JPH02172016A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH02172016A JPH02172016A JP32513688A JP32513688A JPH02172016A JP H02172016 A JPH02172016 A JP H02172016A JP 32513688 A JP32513688 A JP 32513688A JP 32513688 A JP32513688 A JP 32513688A JP H02172016 A JPH02172016 A JP H02172016A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は磁気記録媒体に関する。史に詳細には、本発明
は耐食性が向ト、された磁気記録媒体に関する。
は耐食性が向ト、された磁気記録媒体に関する。
[従来の技術]
従来から一般に庁及している磁気記録媒体は、針状の磁
性粉と高分子結合剤とをJE体とする磁P1塗料を非磁
性基体]−に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記
録媒体である。
性粉と高分子結合剤とをJE体とする磁P1塗料を非磁
性基体]−に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記
録媒体である。
現在、磁気記録+1F生装置はますます高密度化の傾向
にあり、短波長記録特性に倫れた磁気記録媒体が要望さ
れている。
にあり、短波長記録特性に倫れた磁気記録媒体が要望さ
れている。
しかし、塗布型磁気記録媒体における短波長記録特性の
改とには限界がある。これに対して、Co+ CoNi
、CoN1P、CoCrなどのCoを主成分とする強磁
性体を1°L’s蒸着、スパツタリング、またはイオン
ブレーティング等のいわゆる物理蒸着法によって非磁性
J1ξ体[・、に形成する仝属薄模型の磁気記録媒体は
、その磁性層中に11磁性の結合剤が4シ入されていな
いので著しく高い残留磁束密度をjすることができ、か
つ、磁性層を極めて薄く形成することができるために、
高出力で短波長応答性に優れているという利点を有する
。
改とには限界がある。これに対して、Co+ CoNi
、CoN1P、CoCrなどのCoを主成分とする強磁
性体を1°L’s蒸着、スパツタリング、またはイオン
ブレーティング等のいわゆる物理蒸着法によって非磁性
J1ξ体[・、に形成する仝属薄模型の磁気記録媒体は
、その磁性層中に11磁性の結合剤が4シ入されていな
いので著しく高い残留磁束密度をjすることができ、か
つ、磁性層を極めて薄く形成することができるために、
高出力で短波長応答性に優れているという利点を有する
。
この特徴により、最近は薄膜型磁気記録媒体が磁気媒体
の1:、流となりつつある。
の1:、流となりつつある。
[発明が解決しようとする課i1
薄膜型磁気記録媒体は磁気記録密度が大きく、優れた短
波長記録特性を有する反面、Coが比較的腐食され易<
、シかも、磁性層が露出しているために耐食性が悪く、
磁気的に劣化しやすい欠点を灯しており、これが実用に
大きな問題点となっている。
波長記録特性を有する反面、Coが比較的腐食され易<
、シかも、磁性層が露出しているために耐食性が悪く、
磁気的に劣化しやすい欠点を灯しており、これが実用に
大きな問題点となっている。
この問題点を解決するために例えば、特開昭61−07
83 s o s;−公報に開示されているように、強
磁性金属磁性膜表面にアモルファスのCo化合物層を形
成し、かつ、表面から100人内における平均酸素含有
濃度を20〜50at%の範囲内にすることが提案され
ている。
83 s o s;−公報に開示されているように、強
磁性金属磁性膜表面にアモルファスのCo化合物層を形
成し、かつ、表面から100人内における平均酸素含有
濃度を20〜50at%の範囲内にすることが提案され
ている。
しかし、この様な磁性膜は、耐食性が末だ1−分でな(
、また耐摩耗性も不十分である。このため、長時間高温
多lkA雰囲気にU露すると酸化されて、飽和磁化17
1が低ドしたり、また、膜表面が剥離しやすいという欠
点がある。
、また耐摩耗性も不十分である。このため、長時間高温
多lkA雰囲気にU露すると酸化されて、飽和磁化17
1が低ドしたり、また、膜表面が剥離しやすいという欠
点がある。
この発明は、1−記従来技術が持っていた、腐食および
膜表面の剥離という欠点を解決し、以って、耐食性およ
び耐久性に優れた磁気記録媒体を提供することを[1的
とする。
膜表面の剥離という欠点を解決し、以って、耐食性およ
