JPH02170416A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPH02170416A JPH02170416A JP32518888A JP32518888A JPH02170416A JP H02170416 A JPH02170416 A JP H02170416A JP 32518888 A JP32518888 A JP 32518888A JP 32518888 A JP32518888 A JP 32518888A JP H02170416 A JPH02170416 A JP H02170416A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の製造方法に関し、特にＭＯ
Ｓトランジスタを含む半導体集積回路の製造方法に関す
る。
Ｓトランジスタを含む半導体集積回路の製造方法に関す
る。
従来、ＭＯＳトランジスタを含んで構成される半導体集
積回路は、集積度を向上させるため、ソース・ドレイン
領域からはみ出して開口部を設け、前記開口部にコンタ
クト電極（以下外抜きコンタクトと記す）を形成してい
た。
積回路は、集積度を向上させるため、ソース・ドレイン
領域からはみ出して開口部を設け、前記開口部にコンタ
クト電極（以下外抜きコンタクトと記す）を形成してい
た。
この構造では開口部で接続破壊等の不都合が生じるため
、開口部形成ｆＡ ｎ型ソース・ドレイン領域に隣接す
る領域にはｎ型不純物を、またｐ型ソース・ドレイン領
域に隣接する領域にはｐ型不純物をイオン注入法により
選択的に導入して補助拡散領域を形成していた。
、開口部形成ｆＡ ｎ型ソース・ドレイン領域に隣接す
る領域にはｎ型不純物を、またｐ型ソース・ドレイン領
域に隣接する領域にはｐ型不純物をイオン注入法により
選択的に導入して補助拡散領域を形成していた。
上述した従来の半導体集積回路の製造方法は、写真蝕刻
法の使用回数が外抜きコンタクトを用いない通常の開口
部にコンタクト電極を形成する場合に比較して１〜２回
程度増加し、かつイオン注入時のチャージアップによる
ゲート絶縁膜の破壊等の不都合をひきおこすという欠点
があった。
法の使用回数が外抜きコンタクトを用いない通常の開口
部にコンタクト電極を形成する場合に比較して１〜２回
程度増加し、かつイオン注入時のチャージアップによる
ゲート絶縁膜の破壊等の不都合をひきおこすという欠点
があった。
本発明の半導体集積回路の製造方法は、−導電型シリコ
ン基板の一生面に逆導電型の拡散領域を設ける工程と、
前記拡散領域を含む表面に設けた絶縁膜を選択的にエツ
チングして前記拡散領域及び前記拡散領域に隣接する前
記シリコン基板の表面にコンタクト用開口部を設け仝工
程と、前記開口部を含む表面に高融点金属膜を堆積する
工程と、熱処理により前記開口部の前記拡散領域及び前
記シリコン基板の表面に高融点金属硅化物膜を形成し未
反応の前記高融点金属膜を除去する工程と、熱処理によ
り前記拡散領域の逆導電型不純物を前記高融点金属硅化
物膜の中に拡散させる工程と、熱処理により前記高融点
金属硅化物膜中の前記不純物を前記高融点金属硅化物膜
に接する前記シリコン基板表面に拡散させて前記開口部
の前記シリコン基板の表面に前記拡散領域と接続する逆
導電型の補助拡散領域を形成する工程とを含んで構成さ
れる。
ン基板の一生面に逆導電型の拡散領域を設ける工程と、
前記拡散領域を含む表面に設けた絶縁膜を選択的にエツ
チングして前記拡散領域及び前記拡散領域に隣接する前
記シリコン基板の表面にコンタクト用開口部を設け仝工
程と、前記開口部を含む表面に高融点金属膜を堆積する
工程と、熱処理により前記開口部の前記拡散領域及び前
記シリコン基板の表面に高融点金属硅化物膜を形成し未
反応の前記高融点金属膜を除去する工程と、熱処理によ
り前記拡散領域の逆導電型不純物を前記高融点金属硅化
物膜の中に拡散させる工程と、熱処理により前記高融点
金属硅化物膜中の前記不純物を前記高融点金属硅化物膜
に接する前記シリコン基板表面に拡散させて前記開口部
の前記シリコン基板の表面に前記拡散領域と接続する逆
導電型の補助拡散領域を形成する工程とを含んで構成さ
れる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、ｐ型シリコン基板１
の表面に選択的にフィールド酸化膜２を設けて素子形成
領域を区画する０次に、前記素子形成領域の表面を熱酸
化して酸化シリコン膜３を設ける。次に、フィールド酸
化膜２をマスクとしてヒ素等の不純物を選択的にイオン
注入して活性化し、前記素子形成領域の表面にｎ１型拡
散領域を形成する０次に、全面にリン及びホウ素を含む
酸化シリコン膜（以下ＢＰＳＧ膜と記す）５を堆積し、
ｎ＋型拡散領域４の上のＢＰＳＧ膜５および酸化シリコ
ン膜３を選択的に順次エツチングして開口部６を設ける
。ここで、開口部６の一部はｎ＋型拡散領域４をはみ出
して形成される。
の表面に選択的にフィールド酸化膜２を設けて素子形成
領域を区画する０次に、前記素子形成領域の表面を熱酸
化して酸化シリコン膜３を設ける。次に、フィールド酸
化膜２をマスクとしてヒ素等の不純物を選択的にイオン
注入して活性化し、前記素子形成領域の表面にｎ１型拡
散領域を形成する０次に、全面にリン及びホウ素を含む
酸化シリコン膜（以下ＢＰＳＧ膜と記す）５を堆積し、
ｎ＋型拡散領域４の上のＢＰＳＧ膜５および酸化シリコ
ン膜３を選択的に順次エツチングして開口部６を設ける
。ここで、開口部６の一部はｎ＋型拡散領域４をはみ出
して形成される。
次に、第１図（ｂ）に示すように、開口部６を含む表面
にスパッタ法を用いてチタン膜７を０．１μｍの厚さに
堆積し、ランプ加熱法により開口部６のチタン膜７とシ
リコンを反応させて開口部６の前記素子形成領域の表面
に硅化チタン膜８を約８０ｎｍの厚さに形成する。ここ
で、硅化チタン膜８の一部は開口部６のｎ＋型拡散領域
４に隣接してｐ型シリコン基板１の表面に形成される。
にスパッタ法を用いてチタン膜７を０．１μｍの厚さに
堆積し、ランプ加熱法により開口部６のチタン膜７とシ
リコンを反応させて開口部６の前記素子形成領域の表面
に硅化チタン膜８を約８０ｎｍの厚さに形成する。ここ
で、硅化チタン膜８の一部は開口部６のｎ＋型拡散領域
４に隣接してｐ型シリコン基板１の表面に形成される。
次に、第１図（Ｃ）に示ずように、未反応チタンＭ７を
ＮＨ４０Ｈ＋Ｈ，０２系水溶液で除去する。次に、ピー
・ガス（Ｐ、Ｇａ５）等がジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジクス（Ｊｏｕｒｎａ １ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） １９８６年、９月。
ＮＨ４０Ｈ＋Ｈ，０２系水溶液で除去する。次に、ピー
・ガス（Ｐ、Ｇａ５）等がジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジクス（Ｊｏｕｒｎａ １ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） １９８６年、９月。
１６３４〜１６３９頁にボロン・フオスフオラス・アン
ド・アーセニツク・デイフュージョン・イン−Ｔ ｉ
Ｓ ｉ ２ （Ｂｏｒｏｎ 、 ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ
、 ａｎｄａｒｓｅｎｉｃ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｉｎ
Ｔｉ５ｉ２）の題名で記載された技術を利用して、９
００℃で１０分間の熱処理によりｎ＋型拡散領域４のｎ
型不順物を硅化チタン膜８の中に拡散させる０次に、ラ
ンプ加熱法により硅化チタン膜８より、硅化チタン膜８
に接しているｐ型シリコン基板１の表面にｎ型不純物を
再拡散させて補助ｎ型拡散領域９を形成する。
ド・アーセニツク・デイフュージョン・イン−Ｔ ｉ
Ｓ ｉ ２ （Ｂｏｒｏｎ 、 ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ
、 ａｎｄａｒｓｅｎｉｃ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｉｎ
Ｔｉ５ｉ２）の題名で記載された技術を利用して、９
００℃で１０分間の熱処理によりｎ＋型拡散領域４のｎ
型不順物を硅化チタン膜８の中に拡散させる０次に、ラ
ンプ加熱法により硅化チタン膜８より、硅化チタン膜８
に接しているｐ型シリコン基板１の表面にｎ型不純物を
再拡散させて補助ｎ型拡散領域９を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、開口部６を含む表面
にシリコンを含むアルミニウム膜を堆積して選択的にエ
ツチングし、ｎ＋型拡散領域４と電気的に接続する配線
１０を形成する。
にシリコンを含むアルミニウム膜を堆積して選択的にエ
ツチングし、ｎ＋型拡散領域４と電気的に接続する配線
１０を形成する。
尚ここで、チタン膜の代りにＣｏ、Ｎｉ等を用いても同
様の効果が得られる。
様の効果が得られる。
以上説明したように本発明は、外抜きコンタクト部に高
融点金属硅化物膜を形成し、ソース・ドレイン領域の不
純物を高融点金属硅化物膜を経由してコンタクト用開口
部のソース・ドレイン領域に隣接するシリコン基板表面
に拡散させて補助拡散領域を形成することにより、付加
的な写真蝕刻、イオン注入等の工程を削減できるという
効果を有する。また、本発明により得られる半導体集積
回路は、低いコンタクト抵抗を実現し、自己整合構造と
なるため高い歩留で高性能の半導体集積回路が製造でき
る効果がある。
融点金属硅化物膜を形成し、ソース・ドレイン領域の不
純物を高融点金属硅化物膜を経由してコンタクト用開口
部のソース・ドレイン領域に隣接するシリコン基板表面
に拡散させて補助拡散領域を形成することにより、付加
的な写真蝕刻、イオン注入等の工程を削減できるという
効果を有する。また、本発明により得られる半導体集積
回路は、低いコンタクト抵抗を実現し、自己整合構造と
なるため高い歩留で高性能の半導体集積回路が製造でき
る効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。 １・・・ｐ型シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜
、３・・・酸化シリコン膜、４・・・ｎ＋型拡散領域、
５・・・ＢＰＳＧ膜、６・・・開口部、７・・・チタン
膜、８・・・硅化チタン膜、９・・・補助ｎ型拡散領域
、１０・・・配線。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。 １・・・ｐ型シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜
、３・・・酸化シリコン膜、４・・・ｎ＋型拡散領域、
５・・・ＢＰＳＧ膜、６・・・開口部、７・・・チタン
膜、８・・・硅化チタン膜、９・・・補助ｎ型拡散領域
、１０・・・配線。
Claims (1)
- 一導電型シリコン基板の一主面に逆導電型の拡散領域を
設ける工程と、前記拡散領域を含む表面に設けた絶縁膜
を選択的にエッチングして前記拡散領域及び前記拡散領
域に隣接する前記シリコン基板の表面にコンタクト用開
口部を設ける工程と、前記開口部を含む表面に高融点金
属膜を堆積する工程と、熱処理により前記開口部の前記
拡散領域及び前記シリコン基板の表面に高融点金属硅化
物膜を形成し未反応の前記高融点金属膜を除去する工程
と、熱処理により前記拡散領域の逆導電型不純物を前記
高融点金属硅化物膜の中に拡散させる工程と、熱処理に
より前記高融点金属硅化物膜中の前記不純物を前記高融
点金属硅化物膜に接する前記シリコン基板表面に拡散さ
せて前記開口部の前記シリコン基板の表面に前記拡散領
域と接続する逆導電型の補助拡散領域を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32518888A JPH0719760B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32518888A JPH0719760B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170416A true JPH02170416A (ja) | 1990-07-02 |
| JPH0719760B2 JPH0719760B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=18173995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32518888A Expired - Lifetime JPH0719760B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719760B2 (ja) |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP32518888A patent/JPH0719760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719760B2 (ja) | 1995-03-06 |
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