JPH02172209A - インダクタンス装置 - Google Patents
インダクタンス装置Info
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- JPH02172209A JPH02172209A JP32483788A JP32483788A JPH02172209A JP H02172209 A JPH02172209 A JP H02172209A JP 32483788 A JP32483788 A JP 32483788A JP 32483788 A JP32483788 A JP 32483788A JP H02172209 A JPH02172209 A JP H02172209A
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- magnetic core
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Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、スイッチング電源、高周波ノイズフィルター
、平滑チョークコイル等に用いられるインダクタンス装
置に関するものである。
、平滑チョークコイル等に用いられるインダクタンス装
置に関するものである。
［従来の技術］
従来、チョークコイル及びノイズフィルター等は、ＡＣ
電流にＤＣ電流が重畳された回路中で用いられる。この
ＤＣ重畳電流による磁心の磁気的飽和を防ぎ、その重畳
電流中で、優れた特性を出すためには、結晶、誘導、形
状磁気異方性を適当に選びその性質に基づいて磁心材が
選ばれる。例えば、磁心が重畳電流（外磁場）によって
、磁化しにくくなるよう外磁場とは異なる方向の誘導磁
気異方性をつけたり、磁心の磁気囲路に間隙を設けたり
、あるいは磁心材を粉砕し、ダストとして形状異方性を
適当に与えることにより、上記の０６重畳特性が満足さ
れる様に工夫されている。
電流にＤＣ電流が重畳された回路中で用いられる。この
ＤＣ重畳電流による磁心の磁気的飽和を防ぎ、その重畳
電流中で、優れた特性を出すためには、結晶、誘導、形
状磁気異方性を適当に選びその性質に基づいて磁心材が
選ばれる。例えば、磁心が重畳電流（外磁場）によって
、磁化しにくくなるよう外磁場とは異なる方向の誘導磁
気異方性をつけたり、磁心の磁気囲路に間隙を設けたり
、あるいは磁心材を粉砕し、ダストとして形状異方性を
適当に与えることにより、上記の０６重畳特性が満足さ
れる様に工夫されている。
第１１図は従来例に係るチョークコイル（ノイズフィル
ター）として、巻磁心、抜磁心、及び粉体磁心を夫々示
す断面図とこれらの平面図である。
ター）として、巻磁心、抜磁心、及び粉体磁心を夫々示
す断面図とこれらの平面図である。
いずれの場合においても、磁心に巻線を施すことにより
構成されている。
構成されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、磁心材の磁気特性を自由に制御することは、従
来の方法では難しい。特定の特性を利用するに過ぎない
。フェライトのチョークコイルは、磁束密度が低く、高
々３〜５ＫＧである。また、重畳電流を加えると保磁力
が小さいため、すぐ飽和してしまう。
来の方法では難しい。特定の特性を利用するに過ぎない
。フェライトのチョークコイルは、磁束密度が低く、高
々３〜５ＫＧである。また、重畳電流を加えると保磁力
が小さいため、すぐ飽和してしまう。
従って、大きなりＣ重畳電流によって、磁心を飽和させ
ないためには、磁心形状を大きくしなければならない。
ないためには、磁心形状を大きくしなければならない。
これは、製品の小型化を要求する客先の要求に反する。
又、珪素鋼、パーマロイ、巻磁心、及び抜磁心を持つチ
ョークコイルは、磁束密度がｌｏＫＧ以上もあり大きい
が、磁気損失による発熱もまた大きい。ノイズフィルタ
ーとして用いられるＦｅダスト、センダスト、パーマロ
イ粉末等の焼成体は、飽和磁束密度及び実効透磁率が小
さく極限られた特殊な製品にしか用いられない。
ョークコイルは、磁束密度がｌｏＫＧ以上もあり大きい
が、磁気損失による発熱もまた大きい。ノイズフィルタ
