JPH02168182A - 磁歪定数測定器 - Google Patents

磁歪定数測定器

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JPH02168182A
JPH02168182A JP32200388A JP32200388A JPH02168182A JP H02168182 A JPH02168182 A JP H02168182A JP 32200388 A JP32200388 A JP 32200388A JP 32200388 A JP32200388 A JP 32200388A JP H02168182 A JPH02168182 A JP H02168182A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
sample
strain
measurement surface
rectangular sample
Prior art date
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Pending
Application number
JP32200388A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Tago
田子 章男
Tomoyuki Toshima
戸島 知之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 11)発明の目的 [産業上の利用分野コ 本発明は、磁気記録装置の磁気ヘッドにおける、薄膜軟
磁性磁極材料の磁歪定数を測定する装置に関するもので
ある。
[従来の技術] 磁気記録装置の磁気ヘッドには高密度化をねらいとして
高飽和磁束密度を有する薄膜が利用されるが、この軟磁
性薄膜の具備すべき条件のうち重要なものの一つである
磁歪定数をできるだけ小さくする必要がある。磁歪定数
が大きいと磁気ヘッドを構成する他の膜や材料から応力
を受けた時磁気特性が変化してしまい安定な記録再生が
できなくなる恐れがある。
そこで磁歪定数を測定する従来手段として第2図に従来
の磁歪定数測定器Aの一例を示す。アルミ、石など非磁
性材料の定盤1上に、直交したふた組のヘルムホルツコ
イル2及び3を囲繞配置し、ふた組のヘルムホルツコイ
ル2,3のほぼ中心に、定盤面1aに対し静電容量形の
歪センサ4の上端センサ測定面5が平行となるように配
置し、このセンサ測定面5に対抗して、少なくとも上下
方向に微動可能な微動台6に基端を取り付けた長方形試
料7の軟磁性M8面自由端部がセンサ測定面5に平行に
臨むように長方形試料7を水平配置する。
歪センサ4は、同図には示されない歪計を介して記録計
に結線されている。
この直交するふた組のヘルムホルツコイル2゜3から発
生ずる磁界の中心付近に静電容量形の歪センサ4のセン
サ測定面5を配し、長方形基板9下面に形成しかつ磁気
異方性か長辺または短辺に平行に付与された軟磁性薄膜
8のどちらかの辺が前記へルムポルツコイル2,3の一
方の磁界方向に一致させて配置する長方形試料7の基端
を少なくても上下方向に移動可能な微動台6に片持ち梁
状に固定するとともその自由端を前記センサ測定面5の
直上に臨ませ、図示しない微動機構を動作させてセンサ
測定範囲内に長方形試料7の位置を決めた後、前記ヘル
ムホルツコイル2,3の一組ずつ交互に磁界を発生させ
た時の歪の差から、またはふた組のヘルムホルツコイル
2,3を軟磁性膜8面に平行に回転させた時に測定され
る歪の差の最大値から、計算により磁歪定数を求めてい
た。
しかし、磁気ヘッドに用いるような軟磁性膜8厚が0.
1μmから3μm程度の薄い場合、測定3度を上げるた
めには、長方形基板9の厚さを薄くするか、基端の固定
端からセンサ測定面5が臨む自由端までの距離を長く収
っていく必要がある。
すなわち、磁歪定数は(t   −h)/(t。
L2)に比例する。ここで、t 2は長方形基板9厚さ
の二乗、hは測定した歪の差、t、は軟磁性膜8の厚さ
1,2は長方形試料7の固定端からセンサ測定面5中心
までの距離の二乗を表している。一方、静電容量形の歪
センサ4で測定される歪は、長方形試料7との距離が狭
いほど、センサ測定面5の面積が大きいほど感度よく測
定できる。
ところが、長方形試料7とセンサ測定面5の距離(測定
範囲)は現在市販のなかで最大感度のもので約0.1±
0.051u+であり、これ以上狭くすると長方形試料
7の位置の設定上困雑が伴い、一方長方形試料7の大き
さにも限界があるため、センサ測定面5の面積を大きく
することもできない、したがって、感度よく歪、すなわ
ち磁歪定数を測定するためには、長方形基板9厚さt、
を薄<1.長方形試料7固定端からセンサ測定面5中心
までの「セAffi Lを大きく取って、歪の差りを大
きくすることが必要である。すなわち、磁歪及び軟磁性
1g!8厚が小さくても、長方形基板9の歪を大きく取
れるようにすることが重要である。
ここで、第3図は、従来の磁歪定数測定器Aの歪センサ
測定面5付近の拡大図を示す。長方形試料7の軟磁性I
I!8応力が圧縮の場合で、かつ応力が大きいためセン
サ端縁5aに軟磁性If! 8面の一部が接触し、歪セ
ンサ4のaI定範囲に長方形試料7を設定できないこと
を示す図である。軟磁性膜8の応力が引つ張りの場合は
図に示したのと逆のセンサ端縁5bが長方形試料7と接
触し、やはり歪センサ4の測定範囲に長方形試料7を設
定できない。要するに、0.1±0.O5nm間隔で広
いセンサ測定面5に平行に軟磁性膜8が下面に形成され
た薄い1)方形試料7の長方形基板9を設定することが
難しい上に、さらに長方形基板9が薄いために軟磁性膜
8の膜応力に伴う長方形基板9の反りが大きい場合には
、長方形基板9とセンサ端縁5a又は5bか接触し、軟
磁性膜8面とセンサ測定面5を0.1±0.O5nm間
隔に保つことか困難であり、間の測定をなし得す、した
がって、磁歪定数の測定ができなかった。
[発明が解決しようとする課題] 本発明は、前記従来測定が困難であった膜応力の大きい
軟磁性薄膜のは歪定数測定を可能にするための磁歪定数
測定器を提供せんとするものである。
(2)発明の構成 [課題を解決するための手段コ 本発明の磁歪定数測定器は、従来電極、ガードリング、
外側ケース及びこれらを絶縁するための絶縁材が外径的
100111の同心円状に配置され、かつ同一平面上に
あった静電容量形歪センサのセンサ測定面を電極のみを
残してわずかの面取りを施し、軟磁性膜の膜応力で発生
した長方形基板の反りがあっても、なじみよくセンサ測
定面と試料軟磁性膜面の距離を0.1±0.05Mに設
定できるとともに、長方形の軟磁性膜を下面に形成した
長方形試料を片持ち梁状に固定する治具に仰伏りl梢を
設け、センサ測定面と反った長方形試料面とが接触しな
いように長方形試料を傾斜変位させることにより感度よ
く軟磁性薄膜の磁歪定数の1llll定を可能にするも
のである。
[実施例] 本発明の実施例を第1図について説明する。
同図は、本発明の磁歪定数測定器Bによって第3図と同
じ状態の膜応力が圧縮の場合である長方形試料7を設定
した図であって、測定電極5′部分(直径約2圓)の外
側からl°程度の面取り10が付けられている。測定電
極5′の面積は面取り10の前後で全く変わらないので
歪の測定感度が低下することもない、しかし、シールド
を兼ねかつ面取り10部分にあるガードリング部分がセ
ンサ測定面5よりもやや離れるため測定ノイズが若干増
加する。さらに、長方形試料7を取り付ける微動台6は
、少なくとも上下方向に微動可能で、かつ長方形試料7
の長辺方向であって軟磁性l膜8面及びセンサ測定面5
に垂直面内で仰伏機横11を持つものである。センサ端
縁5a、5bの面取り10とこの微動台6の仰伏機構1
1のためセンサ測定面5と軟磁性膜8面は接触せずに設
定されていることを示す。
[作 用] 次に、イオンビームスパッタ法で、加速電圧400■、
ターゲットでの電流密度0.8nA/cn2Ar動作圧
0.2mTorrの条件で、厚さ0.2市、[IJ10
止、長さ40酎のコーニング社のガラスマイクロシート
長方形基板9上に形成した厚さ1μmのパーマロイ薄膜
8(Ni81at%、Fe19at%)を前記磁歪測定
器A、Bに取り付け、磁歪定数を測定する例を示す、1
lA8の形成時に長方形基板9裏面に配向用の永久磁石
を設置し長方形基板9の長辺方向か磁化困難軸方向にな
るように配向した。この場合の膜8応力は、約60kg
/I1m”め圧縮応力であった、パーマロイ付きの長方
形基板9は、膜8面側が凸になって湾曲しその曲率は2
000 nmであった。この長方形試料7を従来器Aの
外径10止の歪センサ測定面5と仰伏1fi椙を持たな
い微動台6に、試料固定端からセンサ測定面5の中心(
電極の中心)までの距MLを25市に設定した場合、セ
ンサ測定面5のセンサ端縁5 a 、 5 bの片方に
膜8面が接触し、他のセンサ端縁5a、5bでは膜8面
とセンサ測定面5が0.12mm4れて設定され、膜8
面とセンサ測定面5が平均して 0.1±0.05+n
+の距離を保つことができないため、歪の測定は不可能
であった。一方、本発明の磁歪測定器Bであって、セン
サ測定面5の直径約2關の電極5′部分を残して約1゛
の面取つ10を施した歪センサ4を使用した場合、セン
サ測定面5の中央部で薄膜8との距離を0.1止とした
時、センサ端縁5a、5bでの薄膜8との距離は約1.
012++11+であり、歪センサ4の十分な測定範囲
内にあり、磁歪定数の測定を行うことができた。
(3)発明の効果 かくして、本発明の磁歪定数測定器は歪の測定にセンサ
測定面に電極を残して面取りを施した静電容量形の歪セ
ンサを用い、かつ長方形試料を収り付ける(敢動台は、
少なくとも上下方向に微動可能で、かつ長方形試料の長
辺方向を含み軟磁性膜面及びセンナ測定面に垂直面内で
仰伏機構を持っているので、長方形試料の設定が簡単で
、膜応力の大きい反った長方形試料でも磁歪定数の測定
が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の磁歪測定器の歪センサ部分と長方形
試料固定部分の拡大図、 第2図は、従来の磁歪定数測定器の一例を示し、第3図
は、従来の磁歪測定器の歪センサ部分と長方形試料固定
部分の拡大図である。 A、B・・・磁歪定数測定器 1・・・定盤 2.3・・・ヘルムホルツコイ 4・・・歪センサ 5・・・センサ測定面 5a、5b・・・センサ端縁 6・・・微動台 8・・・軟磁性膜 0・・・面取り ル ア・・・長方形試料 9・・・長方形基板 11・・・仰伏機構 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 直交するふた組のヘルムホルツコイルから発生する磁界
    の中心付近に静電容量形歪センサの上端センサ測定面を
    配し、長方形基板下面に形成しかつ磁気異方性を長辺ま
    たは短辺に平行に付与した軟磁性薄膜のどちらかの辺が
    、前記ヘルムホルツコイルの一方の磁界方向に一致させ
    て配置する長方形試料の基端を片持ち梁状に固定すると
    ともにその自由端を前記センサ測定面直上に臨ませ前記
    ヘルムホルツコイルの一組ずつ交互に磁界を発生させた
    時、またはふた組の前記ヘルムホルツコイルを前記軟磁
    性膜面に平行に回転させた時に測定される歪の差の最大
    値から磁歪定数を求める装置において、前記歪センサの
    前記センサ測定面に面取りを施しかつ前記長方形試料の
    基端を片持ち梁状に固定する治具が、少なくても上下方
    向に前記長方形試料を移動可能とするとともに当該長方
    形試料の自由端を傾斜可能に仰伏機構を設けたことを特
    徴とする磁歪定数測定器。
JP32200388A 1988-12-22 1988-12-22 磁歪定数測定器 Pending JPH02168182A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102890252A (zh) * 2012-09-26 2013-01-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102890252A (zh) * 2012-09-26 2013-01-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法
CN102890252B (zh) * 2012-09-26 2015-10-14 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法

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