JPH02175650A - 超電導材料組成物の製造方法 - Google Patents
超電導材料組成物の製造方法Info
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- JPH02175650A JPH02175650A JP63328999A JP32899988A JPH02175650A JP H02175650 A JPH02175650 A JP H02175650A JP 63328999 A JP63328999 A JP 63328999A JP 32899988 A JP32899988 A JP 32899988A JP H02175650 A JPH02175650 A JP H02175650A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はセラミック超電導材料およびその製造方法に
関する。
関する。
［従来の技術１
超電導転移温度の高い磁器組成物として、ＹＢａ２Ｃｕ
３Ｏ７−Ｅか知られている。この超電導体を構成するｙ
２０３は鉱物資源に乏しく、高価である。
３Ｏ７−Ｅか知られている。この超電導体を構成するｙ
２０３は鉱物資源に乏しく、高価である。
ＹをＬａに置き換えた１、ａｌｌａ２ｃｕ＋０７−６超
電導体はＬａ ２０３かＹ、［］３より低価格なので、
実用化できねば工業的価値か大きい。
電導体はＬａ ２０３かＹ、［］３より低価格なので、
実用化できねば工業的価値か大きい。
しかし最近発表された超電導転移温度９２にのＬａ１１
ａ２ｃｕ＋０□４超電専体（Δｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ。
ａ２ｃｕ＋０□４超電専体（Δｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ。
５２（２３１，Ｐ、１９８９．１９８１１）は、９００
℃および９５０℃の２回の仮焼な必要とし、さらに９８
０℃×４０時間の焼結および超電導相生成のための３Ｏ
０℃ｘ４０時間のアニールという長時間の熱処理を必要
としている。そのために生産性が低く、またエネルギ的
にも効率が悪いという問題があった。
℃および９５０℃の２回の仮焼な必要とし、さらに９８
０℃×４０時間の焼結および超電導相生成のための３Ｏ
０℃ｘ４０時間のアニールという長時間の熱処理を必要
としている。そのために生産性が低く、またエネルギ的
にも効率が悪いという問題があった。
さらにＬａＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−６超電導酸化物の臨界電
流密度はこれまで報告されておらす、また最適の焼成条
件も明らかにされておらず、この材料の実用化のために
は、解明されなりれはならない問題か残されている。
流密度はこれまで報告されておらす、また最適の焼成条
件も明らかにされておらず、この材料の実用化のために
は、解明されなりれはならない問題か残されている。
［発明か解決しようとする課題］
本発明は超電導材料組成物の特性を改善するためになさ
れたものである。本発明はＬ ａ Ｂ ａ ２Ｃｕ ３
Ｏ７−εを主成分とし、ケΩかい焼成時間で高い超電導
転移温度および大きな臨界電流密度が実現できる超電導
材料組成物を提供することを目的とする。さらに木発明
は、短時間の焼成で、超電導材料組成物の超電導特性を
改善し得る方法を提供することを目的とする。
れたものである。本発明はＬ ａ Ｂ ａ ２Ｃｕ ３
Ｏ７−εを主成分とし、ケΩかい焼成時間で高い超電導
転移温度および大きな臨界電流密度が実現できる超電導
材料組成物を提供することを目的とする。さらに木発明
は、短時間の焼成で、超電導材料組成物の超電導特性を
改善し得る方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段ｊ
木発明は、ＬａＢａ２Ｃｕ３Ｏ７．４１モルに対し、Ａ
ｇ２Ｏが０１重量％から７０重量％まで添加されてなる
ことを特徴とする。
ｇ２Ｏが０１重量％から７０重量％まで添加されてなる
ことを特徴とする。
本発明方法は超電導材料組成物の焼成に際し、昇温過程
、焼結過程、降温過程およびアニーリング過程のそれぞ
れの過程に応じて酸素分圧を制御しながら焼成すること
を特徴とする。
、焼結過程、降温過程およびアニーリング過程のそれぞ
れの過程に応じて酸素分圧を制御しながら焼成すること
を特徴とする。
［作 用］
本発明によれば超電導材料ＬａＢａ２ＣＬＩ３Ｏ７−５
にＡｇ２Ｏを添加しているので、短い焼成時間にもかか
わらず、臨界電流密度を改善することかできる。さらに
本発明においては、焼成工程の各段階に応して被焼成物
近傍の酸素分圧を制御しているので、超電導材料組成物
の超電導特性を向上させることがてきる。
にＡｇ２Ｏを添加しているので、短い焼成時間にもかか
わらず、臨界電流密度を改善することかできる。さらに
本発明においては、焼成工程の各段階に応して被焼成物
近傍の酸素分圧を制御しているので、超電導材料組成物
の超電導特性を向上させることがてきる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
Ｌａ２Ｏ３，Ｂａ （ＯＨ） ２ ・８Ｈ２０および
ＣｕＯを、Ｌａ：Ｂａ：Ｃｕの比が１２３となるように
それぞれ秤量し、乾式で混合し、粉砕した。混合粉末を
８００〜９００℃で１０時間熱処理した。熱処理雰囲気
は空気中、酸素中および窒素中のいずれでもよい。熱処
理された後再粉砕し、３Ｏμｍのふるいを通してＬａＢ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−６の粉末を得た。
ＣｕＯを、Ｌａ：Ｂａ：Ｃｕの比が１２３となるように
それぞれ秤量し、乾式で混合し、粉砕した。混合粉末を
８００〜９００℃で１０時間熱処理した。熱処理雰囲気
は空気中、酸素中および窒素中のいずれでもよい。熱処
理された後再粉砕し、３Ｏμｍのふるいを通してＬａＢ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−６の粉末を得た。
Ｂａ原料としては通常ＢａＣＯ３が使用されている。
しかしＢａＣ０：＋を出発原料とすると、９００〜９５
０℃で熱処理しても炭酸痕が残るため、組成のすわが生
しる。木発明においては、反応性が高く、かつ炭酸痕を
有しないＢａ （Ｏ１＋） ２・８＋１２０をｌｌａ原
料として用いた。なお、比較のため、ＢａＣＯ３を出発
材料とした試料を一部作製した。
０℃で熱処理しても炭酸痕が残るため、組成のすわが生
しる。木発明においては、反応性が高く、かつ炭酸痕を
有しないＢａ （Ｏ１＋） ２・８＋１２０をｌｌａ原
料として用いた。なお、比較のため、ＢａＣＯ３を出発
材料とした試料を一部作製した。
この粉末１モルに対し、０〜７０ｗｔ％の範囲にわたり
、所定量のへｇ２０粉末（純度９９．９９％）を添加し
、１〜２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力を加えて、直径１５ｍｍ
厚さ１．５ｍｍのペレットを作成した。このベレットを
るつぼ内に収め、温度および加熱雰囲気すなわち全圧お
よび酸素分圧を制御しながら焼成した。
、所定量のへｇ２０粉末（純度９９．９９％）を添加し
、１〜２ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力を加えて、直径１５ｍｍ
厚さ１．５ｍｍのペレットを作成した。このベレットを
るつぼ内に収め、温度および加熱雰囲気すなわち全圧お
よび酸素分圧を制御しながら焼成した。
第１図に焼成時の時間−温度曲線の例を示す。
図示するように、焼成工程は焼結温度までのｙ−温過程
、一定温度での焼結過程、アニール温度まての降温過程
、および一定温度でのアニールによる超電導相生成過程
の４過程を含んでいる。
、一定温度での焼結過程、アニール温度まての降温過程
、および一定温度でのアニールによる超電導相生成過程
の４過程を含んでいる。
以下の実施例ではｙ−温および降温速度はそれぞれ２０
０℃／ｈｒおよび６０℃／ｈｒと一定にした。焼結温度
は９００℃〜９８０℃の範囲で適宜選定し、焼結時間は
５時間一定とした。アニール温度は３Ｏ０℃と一定とし
、保持時間は５時間または１０時間とした。
０℃／ｈｒおよび６０℃／ｈｒと一定にした。焼結温度
は９００℃〜９８０℃の範囲で適宜選定し、焼結時間は
５時間一定とした。アニール温度は３Ｏ０℃と一定とし
、保持時間は５時間または１０時間とした。
さらに第１図に示したように、焼成過程をａｂ、ｃおよ
びｄの４つのセグメントにわけて焼成中の雰囲気を制御
した。セグメントａは７００℃までの昇温過程、セグメ
ントｂは焼結過程を中心とし、７００℃以上の昇温過程
および９００℃までの降温過程を含む。セグメントＣは
９００℃以下の降温過程、セグメントｄはアニフルすな
わち超電導相生成過程に相当する。本発明においては、
炉内の全圧を制御すると同時に、被焼成物近傍の酸素分
圧を検出し、各セグメント単位に酸素分圧を制御しなが
ら、へｇ２０添加量の異なる各試料の焼成を行った。
びｄの４つのセグメントにわけて焼成中の雰囲気を制御
した。セグメントａは７００℃までの昇温過程、セグメ
ントｂは焼結過程を中心とし、７００℃以上の昇温過程
および９００℃までの降温過程を含む。セグメントＣは
９００℃以下の降温過程、セグメントｄはアニフルすな
わち超電導相生成過程に相当する。本発明においては、
炉内の全圧を制御すると同時に、被焼成物近傍の酸素分
圧を検出し、各セグメント単位に酸素分圧を制御しなが
ら、へｇ２０添加量の異なる各試料の焼成を行った。
第２図に上述した焼成を行うための装置を秋式的に示す
。まず焼成炉１内を、ロータリポンプ２八、真空電磁弁
２Ｂ、排気フィルター２Ｇ、 リーク弁２Ｄおよび真
空計２Ｅを具えた排気系２によって、所定の真空度まで
排気する。次に酸素と窒素（またはアルゴン）の混合ガ
スを焼成炉１に供給する。
。まず焼成炉１内を、ロータリポンプ２八、真空電磁弁
２Ｂ、排気フィルター２Ｇ、 リーク弁２Ｄおよび真
空計２Ｅを具えた排気系２によって、所定の真空度まで
排気する。次に酸素と窒素（またはアルゴン）の混合ガ
スを焼成炉１に供給する。
酸素はボンベ録からストップバルブ３Ｂ、ニードル４３
Ｇ 、マスフローコントローラ３Ｄ、チャツキバルブ
３Ｅおよび制御弁３Ｆを経由し、窒素（またはアルゴン
）は同様にボンベ４八からストップバルブ４０ニードル
’４ｆ−４Ｇ 、マスフローコントローラ４０゜チャツ
キバルブ４Ｅおよび制御弁４Ｆを経由してそれぞれガス
ミキサー５に入り、混合される。混合ガス（または単独
のガス）はガス導入弁６を通って焼成炉１に導かれる。
Ｇ 、マスフローコントローラ３Ｄ、チャツキバルブ
３Ｅおよび制御弁３Ｆを経由し、窒素（またはアルゴン
）は同様にボンベ４八からストップバルブ４０ニードル
’４ｆ−４Ｇ 、マスフローコントローラ４０゜チャツ
キバルブ４Ｅおよび制御弁４Ｆを経由してそれぞれガス
ミキサー５に入り、混合される。混合ガス（または単独
のガス）はガス導入弁６を通って焼成炉１に導かれる。
３Ｇおよび４Ｇはそれぞれ一次圧力計である。焼成炉１
内の被焼成物の近傍には酸素センサ７が置かれ、被焼成
物近傍の酸素量を検知する。この検知信号は酸素濃度泪
８に人力され、濃度計８から酸素濃度信号が酸素分圧コ
ントローラ９に人力される。一方、焼成炉１の温度を制
御する温度調節計ｌＯには、先に説明した各セグメント
毎に定められた酸素分圧が記憶されており、この所定の
酸素分圧と、酸素濃度計８からの酸素濃度信号が酸素分
圧コントローラ９によって比較され、酸素分圧コントロ
ーラは、被焼成物近傍の酸素分圧が所定の値になるよう
に制御弁３Ｆおよび４Ｆの開閉を制御する。
内の被焼成物の近傍には酸素センサ７が置かれ、被焼成
物近傍の酸素量を検知する。この検知信号は酸素濃度泪
８に人力され、濃度計８から酸素濃度信号が酸素分圧コ
ントローラ９に人力される。一方、焼成炉１の温度を制
御する温度調節計ｌＯには、先に説明した各セグメント
毎に定められた酸素分圧が記憶されており、この所定の
酸素分圧と、酸素濃度計８からの酸素濃度信号が酸素分
圧コントローラ９によって比較され、酸素分圧コントロ
ーラは、被焼成物近傍の酸素分圧が所定の値になるよう
に制御弁３Ｆおよび４Ｆの開閉を制御する。
方、焼成炉１に導入されるガスの圧力信号は連成ｎ１１
１に入力される。連成８１１１は炉内の圧力が所定の値
に保たれるよう、排気弁１２を動作させる。１３は安全
弁である。焼成炉１の炉体は水冷可能であり、耐圧は１
．５ｋｇ／ｃｍ２のものを用いた。
１に入力される。連成８１１１は炉内の圧力が所定の値
に保たれるよう、排気弁１２を動作させる。１３は安全
弁である。焼成炉１の炉体は水冷可能であり、耐圧は１
．５ｋｇ／ｃｍ２のものを用いた。
第２図に示した装置を用いて作製した各種試料について
、超電導転移温度および臨界電流密度を測定し、さらに
Ｘ線回折による結晶構造解析を行った。超電導転移温度
は４端子法によって直流抵抗を測定して電気抵抗がＯと
なるＴｃｅｎｄを測定し、ざらにハーツホーンブリッジ
を用いて交流磁化率の温度変化から超電導転移温度Ｔｅ
ｌを測定した。臨界電流密度ＪＣは、液体窒素下で試料
に大電流パルスを流し、超電導状態が保たれる最大の電
流値を求めてＪ、とした。
、超電導転移温度および臨界電流密度を測定し、さらに
Ｘ線回折による結晶構造解析を行った。超電導転移温度
は４端子法によって直流抵抗を測定して電気抵抗がＯと
なるＴｃｅｎｄを測定し、ざらにハーツホーンブリッジ
を用いて交流磁化率の温度変化から超電導転移温度Ｔｅ
ｌを測定した。臨界電流密度ＪＣは、液体窒素下で試料
に大電流パルスを流し、超電導状態が保たれる最大の電
流値を求めてＪ、とした。
へｇ２０濃度および焼成条件を変えて作製した各試料の
超電導転移温度Ｔｅｅｎｄおよび丁ＣＩ と臨界電流密
度Ｊｅを第１表に示す。表中＊を付した試料はＱａＣＯ
３を出発原料とした試料である。
超電導転移温度Ｔｅｅｎｄおよび丁ＣＩ と臨界電流密
度Ｊｅを第１表に示す。表中＊を付した試料はＱａＣＯ
３を出発原料とした試料である。
第３図および第４図に一例としてそれぞれ試料Ｎｏ、７
の電気抵抗−温度特性および交流磁化率−温度特性を示
す。
の電気抵抗−温度特性および交流磁化率−温度特性を示
す。
第１表をみると、八ｇ２０の添加によフて、臨界電流密
度Ｊ、は例えば試料Ｎ００９の３９〇八／ｃｍ２、試料
Ｎｏ、１２の２８０Ａ／ｃｍ２のように上昇する。この
値は従来のＢａＣＯ３を出発原料としたへｇ２０無添加
の試料Ｎｏ、４２の２０倍以上の値であり、 Ｂａ （
ＯＨ） ２・８１１２０を出発原料としたΔ８２０無添
加試料のうち、最高のＪＣを持つ試料Ｎｏ、３５の２５
Ａ／ｃｍ２の数倍または１０倍以上である。Ａｇ２Ｏの
添加によってＪｃの向上した試料の超電導転移温度は９
０に前後であり、へｇ２０添加による著しい超電導転移
温度の低下は見られない。
度Ｊ、は例えば試料Ｎ００９の３９〇八／ｃｍ２、試料
Ｎｏ、１２の２８０Ａ／ｃｍ２のように上昇する。この
値は従来のＢａＣＯ３を出発原料としたへｇ２０無添加
の試料Ｎｏ、４２の２０倍以上の値であり、 Ｂａ （
ＯＨ） ２・８１１２０を出発原料としたΔ８２０無添
加試料のうち、最高のＪＣを持つ試料Ｎｏ、３５の２５
Ａ／ｃｍ２の数倍または１０倍以上である。Ａｇ２Ｏの
添加によってＪｃの向上した試料の超電導転移温度は９
０に前後であり、へｇ２０添加による著しい超電導転移
温度の低下は見られない。
八ｇ２０は０１％の添加で低温で焼結でき、そのとき無
添加のものとくらべＪ、に差はなく、一方７０％をこえ
ると金属銀が磁器表面に析出してるつぼと融着するので
試料作製が困難となる。さらに７０％をこえるＡｇ２Ｏ
の添加は価格面からも好ましくない。
添加のものとくらべＪ、に差はなく、一方７０％をこえ
ると金属銀が磁器表面に析出してるつぼと融着するので
試料作製が困難となる。さらに７０％をこえるＡｇ２Ｏ
の添加は価格面からも好ましくない。
Ａｇ２Ｏは少量はＬａＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ−に固溶するも
のと想像されるが、その多くは金属銀として析出する。
のと想像されるが、その多くは金属銀として析出する。
第５図はＡｇ２Ｏ７０％を添加した試＋＊４Ｎ０．１９
のＸ線回折図である。斜方晶ＬａＢ８ｚＣｕ３Ｏ７−に
相当するピークと共に、図示するように金属銀のピーク
が強く現れている。
のＸ線回折図である。斜方晶ＬａＢ８ｚＣｕ３Ｏ７−に
相当するピークと共に、図示するように金属銀のピーク
が強く現れている。
第１表に戻り、Ａｇ２Ｏが同一の添加量（１０％）であ
る試料Ｎｏ、７４７，２０および３２を比較すると、焼
成条件によって臨界電流密度ＪＣは試料Ｎｏ、１７の７
０Ａ／ｃｍ２から試料Ｎｏ、３２の２０１Ａ／ｃｍ２ま
で大きく変化することがわかる。試料ＮＯ３７とＮｏ、
２０では炉内全圧は等しいので、各セグメントにおける
酸素分圧が、臨界電流ＪＣの値に大きく影響しているこ
とがわかる。さらに言えば、これら４試料のＪｃの比較
から、焼結過程（セグメントｂ）における酸素分圧は低
い方が良く、アニール過程（セグメントｄ）における酸
素分圧は高い方が良い。超電導転移温度Ｔｃａｎｄおよ
びＴＣＩは酸素分圧には大きく影響されない。このよう
な傾向は同一のへｇ２０添加２０％の試料Ｎｏ、９．１
８，２１．２７および３２についても見られる。すなわ
ち、焼成過程のセグメントに応じて、被焼成物近傍の酸
素分圧を制御することによって、焼成時間を短くしなが
ら、かつ臨界電流密度ＪＣの値を向上させることができ
る。
る試料Ｎｏ、７４７，２０および３２を比較すると、焼
成条件によって臨界電流密度ＪＣは試料Ｎｏ、１７の７
０Ａ／ｃｍ２から試料Ｎｏ、３２の２０１Ａ／ｃｍ２ま
で大きく変化することがわかる。試料ＮＯ３７とＮｏ、
２０では炉内全圧は等しいので、各セグメントにおける
酸素分圧が、臨界電流ＪＣの値に大きく影響しているこ
とがわかる。さらに言えば、これら４試料のＪｃの比較
から、焼結過程（セグメントｂ）における酸素分圧は低
い方が良く、アニール過程（セグメントｄ）における酸
素分圧は高い方が良い。超電導転移温度Ｔｃａｎｄおよ
びＴＣＩは酸素分圧には大きく影響されない。このよう
な傾向は同一のへｇ２０添加２０％の試料Ｎｏ、９．１
８，２１．２７および３２についても見られる。すなわ
ち、焼成過程のセグメントに応じて、被焼成物近傍の酸
素分圧を制御することによって、焼成時間を短くしなが
ら、かつ臨界電流密度ＪＣの値を向上させることができ
る。
従来の方法と同様に出発原料としてＢａＣＯ３を使用し
た試料Ｎｏ、４２と、同一の焼成条件であるが、Ｂａ
（ＯＨ） ２・８１１２０を出発原料とした試料Ｎｏ、
３５ とを比較すると、前者のアニール時間が４０時間
と長いにもかかわらず、試料Ｎｏ、３５の方が超電導転
移温度および臨界電流密度がすぐれている。これは出発
原料としてＢａ（Ｏｉｌ）２・８Ｈ２Ｇを用いることの
優位性を示すものである。
た試料Ｎｏ、４２と、同一の焼成条件であるが、Ｂａ
（ＯＨ） ２・８１１２０を出発原料とした試料Ｎｏ、
３５ とを比較すると、前者のアニール時間が４０時間
と長いにもかかわらず、試料Ｎｏ、３５の方が超電導転
移温度および臨界電流密度がすぐれている。これは出発
原料としてＢａ（Ｏｉｌ）２・８Ｈ２Ｇを用いることの
優位性を示すものである。
本発明の方法がＬａＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ−またはＡｇ２Ｏ
を添加したＬａＢａ２Ｃｕ３Ｏ．−以外の酸化物超電導
体に広く適用できることは明らかである。
を添加したＬａＢａ２Ｃｕ３Ｏ．−以外の酸化物超電導
体に広く適用できることは明らかである。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば超電導材料ＬａＢ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−にＡｇ２Ｏを添加しているので、短い
焼成時間にもかかわらず、臨界電流密度を改善すること
かできる。さらに本発明においては、焼成工程の各段階
に応して被焼成物近傍の酸素分圧を制御しているので、
超電導材料組成物の超電導特性を向上させることができ
る。
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−にＡｇ２Ｏを添加しているので、短い
焼成時間にもかかわらず、臨界電流密度を改善すること
かできる。さらに本発明においては、焼成工程の各段階
に応して被焼成物近傍の酸素分圧を制御しているので、
超電導材料組成物の超電導特性を向上させることができ
る。
本発明組成物は超電導磁石、各種超電導デバイス、超電
導を用いた電力貯蔵に適用可能である。
導を用いた電力貯蔵に適用可能である。
図、
第５図は本発明の他の実施例のＸ線回折図である。
１・・・焼成炉、
７・・・酸素センサー
８・・・酸素濃度計、
９・・・酸素分圧コントローラ、
１０・・・温度調節計。
第１図は本発明にかかる焼成法を説明する線図、
第２図は本発明に使用する焼成装置の模式第３図は本発
明実施例の電気抵抗−温度特性図、 第４図は本発明実施例の交流磁化率−温度特性× わ
明実施例の電気抵抗−温度特性図、 第４図は本発明実施例の交流磁化率−温度特性× わ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＬａＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−δ１モルに対し、
Ａｇ＿２Ｏが０．１重量％から７０重量％まで添加され
てなる超電導材料組成物。 ２）超電導材料組成物の製造に際し、昇温過程，焼結過
程、降温過程およびアニーリング過程のそれぞれの過程
に応じて酸素分圧を制御しながら焼成することを特徴と
する超電導材料組成物の製造方法。 ３）請求項２に記載の製造方法において、前記超電導磁
器組成物がＬａＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ１モル
に対して０．１ないし７０重量％のＡｇ＿２Ｏを含有す
る組成物であることを特徴とする超電導材料組成物の製
造方法。 ４）請求項３に記載の製造方法において、前記組成物の
出発原料としてＢａ（ＯＨ）＿２・８Ｈ＿２Ｏを用いる
ことを特徴とする超電導材料組成物の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63328999A JPH0755858B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 超電導材料組成物の製造方法 |
| US07/457,634 US5155092A (en) | 1988-12-28 | 1989-12-27 | Ceramic superconducting composition and process and apparatus for preparing thereof |
| EP89123993A EP0376276B1 (en) | 1988-12-28 | 1989-12-27 | Ceramic superconducting composition and process and apparatus for preparing thereof |
| DE68922290T DE68922290T2 (de) | 1988-12-28 | 1989-12-27 | Keramische supraleitende Zusammensetzung und Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63328999A JPH0755858B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 超電導材料組成物の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300439A Division JP2732809B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 超電導材料組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02175650A true JPH02175650A (ja) | 1990-07-06 |
| JPH0755858B2 JPH0755858B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=18216474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63328999A Expired - Fee Related JPH0755858B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 超電導材料組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0755858B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164730A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-28 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 超電導材料及びその製造方法 |
| JPH01192760A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Tokin Corp | Ａｇ↓２Ｏ↓２含有酸化物超電導体とその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63328999A patent/JPH0755858B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164730A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-28 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 超電導材料及びその製造方法 |
| JPH01192760A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Tokin Corp | Ａｇ↓２Ｏ↓２含有酸化物超電導体とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0755858B2 (ja) | 1995-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |