JPH02179267A - スイッチング電源装置 - Google Patents
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- JPH02179267A JPH02179267A JP1234577A JP23457789A JPH02179267A JP H02179267 A JPH02179267 A JP H02179267A JP 1234577 A JP1234577 A JP 1234577A JP 23457789 A JP23457789 A JP 23457789A JP H02179267 A JPH02179267 A JP H02179267A
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、直接もしくは変成器を介して互いに係合した
複数個のスイッチ素子を直流電圧源に接続して交互にオ
ン・オフさせて直流電力もしくは所望周波数の交流電力
を取出す制御可能なスイッチング電源装置に関し、特に
、スイッチ素子の寄生容量によるサージ電流の発止を防
止するようにしたものである。
複数個のスイッチ素子を直流電圧源に接続して交互にオ
ン・オフさせて直流電力もしくは所望周波数の交流電力
を取出す制御可能なスイッチング電源装置に関し、特に
、スイッチ素子の寄生容量によるサージ電流の発止を防
止するようにしたものである。
(従来の技術)
一般に、この種のスイッチング電源装置は、小型で高効
率が得られるので、情報処理装置等の電源装置として従
来から広く用いられている。特に、この種の電源装置の
うちで電力容量が比較的大きい装置、あるいは、直流電
圧源から正弦波形の交流出力を得る交流電源装置等につ
いては、プッシュプル型、ブリッジ型等のように、対を
なして接続した複数個のスイッチ素子を交互に切替えて
交流出力の周波数や電力等を制御する可制御電源装置が
多く用いられている。
率が得られるので、情報処理装置等の電源装置として従
来から広く用いられている。特に、この種の電源装置の
うちで電力容量が比較的大きい装置、あるいは、直流電
圧源から正弦波形の交流出力を得る交流電源装置等につ
いては、プッシュプル型、ブリッジ型等のように、対を
なして接続した複数個のスイッチ素子を交互に切替えて
交流出力の周波数や電力等を制御する可制御電源装置が
多く用いられている。
しかして、従来のこの種スイッチング電源装置は、基本
的には概略第6図に示すように構成され、第7図(a)
、 (b)に各部波形を示すように動作していた。すな
わち、第6図に示すように、直流電圧源の両端に一対の
スイッチ1.2を互いに直列にして接続し、スイッチ1
,2の相互接続点7と負荷6との間にはチョークコイル
3とコンデンサ4とからなるローパスフィルタを介挿し
である。かかる概略構成のスイッチング電源装置の動作
時には、スイッチlとスイッチ2とを交互にオン・オフ
させ、そのオン期間とオフ期間との時間比率を例えば第
7図(a)に示すように正弦波状に変化するように制御
すると、正弦波状にパルス幅変調した方形波電圧パルス
列が接続点7に発生する。この方形波電圧パルス列をチ
ョークコイル3およびコンデンサ4からなるローパスフ
ィルタに導いてスイッチング周波数成分を除去すると、
第7図(b)に示すような正弦波状の交流出力電圧が得
られる。
的には概略第6図に示すように構成され、第7図(a)
、 (b)に各部波形を示すように動作していた。すな
わち、第6図に示すように、直流電圧源の両端に一対の
スイッチ1.2を互いに直列にして接続し、スイッチ1
,2の相互接続点7と負荷6との間にはチョークコイル
3とコンデンサ4とからなるローパスフィルタを介挿し
である。かかる概略構成のスイッチング電源装置の動作
時には、スイッチlとスイッチ2とを交互にオン・オフ
させ、そのオン期間とオフ期間との時間比率を例えば第
7図(a)に示すように正弦波状に変化するように制御
すると、正弦波状にパルス幅変調した方形波電圧パルス
列が接続点7に発生する。この方形波電圧パルス列をチ
ョークコイル3およびコンデンサ4からなるローパスフ
ィルタに導いてスイッチング周波数成分を除去すると、
第7図(b)に示すような正弦波状の交流出力電圧が得
られる。
(発明が解決しようとする課題)
上述のような構成により上述のように動作する41のス
イッチング電源装置においては、スイッチlおよび2が
正確に方形波状にオン・オフする理想的なスイッチ素子
からなり、それらのスイッチ素子を駆動してそのオン・
オフを制御する制御信号も正確な方形波信号であれば何
ら問題は生じないが、実際に用いるスイッチ素子につい
ては、そのスイッチ素子に固有の特性に起因してスイッ
チ切替えの際に問題が住する。
イッチング電源装置においては、スイッチlおよび2が
正確に方形波状にオン・オフする理想的なスイッチ素子
からなり、それらのスイッチ素子を駆動してそのオン・
オフを制御する制御信号も正確な方形波信号であれば何
ら問題は生じないが、実際に用いるスイッチ素子につい
ては、そのスイッチ素子に固有の特性に起因してスイッ
チ切替えの際に問題が住する。
かかるスイッチ切替え時に住する問題を、第8図に示す
ように、スイッチlおよび2として最もtv遍的な金属
酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOS−F[!T
)を用いた場合を例にとって以下に詳細に説明する。な
お、第8図示の構成は、スイッチlおよび2をそれぞれ
MOS−PE71および2とした他は、第1図示の構成
と全く同一とする。
ように、スイッチlおよび2として最もtv遍的な金属
酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOS−F[!T
)を用いた場合を例にとって以下に詳細に説明する。な
お、第8図示の構成は、スイッチlおよび2をそれぞれ
MOS−PE71および2とした他は、第1図示の構成
と全く同一とする。
しかして、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(M
OS−FET)は、そのゲートに印加して駆動する制御
信号が理想的な方形波信号であれば、バイポーラトラン
ジスタとは異なり、残留キャリヤによる蓄積時間に基づ
くオフ動作の遅れがないので、第8図示の構成における
FETIと同↑2とが同時にオン状態となることはない
、しかしながら、実際には、MOS−PI!Tのドレイ
ンとソースとの間には数百9F乃至数+nP程度の大き
い静電容量が寄生しており、PI!Tスイッチ対のオン
・オフ切替えの際には、この大きい寄生容量に蓄えられ
た電荷をオフ動作に支障がないように如何に処理するか
が重大な問題となる。
OS−FET)は、そのゲートに印加して駆動する制御
信号が理想的な方形波信号であれば、バイポーラトラン
ジスタとは異なり、残留キャリヤによる蓄積時間に基づ
くオフ動作の遅れがないので、第8図示の構成における
FETIと同↑2とが同時にオン状態となることはない
、しかしながら、実際には、MOS−PI!Tのドレイ
ンとソースとの間には数百9F乃至数+nP程度の大き
い静電容量が寄生しており、PI!Tスイッチ対のオン
・オフ切替えの際には、この大きい寄生容量に蓄えられ
た電荷をオフ動作に支障がないように如何に処理するか
が重大な問題となる。
すなわち、MOS−PETの等価回路は第9図に示すよ
うになり、構造上からして、ゲート・ソース間、ドレイ
ン・ソース間およびドレイン・ゲート間にそれぞれの寄
生容量C1,C4,およびC119が存在し、また、ド
レイン・ソース間抵抗Rdsはゲート・ソース間電圧に
応じて無限大に近い値から零に近い値まで大幅に変化し
、無限大に近い値がオフ状態に対応し、零に近い値がオ
ン状態に対応する。
うになり、構造上からして、ゲート・ソース間、ドレイ
ン・ソース間およびドレイン・ゲート間にそれぞれの寄
生容量C1,C4,およびC119が存在し、また、ド
レイン・ソース間抵抗Rdsはゲート・ソース間電圧に
応じて無限大に近い値から零に近い値まで大幅に変化し
、無限大に近い値がオフ状態に対応し、零に近い値がオ
ン状態に対応する。
さらに、ドレイン・ソース間には図示のように寄生ダイ
オードD0が存在する。かかる等価回路について上述し
たオン・オフ切替え時に生ずる問題を眺めると、MOS
−PI!Tにおけるドレイン・ソース間の寄生容量C1
に蓄えられた電荷がドレイン・ソース間の抵抗!?di
を介して充放電されることに起因して、PUTスイッチ
対の切替え時にFITスイッチに大きいサージ電流が流
れる問題となる。例えば、第8図示の構成においてI?
ET lがオン状態からオフ状態に切替えられても、F
[!T lおよびF[i↑2のそれぞれのドレイン・ソ
ース間容量 c a−には電荷が残ゲζいるので、引続
いて17CT 2がオフ状態からオン状態に切替えられ
た時点においては、1?[ET 2のドレイン・ソース
間容Wtca−に残っていた電荷がF[!T 2の零に
近いオン抵抗Lmによって短絡されると同時に、rl[
!T lのドレイン・ソース間容!fl:ci−に直接
電圧源5からの電荷がNET 2のオン抵抗R1を介し
て充電されるので、Ff!T 2のオン抵抗P。には大
きいピークをなすサージ電流が流れることになり、また
、これとは逆に、FET2がオン状態からオフ状態に切
替えられ、引続いてFET 1がオフ状態からオン状態
に切替えられた時点においても、上述と同様に、FIT
1のオン抵抗Rjlに大きいピークをなすサージ電流
が流れることになる。
オードD0が存在する。かかる等価回路について上述し
たオン・オフ切替え時に生ずる問題を眺めると、MOS
−PI!Tにおけるドレイン・ソース間の寄生容量C1
に蓄えられた電荷がドレイン・ソース間の抵抗!?di
を介して充放電されることに起因して、PUTスイッチ
対の切替え時にFITスイッチに大きいサージ電流が流
れる問題となる。例えば、第8図示の構成においてI?
ET lがオン状態からオフ状態に切替えられても、F
[!T lおよびF[i↑2のそれぞれのドレイン・ソ
ース間容量 c a−には電荷が残ゲζいるので、引続
いて17CT 2がオフ状態からオン状態に切替えられ
た時点においては、1?[ET 2のドレイン・ソース
間容Wtca−に残っていた電荷がF[!T 2の零に
近いオン抵抗Lmによって短絡されると同時に、rl[
!T lのドレイン・ソース間容!fl:ci−に直接
電圧源5からの電荷がNET 2のオン抵抗R1を介し
て充電されるので、Ff!T 2のオン抵抗P。には大
きいピークをなすサージ電流が流れることになり、また
、これとは逆に、FET2がオン状態からオフ状態に切
替えられ、引続いてFET 1がオフ状態からオン状態
に切替えられた時点においても、上述と同様に、FIT
1のオン抵抗Rjlに大きいピークをなすサージ電流
が流れることになる。
その結果、一対のスイッチ素子としてのl’ET lお
よび2の各ドレイン・ソース間容量に蓄えられた電荷は
、それら一対のスイッチ素子のオン・オフ反転の都度、
各FETのオン抵抗I?4.に流れるサージ電流となっ
て熱に変換され、消費される。かかるサージ電流による
電力の損失、あるいは、スイッチ素子の発熱やノイズの
発生等は、素子切替えのスイッチング周波数の上昇に比
例して増大する。したがって、かかるサージ電流の発生
は、スイッチング電源装置におけるスイッチ素子対切替
え周波数の上昇による高効率化を極めて困難にするばか
りでなく、サージ電流のピーク値が過大であれば、スイ
ッチ素子が破壊される危険性さえ伴うことになる。
よび2の各ドレイン・ソース間容量に蓄えられた電荷は
、それら一対のスイッチ素子のオン・オフ反転の都度、
各FETのオン抵抗I?4.に流れるサージ電流となっ
て熱に変換され、消費される。かかるサージ電流による
電力の損失、あるいは、スイッチ素子の発熱やノイズの
発生等は、素子切替えのスイッチング周波数の上昇に比
例して増大する。したがって、かかるサージ電流の発生
は、スイッチング電源装置におけるスイッチ素子対切替
え周波数の上昇による高効率化を極めて困難にするばか
りでなく、サージ電流のピーク値が過大であれば、スイ
ッチ素子が破壊される危険性さえ伴うことになる。
かかるスイッチ素子対切替え時のサージ電流発生の問題
に対し、従来のスイッチング電源装置においては、スイ
ッチ素子をかかるサージ電流の発生から保護するために
、第10図(a)に示すように、1?IET 1および
2の各ゲートに数百オーム程度の抵抗値を有するゲート
抵抗8□および8、を直列に接続してゲート電圧の立上
りを緩やかにすることにより、各PI!T1.2がそれ
ぞれオン状態に切替わる際のドレイン・ソース間抵抗R
dgの抵抗値を徐々に変化させて完全なオン状態に導き
、サージ電流の発生は止むを得ないとしてもそのピーク
値を低い値に抑えたり、また、第1O図(b)に示すよ
うに、各FIT 1.2に対してそれぞれ直列に可飽和
磁心81および8□を接続したり、さらには、第10図
(C)に示すように、各pt:’r tおよび2にそれ
ぞれ並列にして、例えば抵抗とコンデンサとの直列接続
からなるスナバ回路8c+および8c2等の電圧・電流
の急激な変化を抑える回路素子を接続してサージ電流の
発生を防止するようにしていた。
に対し、従来のスイッチング電源装置においては、スイ
ッチ素子をかかるサージ電流の発生から保護するために
、第10図(a)に示すように、1?IET 1および
2の各ゲートに数百オーム程度の抵抗値を有するゲート
抵抗8□および8、を直列に接続してゲート電圧の立上
りを緩やかにすることにより、各PI!T1.2がそれ
ぞれオン状態に切替わる際のドレイン・ソース間抵抗R
dgの抵抗値を徐々に変化させて完全なオン状態に導き
、サージ電流の発生は止むを得ないとしてもそのピーク
値を低い値に抑えたり、また、第1O図(b)に示すよ
うに、各FIT 1.2に対してそれぞれ直列に可飽和
磁心81および8□を接続したり、さらには、第10図
(C)に示すように、各pt:’r tおよび2にそれ
ぞれ並列にして、例えば抵抗とコンデンサとの直列接続
からなるスナバ回路8c+および8c2等の電圧・電流
の急激な変化を抑える回路素子を接続してサージ電流の
発生を防止するようにしていた。
しかしながら、上述したような従来の防止手段によって
はサージ電流の発生を完全には防止し得す、したがって
f’[!Tの寄生容量等に蓄えられた電荷が最終的には
P[!Tのドレイン・ソース間抵抗R4、において熱と
して消費されることになるので、スイッチング電源装置
におけるスイッチ素子対切替えのスイッチング周波数の
上昇に伴う電力消費量の増大あるいは発熱量の増大等、
スイッチ素子対切替え時におけるサージ電流発生の防止
がこの種のスイッチング電源装置について解決すべき従
来の重要課題であった。
はサージ電流の発生を完全には防止し得す、したがって
f’[!Tの寄生容量等に蓄えられた電荷が最終的には
P[!Tのドレイン・ソース間抵抗R4、において熱と
して消費されることになるので、スイッチング電源装置
におけるスイッチ素子対切替えのスイッチング周波数の
上昇に伴う電力消費量の増大あるいは発熱量の増大等、
スイッチ素子対切替え時におけるサージ電流発生の防止
がこの種のスイッチング電源装置について解決すべき従
来の重要課題であった。
(課題を解決するための手段)
本発明の目的は、上述した従来の課題を解決し、スイッ
チ素子の切替え時に、スイッチ素子やトランス等の寄生
容量に起因したサージ電流の発生を防止して高効率の小
型電源装置が得られるようにしたスイッチング電源装置
を提供することにある。
チ素子の切替え時に、スイッチ素子やトランス等の寄生
容量に起因したサージ電流の発生を防止して高効率の小
型電源装置が得られるようにしたスイッチング電源装置
を提供することにある。
すなわち、本発明スイッチング電源装置は、直接もしく
は変成器を介して互いに係合した少なくとも2個のスイ
ッチ素子を直流電圧源に接続して交互にオン・オフさせ
ることにり直流電力もしくは所望周波数の交流電力を取
出す制御可能なスイッチング電源装置において、前記圧
いに係合したスイッチ素子に並列に少なくともリアクト
ルを接続してそのリアクトルに蓄えられたエネルギーに
より少なくとも前記スイッチ素子の寄生容量を当該スイ
ッチ素子のオフ期間に充放電することにより、前記寄生
容量に蓄えられた電荷の充放電による前記スイッチ素子
のサージ電流の発生を防止するようにしたことを特徴と
するものである。
は変成器を介して互いに係合した少なくとも2個のスイ
ッチ素子を直流電圧源に接続して交互にオン・オフさせ
ることにり直流電力もしくは所望周波数の交流電力を取
出す制御可能なスイッチング電源装置において、前記圧
いに係合したスイッチ素子に並列に少なくともリアクト
ルを接続してそのリアクトルに蓄えられたエネルギーに
より少なくとも前記スイッチ素子の寄生容量を当該スイ
ッチ素子のオフ期間に充放電することにより、前記寄生
容量に蓄えられた電荷の充放電による前記スイッチ素子
のサージ電流の発生を防止するようにしたことを特徴と
するものである。
(作 用)
したがって、本発明によれば、スイッチ素子切替え時に
サージ電流が発生することのない高効率の小型スイッチ
ング電源装置を実現し、直流定電圧電源装置、インバー
タ装置、交流無停電電源装置、バッテリ充電装置、電動
機制御駆動装置等に通用することが可能となる。
サージ電流が発生することのない高効率の小型スイッチ
ング電源装置を実現し、直流定電圧電源装置、インバー
タ装置、交流無停電電源装置、バッテリ充電装置、電動
機制御駆動装置等に通用することが可能となる。
(実施例)
以下に図面を参照して実施例につき、本発明の詳細な説
明する。
明する。
第1図は、本発明のスイッチング電源装置の原理図であ
る。スイッチ素子1および2の具体例としてF[!Tl
、 FIET2を用いた例を示す。出力電圧の制御は従
来の装置と同様、スイッチ1とスイッチ2を交互にオン
・オフさせ、その時比率を制御して行い、両スイッチが
切替わる間、両スイッチが同時オフになる期間(デッド
タイム)をもうける。
る。スイッチ素子1および2の具体例としてF[!Tl
、 FIET2を用いた例を示す。出力電圧の制御は従
来の装置と同様、スイッチ1とスイッチ2を交互にオン
・オフさせ、その時比率を制御して行い、両スイッチが
切替わる間、両スイッチが同時オフになる期間(デッド
タイム)をもうける。
本発明の装置と従来の装置との相違は第1図に示すよう
にリアクトル9をスイッチ素子と並列に接続し、前のサ
イクルの後半にリアクトルに電流として蓄えられたエネ
ルギーによりスイッチ素子が同時オフの期間にスイッチ
素子等の寄生容量等の電荷を充放電することでスイッチ
素子の内部抵抗にスイッチ素子の寄生容量等の111荷
を充放電する電流が流れないようにした点にある。同図
のコンデンサlOは接続点7の電圧の直流分をカットす
るためのものであり、コンデンサ10とリアクトル9の
共振周波数がスイッチ1.2のスイッチング周波数に比
べて十分低くなるように37774月0の値を選ぶ。
にリアクトル9をスイッチ素子と並列に接続し、前のサ
イクルの後半にリアクトルに電流として蓄えられたエネ
ルギーによりスイッチ素子が同時オフの期間にスイッチ
素子等の寄生容量等の電荷を充放電することでスイッチ
素子の内部抵抗にスイッチ素子の寄生容量等の111荷
を充放電する電流が流れないようにした点にある。同図
のコンデンサlOは接続点7の電圧の直流分をカットす
るためのものであり、コンデンサ10とリアクトル9の
共振周波数がスイッチ1.2のスイッチング周波数に比
べて十分低くなるように37774月0の値を選ぶ。
第1図において、まず、PET 1がオン時、電源から
Fl:Tlを通してリアクトル9に電流が流れリアクト
ル9にエネルギーが蓄えられる。同Tlがオフになると
リアクトル9に流れる電流は象、には変化しないので連
続して電流が流れ続け、この電流によりFIET 1お
よびFIET 2のドレイン・ソース用容ffl C−
+ls等が充電される。このため接続点7の′;[圧は
ほぼ直線的に下降する。接続点7の電圧が零に達した後
、リアクトル9からの電流はFl!? 2の寄生ダイオ
−トロ。(第9図参照)を通して流れ続ける。コンデン
サ10の両端には電源5の電圧とスイッチングの時比率
で定まる電圧が発生しているためリアクトル9の電流は
ある一定の傾きで減少し、やがて電流は反転してコンデ
ンサ10から1+[T 2を通して流れる。この時コン
デンサ10から1?ET2を通して流れる電流はリアク
トル9に蓄えられる。171!T 2がオフになった時
、リアクトル9に蓄えられたエネルギーにより、Pl!
T等の寄生容量′!Jが充電され、接続点7の電圧は上
昇する。接続点7の電圧が電源電圧に達するとリアクト
ル9の電流はIII’iT 1の寄生ダイオード00を
通って電源に回生される。リアクトル9の電流は一定の
傾きで増加し、その値が零をこえると電源からCET
lを通して流れ、同様な動作を繰り返す。ここで、FI
ET1からPI!T 2へ、またはI?ET 2からF
ET 1ヘオンの状態が切替わる期間、即ち接続点7の
電圧が切替わる期間、両r’ETをオフにしておけば、
1’ETのドレイン・ソース間の寄生容量等にはリアク
トル9に蓄えられたエネルギーにより充放電が行われる
ためスイッチ切替えの際、PETのドレイン・ソース間
抵抗RjiによりFIETの寄生容量等が充放電される
ことがない。次に接続点7の電圧電流について詳しく述
べる。第2図(a)は、第1図の接続点7二の電圧の原
理波形を上段に示し、接続点7を流れる電流の原理波形
を無負荷時には実線で、負荷時には点線で下段に示し、
第2図(b)および(C)は第1図示の基本構成および
後に第4図に示す構成における負荷電流I0の変化に対
する効率の変化の実測結果をそれぞれ示しており、それ
ぞれ95%程度および85%程度の高効率が得られてい
る。第1図において、電源5の電圧を[E+ 、スイッ
チ1のオン期間の時比率をDとすると、コンデンサ10
の両端には[、・Dで表される電圧が生じる。スイッチ
lまたはスイッチ2のオン期間に比べてスイッチが切替
わるのに要する期間が十分短い場合、リアクトル9のイ
ンダクタンスをL1出力電流を10とすれば、定常状態
ではCET1がオンの時の電流の変化幅と17ET2が
オンの時の電流の変化幅は等しくなるためIi[!Tl
またはFIET 2がオフになる時点でのリアクトル9
の電流、即ちリアクトル電流のピーク値ILは、次のよ
うに表される。
Fl:Tlを通してリアクトル9に電流が流れリアクト
ル9にエネルギーが蓄えられる。同Tlがオフになると
リアクトル9に流れる電流は象、には変化しないので連
続して電流が流れ続け、この電流によりFIET 1お
よびFIET 2のドレイン・ソース用容ffl C−
+ls等が充電される。このため接続点7の′;[圧は
ほぼ直線的に下降する。接続点7の電圧が零に達した後
、リアクトル9からの電流はFl!? 2の寄生ダイオ
−トロ。(第9図参照)を通して流れ続ける。コンデン
サ10の両端には電源5の電圧とスイッチングの時比率
で定まる電圧が発生しているためリアクトル9の電流は
ある一定の傾きで減少し、やがて電流は反転してコンデ
ンサ10から1+[T 2を通して流れる。この時コン
デンサ10から1?ET2を通して流れる電流はリアク
トル9に蓄えられる。171!T 2がオフになった時
、リアクトル9に蓄えられたエネルギーにより、Pl!
T等の寄生容量′!Jが充電され、接続点7の電圧は上
昇する。接続点7の電圧が電源電圧に達するとリアクト
ル9の電流はIII’iT 1の寄生ダイオード00を
通って電源に回生される。リアクトル9の電流は一定の
傾きで増加し、その値が零をこえると電源からCET
lを通して流れ、同様な動作を繰り返す。ここで、FI
ET1からPI!T 2へ、またはI?ET 2からF
ET 1ヘオンの状態が切替わる期間、即ち接続点7の
電圧が切替わる期間、両r’ETをオフにしておけば、
1’ETのドレイン・ソース間の寄生容量等にはリアク
トル9に蓄えられたエネルギーにより充放電が行われる
ためスイッチ切替えの際、PETのドレイン・ソース間
抵抗RjiによりFIETの寄生容量等が充放電される
ことがない。次に接続点7の電圧電流について詳しく述
べる。第2図(a)は、第1図の接続点7二の電圧の原
理波形を上段に示し、接続点7を流れる電流の原理波形
を無負荷時には実線で、負荷時には点線で下段に示し、
第2図(b)および(C)は第1図示の基本構成および
後に第4図に示す構成における負荷電流I0の変化に対
する効率の変化の実測結果をそれぞれ示しており、それ
ぞれ95%程度および85%程度の高効率が得られてい
る。第1図において、電源5の電圧を[E+ 、スイッ
チ1のオン期間の時比率をDとすると、コンデンサ10
の両端には[、・Dで表される電圧が生じる。スイッチ
lまたはスイッチ2のオン期間に比べてスイッチが切替
わるのに要する期間が十分短い場合、リアクトル9のイ
ンダクタンスをL1出力電流を10とすれば、定常状態
ではCET1がオンの時の電流の変化幅と17ET2が
オンの時の電流の変化幅は等しくなるためIi[!Tl
またはFIET 2がオフになる時点でのリアクトル9
の電流、即ちリアクトル電流のピーク値ILは、次のよ
うに表される。
IL = [!、 (1−D)D/2fLまた、
接続点7に流れる電流lは、次の式で表される。
接続点7に流れる電流lは、次の式で表される。
(III:↑1がオンの時)
1・ E五(1−D)tルーD(1−D)[!i/2
・ 「 ・ L+1゜(トIET 2がオンの時) i= Ui −D −L/L+D(1−ロ)Bi/
2 − f −L+I6[11ET 1またはF[
!↑2がオンからオフになるとリアクトル9に蓄えられ
たエネルギーによりPET 1゜FIET 2等の寄生
容量に電荷が充電されて、接続点7の電圧が変化する。
・ 「 ・ L+1゜(トIET 2がオンの時) i= Ui −D −L/L+D(1−ロ)Bi/
2 − f −L+I6[11ET 1またはF[
!↑2がオンからオフになるとリアクトル9に蓄えられ
たエネルギーによりPET 1゜FIET 2等の寄生
容量に電荷が充電されて、接続点7の電圧が変化する。
接続点7から見たFETI。
FIiT 2のドレイン・ソース間の寄生容量等の全容
量をCとし、リアクトル9の内部抵抗をr、PUTがオ
フになる時点でのリアクトル9の電流値をILとすれば
、スイッチがPET 1からF[iT 2へ切替わる時
およびPET2からIf[iT Iへ切替わる時の接続
点7の電圧Uおよび接続点7を流れる電流1は次の式で
表される。
量をCとし、リアクトル9の内部抵抗をr、PUTがオ
フになる時点でのリアクトル9の電流値をILとすれば
、スイッチがPET 1からF[iT 2へ切替わる時
およびPET2からIf[iT Iへ切替わる時の接続
点7の電圧Uおよび接続点7を流れる電流1は次の式で
表される。
FAT1からIfET 2ヘオン状態が切替わる時u=
e−1((Et−[ic+rlL)cos ωt+ (
a([!+−Ec+rlL)−(Io+IL)/C)+
(r!。−rlL) i= ε”−” ((IO+IL)CO3ωt+ (
(Ei−Ec)/L−a(Io−Iし))・(1/ω)
sinω(] 〜−−(1) ・(1/ω)sinωt〕 11[iT 2からr’I!T 1ヘオン状態が切替わ
る時u = e −”’ ((−[!c+rlL)co
s ωt+ (a(−Ec+rlL)−(−1o+IL
)/C) ・(1/ω)sinωt)+ (Hc−
rlL)
−−−(3)1・ ε−” ((−1oFIL)cos
ω(+ (−Ec/1.+a(io+IL)l H(1
/ω)sinωL)但しa=r/2L、 ω=57正
−7ニー7リアクトル9の内部抵抗rが十分小さく、L
Cの固有周期に比べて接続点7の電圧が変化して次の状
態に移るまでの時間が十分に短い場合、式(1)〜(4
)は、次の式で近似される。
e−1((Et−[ic+rlL)cos ωt+ (
a([!+−Ec+rlL)−(Io+IL)/C)+
(r!。−rlL) i= ε”−” ((IO+IL)CO3ωt+ (
(Ei−Ec)/L−a(Io−Iし))・(1/ω)
sinω(] 〜−−(1) ・(1/ω)sinωt〕 11[iT 2からr’I!T 1ヘオン状態が切替わ
る時u = e −”’ ((−[!c+rlL)co
s ωt+ (a(−Ec+rlL)−(−1o+IL
)/C) ・(1/ω)sinωt)+ (Hc−
rlL)
−−−(3)1・ ε−” ((−1oFIL)cos
ω(+ (−Ec/1.+a(io+IL)l H(1
/ω)sinωL)但しa=r/2L、 ω=57正
−7ニー7リアクトル9の内部抵抗rが十分小さく、L
Cの固有周期に比べて接続点7の電圧が変化して次の状
態に移るまでの時間が十分に短い場合、式(1)〜(4
)は、次の式で近似される。
FIET 1からIfIET 2へオン状態が切替わる
時u =[!I −(Io+IL) Ht/C−−−(
5)i = Io + IL+(Ei−[!c ) ・
t/ L −−−(6)1’[iT 2から17
L’T I ’\オン状態が切替わる時u = (16
−IL) ・t/c −−−(7)i
□ (−1(If IL)4cmt/ L
−−−(8)(5)〜(8)の近似式から接続点7の
電圧は、はぼ直線的に変化することがわかる。また(7
)式の電圧の傾きが正になるための条件からリアクトル
電流のピーク値ILと負荷電流1.の関係は、次の式を
満足する必要がある。
時u =[!I −(Io+IL) Ht/C−−−(
5)i = Io + IL+(Ei−[!c ) ・
t/ L −−−(6)1’[iT 2から17
L’T I ’\オン状態が切替わる時u = (16
−IL) ・t/c −−−(7)i
□ (−1(If IL)4cmt/ L
−−−(8)(5)〜(8)の近似式から接続点7の
電圧は、はぼ直線的に変化することがわかる。また(7
)式の電圧の傾きが正になるための条件からリアクトル
電流のピーク値ILと負荷電流1.の関係は、次の式を
満足する必要がある。
lo<IL
= Ei(1−D)D/2・f−L
また、接続点7の電圧が切替わる間、両FETは同時に
オフでなければならないので、デッドタイム(両NET
が同時オフの期間) taは(力式より次のように求め
られる。
オフでなければならないので、デッドタイム(両NET
が同時オフの期間) taは(力式より次のように求め
られる。
T4≧[、・C/(Ia−IL)
以上の説明から、本発明によれば、スイッチ素子の切替
えに伴って両スイッチ素子の寄生容量をスイッチ素子の
内部抵抗で充放電することによって生じるサージ電流は
完全に防止できることがわかる。また必要なリアクトル
9の値、デッドタイムの値等は簡単な式により求められ
る。
えに伴って両スイッチ素子の寄生容量をスイッチ素子の
内部抵抗で充放電することによって生じるサージ電流は
完全に防止できることがわかる。また必要なリアクトル
9の値、デッドタイムの値等は簡単な式により求められ
る。
従来の技術ではスイッチ素子の切替えによって生じるサ
ージ電流から素子を保護するためおよびこのサージ電流
による電2i!L電圧ノイズの発生を防止するために、
FATのゲートに数百オーム程度のゲート抵抗を接続し
てゲート電圧の立上がりを緩やかにしてIf[iTがタ
ーンオンするときの171!Tのドレイン・ソース間抵
抗を徐々に完全なオン状態の値にすることで電流のピー
ク値を抑えたり、PETと直列に可飽和磁心を接続した
りまたは抵抗素子とコンデンサを使用したスナバ回路等
の電圧電流の急変をおさえる素子を使用してサージの発
生を防止していたが、これらの方法ではサージを完全に
は防止できず、FIETの寄生容量等に蓄えられた電荷
は最終的にはI’lETのドレイン・ソース間のオン抵
抗1ン、、で消費されるためスイッチング周波数の高周
波化による電力消費の増加および発熱の増加等の問題は
解決できなかった。
ージ電流から素子を保護するためおよびこのサージ電流
による電2i!L電圧ノイズの発生を防止するために、
FATのゲートに数百オーム程度のゲート抵抗を接続し
てゲート電圧の立上がりを緩やかにしてIf[iTがタ
ーンオンするときの171!Tのドレイン・ソース間抵
抗を徐々に完全なオン状態の値にすることで電流のピー
ク値を抑えたり、PETと直列に可飽和磁心を接続した
りまたは抵抗素子とコンデンサを使用したスナバ回路等
の電圧電流の急変をおさえる素子を使用してサージの発
生を防止していたが、これらの方法ではサージを完全に
は防止できず、FIETの寄生容量等に蓄えられた電荷
は最終的にはI’lETのドレイン・ソース間のオン抵
抗1ン、、で消費されるためスイッチング周波数の高周
波化による電力消費の増加および発熱の増加等の問題は
解決できなかった。
本発明によれば、スイッチ素子の切替えに伴って両スイ
ッチ素子の寄生容量をスイッチ素子の内部抵抗で充放電
することによって生じるサージ電流は完全に防止できる
ことがわかる。また必要なリアクトル9の値、デッドタ
イムの値等は簡単な式により求められる。
ッチ素子の寄生容量をスイッチ素子の内部抵抗で充放電
することによって生じるサージ電流は完全に防止できる
ことがわかる。また必要なリアクトル9の値、デッドタ
イムの値等は簡単な式により求められる。
以上、スイッチ素子1.2の具体例としてF[iTを例
にとり本発明の動作原理の説明を行ったが、バイポーラ
トランジスタ、GTO、サイリスク笠のスイッチ素子に
も寄生容量が存在するため同様な問題が存在し、本発明
はこれらの素子に対しても有効に適用できる。
にとり本発明の動作原理の説明を行ったが、バイポーラ
トランジスタ、GTO、サイリスク笠のスイッチ素子に
も寄生容量が存在するため同様な問題が存在し、本発明
はこれらの素子に対しても有効に適用できる。
このことから、本発明の電源装置によれば、従来の電源
装置に使用されていたサージ吸収素子を減らすことがで
きる。またスイッチング切替えに起因する電力消費が少
なくなるため、スイッチング周波数の高周波化が可能と
なり、平滑用のチョークコイル、コンデンサ等の素子を
小形軽量化できるとともに、出力電圧制御の応答性を高
速化して出力電圧の微細な制御を実現することが可能と
なる。
装置に使用されていたサージ吸収素子を減らすことがで
きる。またスイッチング切替えに起因する電力消費が少
なくなるため、スイッチング周波数の高周波化が可能と
なり、平滑用のチョークコイル、コンデンサ等の素子を
小形軽量化できるとともに、出力電圧制御の応答性を高
速化して出力電圧の微細な制御を実現することが可能と
なる。
つぎに、その他の実施例について説明する。
第3図は、本発明をフォワード形スイッチング電源に通
用した第2実施例の概略回路構成を示す。
用した第2実施例の概略回路構成を示す。
スイッチ素子lと2は対をなしており、一方がオンのと
き他方がオフになる゛ように制御され、スイッチ素子1
と11はほぼ同時にオン・オフするように制御される。
き他方がオフになる゛ように制御され、スイッチ素子1
と11はほぼ同時にオン・オフするように制御される。
スイッチ素子1,11と2が切替わる際、スイッチ素子
1.11. 2および変圧器↑1などの浮遊容量はリア
クトル9に蓄えられたエネルギーによって充放電される
。
1.11. 2および変圧器↑1などの浮遊容量はリア
クトル9に蓄えられたエネルギーによって充放電される
。
第4図は、本発明をインバータ回路で得られた交流電圧
を変圧器T2を通して二次側に接続したダイオードD2
. D3で整流し、直流出力電圧を得る回路に適用した
第3実施例の概略回路構成を示す。
を変圧器T2を通して二次側に接続したダイオードD2
. D3で整流し、直流出力電圧を得る回路に適用した
第3実施例の概略回路構成を示す。
スイッチ素子1と2は対をなしており、一方がオンのと
き他方がオフになるように制御される。コンデンサ12
は直流分をカシ!・するために使用される。スイッチ切
替えの際、スイッチ素子1.2および変圧器T2などの
浮遊容量はリアクトル9に蓄えられたエネルギーによっ
て充放電される。またダイオ−1’D2. D3の端子
間容量もリアクトル9に蓄えられたエネルギーによって
充放電されるためリカバリー電流(ダイオードのスイッ
チ切替えの際発生する逆方向の電流)によるサージ電流
が発生しない。
き他方がオフになるように制御される。コンデンサ12
は直流分をカシ!・するために使用される。スイッチ切
替えの際、スイッチ素子1.2および変圧器T2などの
浮遊容量はリアクトル9に蓄えられたエネルギーによっ
て充放電される。またダイオ−1’D2. D3の端子
間容量もリアクトル9に蓄えられたエネルギーによって
充放電されるためリカバリー電流(ダイオードのスイッ
チ切替えの際発生する逆方向の電流)によるサージ電流
が発生しない。
第5図は、本発明をフルリッヂインバータ回路で得られ
た交流電圧を変圧器’r3を通して二次側に接続したダ
イオードD2. D3で整流し、直流の出力電圧を得る
回路に適用した第4実施例の44略回路構成を示す、ス
イッチ素子1と2および13.14は対をなしており、
一方がオ・ンのとき他方がオフになるように制御される
が、スイッチ素子1.2と13、14のスイッチングの
位相差を制御することにより、任意の直流電圧が得られ
る。この実施例の場合もスイッチ素子、変圧器、ダイオ
ード等の寄生容量はリアクトル9および15の蓄え6れ
たエネルギーによって充放電されるため、スイッチング
にともなうスイッチ素子内部での電力損失は極めて小さ
くなる。以上に説明した本発明の実施例において、スイ
ッチ素子としては、具体的にはバイポーラトランジスタ
、MOS−P[!T 、 GTO、サイリスク、ダイオ
ード等を使用する。
た交流電圧を変圧器’r3を通して二次側に接続したダ
イオードD2. D3で整流し、直流の出力電圧を得る
回路に適用した第4実施例の44略回路構成を示す、ス
イッチ素子1と2および13.14は対をなしており、
一方がオ・ンのとき他方がオフになるように制御される
が、スイッチ素子1.2と13、14のスイッチングの
位相差を制御することにより、任意の直流電圧が得られ
る。この実施例の場合もスイッチ素子、変圧器、ダイオ
ード等の寄生容量はリアクトル9および15の蓄え6れ
たエネルギーによって充放電されるため、スイッチング
にともなうスイッチ素子内部での電力損失は極めて小さ
くなる。以上に説明した本発明の実施例において、スイ
ッチ素子としては、具体的にはバイポーラトランジスタ
、MOS−P[!T 、 GTO、サイリスク、ダイオ
ード等を使用する。
しかして、以上に詳述した実施例においては、第1図示
の基本構成に用いるリアクトル9に、第2図(a)の下
段に実線で示すような無効電流ILが流れ、この無効電
流!、がスイッチ素子PI!T 1およびPIET 2
の内部を流れるために、回路内部の等価抵抗の損失およ
びスイッチ素子の導通時損失が増大する。また、無損失
、無ノイズの状態で寄生容量の充放電を行ない得るよう
にするためには、リアクトル電流の振幅値I LII&
Xが、前述したとおりに、負荷電流1゜より大きくなけ
ればならない。
の基本構成に用いるリアクトル9に、第2図(a)の下
段に実線で示すような無効電流ILが流れ、この無効電
流!、がスイッチ素子PI!T 1およびPIET 2
の内部を流れるために、回路内部の等価抵抗の損失およ
びスイッチ素子の導通時損失が増大する。また、無損失
、無ノイズの状態で寄生容量の充放電を行ない得るよう
にするためには、リアクトル電流の振幅値I LII&
Xが、前述したとおりに、負荷電流1゜より大きくなけ
ればならない。
−・方、第1図示の基本構成におけるスイッチ素子Fl
iT 1 とFET 2との接続点7には負荷電流■。
iT 1 とFET 2との接続点7には負荷電流■。
とリアクトル電流ILとの和の電流、すなわち、第2図
(a)の下段に点線で示す電流が流れ、スイッチ素子F
E1’ 1. NET 2には最大負荷時に負荷電流!
。の2倍のピーク電流が流れるごとになる。したがって
、スイッチ素子F[!T 1. FET 2とする半導
体素子を選定する際には、電流容量の大きい素子を選定
することが必要となり、このことは第1図示の基本構成
によるスイッチング電源装置の欠点ともなりかねない。
(a)の下段に点線で示す電流が流れ、スイッチ素子F
E1’ 1. NET 2には最大負荷時に負荷電流!
