JPH02168182A - 磁歪定数測定器 - Google Patents
磁歪定数測定器Info
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- JPH02168182A JPH02168182A JP32200388A JP32200388A JPH02168182A JP H02168182 A JPH02168182 A JP H02168182A JP 32200388 A JP32200388 A JP 32200388A JP 32200388 A JP32200388 A JP 32200388A JP H02168182 A JPH02168182 A JP H02168182A
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 22
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
11)発明の目的
[産業上の利用分野コ
本発明は、磁気記録装置の磁気ヘッドにおける、薄膜軟
磁性磁極材料の磁歪定数を測定する装置に関するもので
ある。
磁性磁極材料の磁歪定数を測定する装置に関するもので
ある。
[従来の技術]
磁気記録装置の磁気ヘッドには高密度化をねらいとして
高飽和磁束密度を有する薄膜が利用されるが、この軟磁
性薄膜の具備すべき条件のうち重要なものの一つである
磁歪定数をできるだけ小さくする必要がある。磁歪定数
が大きいと磁気ヘッドを構成する他の膜や材料から応力
を受けた時磁気特性が変化してしまい安定な記録再生が
できなくなる恐れがある。
高飽和磁束密度を有する薄膜が利用されるが、この軟磁
性薄膜の具備すべき条件のうち重要なものの一つである
磁歪定数をできるだけ小さくする必要がある。磁歪定数
が大きいと磁気ヘッドを構成する他の膜や材料から応力
を受けた時磁気特性が変化してしまい安定な記録再生が
できなくなる恐れがある。
そこで磁歪定数を測定する従来手段として第2図に従来
の磁歪定数測定器Aの一例を示す。アルミ、石など非磁
性材料の定盤1上に、直交したふた組のヘルムホルツコ
イル2及び3を囲繞配置し、ふた組のヘルムホルツコイ
ル2,3のほぼ中心に、定盤面1aに対し静電容量形の
歪センサ4の上端センサ測定面5が平行となるように配
置し、このセンサ測定面5に対抗して、少なくとも上下
方向に微動可能な微動台6に基端を取り付けた長方形試
料7の軟磁性M8面自由端部がセンサ測定面5に平行に
臨むように長方形試料7を水平配置する。
の磁歪定数測定器Aの一例を示す。アルミ、石など非磁
性材料の定盤1上に、直交したふた組のヘルムホルツコ
イル2及び3を囲繞配置し、ふた組のヘルムホルツコイ
ル2,3のほぼ中心に、定盤面1aに対し静電容量形の
歪センサ4の上端センサ測定面5が平行となるように配
置し、このセンサ測定面5に対抗して、少なくとも上下
方向に微動可能な微動台6に基端を取り付けた長方形試
料7の軟磁性M8面自由端部がセンサ測定面5に平行に
臨むように長方形試料7を水平配置する。
歪センサ4は、同図には示されない歪計を介して記録計
に結線されている。
に結線されている。
この直交するふた組のヘルムホルツコイル2゜3から発
生ずる磁界の中心付近に静電容量形の歪センサ4のセン
サ測定面5を配し、長方形基板9下面に形成しかつ磁気
異方性か長辺または短辺に平行に付与された軟磁性薄膜
8のどちらかの辺が前記へルムポルツコイル2,3の一
方の磁界方向に一致させて配置する長方形試料7の基端
を少なくても上下方向に移動可能な微動台6に片持ち梁
状に固定するとともその自由端を前記センサ測定面5の
直上に臨ませ、図示しない微動機構を動作させてセンサ
測定範囲内に長方形試料7の位置を決めた後、前記ヘル
ムホルツコイル2,3の一組ずつ交互に磁界を発生させ
た時の歪の差から、またはふた組のヘルムホルツコイル
2,3を軟磁性膜8面に平行に回転させた時に測定され
る歪の差の最大値から、計算により磁歪定数を求めてい
た。
生ずる磁界の中心付近に静電容量形の歪センサ4のセン
サ測定面5を配し、長方形基板9下面に形成しかつ磁気
異方性か長辺または短辺に平行に付与された軟磁性薄膜
8のどちらかの辺が前記へルムポルツコイル2,3の一
方の磁界方向に一致させて配置する長方形試料7の基端
を少なくても上下方向に移動可能な微動台6に片持ち梁
状に固定するとともその自由端を前記センサ測定面5の
直上に臨ませ、図示しない微動機構を動作させてセンサ
測定範囲内に長方形試料7の位置を決めた後、前記ヘル
ムホルツコイル2,3の一組ずつ交互に磁界を発生させ
た時の歪の差から、またはふた組のヘルムホルツコイル
2,3を軟磁性膜8面に平行に回転させた時に測定され
る歪の差の最大値から、計算により磁歪定数を求めてい
た。
しかし、磁気ヘッドに用いるような軟磁性膜8厚が0.
1μmから3μm程度の薄い場合、測定3度を上げるた
めには、長方形基板9の厚さを薄くするか、基端の固定
端からセンサ測定面5が臨む自由端までの距離を長く収
っていく必要がある。
1μmから3μm程度の薄い場合、測定3度を上げるた
めには、長方形基板9の厚さを薄くするか、基端の固定
端からセンサ測定面5が臨む自由端までの距離を長く収
っていく必要がある。
すなわち、磁歪定数は(t −h)/(t。
L2)に比例する。ここで、t 2は長方形基板9厚さ
の二乗、hは測定した歪の差、t、は軟磁性膜8の厚さ
1,2は長方形試料7の固定端からセンサ測定面5中心
までの距離の二乗を表している。一方、静電容量形の歪
センサ4で測定される歪は、長方形試料7との距離が狭
いほど、センサ測定面5の面積が大きいほど感度よく測
定できる。
の二乗、hは測定した歪の差、t、は軟磁性膜8の厚さ
1,2は長方形試料7の固定端からセンサ測定面5中心
までの距離の二乗を表している。一方、静電容量形の歪
センサ4で測定される歪は、長方形試料7との距離が狭
いほど、センサ測定面5の面積が大きいほど感度よく測
定できる。
ところが、長方形試料7とセンサ測定面5の距離(測定
範囲)は現在市販のなかで最大感度のもので約0.1±
0.051u+であり、これ以上狭くすると長方形試料
7の位置の設定上困雑が伴い、一方長方形試料7の大き
さにも限界があるため、センサ測定面5の面積を大きく
することもできない、したがって、感度よく歪、すなわ
ち磁歪定数を測定するためには、長方形基板9厚さt、
を薄<1.長方形試料7固定端からセンサ測定面5中心
までの「セAffi Lを大きく取って、歪の差りを大
きくすることが必要である。すなわち、磁歪及び軟磁性
1g!8厚が小さくても、長方形基板9の歪を大きく取
れるようにすることが重要である。
範囲)は現在市販のなかで最大感度のもので約0.1±
0.051u+であり、これ以上狭くすると長方形試料
7の位置の設定上困雑が伴い、一方長方形試料7の大き
さにも限界があるため、センサ測定面5の面積を大きく
することもできない、したがって、感度よく歪、すなわ
ち磁歪定数を測定するためには、長方形基板9厚さt、
を薄<1.長方形試料7固定端からセンサ測定面5中心
までの「セAffi Lを大きく取って、歪の差りを大
きくすることが必要である。すなわち、磁歪及び軟磁性
1g!8厚が小さくても、長方形基板9の歪を大きく取
れるようにすることが重要である。
ここで、第3図は、従来の磁歪定数測定器Aの歪センサ
測定面5付近の拡大図を示す。長方形試料7の軟磁性I
I!8応力が圧縮の場合で、かつ応力が大きいためセン
サ端縁5aに軟磁性If! 8面の一部が接触し、歪セ
ンサ4のaI定範囲に長方形試料7を設定できないこと
を示す図である。軟磁性膜8の応力が引つ張りの場合は
図に示したのと逆のセンサ端縁5bが長方形試料7と接
触し、やはり歪センサ4の測定範囲に長方形試料7を設
定できない。要するに、0.1±0.O5nm間隔で広
いセンサ測定面5に平行に軟磁性膜8が下面に形成され
た薄い1)方形試料7の長方形基板9を設定することが
難しい上に、さらに長方形基板9が薄いために軟磁性膜
8の膜応力に伴う長方形基板9の反りが大きい場合には
、長方形基板9とセンサ端縁5a又は5bか接触し、軟
磁性膜8面とセンサ測定面5を0.1±0.O5nm間
隔に保つことか困難であり、間の測定をなし得す、した
がって、磁歪定数の測定ができなかった。
測定面5付近の拡大図を示す。長方形試料7の軟磁性I
I!8応力が圧縮の場合で、かつ応力が大きいためセン
サ端縁5aに軟磁性If! 8面の一部が接触し、歪セ
ンサ4のaI定範囲に長方形試料7を設定できないこと
を示す図である。軟磁性膜8の応力が引つ張りの場合は
図に示したのと逆のセンサ端縁5bが長方形試料7と接
触し、やはり歪センサ4の測定範囲に長方形試料7を設
定できない。要するに、0.1±0.O5nm間隔で広
いセンサ測定面5に平行に軟磁性膜8が下面に形成され
た薄い1)方形試料7の長方形基板9を設定することが
難しい上に、さらに長方形基板9が薄いために軟磁性膜
8の膜応力に伴う長方形基板9の反りが大きい場合には
、長方形基板9とセンサ端縁5a又は5bか接触し、軟
磁性膜8面とセンサ測定面5を0.1±0.O5nm間
隔に保つことか困難であり、間の測定をなし得す、した
がって、磁歪定数の測定ができなかった。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、前記従来測定が困難であった膜応力の大きい
軟磁性薄膜のは歪定数測定を可能にするための磁歪定数
測定器を提供せんとするものである。
軟磁性薄膜のは歪定数測定を可能にするための磁歪定数
測定器を提供せんとするものである。
(2)発明の構成
[課題を解決するための手段コ
本発明の磁歪定数測定器は、従来電極、ガードリング、
外側ケース及びこれらを絶縁するための絶縁材が外径的
100111の同心円状に配置され、かつ同一平面上に
あった静電容量形歪センサのセンサ測定面を電極のみを
残してわずかの面取りを施し、軟磁性膜の膜応力で発生
した長方形基板の反りがあっても、なじみよくセンサ測
定面と試料軟磁性膜面の距離を0.1±0.05Mに設
定できるとともに、長方形の軟磁性膜を下面に形成した
長方形試料を片持ち梁状に固定する治具に仰伏りl梢を
設け、センサ測定面と反った長方形試料面とが接触しな
いように長方形試料を傾斜変位させることにより感度よ
く軟磁性薄膜の磁歪定数の1llll定を可能にするも
のである。
外側ケース及びこれらを絶縁するための絶縁材が外径的
100111の同心円状に配置され、かつ同一平面上に
あった静電容量形歪センサのセンサ測定面を電極のみを
残してわずかの面取りを施し、軟磁性膜の膜応力で発生
した長方形基板の反りがあっても、なじみよくセンサ測
定面と試料軟磁性膜面の距離を0.1±0.05Mに設
定できるとともに、長方形の軟磁性膜を下面に形成した
長方形試料を片持ち梁状に固定する治具に仰伏りl梢を
設け、センサ測定面と反った長方形試料面とが接触しな
いように長方形試料を傾斜変位させることにより感度よ
く軟磁性薄膜の磁歪定数の1llll定を可能にするも
のである。
[実施例]
本発明の実施例を第1図について説明する。
同図は、本発明の磁歪定数測定器Bによって第3図と同
じ状態の膜応力が圧縮の場合である長方形試料7を設定
した図であって、測定電極5′部分(直径約2圓)の外
側からl°程度の面取り10が付けられている。測定電
極5′の面積は面取り10の前後で全く変わらないので
歪の測定感度が低下することもない、しかし、シールド
を兼ねかつ面取り10部分にあるガードリング部分がセ
ンサ測定面5よりもやや離れるため測定ノイズが若干増
加する。さらに、長方形試料7を取り付ける微動台6は
、少なくとも上下方向に微動可能で、かつ長方形試料7
の長辺方向であって軟磁性l膜8面及びセンサ測定面5
に垂直面内で仰伏機横11を持つものである。センサ端
縁5a、5bの面取り10とこの微動台6の仰伏機構1
1のためセンサ測定面5と軟磁性膜8面は接触せずに設
定されていることを示す。
じ状態の膜応力が圧縮の場合である長方形試料7を設定
した図であって、測定電極5′部分(直径約2圓)の外
側からl°程度の面取り10が付けられている。測定電
極5′の面積は面取り10の前後で全く変わらないので
歪の測定感度が低下することもない、しかし、シールド
を兼ねかつ面取り10部分にあるガードリング部分がセ
ンサ測定面5よりもやや離れるため測定ノイズが若干増
加する。さらに、長方形試料7を取り付ける微動台6は
、少なくとも上下方向に微動可能で、かつ長方形試料7
の長辺方向であって軟磁性l膜8面及びセンサ測定面5
に垂直面内で仰伏機横11を持つものである。センサ端
縁5a、5bの面取り10とこの微動台6の仰伏機構1
1のためセンサ測定面5と軟磁性膜8面は接触せずに設
定されていることを示す。
[作 用]
次に、イオンビームスパッタ法で、加速電圧400■、
ターゲットでの電流密度0.8nA/cn2Ar動作圧
0.2mTorrの条件で、厚さ0.2市、[IJ10
止、長さ40酎のコーニング社のガラスマイクロシート
長方形基板9上に形成した厚さ1μmのパーマロイ薄膜
8(Ni81at%、Fe19at%)を前記磁歪測定
器A、Bに取り付け、磁歪定数を測定する例を示す、1
lA8の形成時に長方形基板9裏面に配向用の永久磁石
を設置し長方形基板9の長辺方向か磁化困難軸方向にな
るように配向した。この場合の膜8応力は、約60kg
/I1m”め圧縮応力であった、パーマロイ付きの長方
形基板9は、膜8面側が凸になって湾曲しその曲率は2
000 nmであった。この長方形試料7を従来器Aの
外径10止の歪センサ測定面5と仰伏1fi椙を持たな
い微動台6に、試料固定端からセンサ測定面5の中心(
電極の中心)までの距MLを25市に設定した場合、セ
ンサ測定面5のセンサ端縁5 a 、 5 bの片方に
膜8面が接触し、他のセンサ端縁5a、5bでは膜8面
とセンサ測定面5が0.12mm4れて設定され、膜8
面とセンサ測定面5が平均して 0.1±0.05+n
+の距離を保つことができないため、歪の測定は不可能
であった。一方、本発明の磁歪測定器Bであって、セン
サ測定面5の直径約2關の電極5′部分を残して約1゛
の面取つ10を施した歪センサ4を使用した場合、セン
サ測定面5の中央部で薄膜8との距離を0.1止とした
時、センサ端縁5a、5bでの薄膜8との距離は約1.
012++11+であり、歪センサ4の十分な測定範囲
内にあり、磁歪定数の測定を行うことができた。
ターゲットでの電流密度0.8nA/cn2Ar動作圧
0.2mTorrの条件で、厚さ0.2市、[IJ10
止、長さ40酎のコーニング社のガラスマイクロシート
長方形基板9上に形成した厚さ1μmのパーマロイ薄膜
8(Ni81at%、Fe19at%)を前記磁歪測定
器A、Bに取り付け、磁歪定数を測定する例を示す、1
lA8の形成時に長方形基板9裏面に配向用の永久磁石
を設置し長方形基板9の長辺方向か磁化困難軸方向にな
るように配向した。この場合の膜8応力は、約60kg
/I1m”め圧縮応力であった、パーマロイ付きの長方
形基板9は、膜8面側が凸になって湾曲しその曲率は2
000 nmであった。この長方形試料7を従来器Aの
外径10止の歪センサ測定面5と仰伏1fi椙を持たな
い微動台6に、試料固定端からセンサ測定面5の中心(
電極の中心)までの距MLを25市に設定した場合、セ
ンサ測定面5のセンサ端縁5 a 、 5 bの片方に
膜8面が接触し、他のセンサ端縁5a、5bでは膜8面
とセンサ測定面5が0.12mm4れて設定され、膜8
面とセンサ測定面5が平均して 0.1±0.05+n
+の距離を保つことができないため、歪の測定は不可能
であった。一方、本発明の磁歪測定器Bであって、セン
サ測定面5の直径約2關の電極5′部分を残して約1゛
の面取つ10を施した歪センサ4を使用した場合、セン
サ測定面5の中央部で薄膜8との距離を0.1止とした
時、センサ端縁5a、5bでの薄膜8との距離は約1.
012++11+であり、歪センサ4の十分な測定範囲
内にあり、磁歪定数の測定を行うことができた。
(3)発明の効果
かくして、本発明の磁歪定数測定器は歪の測定にセンサ
測定面に電極を残して面取りを施した静電容量形の歪セ
ンサを用い、かつ長方形試料を収り付ける(敢動台は、
少なくとも上下方向に微動可能で、かつ長方形試料の長
辺方向を含み軟磁性膜面及びセンナ測定面に垂直面内で
仰伏機構を持っているので、長方形試料の設定が簡単で
、膜応力の大きい反った長方形試料でも磁歪定数の測定
が可能である。
測定面に電極を残して面取りを施した静電容量形の歪セ
ンサを用い、かつ長方形試料を収り付ける(敢動台は、
少なくとも上下方向に微動可能で、かつ長方形試料の長
辺方向を含み軟磁性膜面及びセンナ測定面に垂直面内で
仰伏機構を持っているので、長方形試料の設定が簡単で
、膜応力の大きい反った長方形試料でも磁歪定数の測定
が可能である。
第1図は、本発明の磁歪測定器の歪センサ部分と長方形
試料固定部分の拡大図、 第2図は、従来の磁歪定数測定器の一例を示し、第3図
は、従来の磁歪測定器の歪センサ部分と長方形試料固定
部分の拡大図である。 A、B・・・磁歪定数測定器 1・・・定盤 2.3・・・ヘルムホルツコイ 4・・・歪センサ 5・・・センサ測定面 5a、5b・・・センサ端縁 6・・・微動台 8・・・軟磁性膜 0・・・面取り ル ア・・・長方形試料 9・・・長方形基板 11・・・仰伏機構 第1図
試料固定部分の拡大図、 第2図は、従来の磁歪定数測定器の一例を示し、第3図
は、従来の磁歪測定器の歪センサ部分と長方形試料固定
部分の拡大図である。 A、B・・・磁歪定数測定器 1・・・定盤 2.3・・・ヘルムホルツコイ 4・・・歪センサ 5・・・センサ測定面 5a、5b・・・センサ端縁 6・・・微動台 8・・・軟磁性膜 0・・・面取り ル ア・・・長方形試料 9・・・長方形基板 11・・・仰伏機構 第1図
Claims (1)
- 直交するふた組のヘルムホルツコイルから発生する磁界
の中心付近に静電容量形歪センサの上端センサ測定面を
配し、長方形基板下面に形成しかつ磁気異方性を長辺ま
たは短辺に平行に付与した軟磁性薄膜のどちらかの辺が
、前記ヘルムホルツコイルの一方の磁界方向に一致させ
て配置する長方形試料の基端を片持ち梁状に固定すると
ともにその自由端を前記センサ測定面直上に臨ませ前記
ヘルムホルツコイルの一組ずつ交互に磁界を発生させた
時、またはふた組の前記ヘルムホルツコイルを前記軟磁
性膜面に平行に回転させた時に測定される歪の差の最大
値から磁歪定数を求める装置において、前記歪センサの
前記センサ測定面に面取りを施しかつ前記長方形試料の
基端を片持ち梁状に固定する治具が、少なくても上下方
向に前記長方形試料を移動可能とするとともに当該長方
形試料の自由端を傾斜可能に仰伏機構を設けたことを特
徴とする磁歪定数測定器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32200388A JPH02168182A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 磁歪定数測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32200388A JPH02168182A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 磁歪定数測定器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02168182A true JPH02168182A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18138837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32200388A Pending JPH02168182A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 磁歪定数測定器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02168182A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102890252A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-01-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法 |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP32200388A patent/JPH02168182A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102890252A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-01-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法 |
CN102890252B (zh) * | 2012-09-26 | 2015-10-14 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法 |
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