ーとして用いられるＦｅダスト、センダスト、パーマロ
イ粉末等の焼成体は、飽和磁束密度及び実効透磁率が小
さく極限られた特殊な製品にしか用いられない。
そこで、本発明の技術的課題は、上記欠点を除去するた
めになされたもので、チョークコイル、ノイズフィルタ
ー等のＤＣ重畳特性を自由に制御しうるインダクタンス
装置を提供することにある。
めになされたもので、チョークコイル、ノイズフィルタ
ー等のＤＣ重畳特性を自由に制御しうるインダクタンス
装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、軟質磁性合金よりなる中央開口を持つ
リング状磁心、この磁心に巻回された巻線からなるイン
ダクタ、及びこのインダクタの前記磁心の中央開口に挿
入されるマグネットを具備し、このマグネットにより前
記磁心の磁気特性を制御することを特徴とするインダク
タンス装置が得られる。
リング状磁心、この磁心に巻回された巻線からなるイン
ダクタ、及びこのインダクタの前記磁心の中央開口に挿
入されるマグネットを具備し、このマグネットにより前
記磁心の磁気特性を制御することを特徴とするインダク
タンス装置が得られる。
本発明のインダクタンス装置においては、前記マグネッ
トは前記磁心の磁化をこの磁心の中心軸に沿う方向に拘
束していることが好ましい。
トは前記磁心の磁化をこの磁心の中心軸に沿う方向に拘
束していることが好ましい。
本発明のインダクタンス装置においては、前記マグネッ
トは前記磁心の磁化をこの磁心の円筒面の半径方向に方
向に拘束していることが好ましい。
トは前記磁心の磁化をこの磁心の円筒面の半径方向に方
向に拘束していることが好ましい。
本発明によれば、軟質磁性合金の巻きコア、抜きコア、
又はダストコアよりなる磁心とこの磁心に巻回された巻
線とを有するインダクタ、及びこのインダクタの磁心の
周辺近傍部に設けられた電磁石を具備し、前記電磁石に
より前記磁心の磁気特性を制御することを特徴とするイ
ンダクタンス装置が得られる。
又はダストコアよりなる磁心とこの磁心に巻回された巻
線とを有するインダクタ、及びこのインダクタの磁心の
周辺近傍部に設けられた電磁石を具備し、前記電磁石に
より前記磁心の磁気特性を制御することを特徴とするイ
ンダクタンス装置が得られる。
［作 用］
本発明のインダクタンス装置においては、磁心の内部又
は外部に配されたマグネット又は電磁石の磁場によって
、磁心内の磁区を拘束して、磁化が飽和するのを抑制す
る。
は外部に配されたマグネット又は電磁石の磁場によって
、磁心内の磁区を拘束して、磁化が飽和するのを抑制す
る。
［実施例］
本発明の実施例について具体的に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係るインダクタンス装
置の構成を模式的に示す図で、第１図（ａ）は平面図、
第１図（ｂ）は第１図（ａ）のインダクタ装置を中心を
通る平面で切断したときの断面図である。これらの図に
おいて、インダクタンス装置１０は円筒形状を有する磁
心１１と、周面に施された巻線１２と、この巻線の施さ
れた磁心内に挿入された円筒形のマグネット１３とより
なる。巻線１２を施された磁心１１は、６．５％５ｉＦ
ｅ合金薄帯よりなる巻き磁心で、寸法は外形２０ｍｍ、
内径１５ｍｍで、高さ５ｍｍである。また、マグネット
１３は直径１５ｍｍ、高さ５ｍｍの円筒形状を有するフ
ェライトよりなるが、フェライト以外にアルニコや希土
類磁石を用いても良い。
置の構成を模式的に示す図で、第１図（ａ）は平面図、
第１図（ｂ）は第１図（ａ）のインダクタ装置を中心を
通る平面で切断したときの断面図である。これらの図に
おいて、インダクタンス装置１０は円筒形状を有する磁
心１１と、周面に施された巻線１２と、この巻線の施さ
れた磁心内に挿入された円筒形のマグネット１３とより
なる。巻線１２を施された磁心１１は、６．５％５ｉＦ
ｅ合金薄帯よりなる巻き磁心で、寸法は外形２０ｍｍ、
内径１５ｍｍで、高さ５ｍｍである。また、マグネット
１３は直径１５ｍｍ、高さ５ｍｍの円筒形状を有するフ
ェライトよりなるが、フェライト以外にアルニコや希土
類磁石を用いても良い。
第２図は本発明の第１の実施例に係るインダクタンス装
