JPH02170311A - 酸化物超電導薄膜作製法 - Google Patents
酸化物超電導薄膜作製法Info
- Publication number
- JPH02170311A JPH02170311A JP63323297A JP32329788A JPH02170311A JP H02170311 A JPH02170311 A JP H02170311A JP 63323297 A JP63323297 A JP 63323297A JP 32329788 A JP32329788 A JP 32329788A JP H02170311 A JPH02170311 A JP H02170311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- heat treatment
- added
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910015901 Bi-Sr-Ca-Cu-O Inorganic materials 0.000 abstract 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical group O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910014454 Ca-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- -1 PbO Chemical class 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高出力のマグネット、ジョセフソン素子、５Ｑ
ＵＩＤ等に用いられている超電導材料に係り、特に液体
窒素温度以上で動作する酸化物超電導体の薄膜作製に関
する。
ＵＩＤ等に用いられている超電導材料に係り、特に液体
窒素温度以上で動作する酸化物超電導体の薄膜作製に関
する。
金属材料研究所の前出らによって発見されたＢｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化物超電導体は１００に以上の臨
界温度を持つ高Ｔｃ相とそれ以外の臨界温度が８０に級
の低Ｔｃ相や半導体層。
−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化物超電導体は１００に以上の臨
界温度を持つ高Ｔｃ相とそれ以外の臨界温度が８０に級
の低Ｔｃ相や半導体層。
絶縁体相が混在しており、高Ｔｃ相の単一層は得られて
いない、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化物超電導体
にＰｂを添加することで高Ｔｃ相の割合が増加すること
が京都大学の高野らによって、粉体粉末冶金協会 昭和
６３年春季大学 講演概要集 ｐ、６３．ジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジックス Ｖｏ
ｌ、 ２７ 。
いない、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系酸化物超電導体
にＰｂを添加することで高Ｔｃ相の割合が増加すること
が京都大学の高野らによって、粉体粉末冶金協会 昭和
６３年春季大学 講演概要集 ｐ、６３．ジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジックス Ｖｏ
ｌ、 ２７ 。
Ｌ１０４１ページ、１９８８年（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ
。
。
Ｐｈｙｓ、２７．Ｌ１０４１．１９８８）に報駒された
。しかしながら熱処理時にＰｂが蒸発するため、特に簿
膜において、充分な効果が得られていない。
。しかしながら熱処理時にＰｂが蒸発するため、特に簿
膜において、充分な効果が得られていない。
Ｐｂを添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系１１１１
化物超電導体、特に薄膜の場合、熱処理によってＰｂが
蒸発するため良好な超電導特性を得ることができない。
化物超電導体、特に薄膜の場合、熱処理によってＰｂが
蒸発するため良好な超電導特性を得ることができない。
本発明の目的は熱処理時のＰｂの蒸発を抑制することで
ある。
ある。
上記目的は、スパッタ法あるいは蒸着法で作製したＰｂ
を添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−〇系酸化物超電導
薄膜を、Ｐｂ又はＰｂｏ蒸気雰囲気中で熱処理すること
によって得られる。
を添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−〇系酸化物超電導
薄膜を、Ｐｂ又はＰｂｏ蒸気雰囲気中で熱処理すること
によって得られる。
本発明の特徴は、１００Ｋ以上の臨界温度をもつＢｉに
対してＰｂス５〜３０原原子法添加たＢ ｉ−Ｓｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０系酸化物超電導体の薄膜を、Ｐｂ又はＰｂ
ｏの蒸気雰囲気中で加熱することによって、膜中のＰｂ
の蒸発を抑制しながら結晶化させた酸化物超電導薄膜作
製法にある。
対してＰｂス５〜３０原原子法添加たＢ ｉ−Ｓｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０系酸化物超電導体の薄膜を、Ｐｂ又はＰｂ
ｏの蒸気雰囲気中で加熱することによって、膜中のＰｂ
の蒸発を抑制しながら結晶化させた酸化物超電導薄膜作
製法にある。
Ｐｂ又はＰｂｏ蒸気の雰囲気は１〜１０−’Ｔｏｒｒ、
又加熱条件は６００〜９００℃が好ましい。
又加熱条件は６００〜９００℃が好ましい。
また１本発明の特徴は、スパッタ法あるいは蒸煮法で作
製した膜を、Ｐｂを添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ −Ｃｕ
−０系超電導体の焼結体あるいは粉体と共存させながら
、加熱して作製した酸化物超電導薄膜作製法にある。
製した膜を、Ｐｂを添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ −Ｃｕ
−０系超電導体の焼結体あるいは粉体と共存させながら
、加熱して作製した酸化物超電導薄膜作製法にある。
Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超電導体のかわりに、他
のＰｂを含んだ化合物、たとえばＰｂＯやＰｂＴｉ○、
やＰ ｂ Ｚ ｒ Ｏ、の粉体や焼結体と共存させなが
ら加熱して作製しても良い。
のＰｂを含んだ化合物、たとえばＰｂＯやＰｂＴｉ○、
やＰ ｂ Ｚ ｒ Ｏ、の粉体や焼結体と共存させなが
ら加熱して作製しても良い。
熱処理をＰｂまたはＰｂ○蒸気雰囲気中で行うことによ
り膜からのＰｂの蒸発を抑制できる。
り膜からのＰｂの蒸発を抑制できる。
以下、本発明を実施例にもとづいて詳述する。
実施例１゜
Ｐｂを５〜３０原子％添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ −Ｃ
ｕ−０系超電導体の薄膜は積層蒸着法を用いて多源のＥ
Ｂ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）蒸着装置で作成
した。
ｕ−０系超電導体の薄膜は積層蒸着法を用いて多源のＥ
Ｂ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）蒸着装置で作成
した。
本実施例の概略図を第１図に示す。
基板３としてＭｇＯ（１００）、５ｒＴｉＯ。
（１００）を使用し、基板温度４００℃でＢｉ、Ｏ，、
ＳｒＯ，Ｃａｂ、Ｐｂ、Ｃｕを順次繰返し蒸着して、膜
厚４０００人の積層膜４を作成した。ＥＰＭＡにより分
析した膜の組成はＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ：Ｐｂ＝１．
４：１．１：１．３： ２．０ ： ０．４であった。
ＳｒＯ，Ｃａｂ、Ｐｂ、Ｃｕを順次繰返し蒸着して、膜
厚４０００人の積層膜４を作成した。ＥＰＭＡにより分
析した膜の組成はＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ：Ｐｂ＝１．
４：１．１：１．３： ２．０ ： ０．４であった。
次にこの積層膜をＰｂ又はＰｂＯ粉末２と共存させて、
容器１中で８７０℃で空気中熱処理した。熱処理時間は
１時間から１０時間とし、比較のため雰囲気処理を行わ
ない場合についても実験した。Ｐｂの分圧は純Ｐｂの場
合ＩＴｏｒｒで純Ｐｂ○の場合Ｉ Ｘ １０−’Ｔ ｏ
ｒｒであった。第２図はＩＣＰＳ分析によりもとめたＰ
ｂ濃度を示している。図には本発明の雰囲気処理した試
料５と、処理しない試料６が示しである。図から分かる
ように本発明による熱処理によってＰｂの蒸発が抑制さ
れている。この方法により作成した熱処理時間１０時間
の膜は臨界温度が１０２に、７７にでの臨界電流密度が
１×１０’Ａ／ｃ♂を示した。なお、薄膜に対するＰｂ
の添加量は５〜３０原子％が適当で、それ以外の濃度で
は臨界温度が８０Ｋに下がり、不適当であつた・ 実施例２゜ 実施例１に記載した、積層蒸着法により作成した膜を第
３図に示すように、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｐｂ−○
焼結体７と膜面を合わせて熱処理をすることによっても
同様な結果が得られた。
容器１中で８７０℃で空気中熱処理した。熱処理時間は
１時間から１０時間とし、比較のため雰囲気処理を行わ
ない場合についても実験した。Ｐｂの分圧は純Ｐｂの場
合ＩＴｏｒｒで純Ｐｂ○の場合Ｉ Ｘ １０−’Ｔ ｏ
ｒｒであった。第２図はＩＣＰＳ分析によりもとめたＰ
ｂ濃度を示している。図には本発明の雰囲気処理した試
料５と、処理しない試料６が示しである。図から分かる
ように本発明による熱処理によってＰｂの蒸発が抑制さ
れている。この方法により作成した熱処理時間１０時間
の膜は臨界温度が１０２に、７７にでの臨界電流密度が
１×１０’Ａ／ｃ♂を示した。なお、薄膜に対するＰｂ
の添加量は５〜３０原子％が適当で、それ以外の濃度で
は臨界温度が８０Ｋに下がり、不適当であつた・ 実施例２゜ 実施例１に記載した、積層蒸着法により作成した膜を第
３図に示すように、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｐｂ−○
焼結体７と膜面を合わせて熱処理をすることによっても
同様な結果が得られた。
実施例３゜
Ｐｂを５〜３０原子％添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−Ｐｂ−０系超電導体の薄膜をＲＦマグネトロンスパッ
タ法により作成した。ターゲットはＢｉ ：Ｓｒ：Ｃａ
：Ｃｕ＝１．５： １．０：１．０ ： ２．０の焼結
体の上に８１角のＰｂ板を６枚置いた複合ターゲットを
使用した。スパッタガスはＡ ｒ”５０％０２．圧力３
０ ｒｎ Ｔｏｒｒとした。
−Ｐｂ−０系超電導体の薄膜をＲＦマグネトロンスパッ
タ法により作成した。ターゲットはＢｉ ：Ｓｒ：Ｃａ
：Ｃｕ＝１．５： １．０：１．０ ： ２．０の焼結
体の上に８１角のＰｂ板を６枚置いた複合ターゲットを
使用した。スパッタガスはＡ ｒ”５０％０２．圧力３
０ ｒｎ Ｔｏｒｒとした。
基板はＭｇ０（１００）と５ｒＴｘＯａ （１００）を
使用し、基板温度は７５０℃、Ｒ１”出力は７５Ｗとし
た。熱処理は空気中８７０”Ｃで第４図に示すようにＰ
ｂＴｉ０．又はＰｂＺｒ０．焼結体８と膜面を合わせて
、膜中のＰｂの蒸発をＰｂの分圧は純Ｐｂの場合Ｉ Ｔ
ｏｒｒで純Ｐｂ○の場合ｌＸｌ０−’Ｔ ｏｒｒで抑制
して５時間行った。Ｘ線回折より熱処理後の膜はＣ軸が
基板に対して垂直に配向したＣ軸配向膜であった。臨界
温度は１０２に、７７にでの臨界電流密度は５ Ｘ １
０’Ａ／ｃｍ”であった。
使用し、基板温度は７５０℃、Ｒ１”出力は７５Ｗとし
た。熱処理は空気中８７０”Ｃで第４図に示すようにＰ
ｂＴｉ０．又はＰｂＺｒ０．焼結体８と膜面を合わせて
、膜中のＰｂの蒸発をＰｂの分圧は純Ｐｂの場合Ｉ Ｔ
ｏｒｒで純Ｐｂ○の場合ｌＸｌ０−’Ｔ ｏｒｒで抑制
して５時間行った。Ｘ線回折より熱処理後の膜はＣ軸が
基板に対して垂直に配向したＣ軸配向膜であった。臨界
温度は１０２に、７７にでの臨界電流密度は５ Ｘ １
０’Ａ／ｃｍ”であった。
本発明によりＰｂを添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系超電導体の薄膜作成過程の熱処理における、Ｐｂの
蒸発に関する問題点が解決された。
０系超電導体の薄膜作成過程の熱処理における、Ｐｂの
蒸発に関する問題点が解決された。
第１図は本発明のＰｂ雰囲気熱処理を示す図、第２図は
雰囲気処理をした場合としない場合の。 膜中のＰｂ濃度の熱処理時間に対する変化を示す線図、
第３図は焼結体を使用した場合の膜構成図。 第４図は焼結体を使用した場合の別の膜構成図である。 符号の説明 １・・・るつぼ、２・・・Ｐｂ又はＰｂＯ粉末、３・・
・基板、４・・・ＰＩ）添加のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系超電導薄膜、５・・・雰囲気処理を行った場合
、６・・・雰囲気処理を行わない場合、 ７＝−Ｂｉ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｐｂ−０系焼結体、８
−ＰｂＴｉＯ３又はＰｂＺｒ○、焼結体。
雰囲気処理をした場合としない場合の。 膜中のＰｂ濃度の熱処理時間に対する変化を示す線図、
第３図は焼結体を使用した場合の膜構成図。 第４図は焼結体を使用した場合の別の膜構成図である。 符号の説明 １・・・るつぼ、２・・・Ｐｂ又はＰｂＯ粉末、３・・
・基板、４・・・ＰＩ）添加のＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系超電導薄膜、５・・・雰囲気処理を行った場合
、６・・・雰囲気処理を行わない場合、 ７＝−Ｂｉ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｐｂ−０系焼結体、８
−ＰｂＴｉＯ３又はＰｂＺｒ○、焼結体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｂｉに対してＰｂを５〜３０原子％添加したＢｉ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の薄膜を、Ｐｂ
又はＰｂＯの蒸気雰囲気中で加熱することによって、膜
中のＰｂの蒸発を抑制しながら結晶化させることを特徴
とする酸化物超電導薄膜作製法。 ２、スパッタ法あるいは蒸着法で作製した膜を、Ｂｉに
対してＰｂを５〜３０原子％添加したＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−Ｏ系超電導体の焼結体あるいは粉体と共存させ
ながら、加熱して結晶化させることを特徴とする酸化物
超電導薄膜作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323297A JPH02170311A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 酸化物超電導薄膜作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323297A JPH02170311A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 酸化物超電導薄膜作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170311A true JPH02170311A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18153213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63323297A Pending JPH02170311A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 酸化物超電導薄膜作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170311A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228803A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Sumitomo Cement Co Ltd | 酸化物超伝導複合体 |
| WO1992006923A1 (en) * | 1990-10-17 | 1992-04-30 | Fujitsu Limited | Method of making superconductive film |
| WO1992007381A1 (en) * | 1990-10-17 | 1992-04-30 | Fujitsu Limited | Method of preparing superconducting film |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63323297A patent/JPH02170311A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228803A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Sumitomo Cement Co Ltd | 酸化物超伝導複合体 |
| WO1992006923A1 (en) * | 1990-10-17 | 1992-04-30 | Fujitsu Limited | Method of making superconductive film |
| WO1992007381A1 (en) * | 1990-10-17 | 1992-04-30 | Fujitsu Limited | Method of preparing superconducting film |
| US5306702A (en) * | 1990-10-17 | 1994-04-26 | Fujitsu Limited | Process for producing Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O superconducting films |
| US5312803A (en) * | 1990-10-17 | 1994-05-17 | Fujitsu Limited | Process for producing Bi- and Pb-containing oxide superconducting wiring films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0725640B2 (ja) | エピタキシャル構造を有する超伝導体装置 | |
| US4874741A (en) | Non-enhanced laser evaporation of oxide superconductors | |
| JPH02170311A (ja) | 酸化物超電導薄膜作製法 | |
| JPH0297427A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JP3037514B2 (ja) | 薄膜超伝導体及びその製造方法 | |
| JP2561303B2 (ja) | 単結晶酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH04275470A (ja) | 超電導体／絶縁体層構造からなる製品、およびその製品の製造方法 | |
| JPH02120229A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH02173258A (ja) | 薄膜の作製方法および作製装置 | |
| JP2741277B2 (ja) | 薄膜超電導体およびその製造方法 | |
| JPH02175613A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の作製方法 | |
| JPH01219023A (ja) | 超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH03275504A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜およびその製造方法 | |
| JPH02311396A (ja) | 薄膜超伝導体とその製造方法 | |
| JPH05170448A (ja) | セラミックス薄膜の製造方法 | |
| JP3025891B2 (ja) | 薄膜超電導体およびその製造方法 | |
| JPH02120231A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH02120230A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH02212307A (ja) | 酸化物超伝導薄膜 | |
| JPH02167827A (ja) | 薄膜超電導体 | |
| JPS63299019A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPH02212306A (ja) | 酸化物超伝導薄膜 | |
| JPH02213464A (ja) | 酸化物超伝導薄膜構造体 | |
| JPS63276824A (ja) | 高温超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH01282122A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 |