び耐久性に優れた磁気記録媒体を提供することを[1的
とする。
[課題を解決するためのL段コ
前記[1的は、非磁性基体にに強磁性金属薄膜層を有す
る磁気記録媒体において、該強磁性金属薄膜層の少な(
とも表面側部分に、少なくともCOの三価以上の高次の
酸化物と、Niの三価以[・、の高次の酸化物とが混在
する酸化物層を設けることにより達成される。
る磁気記録媒体において、該強磁性金属薄膜層の少な(
とも表面側部分に、少なくともCOの三価以上の高次の
酸化物と、Niの三価以[・、の高次の酸化物とが混在
する酸化物層を設けることにより達成される。
強磁性金属薄膜層の表面から100人以内の・k均酸素
原r濃度が、50aL% <o、” (Co +Ni)
≦70at%の範囲内であるこきが好ましい。
原r濃度が、50aL% <o、” (Co +Ni)
≦70at%の範囲内であるこきが好ましい。
減圧下のFU空槽内で非磁性基体上に強磁性金属薄膜層
を形成した後、乾燥ガスを導入することにより真空槽内
の圧力を大気圧にまでIにし、その後、得られた原反を
密閉容器内で酸化性雰囲気に曝露させることにより本発
明の磁気記録媒体を製造することができる。
を形成した後、乾燥ガスを導入することにより真空槽内
の圧力を大気圧にまでIにし、その後、得られた原反を
密閉容器内で酸化性雰囲気に曝露させることにより本発
明の磁気記録媒体を製造することができる。
[作用]
表面の酸化物層を1:、に結晶性のCoおよびNiの三
価以1−の高次の酸化物層とすることで、酸化物層自体
の脆性強度が向1−〕するとともに、酸化物層よりド部
にわずかに含まれる酸化物、例えばCoOやNiOとの
整合性が高まり、耐久性が向1−5すると思われる。
価以1−の高次の酸化物層とすることで、酸化物層自体
の脆性強度が向1−〕するとともに、酸化物層よりド部
にわずかに含まれる酸化物、例えばCoOやNiOとの
整合性が高まり、耐久性が向1−5すると思われる。
また、耐食性は、耐合金属であるNiを積極的に表面に
存肴させること、および、表面の酸化をトー分に杆い、
酸、a濃度を高めることによって、後の自然酸化、すな
わち腐食を低減し、耐食性を向にさせている。
存肴させること、および、表面の酸化をトー分に杆い、
酸、a濃度を高めることによって、後の自然酸化、すな
わち腐食を低減し、耐食性を向にさせている。
従来は蒸着13:を反を真空槽から取り出す際、水分を
含んだ人気中で行っていた。このため、人気中の820
により酸化物層の酸素濃度(0/Co+旧)は50%以
ドにしかならず、耐食性や耐久性を改正することができ
なかった。本発明によれば、蒸着原反は乾燥雰囲気下で
真空槽から取り出され、水分を接触することなく酸化処
理が行われるので酸化物層の酸素濃度を50at%超7
0atX以ドにすることができ、これにより磁性膜の耐
食性および耐久性が飛躍的に向!−される。
含んだ人気中で行っていた。このため、人気中の820
により酸化物層の酸素濃度(0/Co+旧)は50%以
ドにしかならず、耐食性や耐久性を改正することができ
なかった。本発明によれば、蒸着原反は乾燥雰囲気下で
真空槽から取り出され、水分を接触することなく酸化処
理が行われるので酸化物層の酸素濃度を50at%超7
0atX以ドにすることができ、これにより磁性膜の耐
食性および耐久性が飛躍的に向!−される。
本発明の磁気記録媒体における磁気記録層はCoとNi
および必要に応じて他の元素を真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等の手段により基体−にに被
着させることにより形成される。
および必要に応じて他の元素を真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等の手段により基体−にに被
着させることにより形成される。
磁気記録媒体としては、ポリエステル、ポリイミド、ポ
リエチレン等の合成樹脂フィルムを基体とする磁気テー
プ、合成樹脂、アルミ、ガラス等からなる円盤やドラム
を基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、少なくと
も起動、停止時に磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形
態を包含する。
リエチレン等の合成樹脂フィルムを基体とする磁気テー
プ、合成樹脂、アルミ、ガラス等からなる円盤やドラム
を基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、少なくと