置の第１の着磁状態を示す説明図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。これらの図において、底面に対
して垂直に着磁した磁石を取り付けた場合には、磁区を
拘束する方向は矢印１４で、磁力線は矢印１５で夫々示
され、磁心内の磁区はこの磁心の底面に対して垂直な方
向に拘束される。
置の第１の着磁状態を示す説明図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。これらの図において、底面に対
して垂直に着磁した磁石を取り付けた場合には、磁区を
拘束する方向は矢印１４で、磁力線は矢印１５で夫々示
され、磁心内の磁区はこの磁心の底面に対して垂直な方
向に拘束される。
第３図は本発明の第１の実施例に係るインダクタンス装
置の第２の着磁状態の説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ
）は断面図である。この図において、磁心側面に対して
垂直に着磁した磁石を取り付けた場合には、磁心内の磁
区を拘束する方向は矢印１６で、磁力線は矢印１７で夫
々示され、磁区は磁心の側面に対して垂直な方向に拘束
される。
置の第２の着磁状態の説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ
）は断面図である。この図において、磁心側面に対して
垂直に着磁した磁石を取り付けた場合には、磁心内の磁
区を拘束する方向は矢印１６で、磁力線は矢印１７で夫
々示され、磁区は磁心の側面に対して垂直な方向に拘束
される。
第４図は本発明の第１の実施例に係るインダクタンス装
置の第１の着磁状態のＢ−Ｈループを示す図である。こ
の図において、ＨＭＡＧは磁石の磁場で０．１１５，３
９２，５００，７０９，８９５．１０９９，１３００，
１５００ ０ｅの場合を夫々示す。
置の第１の着磁状態のＢ−Ｈループを示す図である。こ
の図において、ＨＭＡＧは磁石の磁場で０．１１５，３
９２，５００，７０９，８９５．１０９９，１３００，
１５００ ０ｅの場合を夫々示す。
これらの磁石の磁場が大きくなると、Ｂ−Ｈループは若
干変化するが、顕著でない。
干変化するが、顕著でない。
第５図は本発明の第１の実施例に係るインダクタンス装
置の第２の着磁状態のＢ−Ｈループを示す図である。こ
の図において、第１の着磁状態と異なる第２の着磁状態
では、Ｈ＆ＩＡＧが０．１００゜３００．５００，７０
０，８９０，１０９０，１３００．１５００ ０ｅと大
きくなると、Ｂ−Ｈループは大きく変化し、ＨＭＡＧが
１０００ ０ｅ以上では、Ｂ−Ｈループは直線を描くよ
うになる。
置の第２の着磁状態のＢ−Ｈループを示す図である。こ
の図において、第１の着磁状態と異なる第２の着磁状態
では、Ｈ＆ＩＡＧが０．１００゜３００．５００，７０
０，８９０，１０９０，１３００．１５００ ０ｅと大
きくなると、Ｂ−Ｈループは大きく変化し、ＨＭＡＧが
１０００ ０ｅ以上では、Ｂ−Ｈループは直線を描くよ
うになる。
第６図は第１及び第２の着磁状態のインダクタンス装置
の実効透磁率μ９０の磁場依存性ＨＭＡＧを示す図で、
第１の着磁状態のものについては曲線１、第２の青磁状
態のものについては曲線２で夫々示される。第１の着磁
状態ものは、周波数ｆ＝１００ＫＨｚ、ＤＣ重畳磁場Ｈ
ｂ ＋ ｍ ｓ −５００ｅにおける実効透磁率μ、０
の、また第２の着磁状態ものは実効透磁率μ５０ｓの磁
石磁場ＨＭＡＧ依存性を示す。グラフより第１の着磁状
態の場合は、実効透磁率μ、０のＨＭＡＧ依存性はＨＭ
ＡＧ−１００００ｅ付近までは殆ど変化せず、それを越
えると実効透磁率μ５ｏは増加する。
の実効透磁率μ９０の磁場依存性ＨＭＡＧを示す図で、
第１の着磁状態のものについては曲線１、第２の青磁状
態のものについては曲線２で夫々示される。第１の着磁
状態ものは、周波数ｆ＝１００ＫＨｚ、ＤＣ重畳磁場Ｈ
ｂ ＋ ｍ ｓ −５００ｅにおける実効透磁率μ、０
の、また第２の着磁状態ものは実効透磁率μ５０ｓの磁
石磁場ＨＭＡＧ依存性を示す。グラフより第１の着磁状
態の場合は、実効透磁率μ、０のＨＭＡＧ依存性はＨＭ
ＡＧ−１００００ｅ付近までは殆ど変化せず、それを越
えると実効透磁率μ５ｏは増加する。
また、第２の着磁状態の場合は、実効透磁率μ、０のＨ
ＭＡＧ依存性は、ＨＭＡｏの増加とともにμ５゜は増加
し、ＨＭＡＧ−１１０００ｅ付近で最大値をもちμ５．
１４０となる。
ＭＡＧ依存性は、ＨＭＡｏの増加とともにμ５゜は増加
し、ＨＭＡＧ−１１０００ｅ付近で最大値をもちμ５．
１４０となる。
以上の結果より明らかなように、第１の実施例において
、μ５ｏはＨＭＡＧによって自由に選択することができ
る。
、μ５ｏはＨＭＡＧによって自由に選択することができ
る。
第７図は本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装
置ａ −ｆを示す図である。
置ａ −ｆを示す図である。
本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装置は、巻
線２３，３３，４３，５３，６３．７３を夫々施された
磁心２１．３１，４１．５１，６１．７１よりなるチョ
ークコイル（又はノイズフィルター）と、これらチョー
クコイル（又はノイズフィルター）の周辺に電磁石２２
．３２ （及び３２’）、４２．５２，６２．７２が夫
々配置されている。これによって、磁場を発生せしめ、
この磁心中の磁区を適当に拘束し、磁区の分布を制御す
るようにしたものである。これらの配置した電磁石２２
，３２． ・を適当に磁化させることによって、磁
化され、その磁極の一部が拘束される。これは、大きな
りＣ重畳電流による実効透磁率μｅの低下を防止する効
果がある。上記配設電磁石２２，３２． ・の磁化
の強さを適当に調節することによって、この磁心２１の
磁化曲線を自由に変えることができる。例えば、６．５
％５ｉＦｅ合金の巻磁心の場合、磁場１００ｅにおける
磁化Ｂは１２ＫＧの値をもつ。電磁石をこの巻磁心の側
面に配設し、この巻磁心の板圧方向に対して直角に約８
００ ０ｅの磁場を加えると、その磁化は１２ＫＧから
ＩＫＧまで低下する。磁気履歴曲線は寝てしまう。この
配設電磁石の電流を切り磁化を除去すると、その磁化は
１２ＫＧまで再び回復する。
線２３，３３，４３，５３，６３．７３を夫々施された
磁心２１．３１，４１．５１，６１．７１よりなるチョ
ークコイル（又はノイズフィルター）と、これらチョー
クコイル（又はノイズフィルター）の周辺に電磁石２２
．３２ （及び３２’）、４２．５２，６２．７２が夫
々配置されている。これによって、磁場を発生せしめ、
この磁心中の磁区を適当に拘束し、磁区の分布を制御す
るようにしたものである。これらの配置した電磁石２２
，３２． ・を適当に磁化させることによって、磁
化され、その磁極の一部が拘束される。これは、大きな
りＣ重畳電流による実効透磁率μｅの低下を防止する効
果がある。上記配設電磁石２２，３２． ・の磁化
の強さを適当に調節することによって、この磁心２１の
磁化曲線を自由に変えることができる。例えば、６．５
％５ｉＦｅ合金の巻磁心の場合、磁場１００ｅにおける
磁化Ｂは１２ＫＧの値をもつ。電磁石をこの巻磁心の側
面に配設し、この巻磁心の板圧方向に対して直角に約８
００ ０ｅの磁場を加えると、その磁化は１２ＫＧから
ＩＫＧまで低下する。磁気履歴曲線は寝てしまう。この
配設電磁石の電流を切り磁化を除去すると、その磁化は
１２ＫＧまで再び回復する。
本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装置を次の
ように製造した。
ように製造した。
液体急冷法によって、作製された６、５９６ＳｉＦｅ合
金薄帯を適当に幅切りし、環状に巻き、歪み取り熱処理
１巻線処理を施したものを巻磁心試料とした。その形状
は、外形１４．内径１０．板幅３ｍｍであった。更に、
この巻磁心試料の側面に上記磁石を配設した。
金薄帯を適当に幅切りし、環状に巻き、歪み取り熱処理
１巻線処理を施したものを巻磁心試料とした。その形状
は、外形１４．内径１０．板幅３ｍｍであった。更に、
この巻磁心試料の側面に上記磁石を配設した。
第７図は本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装
置（電磁石付きチョークコイル）の構成を示す図である
。また、比較の為に従来例に係るチョークコイル（ノイ