。の2倍のピーク電流が流れるごとになる。したがって
、スイッチ素子F[!T 1. FET 2とする半導
体素子を選定する際には、電流容量の大きい素子を選定
することが必要となり、このことは第1図示の基本構成
によるスイッチング電源装置の欠点ともなりかねない。
また、リアクトル9には、つねに、そのピーク値が負荷
電流■。より大きい無効電流が流れるので、リアクトル
9で発生ずる電力損失を少なくするためにはリアクトル
9の巻線の腺経を太くする必要があった。
電流■。より大きい無効電流が流れるので、リアクトル
9で発生ずる電力損失を少なくするためにはリアクトル
9の巻線の腺経を太くする必要があった。
第1図示の基本構成によりスイッチ素子にリアクトルを
並列に接続して寄生容量の充放電電流をそのリアクトル
に転流させるリアクトル転流型の本発明スイッチング電
源装置に生じ得る上述のような問題を解決するには、リ
アクトル9に可飽和磁心を備えて非線形特性を付与する
ことにより、無効電流を抑えながら、無損失、無ノイズ
の状態で寄生容量の充放電を行なわせ得るリアクトル転
流の利点を最大限に活かすようにする必要があり、さら
に、可飽和磁心を備えたリアクトルに負荷電流を流すj
aNfAを追加して負荷電流に応じたバイアスを印加す
るようにすれば、つねに転流に必要な11通の充放WI
Timが得られるようにすることができる。
並列に接続して寄生容量の充放電電流をそのリアクトル
に転流させるリアクトル転流型の本発明スイッチング電
源装置に生じ得る上述のような問題を解決するには、リ
アクトル9に可飽和磁心を備えて非線形特性を付与する
ことにより、無効電流を抑えながら、無損失、無ノイズ
の状態で寄生容量の充放電を行なわせ得るリアクトル転
流の利点を最大限に活かすようにする必要があり、さら
に、可飽和磁心を備えたリアクトルに負荷電流を流すj
aNfAを追加して負荷電流に応じたバイアスを印加す
るようにすれば、つねに転流に必要な11通の充放WI
Timが得られるようにすることができる。
かかる改良を施した本発明スイッチング電源装置の他の
基本構成を第11図に示す。図示の基本構成においては
、一方のスイッチ素子PI!T 1がオン状態であれば
、そのスイッチ素子FIET Iのドレイン・ソース間
の寄生容量に蓄えられている電圧は零であり、他方のス
イッチ素子FET 2のドレイン・ソース間の寄生容量
には電源電圧CIが蓄えられている。かかる状態で、一
方のスイッチ素子1’l?T Iがオフになったときに
、そのスイッチングの速度が速ければ、そのスイッチ素
子F[iT lのドレイン・ソース間寄生容量の蓄積電
荷がほぼ零の状態でスイッチングが行なわれる。しかし
ながら、そのスイッチ素子F[iT 1がオフになって
から直ちに他方のスイッチ素子1?[iT 2がオンに
なると、他方のスイッチ素子F[iT 2のドレイン・
ソース間寄生容量には電源電圧E五が蓄えられているか
ら、その蓄積電荷か放電する放電電流と一方のスイッチ
素子FIET 1のドレイン・ソース間寄生容量を充電
する充電電流との充放電電流がともに他方のスイッチ素
子171!T 2内の導通時抵抗に流れる。したがって
、急峻な大量のサージ電流が他方のスイッチ素子1?E
T 2内に生じ、そのための電力1n失による熱および
ノイズが発生することになる。
基本構成を第11図に示す。図示の基本構成においては
、一方のスイッチ素子PI!T 1がオン状態であれば
、そのスイッチ素子FIET Iのドレイン・ソース間
の寄生容量に蓄えられている電圧は零であり、他方のス
イッチ素子FET 2のドレイン・ソース間の寄生容量
には電源電圧CIが蓄えられている。かかる状態で、一
方のスイッチ素子1’l?T Iがオフになったときに
、そのスイッチングの速度が速ければ、そのスイッチ素
子F[iT lのドレイン・ソース間寄生容量の蓄積電
荷がほぼ零の状態でスイッチングが行なわれる。しかし
ながら、そのスイッチ素子F[iT 1がオフになって
から直ちに他方のスイッチ素子1?[iT 2がオンに
なると、他方のスイッチ素子F[iT 2のドレイン・
ソース間寄生容量には電源電圧E五が蓄えられているか
ら、その蓄積電荷か放電する放電電流と一方のスイッチ
素子FIET 1のドレイン・ソース間寄生容量を充電
する充電電流との充放電電流がともに他方のスイッチ素
子171!T 2内の導通時抵抗に流れる。したがって
、急峻な大量のサージ電流が他方のスイッチ素子1?E
T 2内に生じ、そのための電力1n失による熱および
ノイズが発生することになる。
これに対し、第11図示の基本構成においては、双方の
スイッチ素子F[iT l、 劃T 2の接続点7に可
飽和のリアクトル9Sを接続し、一方のスイッチ素子F
H71がオフ状態になる少し前に磁心が飽和するように
しであるので、第11図示の基本構成における各叩動作
波形を示す第12図(a)〜(d)における同図(b)
に示すような波形のリアクトル電流が可飽和リアクトル
9Sに流れることになる。すなわち、可飽和リウクトル
9Sが飽和している期間に、その可飽和リアクトル9S
にはスイッチ素子F[iT Iを介して直流電圧源5か
ら電流が供給されて蓄えられる。
スイッチ素子F[iT l、 劃T 2の接続点7に可
飽和のリアクトル9Sを接続し、一方のスイッチ素子F
H71がオフ状態になる少し前に磁心が飽和するように
しであるので、第11図示の基本構成における各叩動作
波形を示す第12図(a)〜(d)における同図(b)
に示すような波形のリアクトル電流が可飽和リアクトル
9Sに流れることになる。すなわち、可飽和リウクトル
9Sが飽和している期間に、その可飽和リアクトル9S
にはスイッチ素子F[iT Iを介して直流電圧源5か
ら電流が供給されて蓄えられる。
そのスイッチ素子FIET lがオフになった後に適切
な長さのデッドタイム、ずなわら、両スイッチ素子F[
iT 1. FET2がともにオフになっている111
1間を設けると、可飽和リアクトル9Sに流れていた電
流はそのまま流れ続けようとするので、この電流のピー
ク電流によって、スイッチ素子1?lET 2のドレイ
ン・ソース間寄生容量の蓄積電荷が放電されるとともに
、スイッチ素子F[!↑1のドレイン・ソース間寄生容
量が充電される。その結果、スイッチ素子1?[iT
2の両端電圧はある勾配で降下して行くが、その両端電
圧が零に達した時点で他方のスイッチ素子1’l?T
2がオンになるようにすれば、スイッチ素子P[↑2の
ドレイン・ソース間寄生容量が電圧零の状態のときにス
イッチングが行なわれることになる。これとは逆に、ス
イッチ素子F[iT 2からFET 1へオン状態がス
イッチングされるときにも、上述と同様に適切な長さの
デッドタイムを設けておけば、上述と同様の零電圧スイ
ッチングが行なわれることになり、しかも、リアクトル
9Sに流れるのは無効電流であるから、寄生容量の充放
電のために流れる電流が全く電力損失とはならないこと
になる。また、スイッチ素子PHT l、 FIl’T
2の両端間電圧の変化の際の勾配が両端間寄生容器■と
リアクトル電流のピーク値!L1.工と負荷電流I0と
によって決まるので、それぞれの値を適切に選定すれば
、急激な電流、電圧の変化、すなわち、サージ電流、電
圧による電力損失およびノイズの発生を防止することが
できる。
な長さのデッドタイム、ずなわら、両スイッチ素子F[
iT 1. FET2がともにオフになっている111
1間を設けると、可飽和リアクトル9Sに流れていた電
流はそのまま流れ続けようとするので、この電流のピー
ク電流によって、スイッチ素子1?lET 2のドレイ
ン・ソース間寄生容量の蓄積電荷が放電されるとともに
、スイッチ素子F[!↑1のドレイン・ソース間寄生容
量が充電される。その結果、スイッチ素子1?[iT
2の両端電圧はある勾配で降下して行くが、その両端電
圧が零に達した時点で他方のスイッチ素子1’l?T
2がオンになるようにすれば、スイッチ素子P[↑2の
ドレイン・ソース間寄生容量が電圧零の状態のときにス
イッチングが行なわれることになる。これとは逆に、ス
イッチ素子F[iT 2からFET 1へオン状態がス
イッチングされるときにも、上述と同様に適切な長さの
デッドタイムを設けておけば、上述と同様の零電圧スイ
ッチングが行なわれることになり、しかも、リアクトル
9Sに流れるのは無効電流であるから、寄生容量の充放
電のために流れる電流が全く電力損失とはならないこと
になる。また、スイッチ素子PHT l、 FIl’T
2の両端間電圧の変化の際の勾配が両端間寄生容器■と
リアクトル電流のピーク値!L1.工と負荷電流I0と
によって決まるので、それぞれの値を適切に選定すれば
、急激な電流、電圧の変化、すなわち、サージ電流、電
圧による電力損失およびノイズの発生を防止することが
できる。
しかして、スイッチ素子両端間寄生容量を充放電する電
流は、スイッチ素子FIET 1からF[↑2ヘオン状
態が切換ねる場合にはリアクトル電流lLと負荷電流I
I、との和となり、また、スイッチ素子FljT2から
17ET 1ヘオン状態が切換わる場合にはリアクトル
電流IL と負荷電流I0との差となる。
流は、スイッチ素子FIET 1からF[↑2ヘオン状
態が切換ねる場合にはリアクトル電流lLと負荷電流I
I、との和となり、また、スイッチ素子FljT2から
17ET 1ヘオン状態が切換わる場合にはリアクトル
電流IL と負荷電流I0との差となる。
したがって、双方の場合に転流リアクトル9sに流れる
リアクトル電流ILのピーク値が同じであれば、スイッ
チ素子fl[!T 1からCI!↑2へオン状態が切換
ねる場合にはスイッチ素子両端間電圧変化の勾配が急峻
となり、スイッチ素子FHT 2からPI!↑lへオン
状態が切換わる場合にはスイッチ素子両端間電圧変化の
勾配が緩やかとなり、その結果、リアクトル電流のピー
ク値ILa□より負荷電流!。
リアクトル電流ILのピーク値が同じであれば、スイッ
チ素子fl[!T 1からCI!↑2へオン状態が切換
ねる場合にはスイッチ素子両端間電圧変化の勾配が急峻
となり、スイッチ素子FHT 2からPI!↑lへオン
状態が切換わる場合にはスイッチ素子両端間電圧変化の
勾配が緩やかとなり、その結果、リアクトル電流のピー
ク値ILa□より負荷電流!。
が大きくなると、リアクトル9Sによる転流が行なわれ
なくなる。
なくなる。
しかしながら、上述した問題は、可飽和リアクトル9S
の磁心に別の巻線を追加して施し、その追加の巻線に負
荷電流I0を流し、可飽和磁心に負荷電流1゜によるバ
イアスを付与することによって解決することができる。
の磁心に別の巻線を追加して施し、その追加の巻線に負
荷電流I0を流し、可飽和磁心に負荷電流1゜によるバ
イアスを付与することによって解決することができる。
可飽和リアクI−ル9Sの磁心にかかるバイアスを付与
するようにした本発明スイッチング電源装置の構成例を
第13図に示し、その構成例におけるリアクトル電流I
Lおよび両スイッチ素子間接続点7に流れる電流の波形
を第12図(C)および(d)にそれぞれ示す。図示の
構成によって可飽和リアクトル9Sの磁心に負荷電流に
よるバイアスを付与すると、図示の電流波形のようにリ
アクトル電流l、の正のピーク値が減少するとともに負
のピーク値が増大する。その結果、適切な大きさのバイ
アスを可飽和磁心に付与することにより、負荷電流■。
するようにした本発明スイッチング電源装置の構成例を
第13図に示し、その構成例におけるリアクトル電流I
Lおよび両スイッチ素子間接続点7に流れる電流の波形
を第12図(C)および(d)にそれぞれ示す。図示の
構成によって可飽和リアクトル9Sの磁心に負荷電流に
よるバイアスを付与すると、図示の電流波形のようにリ
アクトル電流l、の正のピーク値が減少するとともに負
のピーク値が増大する。その結果、適切な大きさのバイ
アスを可飽和磁心に付与することにより、負荷電流■。
の増大によってスイッチ素子に流れる電流のピーク値が
過大になるのを防止し得るとともに、転流に必要な寄生
容量充放電電流が不足するのを防止し得ることになる。
過大になるのを防止し得るとともに、転流に必要な寄生
容量充放電電流が不足するのを防止し得ることになる。
また、スイッチ素子両端間電圧が切換ねる時点において
両スイッチ素子間接続点7に流れる電流が一定になるの
で、両端間電圧切換わりの際の電圧変化の勾配がつねに
一定となり、象、峻な電圧変化に起因するノズルの発生
を防止し得ることになる。
両スイッチ素子間接続点7に流れる電流が一定になるの
で、両端間電圧切換わりの際の電圧変化の勾配がつねに
一定となり、象、峻な電圧変化に起因するノズルの発生
を防止し得ることになる。
以上に説明したように、本発明によるリアクトル転流型
のスイッチング電源装置においては、転流用リアクトル
に可飽和磁心を備えて可飽和リアクトルを構成すれば、
つねに無#貝失、無ノイズの状態でスイッチ素子両端間
寄生容量の充放電を行な・)ための条件が満たされ、か
かる可飽和磁心を備えていない空心の線形リアクトル9
を用いたときに生ずるおそれのある無効電流による電力
損失の発生を防止することが可能となる。
のスイッチング電源装置においては、転流用リアクトル
に可飽和磁心を備えて可飽和リアクトルを構成すれば、
つねに無#貝失、無ノイズの状態でスイッチ素子両端間
寄生容量の充放電を行な・)ための条件が満たされ、か
かる可飽和磁心を備えていない空心の線形リアクトル9
を用いたときに生ずるおそれのある無効電流による電力
損失の発生を防止することが可能となる。
第1図示の基本構成に変更を加えた第11図示の他の基
本構成について上述した本発明スイッチング電源装置改
良の原理は、2個のスイッチ素子を交互にオン・オフし
て制御する種類のスイッチング電源装置一般、したがっ
て、第1図示の基本構成に基づいた第3図乃至第5図に
つき前述した本発明の各実施例についても同様の変更を
施して同様の改良効果を収めることができる。例えば、
バックブースト型電源に上述した改良原理を適用した本
発明スイッチング電源装置の構成例を第14図に示し、
第3図示のフォワード型電源に上述の改良原理を適用し
た本発明スイッチング電源装置の構成例を第15図に示
し、第4図示のインバータ整流直流電源に上述の改良原
理を適用した本発明スイッチング電源装置の構成例を第
16図に示し、第5図示のフルブリッジ型電源に上述の
改良原理を適用した本発明スイッチング電源装置の構成
例を第17図に示すが、各種ブリッジ型電源等のこの種
スイッチング電源装置一般に広く適用して同様の改良効
果を挙げることができる。
本構成について上述した本発明スイッチング電源装置改
良の原理は、2個のスイッチ素子を交互にオン・オフし
て制御する種類のスイッチング電源装置一般、したがっ
て、第1図示の基本構成に基づいた第3図乃至第5図に
つき前述した本発明の各実施例についても同様の変更を
施して同様の改良効果を収めることができる。例えば、
バックブースト型電源に上述した改良原理を適用した本
発明スイッチング電源装置の構成例を第14図に示し、
第3図示のフォワード型電源に上述の改良原理を適用し
た本発明スイッチング電源装置の構成例を第15図に示
し、第4図示のインバータ整流直流電源に上述の改良原
理を適用した本発明スイッチング電源装置の構成例を第
16図に示し、第5図示のフルブリッジ型電源に上述の
改良原理を適用した本発明スイッチング電源装置の構成
例を第17図に示すが、各種ブリッジ型電源等のこの種
スイッチング電源装置一般に広く適用して同様の改良効
果を挙げることができる。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、スイ
ッチング電源装置についてつぎのような顕著な効果が得
られる。
ッチング電源装置についてつぎのような顕著な効果が得
られる。
(1)電力効率が高くなる。
(2)素子の発熱が少ないため、放熱板などを小形化で
きる。
きる。
(3)サージ電流が流れないため素子の信頼性が増す。
(4)ノイズの発生が少ないため、スナバ素子が不用で
あり、ノイズフィルタも軽減できる。
あり、ノイズフィルタも軽減できる。
(5)スイッチング周波数の高周波化が可能であり、ト
ランス、フィルタ等を小形化できる。
ランス、フィルタ等を小形化できる。
(6)素子に過度の電圧がかからないので、耐圧の低い
素子を使用することができる。
素子を使用することができる。
第1図は本発明スイッチング電源装置の基本構成を示す
回路図、 第2図(a)、 (b)および(C)は第1図示の基本
構成におけるスイッチ素子相互接続点(7)の電圧・電
流を示す波形図、交流出力時の電流対効率特性を示す特
性曲線図、および直流出力時の電流対効率特性を示す特
性曲線図、 第3図はフォワード型電源に適用した本発明スイッチン
グ電源装置の構成例を示す回路図、第4図はインバータ
整流直流電源に適用した本発明スイッチング電源装置の
構成例を示す回路図、第5図はフルブリッジ型電源に適
用した本発明スイッチング電源装置の構成例を示す回路
図、第6図は従来のスイッチング電源装置の基本構成を
示す回路図、 第7図(a)、 (b)は第6図示の基本構成における
各部動作波形をそれぞれ示す波形図、 第8図はスイッチ素子としてNETを用いて従来のスイ
ッチング電源装置の構成を示す回路図、第9図はF[!
Tの等価回路を示す回路図、第10図(a)、 (b)
、 (C)は従来のスイッチ素子サージ防止回路をそれ
ぞれ示す回路図、 第11図は本発明スイッチング電源装置の他の基本(1
4成を示す回路図、 第12図(El)〜(d)は第11図示の他の基本構成
における各部動作波形を順次に示す波形図、 第13図は本発明スイッチング電源装置のさらに他の基
本構成を示す回路図、 第14図はバックブースト型電源に適用した本発明スイ
ッチング電源装置の構成例を示す回路図、第15図はフ
ォワード型電源に通用した本発明スイッチング電源装置
の他の構成例を示す回路図、第16図はインバータ整流
直流電源に適用した本発明スイッチング電源装置の他の
構成例を示す回路図、 第17図はフルブリッジ型電源に適用した本発明スイッ
チング電源装置の他の構成例を示す回路図である。 1、2.11.13.14・・・スイッチ素子(17[
!T)3・・・チョークコイル 1’1. T2i T3. T4・・・トランス4、1
0.12.16・・・コンデンサD6+貼〜D4・・・
ダイオード 5・・・直流電圧源 6・・・負荷 7・・・接続点 8□、81t・・・抵抗 81.8□・・・リアクトル 8c++ 8c!・・・スナバ回路 9.15・・・リアクトル 9S・・・可飽和リアクトル 第1図 オqそ帆スイ、4−ンヴ(グハ厘A157オし字溝しす
に第2図 ¥1邑/l固成11けb怜酸ロ反メ騎41の第6図 イズしメヒ4スイッ手・ノグ電I歌身%、!’ /1杯
jjh仄E]第7図 枳■ホ/l苓ム構氏てあゆ乃動作汲形固第3図 7オワ一円tテ斤、1]租た」【逼むぞ呂スイートング
’t:1.’AI−の、aAレコ第4図 インIv−タ!流!7L’!’;Iに1て上町ノH【囃
明スイ7手ンブ1【2刊1xih、メ1,1\匝]第5
図 フ、Vブ゛す、−2型tFP、+4月A旺オド男に晧呂
ス4.−)ン惰力甲J〒モ1グL才」シ成゛ぼコ第11
図 オ9定帆人Aヮ千ンク°’ty、*z−イ亡1り1ミ」
ト才澱版第12図 ”4111元の甚ネ鎮へ′にhlするAト杏巨?カイi
浪形国第13図 本溌明スイツ手ング電り悲ル1ら1:イ1シの1ρイ(
精成゛第14図
回路図、 第2図(a)、 (b)および(C)は第1図示の基本
構成におけるスイッチ素子相互接続点(7)の電圧・電
流を示す波形図、交流出力時の電流対効率特性を示す特
性曲線図、および直流出力時の電流対効率特性を示す特
性曲線図、 第3図はフォワード型電源に適用した本発明スイッチン
グ電源装置の構成例を示す回路図、第4図はインバータ
整流直流電源に適用した本発明スイッチング電源装置の
構成例を示す回路図、第5図はフルブリッジ型電源に適
用した本発明スイッチング電源装置の構成例を示す回路
図、第6図は従来のスイッチング電源装置の基本構成を
示す回路図、 第7図(a)、 (b)は第6図示の基本構成における
各部動作波形をそれぞれ示す波形図、 第8図はスイッチ素子としてNETを用いて従来のスイ
ッチング電源装置の構成を示す回路図、第9図はF[!
Tの等価回路を示す回路図、第10図(a)、 (b)
、 (C)は従来のスイッチ素子サージ防止回路をそれ
ぞれ示す回路図、 第11図は本発明スイッチング電源装置の他の基本(1
4成を示す回路図、 第12図(El)〜(d)は第11図示の他の基本構成
における各部動作波形を順次に示す波形図、 第13図は本発明スイッチング電源装置のさらに他の基
本構成を示す回路図、 第14図はバックブースト型電源に適用した本発明スイ
ッチング電源装置の構成例を示す回路図、第15図はフ
ォワード型電源に通用した本発明スイッチング電源装置
の他の構成例を示す回路図、第16図はインバータ整流
直流電源に適用した本発明スイッチング電源装置の他の
構成例を示す回路図、 第17図はフルブリッジ型電源に適用した本発明スイッ
チング電源装置の他の構成例を示す回路図である。 1、2.11.13.14・・・スイッチ素子(17[
!T)3・・・チョークコイル 1’1. T2i T3. T4・・・トランス4、1
0.12.16・・・コンデンサD6+貼〜D4・・・
ダイオード 5・・・直流電圧源 6・・・負荷 7・・・接続点 8□、81t・・・抵抗 81.8□・・・リアクトル 8c++ 8c!・・・スナバ回路 9.15・・・リアクトル 9S・・・可飽和リアクトル 第1図 オqそ帆スイ、4−ンヴ(グハ厘A157オし字溝しす
に第2図 ¥1邑/l固成11けb怜酸ロ反メ騎41の第6図 イズしメヒ4スイッ手・ノグ電I歌身%、!’ /1杯
jjh仄E]第7図 枳■ホ/l苓ム構氏てあゆ乃動作汲形固第3図 7オワ一円tテ斤、1]租た」【逼むぞ呂スイートング
’t:1.’AI−の、aAレコ第4図 インIv−タ!流!7L’!’;Iに1て上町ノH【囃
明スイ7手ンブ1【2刊1xih、メ1,1\匝]第5
図 フ、Vブ゛す、−2型tFP、+4月A旺オド男に晧呂
ス4.−)ン惰力甲J〒モ1グL才」シ成゛ぼコ第11
図 オ9定帆人Aヮ千ンク°’ty、*z−イ亡1り1ミ」
ト才澱版第12図 ”4111元の甚ネ鎮へ′にhlするAト杏巨?カイi
浪形国第13図 本溌明スイツ手ング電り悲ル1ら1:イ1シの1ρイ(
精成゛第14図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、直接もしくは変成器を介して互いに係合した少なく
とも2個のスイッチ素子を直流電圧源に接続して交互に
オン・オフさせることにより直流電力もしくは所望周波
数の交流電力を取出す制御可能なスイッチング電源装置
において、 前記互いに係合したスイッチ素子に並列に 少なくともリアクトルを接続してそのリアクトルに蓄え
られたエネルギーにより少なくとも前記スイッチ素子の
寄生容量を当該スイッチ素子のオフ期間に充放電するこ
とにより、前記寄生容量に蓄えられた電荷の充放電に よる前記スイッチ素子のサージ電流の発生を防止するよ
うにしたことを特徴とするスイッチング電源装置。 2、前記リアクトルに可飽和磁心を備えたことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のスイッチング電源装置
。 3、前記リアクトルに備えた前記可飽和磁心に負荷電流
によるバイアスを付与するように構成したことを特徴と
する特許請求の範囲第2項記載のスイッチング電源装置
。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1234577A JPH06101930B2 (ja) | 1988-09-16 | 1989-09-12 | スイッチング電源装置 |
CA 2017639 CA2017639C (en) | 1989-09-12 | 1990-05-28 | Switching power source means |
US07/530,814 US5063488A (en) | 1988-09-16 | 1990-05-30 | Switching power source means |
DE19904019158 DE4019158C2 (de) | 1989-09-12 | 1990-06-15 | Schalteinrichtung für eine Spannungsquelle |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-230133 | 1988-09-16 | ||
JP23013388 | 1988-09-16 | ||
JP1234577A JPH06101930B2 (ja) | 1988-09-16 | 1989-09-12 | スイッチング電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02179267A true JPH02179267A (ja) | 1990-07-12 |
JPH06101930B2 JPH06101930B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=26529161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1234577A Expired - Lifetime JPH06101930B2 (ja) | 1988-09-16 | 1989-09-12 | スイッチング電源装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5063488A (ja) |
JP (1) | JPH06101930B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005322652A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | ランプ用の電子点灯装置 |
JP2006345666A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 電力変換装置 |
JP2011259518A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Seiko Epson Corp | 電気機械装置 |
JP5597276B1 (ja) * | 2013-04-02 | 2014-10-01 | 三菱電機株式会社 | 電源装置 |
JP2015202036A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | バージニア テック インテレクチュアル プロパティース インコーポレイテッド | Cll共振回路搭載の2段式マルチチャンネルledドライバ |
JP2016067187A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-28 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | Dc−dcコンバータ |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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