JPH02180723A - 合成石英ガラスの製造方法 - Google Patents
合成石英ガラスの製造方法Info
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- JPH02180723A JPH02180723A JP33507088A JP33507088A JPH02180723A JP H02180723 A JPH02180723 A JP H02180723A JP 33507088 A JP33507088 A JP 33507088A JP 33507088 A JP33507088 A JP 33507088A JP H02180723 A JPH02180723 A JP H02180723A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は合成石英ガラスの製造方法、特には高純度で高
温粘性が高いことからシリコン単結晶の引上げ用るつぼ
材などの半導体熱処理用部材として有用とされる合成石
英ガラスをゾル−ゲル法で製造する方法に関するもので
ある。
温粘性が高いことからシリコン単結晶の引上げ用るつぼ
材などの半導体熱処理用部材として有用とされる合成石
英ガラスをゾル−ゲル法で製造する方法に関するもので
ある。
[従来の技術]
合成石英ガラスの製造については■四塩化けい素などの
けい素化合物を酸水素火炎中で加水分解してシリカ粒子
を作り、これを溶融して石英ガラスとする方法、■この
酸水素火炎をプラズマ炎とする方法、■アルコキシシラ
ンをアルコール溶媒中において酸触媒で加水分解してシ
リカを作り、これを焼結して石英ガラスとする、いわゆ
るゾル−ゲル法などが知られている。
けい素化合物を酸水素火炎中で加水分解してシリカ粒子
を作り、これを溶融して石英ガラスとする方法、■この
酸水素火炎をプラズマ炎とする方法、■アルコキシシラ
ンをアルコール溶媒中において酸触媒で加水分解してシ
リカを作り、これを焼結して石英ガラスとする、いわゆ
るゾル−ゲル法などが知られている。
しかし、この酸水素火炎を用いる方法には石英ガラス中
に1 、000ppmものOH基が残留するし、高温粘
性も低く、真空中高温では発泡するという問題点がある
し、プラズマ法はコストが高く、量産化が難しいという
不利があり、ゾル−ゲル法には高粘度品を安価に得るこ
とができるという利点があるものの、OH基が残り易く
、製造に長時間を要し、高温粘性の高いものが得られ難
いという不利がある。
に1 、000ppmものOH基が残留するし、高温粘
性も低く、真空中高温では発泡するという問題点がある
し、プラズマ法はコストが高く、量産化が難しいという
不利があり、ゾル−ゲル法には高粘度品を安価に得るこ
とができるという利点があるものの、OH基が残り易く
、製造に長時間を要し、高温粘性の高いものが得られ難
いという不利がある。
しかし、このゾル−ゲル法では非常にアモルファスに近
いガラスが得られるために、光ファイバー IC用フォ
トマスク、レンズなどに用いることが検討されており、
これについては例えばアルキルシリケートを塩基性触媒
のもとで加水分解してシリカ徹粒子を作り、これをアル
キルシリケートを酸触媒のもとで加水分解して得たゾル
と混合する方法(特開昭62−241837号公報参照
) % stc+4の酸化により得られたSin、粒子
を用い、ローブロバノールを分散剤としてクロロホルム
に分散させ、アンモニア蒸気でゲル化させる方法[G、
W、5cheera & J、C,Luong、J、N
on−Cryst、5olids。
いガラスが得られるために、光ファイバー IC用フォ
トマスク、レンズなどに用いることが検討されており、
これについては例えばアルキルシリケートを塩基性触媒
のもとで加水分解してシリカ徹粒子を作り、これをアル
キルシリケートを酸触媒のもとで加水分解して得たゾル
と混合する方法(特開昭62−241837号公報参照
) % stc+4の酸化により得られたSin、粒子
を用い、ローブロバノールを分散剤としてクロロホルム
に分散させ、アンモニア蒸気でゲル化させる方法[G、
W、5cheera & J、C,Luong、J、N
on−Cryst、5olids。
1i3 (1984) 163−172参照]などがあ
る。また、ゾル−ゲル法によるルツボ、治具などの耐熱
部材への検討も行なわれており、これについてはNaな
とのアルカリ成分の存在下での酸触媒による加水分解で
得たシリカをα−クリストバライトに転移させたのち溶