ズフィルター）を第１１図に示した。
置（電磁石付きチョークコイル）の構成を示す図である
。また、比較の為に従来例に係るチョークコイル（ノイ
ズフィルター）を第１１図に示した。
第８図は本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装
置ｄ（第７図（ｄ）を参照）即ち６，５％５ｉＦｅ合金
の巻磁心の側面に上記磁石を配設し、その磁化の強さを
Ｏ〜１５００ ０ｅまで変化させたときの±１００ｅに
おけるＤＣ磁気履歴曲線を示す図である。この図におい
て、電磁石５２の磁化の強さの増加とともに磁気履歴曲
線は、若干変化するが、その変化は余り顕著でない。
置ｄ（第７図（ｄ）を参照）即ち６，５％５ｉＦｅ合金
の巻磁心の側面に上記磁石を配設し、その磁化の強さを
Ｏ〜１５００ ０ｅまで変化させたときの±１００ｅに
おけるＤＣ磁気履歴曲線を示す図である。この図におい
て、電磁石５２の磁化の強さの増加とともに磁気履歴曲
線は、若干変化するが、その変化は余り顕著でない。
第９図は本発明の第２の実施例に係る巻磁心３１の上下
面に電磁石３２．３２＝を配没しく第７図（ｂ）を参照
）、その磁化の強さを側面配設の場合と同様に変化させ
たときの磁気履歴曲線を示す図である。第９図は第８図
の場合とは異なり、磁化の増加とともに磁気履歴曲線は
、急激に変化し、ＨＭＡｃ−１００００ｅ以上になると
、磁気履歴曲線はループを画かず直線となる。また、Ａ
Ｃ磁気履歴曲線の場合も類似の傾向をもつ。
面に電磁石３２．３２＝を配没しく第７図（ｂ）を参照
）、その磁化の強さを側面配設の場合と同様に変化させ
たときの磁気履歴曲線を示す図である。第９図は第８図
の場合とは異なり、磁化の増加とともに磁気履歴曲線は
、急激に変化し、ＨＭＡｃ−１００００ｅ以上になると
、磁気履歴曲線はループを画かず直線となる。また、Ａ
Ｃ磁気履歴曲線の場合も類似の傾向をもつ。
第１０図の上図の曲線３１には、側面から制御磁場電磁
石磁場Ｈ１，ｌＡＧを加えたときの周波数ｆ−１００Ｋ
Ｈｚ、重畳磁場Ｈ８，、−５００ｅにおける実効透磁率
μ５ｏの、また第１０図の下図の曲線３２．３３には上
下面からＨＭＡｏを加えたときのμ、。のＨＭＡＧ依存
性を示す図で、曲線３２は未処理状態、曲線３３は歪み
取りの熱処理１１００’ＣＸ１ｈｒ後の状態を夫々示す
。この図において、側面から制御磁場を加えたときのμ
、、ｏのＨ，、Ａ６依存性は、ＨＭＡＧ−１００００ｅ
近傍まで殆ど変化しない。それを越えるとμ、０の増加
が見られる。
石磁場Ｈ１，ｌＡＧを加えたときの周波数ｆ−１００Ｋ
Ｈｚ、重畳磁場Ｈ８，、−５００ｅにおける実効透磁率
μ５ｏの、また第１０図の下図の曲線３２．３３には上
下面からＨＭＡｏを加えたときのμ、。のＨＭＡＧ依存
性を示す図で、曲線３２は未処理状態、曲線３３は歪み
取りの熱処理１１００’ＣＸ１ｈｒ後の状態を夫々示す
。この図において、側面から制御磁場を加えたときのμ
、、ｏのＨ，、Ａ６依存性は、ＨＭＡＧ−１００００ｅ
近傍まで殆ど変化しない。それを越えるとμ、０の増加
が見られる。
上下面からＨＭＡ６を加えると曲線３２の未処理状態の
μ、ｏ（Ｏ）はＨＭＡＧの増加とともに増加し、ＨＭＡ
Ｇ−１００００ｅ近傍に最大値をもちμ５゜２００に達
する。
μ、ｏ（Ｏ）はＨＭＡＧの増加とともに増加し、ＨＭＡ
Ｇ−１００００ｅ近傍に最大値をもちμ５゜２００に達
する。
一方、曲線３３の熱処理後の状態（・）においても類似
の傾向をもつがその最大値はμｓｏ＝ １２０と小さく
ＨＭ、ｌ ９００ ０ｅである。尚、磁気履歴曲線が
測定されていないインダクタンス装置ａ、ｃ、ｆ、ｅの
１ｉｓｏも同様にＨＭＡＧにより制御できる。
の傾向をもつがその最大値はμｓｏ＝ １２０と小さく
ＨＭ、ｌ ９００ ０ｅである。尚、磁気履歴曲線が
測定されていないインダクタンス装置ａ、ｃ、ｆ、ｅの
１ｉｓｏも同様にＨＭＡＧにより制御できる。
以上の結果から明らかな様に、第２の実施例に係るイン
ダクタンス装置のμ５ｏはＨＭＡＧによって、自由に選
ぶことができる。
ダクタンス装置のμ５ｏはＨＭＡＧによって、自由に選
ぶことができる。
尚、本発明は大きな電流が重畳されるような所に用いら
れるノイズフィルターやチョークコイルに用いることが
出来る。更に、特に小型のノイズフィルターやチョーク
コイルに高性能が要求される場合に有効である。
れるノイズフィルターやチョークコイルに用いることが
出来る。更に、特に小型のノイズフィルターやチョーク
コイルに高性能が要求される場合に有効である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のインダクタンス装置によ
れば、いづれの軟磁性材料を用いてもチョークコイル及
びノイズフィルターとしてＤＣｆｆ１畳特性を自由に制
御することが可能になった。
れば、いづれの軟磁性材料を用いてもチョークコイル及
びノイズフィルターとしてＤＣｆｆ１畳特性を自由に制
御することが可能になった。
また、一般に軟磁性材料の保磁力は小さく、磁気履歴曲
線の角型比は大きく不都合であったが、本発明によって
、いづれの軟磁性材料からなる磁心であっても、配設磁
石の磁化の強弱によって、いか様にも、その角型比を制
御することが可能になった。
線の角型比は大きく不都合であったが、本発明によって
、いづれの軟磁性材料からなる磁心であっても、配設磁
石の磁化の強弱によって、いか様にも、その角型比を制
御することが可能になった。
第１図は本発明の第１の実施例に係るインダクタンス装
置の構成を示す図、第２図は本発明の第１の実施例に係
るインダクタンス装置の第１の着磁状態を示す説明図で
、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、第３図は本発明の
第１の実施例に係るインダクタンス装置の第１の青磁状
態の説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、第４
図は本発明の第１の実施例に係るインダクタンス装置の
第１の着磁状態のＢ−Ｈループを示す図、第５図は本発
明の第１の実施例に係るインダクタンス装置の第２の着
磁状態のＢ−Ｈループを示す図、第６図は第１及び第２
の着磁状態のインダクタンス装置の実効透磁率μ５ｏの
磁場依存性ＨＭＡＧを示す図、第７図は本発明のインダ
クタンス装置（電磁石付チョークコイル）を示す図、第
８図は本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装置
ｄの場合の種々の磁場における磁気履歴曲線を示す図、
第９図は本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装
置すの場合の種々の磁場における磁気履歴曲線を夫々示
す図、第１０図の上図には、本発明の第２の実施例に係
るインダクタンス装置ｄの場合の１００ＫＨｚ重畳磁場
５００ｅにおける実効透磁率μ５０ｓ第１０図の下図に
は、本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装置す
の場合のμ、０を夫々示す図である。第１１図は従来例
に係るチョークコイル（又はノイズフィルター）として
、（ａ）巻磁心、抜磁心、及び粉体磁心を夫々示す断面
図と（ｂ）これらの平面図である。 図中１０はインダクタンス装置、１１は磁心、１２はマ
グネット、１３は巻線、１４及び１６は磁区の拘束方向
を示す矢印、１５及び１７は磁力線の方向を示す矢印、
２０はインダクタンス装置ａ、２１は磁心、２２は電磁
石（磁場制御）、２３は巻線、３０はインダクタンス装
置す、３１は磁心、３２は電磁石（磁場側ｇｆＪ）、３
３は巻線、４０はインダクタンス装置Ｃ１４１は磁心、
４２は電磁石（磁場制御）、４３は巻線、５０はインダ
クタンス装置ｄ、５１は磁心、５２は電磁石（磁場制御
）、５３は巻線、６０はインダクタンス装置ｅ、６１は
磁心、６２は電磁石（磁場制御）６３は巻線、７０はイ
ンダクタンス装置ｆ、 ７１は磁心、７２は電磁石（
磁場制御）、７３は巻第４図 第１図 第２図 ８３図 第５図 第６図 ８Ｍα９ （Ｏｓ） 第８図 第７図 （ｃ） （ｄ） 第９ 図 Ｒ，Ｏ。 第１ｏ図 ＨＭａｑ （Ｏｅ） 第１１図 （Ｑ） （ｂ）
置の構成を示す図、第２図は本発明の第１の実施例に係
るインダクタンス装置の第１の着磁状態を示す説明図で
、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、第３図は本発明の
第１の実施例に係るインダクタンス装置の第１の青磁状
態の説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、第４
図は本発明の第１の実施例に係るインダクタンス装置の
第１の着磁状態のＢ−Ｈループを示す図、第５図は本発
明の第１の実施例に係るインダクタンス装置の第２の着
磁状態のＢ−Ｈループを示す図、第６図は第１及び第２
の着磁状態のインダクタンス装置の実効透磁率μ５ｏの
磁場依存性ＨＭＡＧを示す図、第７図は本発明のインダ
クタンス装置（電磁石付チョークコイル）を示す図、第
８図は本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装置
ｄの場合の種々の磁場における磁気履歴曲線を示す図、
第９図は本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装
置すの場合の種々の磁場における磁気履歴曲線を夫々示
す図、第１０図の上図には、本発明の第２の実施例に係
るインダクタンス装置ｄの場合の１００ＫＨｚ重畳磁場
５００ｅにおける実効透磁率μ５０ｓ第１０図の下図に
は、本発明の第２の実施例に係るインダクタンス装置す
の場合のμ、０を夫々示す図である。第１１図は従来例
に係るチョークコイル（又はノイズフィルター）として
、（ａ）巻磁心、抜磁心、及び粉体磁心を夫々示す断面
図と（ｂ）これらの平面図である。 図中１０はインダクタンス装置、１１は磁心、１２はマ
グネット、１３は巻線、１４及び１６は磁区の拘束方向
を示す矢印、１５及び１７は磁力線の方向を示す矢印、
２０はインダクタンス装置ａ、２１は磁心、２２は電磁
石（磁場制御）、２３は巻線、３０はインダクタンス装
置す、３１は磁心、３２は電磁石（磁場側ｇｆＪ）、３
３は巻線、４０はインダクタンス装置Ｃ１４１は磁心、
４２は電磁石（磁場制御）、４３は巻線、５０はインダ
クタンス装置ｄ、５１は磁心、５２は電磁石（磁場制御
）、５３は巻線、６０はインダクタンス装置ｅ、６１は
磁心、６２は電磁石（磁場制御）６３は巻線、７０はイ
ンダクタンス装置ｆ、 ７１は磁心、７２は電磁石（
磁場制御）、７３は巻第４図 第１図 第２図 ８３図 第５図 第６図 ８Ｍα９ （Ｏｓ） 第８図 第７図 （ｃ） （ｄ） 第９ 図 Ｒ，Ｏ。 第１ｏ図 ＨＭａｑ （Ｏｅ） 第１１図 （Ｑ） （ｂ）
Claims (2)
- １．軟質磁性合金よりなる中央開口を持つリング状磁心
、該磁心に巻回された巻線からなるインダクタ、及び該
インダクタの前記磁心の中央開口に挿入されるマグネッ
トを具備し、該マグネットにより前記磁心の磁気特性を
制御することを特徴とするインダクタンス装置。 - ２．軟質磁性合金の巻きコア、抜きコア、又はダストコ
アよりなる磁心と該磁心に巻回された巻線とを有するイ
ンダクタ、及び該インダクタの磁心の周辺近傍部に設け
られた電磁石を具備し、前記電磁石により前記磁心の磁
気特性を制御することを特徴とするインダクタンス装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32483788A JPH02172209A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | インダクタンス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32483788A JPH02172209A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | インダクタンス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172209A true JPH02172209A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18170236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32483788A Pending JPH02172209A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | インダクタンス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172209A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6160465A (en) * | 1997-11-07 | 2000-12-12 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | High-frequency choke coil |
| JP2009141367A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Harris Corp | 永久磁石を含む誘導装置及び関連方法 |
| JP2014022750A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Boeing Co | リニア電磁装置 |
| JP2016152361A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | 富士通株式会社 | コイルおよび磁気コア |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4972651A (ja) * | 1972-10-11 | 1974-07-13 | ||
| JPS518445A (ja) * | 1974-07-09 | 1976-01-23 | Boruton Kogyo Kk | |
| JPS5426468A (en) * | 1977-07-30 | 1979-02-28 | Kousuke Harada | Direct current magnetization system of wound magnetic core by radial magnetic field |
| JPS6353908A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Toshiba Corp | 静止形誘導機器 |
-
1988
- 1988-12-24 JP JP32483788A patent/JPH02172209A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4972651A (ja) * | 1972-10-11 | 1974-07-13 | ||
| JPS518445A (ja) * | 1974-07-09 | 1976-01-23 | Boruton Kogyo Kk | |
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| JPS6353908A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-08 | Toshiba Corp | 静止形誘導機器 |
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|---|---|---|---|---|
| US6160465A (en) * | 1997-11-07 | 2000-12-12 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | High-frequency choke coil |
| JP2009141367A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Harris Corp | 永久磁石を含む誘導装置及び関連方法 |
| JP2014022750A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Boeing Co | リニア電磁装置 |
| JP2016152361A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | 富士通株式会社 | コイルおよび磁気コア |
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