducting properties of YBaCuO thin films obtained by thermocycling | |
| Kikuchi et al. | Structure and irreversibility field of the Tl-1223 phase synthesized through the substitution of TlF for Tl2O3 | |
| JPH01214178A (ja) | ジヨセフソン接合の製造方法 | |
| Wang et al. | Investigation of the strain relaxation and ageing effect of YBa2Cu3O7− δ thin films grown on silicon-on-insulator substrates with yttria-stabilized zirconia buffer layers | |
| JPH0629583A (ja) | 超伝導装置 | |
| JP2703403B2 (ja) | 超電導配線の作製方法 | |
| Blinova et al. | Structure and properties of deposited films in composite samples SiO 2/YSZ/CeO 2/YBa 2 Cu 3 O y | |
| JPH05208898A (ja) | 高温超伝導部材の製造方法 | |
| Song et al. | Transport properties of silver‐doped Y‐Ba‐Cu‐O thin films | |
| JP2828652B2 (ja) | 超電導素子の製造方法 | |
| JP2001080994A (ja) | 酸化物超電導積層基板とその製造方法 | |
| JPH098369A (ja) | 高温超電導磁束フロートランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH0227612A (ja) | 酸化物系超電導線材 | |
| JPH01218078A (ja) | 高温超電導体のパターン形成方法及び高温超電導体パターンを有する超電導応用素子 | |
| WO2006025252A1 (ja) | 超伝導薄膜、その製造方法、およびそれを用いた超伝導線材、超伝導デバイス |