解する方法(特開昭63−166730号公報参照)や
本発明者らが先に出願したメチルシリケートをメタノー
ル溶媒中でアンモニア触媒で加水分解して得た単分散お
よび多分散のシリカを焼結して得る方法などがある。
る。また、ゾル−ゲル法によるルツボ、治具などの耐熱
部材への検討も行なわれており、これについてはNaな
とのアルカリ成分の存在下での酸触媒による加水分解で
得たシリカをα−クリストバライトに転移させたのち溶
解する方法(特開昭63−166730号公報参照)や
本発明者らが先に出願したメチルシリケートをメタノー
ル溶媒中でアンモニア触媒で加水分解して得た単分散お
よび多分散のシリカを焼結して得る方法などがある。
[解決すべき課題]
しかし、このゾル−ゲル法のようにシリカ粒子を単分散
および多分散として得る方法には生産性がわるく、溶媒
の除去に多・くのエネルギー消費が必要とされるという
不利があり、前記した塩基性触媒のもとての加水分解物
と酸性触媒のもとての加水分解物を混合する方法では天
然石英のような高温粘性の高いものを得ることができず
、したがってこの石英ガラスは半導体熱処理用部材とし
て使用できないという不利があり、Naの存在下でα−
クリストバライトとする方法は粘度の高い石英ガラスを
得ることができるけれども、これにはアルカリ成分の除
去が困難であることから、これも半導体熱処理用部材と
して使用できないという不利がある。
および多分散として得る方法には生産性がわるく、溶媒
の除去に多・くのエネルギー消費が必要とされるという
不利があり、前記した塩基性触媒のもとての加水分解物
と酸性触媒のもとての加水分解物を混合する方法では天
然石英のような高温粘性の高いものを得ることができず
、したがってこの石英ガラスは半導体熱処理用部材とし
て使用できないという不利があり、Naの存在下でα−
クリストバライトとする方法は粘度の高い石英ガラスを
得ることができるけれども、これにはアルカリ成分の除
去が困難であることから、これも半導体熱処理用部材と
して使用できないという不利がある。
[課題を解決するための手段]
本発明はこのような不利を解決したゾル−ゲル法による
合成石英ガラスの製造方法に関するものであり、これは
メチルシリケートをアンモニアの存在下でメタノールの
ようなアルコール溶媒を用いずに加水分解し、重合させ
て粒度が100〜500nmのシリカ−成粒子を粒度が
10〜100μmのシリカ凝集体とし、固液分離によっ
て溶媒を分離したのち、加熱して未反応の有機物を酸化
除去し、ついでこのシリカ粉を真空中で1,500 ℃
以上に加熱して焼結させ、粉砕、酸処理、乾燥を行なっ
たのち、1,700℃以上の温度で溶融成形することを
特徴とするものである。
合成石英ガラスの製造方法に関するものであり、これは
メチルシリケートをアンモニアの存在下でメタノールの
ようなアルコール溶媒を用いずに加水分解し、重合させ
て粒度が100〜500nmのシリカ−成粒子を粒度が
10〜100μmのシリカ凝集体とし、固液分離によっ
て溶媒を分離したのち、加熱して未反応の有機物を酸化
除去し、ついでこのシリカ粉を真空中で1,500 ℃
以上に加熱して焼結させ、粉砕、酸処理、乾燥を行なっ
たのち、1,700℃以上の温度で溶融成形することを
特徴とするものである。
すなわち、本発明者らはゾル−ゲル法を用いて高純度で
、高温粘性が高い合成石英ガラスを安価に製造する方法
について種々検討した結果、メチルシリケートの加水分
解をメタノールなどのアルコール溶媒を用いずにアンモ
ニアの存在下で行なわせ重合すると、粒度が100〜5
QOnmの一次粒子として得られたシリカが凝集塊とな
って粒度がlO〜100μIのシリカ粒子となるので、
このものは遠心分離などの簡便な固液分離法で溶液h−
ら分離できるし、これから未反応の有機物を酸化除去し
たのち1,500℃以上で加熱焼結させ、粉砕、酸処理
、乾燥し、ついで1,700℃以上の温度で溶融成形す
れば、高温粘性の高い合成石英ガラスを容易にかつ安価
に得ることができることを見出して本発明を完成させた
。
、高温粘性が高い合成石英ガラスを安価に製造する方法
について種々検討した結果、メチルシリケートの加水分
解をメタノールなどのアルコール溶媒を用いずにアンモ
ニアの存在下で行なわせ重合すると、粒度が100〜5
QOnmの一次粒子として得られたシリカが凝集塊とな
って粒度がlO〜100μIのシリカ粒子となるので、
このものは遠心分離などの簡便な固液分離法で溶液h−
ら分離できるし、これから未反応の有機物を酸化除去し
たのち1,500℃以上で加熱焼結させ、粉砕、酸処理
、乾燥し、ついで1,700℃以上の温度で溶融成形す
れば、高温粘性の高い合成石英ガラスを容易にかつ安価
に得ることができることを見出して本発明を完成させた
。
以下、これをさらに詳述する。
[作 用]
本発明による合成石英ガラスの組成物はゾル−ゲル法で
行なわれるので、この始発材はアルキルシリケートとし
てのメチルシリケートとされるが、この加水分解はアン
モニアの存在下で行なわせる必要がある。これはメチル
シリケートをアンモニアの存在下で加水分解すると、こ
の加水分解で生成される粒度が100〜500nmであ
るシリカ−成粒子が生成する。この反応は、メタノール
を含まないこの系においては見掛けの粒度がlθ〜10
0μmシリカ凝集体となる。この−成粒子は球状で内部
には殆んどOH基が含まれず、OH基は表面のみに存在
するようなるし、この粒子は充填すると粒子と粒子との
隙間が大とく、温度をかけても閉孔化せず、表面のOH
基は容易に除去でき、粘性を低下させるOH基がなくな
り、さらには上記の三次元縮重合が規則正しく行なわれ
て構造が密なものとなるので、これから得られる合成石
英ガラスは高温粘性の高いものになるという有利性が与
えられる。なお、このシリカの三次元縮重合はアンモニ
アがある一定以上の濃度のもとて確実に進行し、その粒
子は1,400℃程度の温度まではそのままの形状、構
造を保ち得ることが見出されているので、このアンモニ
アの濃度はメチルシリケートに対し0.8倍モル以上と
することがよいが、この加水分解はこのアンモニアの存
在下に3倍モル以上の水を加え、50℃以下の温度で行
なわせればよい。
行なわれるので、この始発材はアルキルシリケートとし
てのメチルシリケートとされるが、この加水分解はアン
モニアの存在下で行なわせる必要がある。これはメチル
シリケートをアンモニアの存在下で加水分解すると、こ
の加水分解で生成される粒度が100〜500nmであ
るシリカ−成粒子が生成する。この反応は、メタノール
を含まないこの系においては見掛けの粒度がlθ〜10
0μmシリカ凝集体となる。この−成粒子は球状で内部
には殆んどOH基が含まれず、OH基は表面のみに存在
するようなるし、この粒子は充填すると粒子と粒子との
隙間が大とく、温度をかけても閉孔化せず、表面のOH
基は容易に除去でき、粘性を低下させるOH基がなくな
り、さらには上記の三次元縮重合が規則正しく行なわれ
て構造が密なものとなるので、これから得られる合成石
英ガラスは高温粘性の高いものになるという有利性が与
えられる。なお、このシリカの三次元縮重合はアンモニ
アがある一定以上の濃度のもとて確実に進行し、その粒
子は1,400℃程度の温度まではそのままの形状、構
造を保ち得ることが見出されているので、このアンモニ
アの濃度はメチルシリケートに対し0.8倍モル以上と
することがよいが、この加水分解はこのアンモニアの存
在下に3倍モル以上の水を加え、50℃以下の温度で行
なわせればよい。
このようにして得られたシリカ凝集体はついで溶液と分
離する必要があるが、この分離はシリカ凝集体が見掛は
粒度の大きいものであるので、簡単な固液分離法で分離
することができ、これは例えば800メツシュ程度の濾
布を用いて遠心脱水器で脱水するか、減圧濾過やデカン
テーションで分離すればよく、したがってこれによれば
従来法において必要とされた溶媒の加熱除去など多大の
エネルギー消費という不利が解決される。
離する必要があるが、この分離はシリカ凝集体が見掛は
粒度の大きいものであるので、簡単な固液分離法で分離
することができ、これは例えば800メツシュ程度の濾
布を用いて遠心脱水器で脱水するか、減圧濾過やデカン
テーションで分離すればよく、したがってこれによれば
従来法において必要とされた溶媒の加熱除去など多大の
エネルギー消費という不利が解決される。
また、このようにして取得されたシリカ凝集体は乾燥後
、加熱焼結し、粉砕したのち溶融成形し−で合成石英ガ
ラスとするのであるが、この乾燥は100〜200℃で
5〜10時間とすればよく、ここに残留している有機物
を除去するためにはこれを空気中または酸素ガス中で3
00〜1,200℃に加熱してこの有機物を酸化除去す
ればよい。このように処理されたシリカ凝集体はついで
例えばカーボン製ルツボ中に入れ、1,500℃以上に
加熱して焼結させたのち粉砕し、HO2,HFなどで酸
処理をしてから、1,700℃以上の温度に加熱して溶
融し、成形すればよく、このようにして得られた合成石
英ガラスはこれに含有されるAl2.Fe。
、加熱焼結し、粉砕したのち溶融成形し−で合成石英ガ
ラスとするのであるが、この乾燥は100〜200℃で
5〜10時間とすればよく、ここに残留している有機物
を除去するためにはこれを空気中または酸素ガス中で3
00〜1,200℃に加熱してこの有機物を酸化除去す
ればよい。このように処理されたシリカ凝集体はついで
例えばカーボン製ルツボ中に入れ、1,500℃以上に
加熱して焼結させたのち粉砕し、HO2,HFなどで酸
処理をしてから、1,700℃以上の温度に加熱して溶
融し、成形すればよく、このようにして得られた合成石
英ガラスはこれに含有されるAl2.Fe。
Na、に、Caなどの金属不純物含有量が0.2ppm
以下である高純度のもので、その高温粘性も例えば1,
400℃で10I0ボイズ以上のものとなるので、半導
体熱処理用部材として有用とされるという有利性をもつ
ものになる。
以下である高純度のもので、その高温粘性も例えば1,
400℃で10I0ボイズ以上のものとなるので、半導
体熱処理用部材として有用とされるという有利性をもつ
ものになる。
[実施例]
つぎに本発明の実施例および比較例をあげるが、例中に
おけるシリカ−次粒子径は電子顕微鏡観察により、また
凝集体径は沈降法より求めたもの、得られた合成石英ガ
ラス中の金属不純物含有量はゼーマン原子吸光法による
測定値を、また高温粘性はファイバーエロンゲーション
法による測定値を示したものである。
おけるシリカ−次粒子径は電子顕微鏡観察により、また
凝集体径は沈降法より求めたもの、得られた合成石英ガ
ラス中の金属不純物含有量はゼーマン原子吸光法による
測定値を、また高温粘性はファイバーエロンゲーション
法による測定値を示したものである。
実施例1
500 Aのグラスライニング反応器に半導体グレード
の29%アンモニア水130℃と超純水3iを入れて0
℃に冷却し、テフロンコート撹拌棒で攪拌しながら、こ
こにメチルシリケート(蒸留量)を265kg滴下し、
滴下終了後に遠心脱水器で脱水したところ、−次粒子径
が100〜500nmの多分散粒で粒子径が10〜10
0μmであるシリカ凝集体105kgが得られた。
の29%アンモニア水130℃と超純水3iを入れて0
℃に冷却し、テフロンコート撹拌棒で攪拌しながら、こ
こにメチルシリケート(蒸留量)を265kg滴下し、
滴下終了後に遠心脱水器で脱水したところ、−次粒子径
が100〜500nmの多分散粒で粒子径が10〜10
0μmであるシリカ凝集体105kgが得られた。
ついで、これを窒素気流中において15(1℃で乾燥し
たのち、この乾燥品を石英炉芯管に詰め、酸素ガス中で
室温から1,200℃まで10時間で昇温し、その後高
純度の黒鉛ケースに25kg詰め、真空中で室温から1
.500℃まで2時間、1 、500℃から1.700
℃まで10時間かけて昇温してこれを焼結させた。
たのち、この乾燥品を石英炉芯管に詰め、酸素ガス中で
室温から1,200℃まで10時間で昇温し、その後高
純度の黒鉛ケースに25kg詰め、真空中で室温から1
.500℃まで2時間、1 、500℃から1.700
℃まで10時間かけて昇温してこれを焼結させた。
つぎにこの焼結晶を粉砕して50〜80メツシユに揃え
、HCj!、IPで洗浄し、乾燥後磁選機にかけたのち
、回転するルツボ状金型に詰め、アークで2,400〜
2,800℃に加熱して溶融したところ、得られたルツ
ボは比較的透明であり、このもはAl1.Fe、Na、
に、Caなとの金属不純物含有量が0.lppm以下で
あり、1,400℃における粘性は3.8 XIO”ポ
イズであった。
、HCj!、IPで洗浄し、乾燥後磁選機にかけたのち
、回転するルツボ状金型に詰め、アークで2,400〜
2,800℃に加熱して溶融したところ、得られたルツ
ボは比較的透明であり、このもはAl1.Fe、Na、
に、Caなとの金属不純物含有量が0.lppm以下で
あり、1,400℃における粘性は3.8 XIO”ポ
イズであった。
実施例2
実施例1における1、200℃で仮焼したシリカ粉末を
、石英ルツボに詰め、真空中において1.500℃まで
3時間で昇温したものを粉砕、篩別したところ、平均粒
径が50μmの粉体が得られたので、)ICJ2.HF
で酸処理後、高純度黒鉛ケースに詰め直し、10−’
トールの真空中で室温から1.800℃まで20時間か
けて昇温して、300 amφ×600 +nmLの合
成石英インゴットを作った。
、石英ルツボに詰め、真空中において1.500℃まで
3時間で昇温したものを粉砕、篩別したところ、平均粒
径が50μmの粉体が得られたので、)ICJ2.HF
で酸処理後、高純度黒鉛ケースに詰め直し、10−’
トールの真空中で室温から1.800℃まで20時間か
けて昇温して、300 amφ×600 +nmLの合
成石英インゴットを作った。
このものは透明でAll、Fe、Na、に、Caなどの
金属不純物含有量がそれぞれ0.2ppm以下の高純度
のものであり、この1,400℃における粘性は7.5
XIO”ボイズであった。
金属不純物含有量がそれぞれ0.2ppm以下の高純度
のものであり、この1,400℃における粘性は7.5
XIO”ボイズであった。
比較例
500 j!のグラスライニング反応器に半導体グレー
ドの29重量%のアンモニア水50J2と超純水50j
!およびメタノール120 ftを入れ、ドライアイス
−メタノールによって0℃に保持し、ここにメチルシリ
ケート761とメタノールtoo fLの混合物を滴下
し、滴下終了後、生成したシリカ粒子を、サンプリング
し、電子顕微鏡で観察したところ、このものは径が70
0nmの球状粒子の単分散体であった。
ドの29重量%のアンモニア水50J2と超純水50j
!およびメタノール120 ftを入れ、ドライアイス
−メタノールによって0℃に保持し、ここにメチルシリ
ケート761とメタノールtoo fLの混合物を滴下
し、滴下終了後、生成したシリカ粒子を、サンプリング
し、電子顕微鏡で観察したところ、このものは径が70
0nmの球状粒子の単分散体であった。
ついでこのものは固液分離したが、これは濾過が不可能
であるために100トール、100℃で20時間加熱し
て水、メタノール、アンモニアを除去したところ、29
kgのシリカが得られたので、これを石英炉芯管に詰め
て酸素ガス中で室温から1,200℃まで10時間で昇
温させ、その後高純度黒鉛ケースに詰め直し、真空中で
1,500℃まで3時間で昇温して焼結させた。
であるために100トール、100℃で20時間加熱し
て水、メタノール、アンモニアを除去したところ、29
kgのシリカが得られたので、これを石英炉芯管に詰め
て酸素ガス中で室温から1,200℃まで10時間で昇
温させ、その後高純度黒鉛ケースに詰め直し、真空中で
1,500℃まで3時間で昇温して焼結させた。
つぎにこの焼結晶を粉砕し、50〜80メツシユに篩別
し、HCIL、HFで洗浄し、乾燥後、磁選機にかけた
のち、回転するルツボ形の金型に詰め、アーク溶融した
ところ、得られたルツボのA1゜Fe、Na、に、Ca
などの金属不純物含有量は0.20〜0.lppmで溶
媒中の不純物の濃縮および乾燥中の汚染が認められ、こ
のものの高温粘性は1.400℃で3.8 XIO′。
し、HCIL、HFで洗浄し、乾燥後、磁選機にかけた
のち、回転するルツボ形の金型に詰め、アーク溶融した
ところ、得られたルツボのA1゜Fe、Na、に、Ca
などの金属不純物含有量は0.20〜0.lppmで溶
媒中の不純物の濃縮および乾燥中の汚染が認められ、こ
のものの高温粘性は1.400℃で3.8 XIO′。
ボイズであった。
[発明の効果]
本発明による合成石英ガラスの製造は上記したようにメ
チルシリケートをアンモニアの存在下で加水分解、重合
して粒度が10〜100μmのシリカ凝集体を作り、こ
れを固液分離したのち、焼結、粉砕、溶融して合成石英
ガラスを得るというものであるが、これによればメチル
シリケートの加水分解によって得られるシリカが凝集体
として得られ、この固液分離が濾過、遠心脱水器などの
簡単で安価の方法で行なうことができ、なおかつ工程が
短いために汚染が極少となるし、ここに得られたシリカ
凝集体を焼結、粉砕、溶融して得た合成石英ガラスは高
純度であり、高温粘性が高いので、これによれば半導体
熱処理用部品として有用とされる合成石英ガラスをゾル
−ゲル法で、工業的に安価にかつ大量に生産できるとい
う有利性が与えられる。
チルシリケートをアンモニアの存在下で加水分解、重合
して粒度が10〜100μmのシリカ凝集体を作り、こ
れを固液分離したのち、焼結、粉砕、溶融して合成石英
ガラスを得るというものであるが、これによればメチル
シリケートの加水分解によって得られるシリカが凝集体
として得られ、この固液分離が濾過、遠心脱水器などの
簡単で安価の方法で行なうことができ、なおかつ工程が
短いために汚染が極少となるし、ここに得られたシリカ
凝集体を焼結、粉砕、溶融して得た合成石英ガラスは高
純度であり、高温粘性が高いので、これによれば半導体
熱処理用部品として有用とされる合成石英ガラスをゾル
−ゲル法で、工業的に安価にかつ大量に生産できるとい
う有利性が与えられる。
Claims (1)
- 1、メチルシリケートをアンモニアの存在下で加水分解
し、重合させて粒度が100〜500nmの1次粒子と
してのシリカを粒度を10〜100μmのシリカ凝集体
とし、固液分離によって溶媒を除去したのち、加熱して
未反応の有機物を酸化除去し、ついでこのシリカ粉を真
空中で1,500℃以上に加熱して焼結させ、粉砕、酸
処理、乾燥を行なったのち、1,700℃以上の温度で
溶融成形することを特徴とする合成石英ガラスの製造方
法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33507088A JPH02180723A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 合成石英ガラスの製造方法 |
US07/404,585 US4979973A (en) | 1988-09-13 | 1989-09-08 | Preparation of fused silica glass by hydrolysis of methyl silicate |
DE8989402471T DE68905735T2 (de) | 1988-09-13 | 1989-09-11 | Synthetisches geschmolzenes quarzglas und verfahren zu dessen herstellung. |
EP89402471A EP0360659B1 (en) | 1988-09-13 | 1989-09-11 | Synthetic fused silica glass and method for the preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33507088A JPH02180723A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 合成石英ガラスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02180723A true JPH02180723A (ja) | 1990-07-13 |
JPH0567575B2 JPH0567575B2 (ja) | 1993-09-27 |
Family
ID=18284427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33507088A Granted JPH02180723A (ja) | 1988-09-13 | 1988-12-28 | 合成石英ガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02180723A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0630863A1 (en) * | 1993-06-15 | 1994-12-28 | Kimmon Manufacturing Co., Ltd. | Process for producing synthetic quartz glass powder |
JP2019182694A (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-24 | 三菱ケミカル株式会社 | 合成シリカガラス粉 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33507088A patent/JPH02180723A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0630863A1 (en) * | 1993-06-15 | 1994-12-28 | Kimmon Manufacturing Co., Ltd. | Process for producing synthetic quartz glass powder |
JP2019182694A (ja) * | 2018-04-05 | 2019-10-24 | 三菱ケミカル株式会社 | 合成シリカガラス粉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0567575B2 (ja) | 1993-09-27 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |