JPH02166707A - 薄膜インダクタ - Google Patents
薄膜インダクタInfo
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- JPH02166707A JPH02166707A JP32037388A JP32037388A JPH02166707A JP H02166707 A JPH02166707 A JP H02166707A JP 32037388 A JP32037388 A JP 32037388A JP 32037388 A JP32037388 A JP 32037388A JP H02166707 A JPH02166707 A JP H02166707A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は高周波数で動作する高密度薄膜イクダクタの改
良に関するものである。
良に関するものである。
〈従来の技術〉
第３図に例えば、一般に行われているインダクタの斜視
図を示す。第３図において、１は基板、６はストリップ
状磁性体、７は導体である。次にその動作について説明
する。インダクタは複数の磁性体６とそれを取り巻く絶
縁物を被覆された導電体７からなっている。この磁心と
なる磁性体６を細く、また近接させることにより漏れ磁
束を少なく、かつ反磁界を小さくでき、高いインダクタ
ンス鎖を得る。
図を示す。第３図において、１は基板、６はストリップ
状磁性体、７は導体である。次にその動作について説明
する。インダクタは複数の磁性体６とそれを取り巻く絶
縁物を被覆された導電体７からなっている。この磁心と
なる磁性体６を細く、また近接させることにより漏れ磁
束を少なく、かつ反磁界を小さくでき、高いインダクタ
ンス鎖を得る。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、従来のインダクタンスでは、ストリップ状磁性
体の間隔が大きく、インダクタの寸法を小さくしにくい
。そこで、本発明は単位面積（体積）当りの磁性体膜を
増加させることになり、単位面積当りのインダクタンス
値を増大させるとともに、高い周波数領域で動作する薄
膜インダクタを得ることを目的とする。
体の間隔が大きく、インダクタの寸法を小さくしにくい
。そこで、本発明は単位面積（体積）当りの磁性体膜を
増加させることになり、単位面積当りのインダクタンス
値を増大させるとともに、高い周波数領域で動作する薄
膜インダクタを得ることを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
本発明に係る薄膜インダクタは導体膜を絶縁板上に複数
本並べ、それに直交するように薄い絶縁層を介して磁心
となる第１および第２のストリッブ状磁性体膜列を高密
度に複数本並べ、更に下部の導体と電気的に接続した導
体を薄膜絶縁層を介して磁性体膜列に並べて構成したも
のである。
本並べ、それに直交するように薄い絶縁層を介して磁心
となる第１および第２のストリッブ状磁性体膜列を高密
度に複数本並べ、更に下部の導体と電気的に接続した導
体を薄膜絶縁層を介して磁性体膜列に並べて構成したも
のである。
く作用〉
本発明における薄膜インダクタは磁心の上下に導体膜を
配置し構成させたものであり、磁心はストリップ状磁性
体膜を極近接して配置するため、漏れ磁束の少ない磁気
回路が構成され高いインダクタンス鎖が得られる。
配置し構成させたものであり、磁心はストリップ状磁性
体膜を極近接して配置するため、漏れ磁束の少ない磁気
回路が構成され高いインダクタンス鎖が得られる。
〈実施例〉
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による薄膜インダクタの一実施例を示す
斜視図、第２図は第１図のａ−ｂ線で切った断面図であ
る。第１図及び第２図で１１は絶縁基板、１２は複数本
のストリップ状導体膜、１３は絶縁膜、１４は導体膜１
２に直交する複数本の第１のストリップ状磁性体膜列、
１５は磁性体膜列１４に平行に設けられた第２のストリ
ップ状磁性体膜列である。第１図では導体膜１２と磁性
体膜列１４，１５との間の絶縁膜を省略したが第２図に
示すように導体膜１２と磁性体膜列１４゜１５は絶縁膜
１３で絶縁されている。図中に示してないが導体膜１２
は絶縁基板１１に適当な下地膜を施すことにより基板１
１との密着性を良くしである。第１の磁性体膜列１４と
第２の磁性体膜列１５はＳ ｉｏ ２等の絶縁膜１３で
極近接して配置されている。次に動作について説明する
。導体膜１２の電流は、段数の磁心である磁性体膜列１
４．１５の周囲を流れ、その中に磁束を生じせしめる。
斜視図、第２図は第１図のａ−ｂ線で切った断面図であ
る。第１図及び第２図で１１は絶縁基板、１２は複数本
のストリップ状導体膜、１３は絶縁膜、１４は導体膜１
２に直交する複数本の第１のストリップ状磁性体膜列、
１５は磁性体膜列１４に平行に設けられた第２のストリ
ップ状磁性体膜列である。第１図では導体膜１２と磁性
体膜列１４，１５との間の絶縁膜を省略したが第２図に
示すように導体膜１２と磁性体膜列１４゜１５は絶縁膜
１３で絶縁されている。図中に示してないが導体膜１２
は絶縁基板１１に適当な下地膜を施すことにより基板１
１との密着性を良くしである。第１の磁性体膜列１４と
第２の磁性体膜列１５はＳ ｉｏ ２等の絶縁膜１３で
極近接して配置されている。次に動作について説明する
。導体膜１２の電流は、段数の磁心である磁性体膜列１
４．１５の周囲を流れ、その中に磁束を生じせしめる。
各磁心内の磁束はすべて同一方向に流れ、また近接する
細いストリップ状のため反磁界は小さくなり、高インダ
クタンスが得られる。またこの効果は第１および第２の
ストリップ状磁性体膜列間の絶縁膜１３の間隔を狭くし
、ストリップ状磁性体膜列の数を増すことができるため
に高周波数領域で効果的である。なお、上記実施例は、
磁性体膜列を一層の場合を示したが多層の積層磁性体膜
の場合でも良い。この時、磁性体膜の上に絶縁膜を施し
、上記磁性体膜の成膜を繰り返すことにより多層磁性体
膜を用いてインダクタンスを構成しても良い。
細いストリップ状のため反磁界は小さくなり、高インダ
クタンスが得られる。またこの効果は第１および第２の
ストリップ状磁性体膜列間の絶縁膜１３の間隔を狭くし
、ストリップ状磁性体膜列の数を増すことができるため
に高周波数領域で効果的である。なお、上記実施例は、
磁性体膜列を一層の場合を示したが多層の積層磁性体膜
の場合でも良い。この時、磁性体膜の上に絶縁膜を施し
、上記磁性体膜の成膜を繰り返すことにより多層磁性体
膜を用いてインダクタンスを構成しても良い。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、ストリップ状磁性体膜列
を極近接してほぼ同一面に平行に配置しているため、漏
れ磁束を低減出来、また高密度に積層出来ることから、
インダクタンス値の高い高密度インダクタを得ることが
できる。
を極近接してほぼ同一面に平行に配置しているため、漏
れ磁束を低減出来、また高密度に積層出来ることから、
インダクタンス値の高い高密度インダクタを得ることが
できる。
第１図は本発明の一実施例で一層の近接平行磁性体膜を
宵する薄膜インダクタの斜視図、第２図は第１図のａ−
ｂ線で切った断面図、第３図は一般的な薄膜インダクタ
の斜視図である。 １１・・・絶縁基板、１２・・・導体膜、１３・・・絶
縁膜、１４・・・第１の磁性体膜列、１５・・・第２の
磁性体膜列。 第１図 第２図 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第３図
宵する薄膜インダクタの斜視図、第２図は第１図のａ−
ｂ線で切った断面図、第３図は一般的な薄膜インダクタ
の斜視図である。 １１・・・絶縁基板、１２・・・導体膜、１３・・・絶
縁膜、１４・・・第１の磁性体膜列、１５・・・第２の
磁性体膜列。 第１図 第２図 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第３図
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に配置された複数本の第１のストリッ
プ状磁性体膜列と、この磁性体膜列を励磁する様に取り
巻く複数本のストリップ状導体膜よりなる薄膜インダク
タにおいて、第１のストリップ状磁性体膜列に平行に第
２のストリップ状磁性体膜列をほぼ同一面に極近接して
配置することを特徴とする薄膜インダクタ。 - （２）ストリップ状磁性体膜列を積層磁性体膜としたこ
とを特徴とする請求項１記載の薄膜インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63320373A JPH0658846B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 薄膜インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63320373A JPH0658846B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 薄膜インダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166707A true JPH02166707A (ja) | 1990-06-27 |
| JPH0658846B2 JPH0658846B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=18120750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63320373A Expired - Lifetime JPH0658846B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 薄膜インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658846B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53103147U (ja) * | 1977-01-25 | 1978-08-19 | ||
| JPS563653A (en) * | 1979-06-23 | 1981-01-14 | Nippon Gakki Seizo Kk | Manufacture of seal bonding material |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63320373A patent/JPH0658846B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53103147U (ja) * | 1977-01-25 | 1978-08-19 | ||
| JPS563653A (en) * | 1979-06-23 | 1981-01-14 | Nippon Gakki Seizo Kk | Manufacture of seal bonding material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658846B2 (ja) | 1994-08-03 |
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