JPH02172246A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02172246A JPH02172246A JP32705388A JP32705388A JPH02172246A JP H02172246 A JPH02172246 A JP H02172246A JP 32705388 A JP32705388 A JP 32705388A JP 32705388 A JP32705388 A JP 32705388A JP H02172246 A JPH02172246 A JP H02172246A
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- JP
- Japan
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- hole
- insulating film
- conductive pattern
- center
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の１
本発明は、ＴＡ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｌｎｇ）方式の半導体装置に関する。
Ｂｏｎｄｌｎｇ）方式の半導体装置に関する。
Ｗ釆Δ皮１
ＴＡＢ方式の半導体装置の一例を第５図及び第６図から
説明する。図において、１はポリイミド樹脂等の長尺の
絶縁フィルムで、この絶縁フィルム１は両側に沿って搬
送用透孔１ａ１１ａ・・・が等間隔で穿設され、中央部
には、半導体チップ２を収容する透孔１ｂが穿設されて
いる。この透孔１ｂは図示例では１つだけ示すが、絶縁
フィルム１の長手方向に等間隔で穿設されている。
説明する。図において、１はポリイミド樹脂等の長尺の
絶縁フィルムで、この絶縁フィルム１は両側に沿って搬
送用透孔１ａ１１ａ・・・が等間隔で穿設され、中央部
には、半導体チップ２を収容する透孔１ｂが穿設されて
いる。この透孔１ｂは図示例では１つだけ示すが、絶縁
フィルム１の長手方向に等間隔で穿設されている。
３は絶縁フィルム１上に形成された導電パターンで、そ
の一部は一端を透孔１ｂ内に延在させている。半導体チ
ップ２の表面には、バンプ電極２ａが形成され、このバ
ンプ電極２ａと導電パターン３の遊端部とが熱圧着等に
より接続されている。なお４は導電パターン３に形成し
たメツキ層示す。
の一部は一端を透孔１ｂ内に延在させている。半導体チ
ップ２の表面には、バンプ電極２ａが形成され、このバ
ンプ電極２ａと導電パターン３の遊端部とが熱圧着等に
より接続されている。なお４は導電パターン３に形成し
たメツキ層示す。
ところで上記ＴＡＢ方式の半導体装置では、半導体チッ
プ表面が露出しており、外部に対して保護されていない
ため、外力が与えられると傷がついたり、また、透孔内
に延びた導電パターンは半導体チップが接続されるまで
はわずかな外力で変形しやすく、接続の際に導電パター
ンが変形していると半導体チップのバンプ電極との位置
がずれ接続が不可能となる等の欠点を有していた。
プ表面が露出しており、外部に対して保護されていない
ため、外力が与えられると傷がついたり、また、透孔内
に延びた導電パターンは半導体チップが接続されるまで
はわずかな外力で変形しやすく、接続の際に導電パター
ンが変形していると半導体チップのバンプ電極との位置
がずれ接続が不可能となる等の欠点を有していた。
の
本発明は、上記課題を解決するために提案されたもので
、長尺の絶縁フィルムの長手方向に所定の間隔で透孔を
穿設し、絶縁フィルム上に貼着した導電パターンの一部
を前記透孔内に延在させ、透孔内に配置した半導体ペレ
ットと導電パターンとを電気的に接続した半導体装置に
おいて、上記透孔の中央部に絶縁フィルムに連結されか
つ半導体ベレットの中央部を被覆する被覆部を配置した
ことを特徴とする半導体装置を提供する。
、長尺の絶縁フィルムの長手方向に所定の間隔で透孔を
穿設し、絶縁フィルム上に貼着した導電パターンの一部
を前記透孔内に延在させ、透孔内に配置した半導体ペレ
ットと導電パターンとを電気的に接続した半導体装置に
おいて、上記透孔の中央部に絶縁フィルムに連結されか
つ半導体ベレットの中央部を被覆する被覆部を配置した
ことを特徴とする半導体装置を提供する。
災五阻上
以下に本発明の実施例を第１図及び第２図から説明する
。図において１はポリイミド樹脂等の長尺の絶縁フィル
ムで、この絶縁フィルム１は両側に沿って搬送用透孔１
ａｓｌａ・・・が等間隔で穿設され、中央部には透孔１
ｂが穿設されており、更に透孔１ｂの中央部に透孔１ｂ
から延びる支持片ＩＣよって支持された被覆部１ｄが吊
されている。この透孔１ｂは図示例では一つだけ示すが
絶縁フィルム１の長手方向に等間隔で穿設されている。
。図において１はポリイミド樹脂等の長尺の絶縁フィル
ムで、この絶縁フィルム１は両側に沿って搬送用透孔１
ａｓｌａ・・・が等間隔で穿設され、中央部には透孔１
ｂが穿設されており、更に透孔１ｂの中央部に透孔１ｂ
から延びる支持片ＩＣよって支持された被覆部１ｄが吊
されている。この透孔１ｂは図示例では一つだけ示すが
絶縁フィルム１の長手方向に等間隔で穿設されている。
３は絶縁フィルム１上に形成された導電パターンでその
一部は透孔１ｂ内に延在され、延在された一端は、透孔
１ｂの中央の被覆部１ｆに固着させている。半導体チッ
プ２の表面にはバンプ電極２ａが形成され、このバンプ
電極２ａと導電パターン３の透孔１ｂ内に延在させてい
る部分とが熱圧着等により接続されている。導電パター
ン３の表面には金等のメツキ４が施される。
一部は透孔１ｂ内に延在され、延在された一端は、透孔
１ｂの中央の被覆部１ｆに固着させている。半導体チッ
プ２の表面にはバンプ電極２ａが形成され、このバンプ
電極２ａと導電パターン３の透孔１ｂ内に延在させてい
る部分とが熱圧着等により接続されている。導電パター
ン３の表面には金等のメツキ４が施される。
実ＪＬ医２−
以下に本発明の他の実施例を第３図及び第４図から説明
する。絶縁フィルム１には両側に沿って搬送用透孔１ａ
１１ａ・・・が等間隔で穿設され、中央部に透孔１ｂが
絶縁フィルム１の長手方向に等間隔に穿設されている。
する。絶縁フィルム１には両側に沿って搬送用透孔１ａ
１１ａ・・・が等間隔で穿設され、中央部に透孔１ｂが
絶縁フィルム１の長手方向に等間隔に穿設されている。
導電パターン３は絶縁フィルム１上にその一端を透孔１
ｂ内に延在して形成されている。導電パターン３の表面
に絶縁フィルム５が貼り合わされている。絶縁フィルム
５は透孔１ｂの中央部に突出する突部５ａがあり、この
突部５ａが半導体チップ２の中央部を被覆する被覆部を
構成している。この被覆部（突部）５ａは絶縁フィルム
１の長手方向に透孔１ｂと全く同じ間隔で穿設されてい
る。透孔１ｂ内に延在させている導電パターン３の端部
は透孔１ｄ内の絶縁フィルム５の被覆部５ａに固着され
ている。
ｂ内に延在して形成されている。導電パターン３の表面
に絶縁フィルム５が貼り合わされている。絶縁フィルム
５は透孔１ｂの中央部に突出する突部５ａがあり、この
突部５ａが半導体チップ２の中央部を被覆する被覆部を
構成している。この被覆部（突部）５ａは絶縁フィルム
１の長手方向に透孔１ｂと全く同じ間隔で穿設されてい
る。透孔１ｂ内に延在させている導電パターン３の端部
は透孔１ｄ内の絶縁フィルム５の被覆部５ａに固着され
ている。
絶縁フィルム５の幅は導電パターン３の表面を覆うだけ
の幅でも、絶縁フィルム１と同じ幅でもよく、この場合
、絶縁フィルム５にも両側に沿って、搬送用透孔１ａが
等間隔で穿設される。絶縁フィルム５の導電パターン３
が透孔１ｂ内に延在・させている端部で結ばれる領域の
内側は、絶縁フィルム１がある方向に向かって厚さが厚
く形成されている。半導体チップ２の表面に形成されて
いるバンプ電極２ａと導電パターン３が透孔１ｂ内に延
在されている部分が熱圧着等により接続されている。導
電パターン３の絶縁フィルム１及び５に接触されていな
い部分は金等のメツキが施されている。
の幅でも、絶縁フィルム１と同じ幅でもよく、この場合
、絶縁フィルム５にも両側に沿って、搬送用透孔１ａが
等間隔で穿設される。絶縁フィルム５の導電パターン３
が透孔１ｂ内に延在・させている端部で結ばれる領域の
内側は、絶縁フィルム１がある方向に向かって厚さが厚
く形成されている。半導体チップ２の表面に形成されて
いるバンプ電極２ａと導電パターン３が透孔１ｂ内に延
在されている部分が熱圧着等により接続されている。導
電パターン３の絶縁フィルム１及び５に接触されていな
い部分は金等のメツキが施されている。
見肌互肱監
以上のように本発明によれば、絶縁フィルムにより半導
体チップ表面が覆われるため、外力により半導体チップ
表面に傷が発生したり、ゴミが付着することがなくなる
。また導電パターンの両端が絶縁フィルムに固着されて
いるため、導電パターンが外力により変形し半導体チッ
プのバンプ電極と接続不可能となることもなくなる。
体チップ表面が覆われるため、外力により半導体チップ
表面に傷が発生したり、ゴミが付着することがなくなる
。また導電パターンの両端が絶縁フィルムに固着されて
いるため、導電パターンが外力により変形し半導体チッ
プのバンプ電極と接続不可能となることもなくなる。
更に絶縁フィルムを導電パターンの上から貼り合わせる
ことにより、導電パターン自身にすれ傷がつき、ヒゲが
発生して電極間或いは導電パターン間をシジートさせる
ことがなくなり、また導電パターンにメツキを施す部分
が減少しコストダウンが図れる。
ことにより、導電パターン自身にすれ傷がつき、ヒゲが
発生して電極間或いは導電パターン間をシジートさせる
ことがなくなり、また導電パターンにメツキを施す部分
が減少しコストダウンが図れる。
第１図は、本発明の実施例を示す部分平面図、第２図は
、第１図Ｂ−Ｂ面図、第３図は本発明の他の実施例を示
す部分平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ面図、第５図は
ＴＡＢ方式の半導体装置の一例を示す部分平面図、第６
図は第５図Ｂ−Ｂ面図示す。 １・・・絶縁フィルム、 １ｂ・・・透孔、 ２・・・半導体チップ、 ２ａ・・・バンプ電極、 ３・・・導電パターン、 ４・・・メツキ、 １ｄ、５ａ・・・被覆部。 コ ］ｄ 第 図 簿
、第１図Ｂ−Ｂ面図、第３図は本発明の他の実施例を示
す部分平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ面図、第５図は
ＴＡＢ方式の半導体装置の一例を示す部分平面図、第６
図は第５図Ｂ−Ｂ面図示す。 １・・・絶縁フィルム、 １ｂ・・・透孔、 ２・・・半導体チップ、 ２ａ・・・バンプ電極、 ３・・・導電パターン、 ４・・・メツキ、 １ｄ、５ａ・・・被覆部。 コ ］ｄ 第 図 簿
Claims (1)
- 長尺の絶縁フィルムの長手方向に所定の間隔で透孔を穿
設し、絶縁フィルム上に貼着した導電パターンの一部を
前記透孔内に延在させ、透孔内に配置した半導体ペレッ
トと導電パターンとを電気的に接続した半導体装置にお
いて、上記透孔の中央部に絶縁フィルムに連結されかつ
半導体ペレットの中央部を被覆する被覆部を配置したこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32705388A JPH02172246A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32705388A JPH02172246A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172246A true JPH02172246A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18194779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32705388A Pending JPH02172246A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523068A (ja) * | 2008-06-13 | 2011-08-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電子要素のシステムサポート及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32705388A patent/JPH02172246A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011523068A (ja) * | 2008-06-13 | 2011-08-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電子要素のシステムサポート及びその製造方法 |
| US9331010B2 (en) | 2008-06-13 | 2016-05-03 | Epcos Ag | System support for electronic components and method for production thereof |
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