も起動、停止時に磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形
態を包含する。
[実施例コ
以“ド、実施例により本発明を史に詳細に説明する。
丈l]1[
排気された11空槽内において、連続斜め蒸it法を用
い、厚さ10μm、中10インチ、長さ1000mのポ
リエチレンテレフタレートの)人体りに、Co−N i
(80: 20)の蒸気流に酸素ガスを1xlO”−
4Torrまで低・入射角部に向けて吹き込みながら、
Co−Ni−0からなる厚さ1700人の強磁性金属薄
膜を形成し、張力Bog/cmで巻き取った。その後、
真空槽内に乾燥N2ガスを吹き込んで大気圧まで戻し、
巻き取り蒸着原反を取り出した。その後、すぐに巻き取
り蒸着原反を密閉容器に入れ、酸素ガスで置換した後、
1゜8気圧で2週間封入し、表面酸化処理を行った。
い、厚さ10μm、中10インチ、長さ1000mのポ
リエチレンテレフタレートの)人体りに、Co−N i
(80: 20)の蒸気流に酸素ガスを1xlO”−
4Torrまで低・入射角部に向けて吹き込みながら、
Co−Ni−0からなる厚さ1700人の強磁性金属薄
膜を形成し、張力Bog/cmで巻き取った。その後、
真空槽内に乾燥N2ガスを吹き込んで大気圧まで戻し、
巻き取り蒸着原反を取り出した。その後、すぐに巻き取
り蒸着原反を密閉容器に入れ、酸素ガスで置換した後、
1゜8気圧で2週間封入し、表面酸化処理を行った。
この後、巻き取り蒸着原反を取り出し、磁気記録媒体A
を得た。
を得た。
丈胤肚Z
実施例1において、蒸着原反を11空槽から取り出す際
に、乾燥窒素ガスの代わりに乾燥酸素ガスを使用したこ
と以外は同様にして磁気記録媒体Bを作製した。
に、乾燥窒素ガスの代わりに乾燥酸素ガスを使用したこ
と以外は同様にして磁気記録媒体Bを作製した。
止救上1一
実施例1において、蒸着原反を11空槽から取り出す際
に、水分を含んだ空気をそのまま真空槽に導入して大気
圧に戻したこと以外は同様にして磁気記録媒体Cを作製
した。
に、水分を含んだ空気をそのまま真空槽に導入して大気
圧に戻したこと以外は同様にして磁気記録媒体Cを作製
した。
区佼肚1
実施例1において、X着原反の密閉容器内における酸化
処理を省いたこと以外は同様にして磁気記録媒体りを作
製した。
処理を省いたこと以外は同様にして磁気記録媒体りを作
製した。
得られた各磁気記録媒体をESCA(XAla照射ニヨ
ル光電γ法)(VG社製のEscA LAB−nを使
用)で表面分析することによって各元素の化学結合状態
を調べると共に、電子線回折([1−y製のH−800
型を使用)を行い、結品構造を調べた。また、AES
(オージェ電r分光法)(アルパックファイSAM66
0型を使用)で深さ方向の元素分析を打った。
ル光電γ法)(VG社製のEscA LAB−nを使
用)で表面分析することによって各元素の化学結合状態
を調べると共に、電子線回折([1−y製のH−800
型を使用)を行い、結品構造を調べた。また、AES
(オージェ電r分光法)(アルパックファイSAM66
0型を使用)で深さ方向の元素分析を打った。
この結果、媒体Aと媒体BのCOおよびNiは、CO2
03% Ni304がL成分であり、わずかにCo30
4 、Co Os N i Oが含まれていることが判
った。また、媒体Aと媒体Bでは、CO2O3、Ni3
04の61は、媒体Bの方がわずかに多いことが判った
。一方、媒体Cは、CO2O3の含水酸化物がL成分と
なっており、さらに非晶質であることがわかった。また
、媒体りはCo O5NiOが1:、成分であった。
03% Ni304がL成分であり、わずかにCo30
4 、Co Os N i Oが含まれていることが判
った。また、媒体Aと媒体Bでは、CO2O3、Ni3
04の61は、媒体Bの方がわずかに多いことが判った
。一方、媒体Cは、CO2O3の含水酸化物がL成分と
なっており、さらに非晶質であることがわかった。また
、媒体りはCo O5NiOが1:、成分であった。
また、表面から100人内の114均酸素濃度(O/C
o+Ni)は、媒体Aが54atχ、媒体Bが(32a
t%、媒体Cは43at%、媒体りは32at%であり
、N i / Coの比率は、媒体Aが0.23、媒体
Bが0.24、媒体Cが0.20、そして媒体1)が0
.23であった。なお、この時の深さは、基体、すなわ
ちポリエチレンテレフタレートまでArエツチングする
のに要した時間と実際の膜圧とから換算して求めた。媒
体Aおよび媒体Bでは表面から100人以内の平均酸素
濃度が品(、かつNiの割合が高いことがわかる。
o+Ni)は、媒体Aが54atχ、媒体Bが(32a
t%、媒体Cは43at%、媒体りは32at%であり
、N i / Coの比率は、媒体Aが0.23、媒体
Bが0.24、媒体Cが0.20、そして媒体1)が0
.23であった。なお、この時の深さは、基体、すなわ
ちポリエチレンテレフタレートまでArエツチングする
のに要した時間と実際の膜圧とから換算して求めた。媒
体Aおよび媒体Bでは表面から100人以内の平均酸素
濃度が品(、かつNiの割合が高いことがわかる。
前記の各磁気記録媒体を60℃、90%RHの雰囲気内
に1週間静置し、飽和磁化Mの減少率を求めることによ
り耐食性を評価した。また、耐久性の5・r価は、試作
した銅球摺動式試験機で5gの荷重を加えて、強磁性金
属表面を摺り、磁性膜が剥離するまでの回数で評価した
。その結果を下記の表1に要約して示す。
に1週間静置し、飽和磁化Mの減少率を求めることによ
り耐食性を評価した。また、耐久性の5・r価は、試作
した銅球摺動式試験機で5gの荷重を加えて、強磁性金
属表面を摺り、磁性膜が剥離するまでの回数で評価した
。その結果を下記の表1に要約して示す。
前記の結果から明らかなように、本発明の磁気記録媒体
は耐食性および耐久性に優れている。
は耐食性および耐久性に優れている。
なお、本発明では、強磁性金属材料にCo−Ni合金を
用いたが、この他、CoCo−N1−Cr1Co−Ni
−など、Co−Ni合金に他元素を含有させたものを用
いることもできる。
用いたが、この他、CoCo−N1−Cr1Co−Ni
−など、Co−Ni合金に他元素を含有させたものを用
いることもできる。
また、蒸着後は、乾燥ガスで大気圧まで戻すことが望ま
しく、特に、酸化性ガスが望ましい。また後の、酸化処
理は、1.8気圧で行ったが、低圧であれば処理に長時
間を要し、高圧になるほど短時間すむ。たたし、あまり
高11になると巻き取り品などの場合は、強磁性金属磁
性膜の割れのb;ミ囚となる。
しく、特に、酸化性ガスが望ましい。また後の、酸化処
理は、1.8気圧で行ったが、低圧であれば処理に長時
間を要し、高圧になるほど短時間すむ。たたし、あまり
高11になると巻き取り品などの場合は、強磁性金属磁
性膜の割れのb;ミ囚となる。
特4出願人
■qマクセル株式会社
代理人 弁理上 梶 山 拮 是
弁理1− 山 本 富−ト男
Claims (4)
- (1)非磁性基体上に強磁性金属薄膜層を有する磁気記
録媒体において、該強磁性金属薄膜層の少なくとも表面
側部分に、少なくともCoの三価以上の高次の酸化物と
、Niの三価以上の高次の酸化物とが混在する酸化物層
を有することを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)強磁性金属薄膜層の表面から100Å以内の平均
酸素原子濃度が、50at%<O/(Co+Ni)≦7
0at%の範囲内であることを特徴とする請求項1記載
の磁気記録媒体。 - (3)減圧下の真空槽内で非磁性基体上に強磁性金属薄
膜層を形成した後、乾燥ガスを導入することにより真空
槽内の圧力を大気圧にまで戻し、その後、得られた原反
を密閉容器内で酸化性雰囲気に曝露させることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。 - (4)乾燥ガスは乾燥窒素ガスまたは乾燥酸素ガスであ
ることを特徴とする請求項3記載の磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32513688A JPH02172016A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32513688A JPH02172016A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02172016A true JPH02172016A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18173466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32513688A Pending JPH02172016A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02172016A (ja) |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32513688A patent/JPH02172016A/ja active Pending
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