JPH098369A - 高温超電導磁束フロートランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
高温超電導磁束フロートランジスタおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH098369A JPH098369A JP7152900A JP15290095A JPH098369A JP H098369 A JPH098369 A JP H098369A JP 7152900 A JP7152900 A JP 7152900A JP 15290095 A JP15290095 A JP 15290095A JP H098369 A JPH098369 A JP H098369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature superconducting
- high temperature
- superconducting oxide
- thin film
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高トランスレジスタの高温超電導磁束フロー
トランジスタの提供。 【構成】 ＳｒＴｉＯ3 （１００）の基板１０上に、Ａ
ｇ（銀）を５〜３０ｗｔ．％ドープして成膜したＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7 の高温超電導酸化物薄膜が設けてあり、こ
の膜を画成して弱結合１８ａ設けてある。
トランジスタの提供。 【構成】 ＳｒＴｉＯ3 （１００）の基板１０上に、Ａ
ｇ（銀）を５〜３０ｗｔ．％ドープして成膜したＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7 の高温超電導酸化物薄膜が設けてあり、こ
の膜を画成して弱結合１８ａ設けてある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波回路、ミ
リ波回路、高速デジタル回路および低雑音増幅回路に用
いて好適な高温超電導磁束フロートランジスタ（以下Ｆ
ＦＴとも略称する）に関する。
リ波回路、高速デジタル回路および低雑音増幅回路に用
いて好適な高温超電導磁束フロートランジスタ（以下Ｆ
ＦＴとも略称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高温超電導磁束フロートランジス
タの一例が、文献１：「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ａｐｐ
ｌ．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃ．，Ｖｏｌ．４，ｐｐ．２
２８−２３５，Ｄｅｃ．，１９９４」に記載されてい
る。この文献に開示の技術によれば単結晶基板の表面上
に、高温超電導酸化物薄膜を弱結合のチャネルを介し
て、高温超電導酸化物薄膜からなる第１および第２電極
を具えている。そして、弱結合の近傍を通過する制御線
を具えている。そして、このＦＦＴでは、マイスナー状
態の第１および第２電極間にバイアス電流を流すと、こ
のバイアス電流によって磁場が発生する。弱結合の磁場
の強度が下部臨界磁場の強度を越えると、磁束がボルテ
ックス（渦糸）として弱結合に侵入して、弱結合は混合
状態となる。ボルテックスは、弱結合を横切って走行
（フロー）するため、第１および第２電極間に誘導電圧
が生じる。
タの一例が、文献１：「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ａｐｐ
ｌ．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃ．，Ｖｏｌ．４，ｐｐ．２
２８−２３５，Ｄｅｃ．，１９９４」に記載されてい
る。この文献に開示の技術によれば単結晶基板の表面上
に、高温超電導酸化物薄膜を弱結合のチャネルを介し
て、高温超電導酸化物薄膜からなる第１および第２電極
を具えている。そして、弱結合の近傍を通過する制御線
を具えている。そして、このＦＦＴでは、マイスナー状
態の第１および第２電極間にバイアス電流を流すと、こ
のバイアス電流によって磁場が発生する。弱結合の磁場
の強度が下部臨界磁場の強度を越えると、磁束がボルテ
ックス（渦糸）として弱結合に侵入して、弱結合は混合
状態となる。ボルテックスは、弱結合を横切って走行
（フロー）するため、第１および第２電極間に誘導電圧
が生じる。
【０００３】ここで、制御線に制御電流を流して磁場を
発生させて、混合状態の弱結合の磁場強度を変化させれ
ば、ボルテックスの走行速度を制御することができる。
その結果、制御電流を制御することにより、第１および
第２電極間の出力を制御することができる。
発生させて、混合状態の弱結合の磁場強度を変化させれ
ば、ボルテックスの走行速度を制御することができる。
その結果、制御電流を制御することにより、第１および
第２電極間の出力を制御することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＦＦＴの弱結合に存在する結晶粒界は、大きなピン留め
力を有する。このため、弱結合を横切るボルテックスの
走行速度は遅い。その結果、出力電圧の大きなＦＦＴを
得ることが困難であった。
