JPH02170809A - ネガ型レジスト - Google Patents
ネガ型レジストInfo
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- JPH02170809A JPH02170809A JP32498488A JP32498488A JPH02170809A JP H02170809 A JPH02170809 A JP H02170809A JP 32498488 A JP32498488 A JP 32498488A JP 32498488 A JP32498488 A JP 32498488A JP H02170809 A JPH02170809 A JP H02170809A
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- polymer
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- methylstyrene
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- Pending
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Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は感度の優れたネガ型レジストに関する。
(従来の技術)
半導体装置等のパターニングに用いられるレジスト材料
は種々のものが提案され、すでに実用化されているのも
多い。
は種々のものが提案され、すでに実用化されているのも
多い。
この内、ネガ型の感放射線レジストとして広く用いられ
ているものとして、ポリクロルメチルスチレンが挙げら
れる。このものは比較的感度の優れた材料であるが、ク
ロルメチル化率(全芳香族単位中に占めるクロルメチル
化芳香環の割合)が約50%以上では感度は飽和し、こ
れ以上クロルメチル基を導入しても感度は向上しない。
ているものとして、ポリクロルメチルスチレンが挙げら
れる。このものは比較的感度の優れた材料であるが、ク
ロルメチル化率(全芳香族単位中に占めるクロルメチル
化芳香環の割合)が約50%以上では感度は飽和し、こ
れ以上クロルメチル基を導入しても感度は向上しない。
又、船釣にポリマー間の架橋を利用した材料について共
通的に言えることであるが、分子量を上げることにより
感度を上げることはできるが、この方法によると解像度
は低下する傾向がある。
通的に言えることであるが、分子量を上げることにより
感度を上げることはできるが、この方法によると解像度
は低下する傾向がある。
(本発明が解決しようとする課題)
本発明の目的は、かかる問題を解決し、解像性を低下さ
せずに感度の向上したネガ型レジストを提供することに
ある。
せずに感度の向上したネガ型レジストを提供することに
ある。
(課題を解決するための手段)
本発明の上記目的は、下記一般式(1)で示される構造
単位を有する重合体からなることを特徴とするネガ型レ
ジストにより達成される。
単位を有する重合体からなることを特徴とするネガ型レ
ジストにより達成される。
一箕c■、−07−
C00−(CH,ドア5i(OSi(C)Iz)z)
:1本発明における重合体を得るには数種の合成形態
が採用でき、例えばα−メチル置換又は非置換の七ノー
又はポリクロロメチル化スチレンと、α−メチルスチレ
ン又はスチレンと、トリス(トリメチルシロキシ)シリ
ル基含有のメタクリレート又はアクリレートとの3元共
重合による方法、あるいはα−メチルスチレン又はスチ
レンとトリス(トリメチルシロキシ)シリル基含有のメ
タクリレート又はアクリレートとの共重合体をクロロメ
チル化する方法などが挙げられる。尚、クロロメチル化
は、通常の方法が用いられ、例えば、クロルメチルメチ
ルエーテルを塩化亜鉛、塩化スズ、塩化鉄等の触媒の存
在下に反応される方法などがある。
:1本発明における重合体を得るには数種の合成形態
が採用でき、例えばα−メチル置換又は非置換の七ノー
又はポリクロロメチル化スチレンと、α−メチルスチレ
ン又はスチレンと、トリス(トリメチルシロキシ)シリ
ル基含有のメタクリレート又はアクリレートとの3元共
重合による方法、あるいはα−メチルスチレン又はスチ
レンとトリス(トリメチルシロキシ)シリル基含有のメ
タクリレート又はアクリレートとの共重合体をクロロメ
チル化する方法などが挙げられる。尚、クロロメチル化
は、通常の方法が用いられ、例えば、クロルメチルメチ
ルエーテルを塩化亜鉛、塩化スズ、塩化鉄等の触媒の存
在下に反応される方法などがある。
尚、前記一般式+1)で示される各構造単位の割合であ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
(実施例)
以下、実施例により本発明をさらに説明する。
実施例1
クロルメチルスチレン100g、スチレン45g、トリ
ス(トリメチルシロキシ)シリルプロピルメタクリレー
ト180g、及びアゾビスイソブチロニトリル17gを
ジオキサン1000 gに溶解した後、乾燥N2を系内
に通気しながら、50℃で35時間攪拌して重合を行っ
た。
ス(トリメチルシロキシ)シリルプロピルメタクリレー
ト180g、及びアゾビスイソブチロニトリル17gを
ジオキサン1000 gに溶解した後、乾燥N2を系内
に通気しながら、50℃で35時間攪拌して重合を行っ
た。
反応終了後、メタノールを用いて再沈精製し、目的のポ
リマーを得た。このポリマーの分子量は約3万であった
。
リマーを得た。このポリマーの分子量は約3万であった
。
又、’H−NMRを用いて測定した結果、以下の組成で
あった。
あった。
CH3
一−イC1l□−C辷−−
COOCJb−St (OSi (C113) 3)
3=43:22:35モル比 得られたポリマーを1.4−ジオキサンに溶解しStウ
ェハー上に0.5μになる様に塗布し、80℃で30分
間乾燥した。
3=43:22:35モル比 得られたポリマーを1.4−ジオキサンに溶解しStウ
ェハー上に0.5μになる様に塗布し、80℃で30分
間乾燥した。
次に、このレジスト上に電子線を照射した(加れたゆ感
度は約4μC/c111であった。
度は約4μC/c111であった。
又、平行平板型のドライエツチング装置を用いて、耐酸
素プラズマ性を測定したところ、市販のポジ型ノボラッ
ク系レジストに比べ約10倍の耐性を有し、2層レジス
トの上層レジストとしても使用できることがわかった。
素プラズマ性を測定したところ、市販のポジ型ノボラッ
ク系レジストに比べ約10倍の耐性を有し、2層レジス
トの上層レジストとしても使用できることがわかった。
(比較例1)
ポリクロルメチルスチレン(分子量3万、クロルメチル
化率50%)を用いて、実施例1と同様にして電子線照
射し、酢酸イソアミル/エチルセロソルブ(40/60
重量比)混合液で現像したところ、感度は、約10μC
/ cotであった。
化率50%)を用いて、実施例1と同様にして電子線照
射し、酢酸イソアミル/エチルセロソルブ(40/60
重量比)混合液で現像したところ、感度は、約10μC
/ cotであった。
低下させることなく感度を向上させることができる。
特許出願人 日本ゼオン株式会社
30秒間浸漬したところ、1μのパターンが得ら手続補
正書し 平成1年3月13日
正書し 平成1年3月13日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式(1)で示される構造単位を有する重合
体からなることを特徴とするネガ型レジスト。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (R_1、R_2、R_3は水素又はメチル基、a、b
、cは正の整数、dは1〜5の整数、eは0〜3の整数
である。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32498488A JPH02170809A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | ネガ型レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32498488A JPH02170809A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | ネガ型レジスト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02170809A true JPH02170809A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18171830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32498488A Pending JPH02170809A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | ネガ型レジスト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02170809A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5670594A (en) * | 1995-10-24 | 1997-09-23 | Menicon Co., Ltd. | Low water-absorptive ocular lens material, low water-absorptive ocular lens shaped product made thereof, low water-absorptive ocular lens made thereof and process for its production |
KR100564565B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 실리콘을 함유하는 폴리머 및 이를 포함하는 네가티브형레지스트 조성물과 이들을 이용한 반도체 소자의 패턴형성 방법 |
KR100652425B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
-
1988
- 1988-12-24 JP JP32498488A patent/JPH02170809A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5670594A (en) * | 1995-10-24 | 1997-09-23 | Menicon Co., Ltd. | Low water-absorptive ocular lens material, low water-absorptive ocular lens shaped product made thereof, low water-absorptive ocular lens made thereof and process for its production |
KR100564565B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 실리콘을 함유하는 폴리머 및 이를 포함하는 네가티브형레지스트 조성물과 이들을 이용한 반도체 소자의 패턴형성 방법 |
KR100652425B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
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