JPH0217707A - 広帯域弾性表面波フィルタ - Google Patents
広帯域弾性表面波フィルタInfo
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- JPH0217707A JPH0217707A JP63167596A JP16759688A JPH0217707A JP H0217707 A JPH0217707 A JP H0217707A JP 63167596 A JP63167596 A JP 63167596A JP 16759688 A JP16759688 A JP 16759688A JP H0217707 A JPH0217707 A JP H0217707A
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- H03H9/02—Details
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、圧電体上に入カドランスデューサと出カドラ
ンスデューサを形成し、周波数濾波する弾性表面波（以
下本明細書においてはＳＡＷと略記する。）°フィルタ
に関する。（［発明の概要］ 弾性体基板と圧電薄膜の組合わせの層状構造を持つ広帯
域ＳＡＷ フィルタにおいて、トランスデユーサがＳＡ
Ｗの伝播方向に対して垂直方向に電極周期が異なった構
造を持っている。上記圧電体膜の厚さと上記電極周期の
間の関係はトランスデユーサでの実効的な結合係数が電
極周期長に対して単調減少を示すように設定されている
。
ンスデューサを形成し、周波数濾波する弾性表面波（以
下本明細書においてはＳＡＷと略記する。）°フィルタ
に関する。（［発明の概要］ 弾性体基板と圧電薄膜の組合わせの層状構造を持つ広帯
域ＳＡＷ フィルタにおいて、トランスデユーサがＳＡ
Ｗの伝播方向に対して垂直方向に電極周期が異なった構
造を持っている。上記圧電体膜の厚さと上記電極周期の
間の関係はトランスデユーサでの実効的な結合係数が電
極周期長に対して単調減少を示すように設定されている
。
［従来の技術］
斜め電極指を用いる広帯域ＳＡＷ フィルタは、アポダ
イズ法や分散形電極を用いる方法に較べ。
イズ法や分散形電極を用いる方法に較べ。
挿入損失を小さくできるなどの利点があるが、通過帯域
特性が傾くという大きな欠点を有する。
特性が傾くという大きな欠点を有する。
その解決策として、シー・ケー・キャンベル（Ｃ，Ｋ、
Ｃａｍｐｂａｌｌ ）その他著″１ｌｉｄａ −Ｂａ
ｎｄＬｉｎｅａｒ Ｐｈａｓｅ ＳＡＷ Ｆｉｌｔｅｒ
Ｄｅｓｉｇｎυｓｉｎｇ ５ｌａｎｔｅｄＴｒａｎｓ
ｄｕｃｅｒ Ｆｉｎｇｅｒｓ （傾斜したトランスデユ
ーサの指を使用する広帯域線形位相ＳＡＷ フィルタの
設計）”ＩＥＥｆ！ Ｔｒａｎｓ、 ｏｎ ５ｏｎｉｃ
ｓ Ｉｓ Ｕｌｔｒａ−ｓｏｎｉｃｓ、 ５Ｏ−２９，
Ｎｏ、 ６、第２４４頁から第２２８頁まで（昭和５７
年７月）に記載された外部回路で補正する方法や、吉川
他著゛′対数重み付は斜め電極指を用いた広帯域弾性表
面波フィルタ″信学技報、ＵＳ ８４−３１ （昭和
５９年９月）に記載されている。電極対数の重み付けに
よって補正する方法などが従来考えられている。
Ｃａｍｐｂａｌｌ ）その他著″１ｌｉｄａ −Ｂａ
ｎｄＬｉｎｅａｒ Ｐｈａｓｅ ＳＡＷ Ｆｉｌｔｅｒ
Ｄｅｓｉｇｎυｓｉｎｇ ５ｌａｎｔｅｄＴｒａｎｓ
ｄｕｃｅｒ Ｆｉｎｇｅｒｓ （傾斜したトランスデユ
ーサの指を使用する広帯域線形位相ＳＡＷ フィルタの
設計）”ＩＥＥｆ！ Ｔｒａｎｓ、 ｏｎ ５ｏｎｉｃ
ｓ Ｉｓ Ｕｌｔｒａ−ｓｏｎｉｃｓ、 ５Ｏ−２９，
Ｎｏ、 ６、第２４４頁から第２２８頁まで（昭和５７
年７月）に記載された外部回路で補正する方法や、吉川
他著゛′対数重み付は斜め電極指を用いた広帯域弾性表
面波フィルタ″信学技報、ＵＳ ８４−３１ （昭和
５９年９月）に記載されている。電極対数の重み付けに
よって補正する方法などが従来考えられている。
［発明が解決しようとする課題〕
これらの方法では通過帯域特性が傾くという欠点がある
。
。
［発明の目的］
本発明の目的は、素子構造の持つ固有の特性から通過帯
域特性の傾きを補正することができる広帯域ＳＡＷ フ
ィルタを提供することである。
域特性の傾きを補正することができる広帯域ＳＡＷ フ
ィルタを提供することである。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために１本発明による広帯域ＳＡＷ
フィルタは、半導体基板上に形成された圧電体と、該圧
電体上に設けられたＳＡＷの伝播方向に対して垂直方向
に電極周期が異なる入出力トランスデューサとを含むこ
とを要旨とする。
フィルタは、半導体基板上に形成された圧電体と、該圧
電体上に設けられたＳＡＷの伝播方向に対して垂直方向
に電極周期が異なる入出力トランスデューサとを含むこ
とを要旨とする。
［作用］
本発明では、素子構造を層状構造にすることでこの通過
帯域の傾きの欠点を補う、単結晶基板では結合係数は波
長依存性を持たず一定である。しかし１層状構造では結
合係数は波長依存性を持ち、高周波（短波長）側で結合
係数を大きくすることが可能である。
帯域の傾きの欠点を補う、単結晶基板では結合係数は波
長依存性を持たず一定である。しかし１層状構造では結
合係数は波長依存性を持ち、高周波（短波長）側で結合
係数を大きくすることが可能である。
そこで、素子設計の段階で高周波側での結合係数を低周
波側の結合係数より大きくするようにすれば、通過帯域
内の傾きを補正できる。
波側の結合係数より大きくするようにすれば、通過帯域
内の傾きを補正できる。
［実施例］
以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて本発明を
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず１本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず１本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
第１図は本発明による広帯域ＳＡＷフィルタの斜視図で
１図中、１ はシリコン単結晶基板。
１図中、１ はシリコン単結晶基板。
２はシリコン酸化膜層、３ はＺｎＯ圧電薄膜層、４，
４′は入出力の斜め電極指トランスデュ−サを表わす、
この単結晶基板 １ は少なくとも入出力トランスデュ
ーサ４，４′の下に不純物を高濃度に導入した低抵抗層
を有するものとする。
４′は入出力の斜め電極指トランスデュ−サを表わす、
この単結晶基板 １ は少なくとも入出力トランスデュ
ーサ４，４′の下に不純物を高濃度に導入した低抵抗層
を有するものとする。
すなわち、第１図に示す広帯域ＳＡＷ フィルタは、断
面図で見て、第２図の（ａ）〜（ｊ）のいずれかの構造
を持っている。第２図中、５，５′はｎ＋またはｐ＋拡
散層、６はｎ またはｐシリコンエピタキシャル層、７
はｎ◆またはｐ◆拡散層、８は金属層または拡散領域
、９ はシリコン酸化膜層を表わす。
面図で見て、第２図の（ａ）〜（ｊ）のいずれかの構造
を持っている。第２図中、５，５′はｎ＋またはｐ＋拡
散層、６はｎ またはｐシリコンエピタキシャル層、７
はｎ◆またはｐ◆拡散層、８は金属層または拡散領域
、９ はシリコン酸化膜層を表わす。
第３図は上記ＳＡＷの伝播方向に垂直な方向で電極ピッ
チが異なる入出力トランスデューサ拡大上面図である。
チが異なる入出力トランスデューサ拡大上面図である。
以下上記実施例の動作を説明する。
第３図に示すように、伝播方向に平行な点線でいくつか
のチャンネルに分けると、斜め電極指は正規型と考える
ことができる。二＼では各チャンネルの開口長が等しく
なるように分割する。
のチャンネルに分けると、斜め電極指は正規型と考える
ことができる。二＼では各チャンネルの開口長が等しく
なるように分割する。
ｉ チャンネルの １／２対等価回路は第３図に示すよ
うになる。
うになる。
Ｚｔ ＝ ｊ Ｚｏ ｔａｎ −・・・・・・・
・・ （１） θＩ Ｚ２ ＝ −ｊ Ｚ、）ｃｏｓｅｃ −・・・・・
・・・・ （２） ＯＢ ＝ ２ ｙｃ ｆ ＩＬ＋／
Ｖｌ・・・・・・・・・ （３） ｆ。
・・ （１） θＩ Ｚ２ ＝ −ｊ Ｚ、）ｃｏｓｅｃ −・・・・・
・・・・ （２） ＯＢ ＝ ２ ｙｃ ｆ ＩＬ＋／
Ｖｌ・・・・・・・・・ （３） ｆ。
こＮで
Ｚｏ ： 音響インピーダンス
ｆｌ：ｉ チャンネルの中心周波数
ｋｍ２： ｉ チャンネルの結合係数Ｃ□ ： １
／２対制動容量 ｆｌ ： 最長電極ピッチをもつチャンネルの中心周波
数 り、：ｉ チャンネルの電極ピッチ ｖｌ：ｉ チャンネルの音速 である。
／２対制動容量 ｆｌ ： 最長電極ピッチをもつチャンネルの中心周波
数 り、：ｉ チャンネルの電極ピッチ ｖｌ：ｉ チャンネルの音速 である。
φ１は第３図に示す等価回路での理想トランスの巻線比
であり、電気ポートから音響ポートへの変換比を表わす
ものと考えて良い。
であり、電気ポートから音響ポートへの変換比を表わす
ものと考えて良い。
従来技術のように、 Ｙｃｕｔ −Ｚｐｒｏｐ ＬｉＮ
ｂＯ３基板のような単結晶基板を用いた場合では、 ｉ
チャンネルの結合係数は に＋２ ＝ ｋｂｕ＋に２ ・・
・・・・・・・ （５）となり（４）式は ｆｌ となる、こ＼で、φ、０は正規型の巻線比。
ｂＯ３基板のような単結晶基板を用いた場合では、 ｉ
チャンネルの結合係数は に＋２ ＝ ｋｂｕ＋に２ ・・
・・・・・・・ （５）となり（４）式は ｆｌ となる、こ＼で、φ、０は正規型の巻線比。
ｋ ｂｕｌｋ２は単結晶基板が示す実効的な結合係数で
ある。
ある。
（６）式より高周波側の変換比が低周波側より小さくな
り１通過帯域での傾きが現れることが理解できる。
り１通過帯域での傾きが現れることが理解できる。
層状構造では、（４）式かられかるように、変換比φ１
は φ！ｃｃ（ｋｘ２）’／２（１／ｆｔ ）１／４・＝・
＝・・・（７）である。
は φ！ｃｃ（ｋｘ２）’／２（１／ｆｔ ）１／４・＝・
＝・・・（７）である。
高周波側の結合係数が低周波側に較べて大きければ、（
７）式より、φ□は周波数にたいしてはシ一定とするこ
とが可能である。
７）式より、φ□は周波数にたいしてはシ一定とするこ
とが可能である。
これが傾き補正の原理である。
広帯域フィルタを実現するには、結合係数の大きな材料
を用いる必要があり、低挿入損失化が図れる。圧電薄膜
を用いた層状構造で大きな結合係数が得られるものに
ＺｎＯ薄膜を Ｓｉ単結晶基板上に形成した構造での
Ｓ ｅｚａｗａ波がある。
を用いる必要があり、低挿入損失化が図れる。圧電薄膜
を用いた層状構造で大きな結合係数が得られるものに
ＺｎＯ薄膜を Ｓｉ単結晶基板上に形成した構造での
Ｓ ｅｚａｗａ波がある。
この構造を有するトランスデユーサでの表面波の波数ｋ
と ＺｎＯ膜厚の積と実効的な結合係数の関係は第５
図のようになる。二＼で ｋ Ｈが１．５以下の領域に
注目する。膜厚を一定とすると波長が長いほど、つまり
波数ｋ が小さいほど、結合係数が小さく、逆に波長が
短いほど、つまり波数ｋが大きいほど、結合係数は大き
くなる。
と ＺｎＯ膜厚の積と実効的な結合係数の関係は第５
図のようになる。二＼で ｋ Ｈが１．５以下の領域に
注目する。膜厚を一定とすると波長が長いほど、つまり
波数ｋ が小さいほど、結合係数が小さく、逆に波長が
短いほど、つまり波数ｋが大きいほど、結合係数は大き
くなる。
このように、膜厚一定であると考えると、結合係数が波
数に対して、単調増加となる領域に動作点を設け、低周
波側の結合係数より高周波側の結合係数を大きくするこ
とで斜め電極指トランスデュ−サを用いた広帯域フィル
タの帯域内の傾きを補正できる。
数に対して、単調増加となる領域に動作点を設け、低周
波側の結合係数より高周波側の結合係数を大きくするこ
とで斜め電極指トランスデュ−サを用いた広帯域フィル
タの帯域内の傾きを補正できる。
第６図は、実施例によるフィルタ特性を示す。
トランスデユーサは斜め電極指トランスデユーサで、電
極周期（ＳＡＷの波長に相当）は最小２０ μｍ、最大
３０ μｍである。基板は（１１０）カット Ｓｉ基板
上に約１００ ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に
ＺｎＯ圧電薄膜を４．５ μｍ堆積させている。ＳＡＷ
の伝播方向はＳｉ［１００］方向としている。
極周期（ＳＡＷの波長に相当）は最小２０ μｍ、最大
３０ μｍである。基板は（１１０）カット Ｓｉ基板
上に約１００ ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に
ＺｎＯ圧電薄膜を４．５ μｍ堆積させている。ＳＡＷ
の伝播方向はＳｉ［１００］方向としている。
ＺｎＯ圧電薄膜上にＡＱ により電極を構成する。こ
の実施例ではＳｉ基板は硼素で高濃度にドープした ｐ
”−８ｉである。トランスデユーサの最大開口長は２
ｍｍ、対数は入出力とも２０本でトランスデユーサ間の
距離は １０ｍｍである。
の実施例ではＳｉ基板は硼素で高濃度にドープした ｐ
”−８ｉである。トランスデユーサの最大開口長は２
ｍｍ、対数は入出力とも２０本でトランスデユーサ間の
距離は １０ｍｍである。
この広帯域フィルタでは、第５図で ＫＨｏ、９４〜１
．４１ が動作領域である。中心周波数が２２５Ｍ七で
、帯域７５Ｍ七 （比帯域〜３０ ％以上）を持ち、帯
域内の通過特性がほり平坦な、良好な広帯域通過フィル
タが得られる。
．４１ が動作領域である。中心周波数が２２５Ｍ七で
、帯域７５Ｍ七 （比帯域〜３０ ％以上）を持ち、帯
域内の通過特性がほり平坦な、良好な広帯域通過フィル
タが得られる。
本実施例ではＳ ｅｚａｗａモードの表面波を利用して
いるため、その結合係数の大きさから、低損失を保ちな
がら良好な広帯域特性が得られる。
いるため、その結合係数の大きさから、低損失を保ちな
がら良好な広帯域特性が得られる。
本素子の設計では、挿入損失を小さくするため、大きな
結合係数を有する構造を採用し、低損失化に注意を払っ
たが、斜め電極を用いたフィルタではビームステアリン
グにも注意を払う必要がある。
結合係数を有する構造を採用し、低損失化に注意を払っ
たが、斜め電極を用いたフィルタではビームステアリン
グにも注意を払う必要がある。
斜め電極指では当然のことながら励振された表面波の伝
播方向は伝播軸に対しである角度を持ち、ビームステア
リングのため、フィルタの挿入損失が大きくなる０本実
施例ではビームステアリングによる損失を最小化するた
めＳｉ基板として（１１０）カット結晶面を用い、伝播
軸方向として［１００］方向を選択する。
播方向は伝播軸に対しである角度を持ち、ビームステア
リングのため、フィルタの挿入損失が大きくなる０本実
施例ではビームステアリングによる損失を最小化するた
めＳｉ基板として（１１０）カット結晶面を用い、伝播
軸方向として［１００］方向を選択する。
斜め電極指トランスデユーサの各電極指は伝播軸の［０
０１］方向に対しである角度を持つが、この伝播軸［０
０１］と電極指に対して垂直な方向（伝播方向）との角
度を θ とし、角度θ を有する電極指から励振され
る表面波のパワー流の進行方向と伝播方向の角度を φ
（パワーフローアングル）とする、（第７図参照）本
実施例で用いた５ｉ（１１０）カット［１００］伝伝播
向の位相速度およびパワーフローアングルの伝播方向
θ依存性はそれぞれ第８図（ａ）および（ｂ）の関係を
持つ、第８図でθ ＝ ０近傍のパワーフローアングル
φ に注目すると、 θ が負の方向では φ は正、
逆にθ が正の方向では φ は負となっている。この
関係は伝播方向が伝播軸［００１１方向に対しである角
度を持ってもビームステアリングはパワー流を伝播軸［
００１］方向に戻すように作用する。これは５Ｌ（１１
０）カット基板の持つ優れた特性であり、特に斜め電極
指トランスデユーサを用いる場合には、フィルタの挿入
損失を低減する作用を示す。
０１］方向に対しである角度を持つが、この伝播軸［０
０１］と電極指に対して垂直な方向（伝播方向）との角
度を θ とし、角度θ を有する電極指から励振され
る表面波のパワー流の進行方向と伝播方向の角度を φ
（パワーフローアングル）とする、（第７図参照）本
実施例で用いた５ｉ（１１０）カット［１００］伝伝播
向の位相速度およびパワーフローアングルの伝播方向
θ依存性はそれぞれ第８図（ａ）および（ｂ）の関係を
持つ、第８図でθ ＝ ０近傍のパワーフローアングル
φ に注目すると、 θ が負の方向では φ は正、
逆にθ が正の方向では φ は負となっている。この
関係は伝播方向が伝播軸［００１１方向に対しである角
度を持ってもビームステアリングはパワー流を伝播軸［
００１］方向に戻すように作用する。これは５Ｌ（１１
０）カット基板の持つ優れた特性であり、特に斜め電極
指トランスデユーサを用いる場合には、フィルタの挿入
損失を低減する作用を示す。
［発明の効果］
以上説明した通り、本発明によれば、素子構造の持つ固
有の特性から通過帯域特性の傾きを補正することができ
る広帯域弾性表面波フィルタを得ることができる。
有の特性から通過帯域特性の傾きを補正することができ
る広帯域弾性表面波フィルタを得ることができる。
第１図は本発明による広帯域弾性表面波フィルタの斜視
図、第２図は第１図に示す装置のいろいろな構造を示す
断面図、第３図は斜め電極指トランスデユーサの上面図
、第４図は ｉ チャンネルの １７２対等価回路、第
５図は表面波の波数ｋ と ＺｎＯ膜厚の積と実効的な
結合係数の関係を示すグラフ、第６図はフィルタ特性を
示すグラフ、第７図はビームステアリングを説明するた
めの概略図、第８図は位相速度およびパワーフローアン
グルと伝播方向の関係を示すグラフである。 １・・・・・・・・・シリコン単結晶基板、２・・・・
・・・・・シリコン酸化膜層、３・・・・・・・・・Ｚ
ｎＯ圧電薄膜層、４゜４′・・・・・・・・・入出力の
斜め電極指トランスデユーサ、５．５″・・・・・・・
・・ｎ＋またはｐ１拡散層、６ ・・・・・・・・・
ｎ またはｐ シリコンエピタキシャル層、７・・・・
・・・・・ ｎ◆またはｐ４″拡散層、８ ・・・・・
・・・・金属層または拡散領域、９ ・・・・・・・・
・シリコン酸化膜層。 第 １ 図 広凋トソｚ３デＵ面；工フィ・レタ杉二ハ１；ンソコン
！ＩＬｇ晶茶徂 ２；ンソコｙば化、検層 ３ ｉ Ｚｒ０１Ｅ５１ｉ嗅Ｂ ４；λ出Ｒ竹の電投１トランステ）−サ：ｊｔ、３
図 介わｔｍｆｇ ）−ラン又テ１−サよゴ５０第４ 図 １六矛、ルｔｆ）Ｖ２ｑゴレ筐汀コモＨ刀手続補正書 ２６発明の名称 広帯域弾性表面波フィルタ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名称 ４、代理 住所 （１４８）クラリオン株式会社 人〒１０５ 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル昭和６３年
１０月
図、第２図は第１図に示す装置のいろいろな構造を示す
断面図、第３図は斜め電極指トランスデユーサの上面図
、第４図は ｉ チャンネルの １７２対等価回路、第
５図は表面波の波数ｋ と ＺｎＯ膜厚の積と実効的な
結合係数の関係を示すグラフ、第６図はフィルタ特性を
示すグラフ、第７図はビームステアリングを説明するた
めの概略図、第８図は位相速度およびパワーフローアン
グルと伝播方向の関係を示すグラフである。 １・・・・・・・・・シリコン単結晶基板、２・・・・
・・・・・シリコン酸化膜層、３・・・・・・・・・Ｚ
ｎＯ圧電薄膜層、４゜４′・・・・・・・・・入出力の
斜め電極指トランスデユーサ、５．５″・・・・・・・
・・ｎ＋またはｐ１拡散層、６ ・・・・・・・・・
ｎ またはｐ シリコンエピタキシャル層、７・・・・
・・・・・ ｎ◆またはｐ４″拡散層、８ ・・・・・
・・・・金属層または拡散領域、９ ・・・・・・・・
・シリコン酸化膜層。 第 １ 図 広凋トソｚ３デＵ面；工フィ・レタ杉二ハ１；ンソコン
！ＩＬｇ晶茶徂 ２；ンソコｙば化、検層 ３ ｉ Ｚｒ０１Ｅ５１ｉ嗅Ｂ ４；λ出Ｒ竹の電投１トランステ）−サ：ｊｔ、３
図 介わｔｍｆｇ ）−ラン又テ１−サよゴ５０第４ 図 １六矛、ルｔｆ）Ｖ２ｑゴレ筐汀コモＨ刀手続補正書 ２６発明の名称 広帯域弾性表面波フィルタ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名称 ４、代理 住所 （１４８）クラリオン株式会社 人〒１０５ 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル昭和６３年
１０月
Claims (7)
- （１） （ａ）半導体基板上に形成された圧電体、および（ｂ）
該圧電体上に設けられ、弾性表面波の伝播方向に対して
垂直方向に電極周期が異なる入出力トランスデューサ を含むことを特徴とする広帯域弾性表面波フィルタ。 - （２） （ａ）半導体基板上に形成された絶縁性膜、（ｂ）該絶
縁性膜上に設けられた圧電体あるいわ圧電性膜、および （ｃ）該圧電体あるいわ圧電性膜上に設けられ、弾性表
面波の伝播方向に対して垂直方向に電極周期が異なる入
出力トランスデューサ を含むことを特徴とする広帯域弾性表面波フィルタ。 - （３）上記半導体基板上面部の少なくともトランスデュ
ーサの下に位置する領域が不純物高濃度領域であること
を特徴とする、特許請求の範囲第１項または第２項記載
の広帯域弾性表面波フィルタ。 - （４） （ａ）半導体基板上に形成された圧電体、 （ｂ）該圧電体上に設けられ、弾性表面波の伝播方向に
対して垂直方向に電極周期が異なる入出力トランスデュ
ーサ、おいび （ｃ）上記半導体基板表面部の少なくとも上記トランス
デューサの下に位置する領域に形成されている金属薄膜
、あるいは上記絶縁性膜上面部の少なくともトランスデ
ューサの下に位置する領域に形成されている金属薄膜 を含むことを特徴とする広帯域弾性表面波フィルタ。 - （５）上記圧電体膜の厚さと上記電極周期の間の関係が
トランスデューサでの実効的な結合係数が電極周期長に
対して単調減少を示すように設定されていることを特徴
とする、特許請求の範囲第１項または第２項記載の広帯
域弾性表面波フィルタ。 - （６）上記圧電体が酸化亜鉛であり、トランスデューサ
の最小周期に相当する弾性表面波の波数ｋと上記圧電体
の厚さＨが ＫＨ≦１．５ の関係を満たすことを特徴とする、特許請求の範囲第１
項または第２項記載の広帯域弾性表面波フィルタ。 - （７）上記半導体がシリコンであり、その結晶面がほゞ
（１１０）カットと等価面であり、弾性表面波の伝播方
向がほゞ［１００］と等価な方向であることを特徴とす
る、特許請求の範囲第１項または第２項記載の広帯域弾
性表面波フィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63167596A JPH0217707A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 広帯域弾性表面波フィルタ |
| US07/370,196 US5075652A (en) | 1988-07-05 | 1989-06-22 | Wide band surface acoustic wave filter having constant thickness piezoelectric layer and divergent transducers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63167596A JPH0217707A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 広帯域弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217707A true JPH0217707A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15852698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63167596A Pending JPH0217707A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 広帯域弾性表面波フィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075652A (ja) |
| JP (1) | JPH0217707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004297359A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
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| US5488954A (en) * | 1994-09-09 | 1996-02-06 | Georgia Tech Research Corp. | Ultrasonic transducer and method for using same |
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| US5831494A (en) * | 1996-12-12 | 1998-11-03 | Sawtek Inc. | Dual track low-loss reflective saw filter |
| US5939784A (en) * | 1997-09-09 | 1999-08-17 | Amkor Technology, Inc. | Shielded surface acoustical wave package |
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| US4480209A (en) * | 1981-10-09 | 1984-10-30 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a specified crystalline orientation |
| US4625184A (en) * | 1982-07-02 | 1986-11-25 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with impedance matching network formed thereon |
| JPS5964908A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | Nobuo Mikoshiba | 弾性表面波素子 |
| JPS60180316A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-14 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波フイルタ |
| US4600905A (en) * | 1985-09-03 | 1986-07-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Flat passband etched groove saw filter |
| JPS63294009A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP63167596A patent/JPH0217707A/ja active Pending
-
1989
- 1989-06-22 US US07/370,196 patent/US5075652A/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2004297359A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5075652A (en) | 1991-12-24 |
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