ＦＦＴの弱結合に存在する結晶粒界は、大きなピン留め
力を有する。このため、弱結合を横切るボルテックスの
走行速度は遅い。その結果、出力電圧の大きなＦＦＴを
得ることが困難であった。
【０００５】また、出力電圧そのものが小さいため、制
御磁場の変化に対する出力電圧の変化率も大きくするこ
とが困難であった。その結果、ＦＦＴの磁気感度が低く
なるため、高いトランスレジスタのＦＦＴを得ることが
困難であった。
御磁場の変化に対する出力電圧の変化率も大きくするこ
とが困難であった。その結果、ＦＦＴの磁気感度が低く
なるため、高いトランスレジスタのＦＦＴを得ることが
困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】ボルテックス速度が速い
ＦＦＴを実現するため、この出願に係る発明者は種々の
検討を重ねたところ、文献２：「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｖｏｌ．６７，ｐｐ．３５３，１９９０」におい
て、焼結したバルクの高温超電導体（ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7 ）に銀（Ａｇ）を少量ドープすると臨界電流値が増大
し、さらにＡｇを大量にドープすると臨界電流値が減少
するという現象が報告されていることを知った。また、
文献２によれば、このＡｇがドープされた高温超電導体
のＸ線吸収解析結果から、Ａｇをドープしても高温超電
導体の結晶構造はほとんど変わっていないことが分かっ
た。
ＦＦＴを実現するため、この出願に係る発明者は種々の
検討を重ねたところ、文献２：「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｖｏｌ．６７，ｐｐ．３５３，１９９０」におい
て、焼結したバルクの高温超電導体（ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7 ）に銀（Ａｇ）を少量ドープすると臨界電流値が増大
し、さらにＡｇを大量にドープすると臨界電流値が減少
するという現象が報告されていることを知った。また、
文献２によれば、このＡｇがドープされた高温超電導体
のＸ線吸収解析結果から、Ａｇをドープしても高温超電
導体の結晶構造はほとんど変わっていないことが分かっ
た。
【０００７】高温超電導酸化物におけるピン止め力は、
臨界電流値に比例することが知られている（例えば、文
献３：「Ｊ．ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｈｙ
ｓｉｃｓ，Ｎｏ．３／４，ｐｐ．２６７−２８９，１９
７０」に記載されている）。そこで、この出願に係る発
明者は高温超電導体にＡｇを大量にドープすれば、結晶
粒界のピン止め力を弱くして、ボルテックスの走行速度
を速くすることができると考えた。
臨界電流値に比例することが知られている（例えば、文
献３：「Ｊ．ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｈｙ
ｓｉｃｓ，Ｎｏ．３／４，ｐｐ．２６７−２８９，１９
７０」に記載されている）。そこで、この出願に係る発
明者は高温超電導体にＡｇを大量にドープすれば、結晶
粒界のピン止め力を弱くして、ボルテックスの走行速度
を速くすることができると考えた。
【０００８】そこで、この出願に係る第１の発明の高温
超電導磁束フロートランジスタ（ＦＦＴ）は、高温超電
導酸化物薄膜に、当該高温超電導酸化物薄膜を構成する
結晶の構造を実質的に変更しない不純物をドープしてあ
ることを特徴とする。
超電導磁束フロートランジスタ（ＦＦＴ）は、高温超電
導酸化物薄膜に、当該高温超電導酸化物薄膜を構成する
結晶の構造を実質的に変更しない不純物をドープしてあ
ることを特徴とする。
【０００９】また、上記文献２においては、Ａｇをドー
プした高温超電導体を焼結によって得ていたが、燒結法
では、高温超電導体薄膜を形成することは困難である。
プした高温超電導体を焼結によって得ていたが、燒結法
では、高温超電導体薄膜を形成することは困難である。
【００１０】そこで、この出願に係る第２の発明の高温
超電導磁束フロートランジスタの製造方法によれば、基
板上に該高温超電導酸化物薄膜を成膜する際に、当該超
電導薄膜を構成する結晶の構造を実質的に変更しない不
純物をドープすることを特徴とする。
超電導磁束フロートランジスタの製造方法によれば、基
板上に該高温超電導酸化物薄膜を成膜する際に、当該超
電導薄膜を構成する結晶の構造を実質的に変更しない不
純物をドープすることを特徴とする。
【００１１】
【作用】ＦＦＴの出力電圧ＶF は、下記の（１）式で与
えられ、磁束密度Ｂとボルテックスの走行速度ｖx との
積に比例する。
えられ、磁束密度Ｂとボルテックスの走行速度ｖx との
積に比例する。
【００１２】ＶF ＝Ｂ×ｖx ×Ｄ・・・（１） 但し、ＤはＦＦＴの弱結合のチャネル幅を表す。
【００１３】ここで、Ａｇをドープして臨界電流ＪC を
小さくすると、ボルテックスの走行速度ｖx を高くする
ことが可能となる。そして、ボルテックスの走行速度ｖ
x が高い程、磁気感度（ΔＶF ／ΔＢ）を高くすること
ができる。その結果、トランスレジスタンス（ΔＶF ／
ΔＩ、ＩはＦＦＴの入力電流）は磁気感度に比例するの
で、利得を高くすることが可能となる。
小さくすると、ボルテックスの走行速度ｖx を高くする
ことが可能となる。そして、ボルテックスの走行速度ｖ
x が高い程、磁気感度（ΔＶF ／ΔＢ）を高くすること
ができる。その結果、トランスレジスタンス（ΔＶF ／
ΔＩ、ＩはＦＦＴの入力電流）は磁気感度に比例するの
で、利得を高くすることが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して、この出願に係る第１
の発明の高温超電導磁束フロートランジスタ（ＦＦＴ）
及び第２の発明のその製造方法について合わせて説明す
る。図１は、この実施例のＦＦＴの説明に供する斜視図
である。図１の示すＦＦＴは、図２に示すＣＶＤ装置を
用いて成膜する。
の発明の高温超電導磁束フロートランジスタ（ＦＦＴ）
及び第２の発明のその製造方法について合わせて説明す
る。図１は、この実施例のＦＦＴの説明に供する斜視図
である。図１の示すＦＦＴは、図２に示すＣＶＤ装置を
用いて成膜する。
【００１５】この実施例のＦＦＴは、ＳｒＴｉＯ3 （１
００）の基板１０上に、Ａｇが５〜３０ｗｔ．％ドープ
された高温超電導酸化物薄膜としてＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7
（以下、ＹＢＣＯとも表記する）が成膜されている。こ
のＹＢａＣｕＯを成膜するにあたっては、図２に示すＣ
ＶＤ装置を用いる。
００）の基板１０上に、Ａｇが５〜３０ｗｔ．％ドープ
された高温超電導酸化物薄膜としてＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7
（以下、ＹＢＣＯとも表記する）が成膜されている。こ
のＹＢａＣｕＯを成膜するにあたっては、図２に示すＣ
ＶＤ装置を用いる。
【００１６】この基板１０は、ＣＶＤ装置の膜形成室３
０に設置され、基板加熱機構３２によって加熱される。
また、この膜形成室は、ガス導入系３２と、バルブ３６
を介して排気系３４とに繋がっている。また、ガス導入
系には、Ｙ（イットリウム）高温槽４０、Ｂａ（バリウ
ム）高温槽４２、Ｃｕ（銅）高温槽４４及びＡｇ（銀）
高温槽にそれぞれ繋がっている。
０に設置され、基板加熱機構３２によって加熱される。
また、この膜形成室は、ガス導入系３２と、バルブ３６
を介して排気系３４とに繋がっている。また、ガス導入
系には、Ｙ（イットリウム）高温槽４０、Ｂａ（バリウ
ム）高温槽４２、Ｃｕ（銅）高温槽４４及びＡｇ（銀）
高温槽にそれぞれ繋がっている。
【００１７】そして、この実施例では、基板温度６００
〜８５０℃、圧力１０Ｔｏｒｒ、酸素分圧０．５〜３．
５Ｔｏｒｒの条件下で、また、酸化ガスの導入量を５０
ｓｃｃｍ、原料ガス導入量を４００ｓｃｃｍとして、高
温超電導酸化物薄膜１２の成膜を行なう。高温超電導酸
化物薄膜１２の膜厚は、１００〜３００ｎｍ程度にす
る。
〜８５０℃、圧力１０Ｔｏｒｒ、酸素分圧０．５〜３．
５Ｔｏｒｒの条件下で、また、酸化ガスの導入量を５０
ｓｃｃｍ、原料ガス導入量を４００ｓｃｃｍとして、高
温超電導酸化物薄膜１２の成膜を行なう。高温超電導酸
化物薄膜１２の膜厚は、１００〜３００ｎｍ程度にす
る。
【００１８】次に、この高温超電導酸化物薄膜１２に対
して、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング技術を
用いて、第１電極１４と第２電極１６とを繋ぐ４本のブ
リッジ１８とそのブリッジ１８同士の間のホール２０と
を画成する。また、この画成の際に、弱結合１８から１
０μｍ離れた基板１０上に、一定の太さの制御線２２を
画成する。
して、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング技術を
用いて、第１電極１４と第２電極１６とを繋ぐ４本のブ
リッジ１８とそのブリッジ１８同士の間のホール２０と
を画成する。また、この画成の際に、弱結合１８から１
０μｍ離れた基板１０上に、一定の太さの制御線２２を
画成する。
【００１９】さらに、ブリッジの一部を５μｍの幅で１
／３の厚さにして弱結合（チャネル）１８ａを形成す
る。また、第１及び第２電極１４及び１６に、それぞれ
出力端子及びバイアス電流端子を形成して、高温超電導
磁束フロートランジスタを得る。 次に、図３に、Ａｇ
をドープした弱結合の結晶粒の想像図を示す。高温超電
導酸化物薄膜は、通常、粒径が０．１〜数μｍ程度の多
くの結晶粒５０からなる。高温超電導薄膜にＡｇをドー
プすると、ドープされたＡｇは先ずＹＢＣＯの銅（Ｃ
ｕ）と置換する。更にＡｇを多量にドープした場合、上
記文献２において、結晶構造がほとんど変わっていない
ことから、過剰にドープされたＡｇは結晶粒界で皮膜状
に存在していると考えられる。
／３の厚さにして弱結合（チャネル）１８ａを形成す
る。また、第１及び第２電極１４及び１６に、それぞれ
出力端子及びバイアス電流端子を形成して、高温超電導
磁束フロートランジスタを得る。 次に、図３に、Ａｇ
をドープした弱結合の結晶粒の想像図を示す。高温超電
導酸化物薄膜は、通常、粒径が０．１〜数μｍ程度の多
くの結晶粒５０からなる。高温超電導薄膜にＡｇをドー
プすると、ドープされたＡｇは先ずＹＢＣＯの銅（Ｃ
ｕ）と置換する。更にＡｇを多量にドープした場合、上
記文献２において、結晶構造がほとんど変わっていない
ことから、過剰にドープされたＡｇは結晶粒界で皮膜状
に存在していると考えられる。
【００２０】上述した実施例では、高温超電導材料とし
て、ＹＢＣＯを用いたが、この発明では、高温超電導の
材料として、例えば、Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 ，（Ｂ
ｉ，Ｐｂ）2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ8 ，ＴｌＢａ2 Ｃａ
Ｃｕ2 Ｏ7 ，ＴｌＢａ2 Ｃａ2Ｃｕ3 Ｏ9 ，（Ｂａ，
Ｋ）ＢｉＯ3 または（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 といった等
方性の酸化物超電導材料を用いることができる。
て、ＹＢＣＯを用いたが、この発明では、高温超電導の
材料として、例えば、Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 ，（Ｂ
ｉ，Ｐｂ）2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ8 ，ＴｌＢａ2 Ｃａ
Ｃｕ2 Ｏ7 ，ＴｌＢａ2 Ｃａ2Ｃｕ3 Ｏ9 ，（Ｂａ，
Ｋ）ＢｉＯ3 または（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 といった等
方性の酸化物超電導材料を用いることができる。
【００２１】また、上述した実施例では、ＳｒＴｉＯ3
基板上に高温超電導酸化物薄膜を成膜したが、この発明
では、例えばＭｇＯ，ＬａＡｌＯ3 ，ＺｒＯ2 またはサ
ファイアといったバイクリスタル基板を用いてもよい。
基板上に高温超電導酸化物薄膜を成膜したが、この発明
では、例えばＭｇＯ，ＬａＡｌＯ3 ，ＺｒＯ2 またはサ
ファイアといったバイクリスタル基板を用いてもよい。
【００２２】また、上述した実施例では、高温超電導酸
化物薄膜にドープする不純物としてＡｇを用いたが、こ
の発明では、例えばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕといった導電性の
良い金属、あるいは、Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓといった半
導体をドープしてもよい。
化物薄膜にドープする不純物としてＡｇを用いたが、こ
の発明では、例えばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕといった導電性の
良い金属、あるいは、Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓといった半
導体をドープしてもよい。
【００２３】
【発明の効果】この発明では、高温超電導酸化物薄膜に
Ａｇをドープして臨界電流ＪC を小さくすることにより
ボルテックスの走行速度を高くすることが可能となる。
更に、ボルテックスの走行速度ｖx が高い程、磁気感度
（ΔＶF ／ΔＢ）を高くすることができる。また、磁気
感度が高い程、磁気感度に比例するトランスレジスタン
スを高くすることが可能となる。そして、トランスレジ
スタンスを高くすることによって、利得（ｇａｉｎ）を
高くすることが可能となる。
Ａｇをドープして臨界電流ＪC を小さくすることにより
ボルテックスの走行速度を高くすることが可能となる。
更に、ボルテックスの走行速度ｖx が高い程、磁気感度
（ΔＶF ／ΔＢ）を高くすることができる。また、磁気
感度が高い程、磁気感度に比例するトランスレジスタン
スを高くすることが可能となる。そして、トランスレジ
スタンスを高くすることによって、利得（ｇａｉｎ）を
高くすることが可能となる。
【図１】実施例のＦＦＴの説明に供する斜視図である。
【図２】実施例の高温超電導酸化物薄膜の成膜に用いる
ＣＶＤ装置の説明に供する概略図である。
ＣＶＤ装置の説明に供する概略図である。
【図３】Ａｇをドープした弱結合の結晶粒の想像図であ
る。
る。
１０：基板 １２：高温超電導酸化物薄膜 １４：第１電極 １６：第２電極 １８：ブリッジ １８ａ：弱結合（チャネル） ２０：ホール ２２：制御電極 ３０：膜形成室 ３２：基板加熱機構 ３４：ガス導入系 ３６：バルブ ３８：排気系 ４０：Ｙ高温槽 ４２：Ｂａ高温槽 ４４：Ｃｕ高温槽 ４６：Ａｇ高温槽 ５０：結晶粒 ５２：Ａｇ（銀） ５４：結晶粒界
Claims (2)
- 【請求項１】 高温超電導酸化物薄膜を用いた高温超電
導磁束フロートランジスタであって、 該高温超電導酸化物薄膜に、当該高温超電導酸化物薄膜
を構成する結晶の構造を実質的に変更しない不純物をド
ープしてあることを特徴とする高温超電導磁束フロート
ランジスタ。 - 【請求項２】 高温超電導酸化物薄膜を用いた高温超電
導磁束フロートランジスタを製造するにあたり、 基板上に該高温超電導酸化物薄膜を成膜する際に、当該
超電導薄膜を構成する結晶の構造を実質的に変更しない
不純物をドープすることを特徴とする高温超電導磁束フ
ロートランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152900A JPH098369A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 高温超電導磁束フロートランジスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152900A JPH098369A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 高温超電導磁束フロートランジスタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098369A true JPH098369A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15550595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7152900A Pending JPH098369A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 高温超電導磁束フロートランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098369A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014513867A (ja) * | 2011-02-18 | 2014-06-05 | ソーラー−テクティック リミテッド ライアビリティ カンパニー | クプレート超電導体の臨界電流密度の向上 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP7152900A patent/JPH098369A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014513867A (ja) * | 2011-02-18 | 2014-06-05 | ソーラー−テクティック リミテッド ライアビリティ カンパニー | クプレート超電導体の臨界電流密度の向上 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5729046A (en) | Superconducting device having pinning regions | |
| Wang et al. | Stacks of intrinsic Josephson junctions singled out from inside Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8+ x single crystals | |
| JPH08153908A (ja) | 結晶粒界チャンネルをもつ超伝導電界効果素子とその製造方法 | |
| US5627139A (en) | High-temperature superconducting josephson devices having a barrier layer of a doped, cubic crystalline, conductive oxide material | |
| JPH098369A (ja) | 高温超電導磁束フロートランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2591559B2 (ja) | 超電導性電界効果トランジスタ | |
| JP2796137B2 (ja) | 超伝導トランジスタ | |
| US5528052A (en) | Superconductive-channel electric field-effect drive | |
| Irie et al. | Fabrication of DC SQUIDs based on Bi/sub 2/Sr/sub 2/CaCu/sub 2/O/sub y/intrinsic Josephson junctions | |
| EP0523279A1 (en) | Electric field-effect devices having a superconducting channel | |
| JP2955407B2 (ja) | 超電導素子 | |
| JP3221037B2 (ja) | 電流変調装置 | |
| JP3338212B2 (ja) | 高温超電導磁束フロートランジスタおよびその製造方法 | |
| Martens et al. | Superconducting electronics in the Tl Ca Ba Cu O System | |
| JPH05343756A (ja) | 半導体結合超伝導素子 | |
| JP3232642B2 (ja) | 電流変調装置 | |
| JP3281738B2 (ja) | ボルテックスフロートランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS61110481A (ja) | 超電導トランジスタ | |
| JPH0537031A (ja) | 超伝導三端子素子 | |
| JPH05167115A (ja) | 超伝導三端子素子 | |
| JPH02186681A (ja) | 超電導接合装置 | |
| JPH09312424A (ja) | 超電導トランジスタ | |
| JPH05251769A (ja) | 超電導電流路の接続構造 | |
| JPH09307148A (ja) | 高温超電導単結晶体型ボルテックスフロー素子及びその作製方法 | |
| JPH0724314B2 (ja) | 超伝導トランジスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |