JPH02166459A - 光重合性フオトレジスト層の剥離液組成物 - Google Patents
光重合性フオトレジスト層の剥離液組成物Info
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、プリント基板の作成等、金属表面の微細加工
に使用されろ光重合性フオトレジスト層の、剥離液組成
物に関する。更に詳しくは、カルボン酸基含有有機高分
子パイングーと分子中に少なくとも2個のエチレン性不
飽和基を含有する化合物と光重合開始Mを含有するアル
カリ現像型光重合性フォトレジスト層の光硬化部を除去
するための剥離液組成物に関する。
に使用されろ光重合性フオトレジスト層の、剥離液組成
物に関する。更に詳しくは、カルボン酸基含有有機高分
子パイングーと分子中に少なくとも2個のエチレン性不
飽和基を含有する化合物と光重合開始Mを含有するアル
カリ現像型光重合性フォトレジスト層の光硬化部を除去
するための剥離液組成物に関する。
「従来の技術」
金属表面の微細加工技術の1つであるフオトレジスト法
においては、通常金属表面に7オトレノスト層を施し、
所望のパターン露光を行った後で現像することにより該
パターンのレジスト像を得る。その後レノストに被覆さ
れていない金属の部分をエツチングによりWk去するか
電気メツキ浴中でメツキした後で、レノストは活性の溶
液を用いる処理により除去される。このレジストの活性
溶液処理による除去工程を一般的に「剥離」と称する。
においては、通常金属表面に7オトレノスト層を施し、
所望のパターン露光を行った後で現像することにより該
パターンのレジスト像を得る。その後レノストに被覆さ
れていない金属の部分をエツチングによりWk去するか
電気メツキ浴中でメツキした後で、レノストは活性の溶
液を用いる処理により除去される。このレジストの活性
溶液処理による除去工程を一般的に「剥離」と称する。
使用される剥離液は通常、強塩基の水溶液、例えば特公
昭55−38961号に記載のごとく水酸化ナトリウム
水溶液である。またしばしば有機溶剤を含有するアルカ
リ性水溶液が用いられる。
昭55−38961号に記載のごとく水酸化ナトリウム
水溶液である。またしばしば有機溶剤を含有するアルカ
リ性水溶液が用いられる。
例えば米国特許第4202703号では、テトフメチル
7ンモニツムヒraキシド溶液と低級アルコール中の湿
潤剤によるネガ型フオトレジストの剥離及び引き続くト
リクロルメタン中への浸漬、特開昭57−163236
号にはアルカリ土属水酸化物・ポリエチレングリコ−ル
モノアルキルエーテル・水からなる剥11fil液、特
開昭57−165834号には水に可溶なアミン化合物
・水混和性有機溶剤・水から成る剥離液、特開昭63−
121848号にはアミン類とアルカリ性水溶液、特開
昭62−50832号には有機第4アンモニウム塩基の
水溶液が記載されている。
7ンモニツムヒraキシド溶液と低級アルコール中の湿
潤剤によるネガ型フオトレジストの剥離及び引き続くト
リクロルメタン中への浸漬、特開昭57−163236
号にはアルカリ土属水酸化物・ポリエチレングリコ−ル
モノアルキルエーテル・水からなる剥11fil液、特
開昭57−165834号には水に可溶なアミン化合物
・水混和性有機溶剤・水から成る剥離液、特開昭63−
121848号にはアミン類とアルカリ性水溶液、特開
昭62−50832号には有機第4アンモニウム塩基の
水溶液が記載されている。
従来、光硬化部のレノストの除去法としては、剥離液中
に浸漬するか、剥離液をスプレーすることにより光硬化
部を剥離片の形で膨潤除去することが行われている。し
かしながら、これらの従来の方法では、生じる剥離片の
サイズが大きいことがしばしばあり、自動剥1111f
iを用いた場合、剥離片が基板搬送ロールに絡み付いた
り、フィルターの目詰まりを起こすなどの問題があった
。また、たとえ小さな剥離片が生じたとしても、剥離液
の安全性・臭気・コスト等の点でまだまだ満足できるも
のではなかった。
に浸漬するか、剥離液をスプレーすることにより光硬化
部を剥離片の形で膨潤除去することが行われている。し
かしながら、これらの従来の方法では、生じる剥離片の
サイズが大きいことがしばしばあり、自動剥1111f
iを用いた場合、剥離片が基板搬送ロールに絡み付いた
り、フィルターの目詰まりを起こすなどの問題があった
。また、たとえ小さな剥離片が生じたとしても、剥離液
の安全性・臭気・コスト等の点でまだまだ満足できるも
のではなかった。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は、安全性・臭気・コストの点で有利であ
ると共に剥離片の大きさを減少しうる、光重合性7オト
レシスト層の剥離液組成物を提供することである。
ると共に剥離片の大きさを減少しうる、光重合性7オト
レシスト層の剥離液組成物を提供することである。
本発明の第2の目的は、剥離速度・剥離処理能力が大き
く、廃水処理のコストの低い剥離液組成物を提供するこ
とである。
く、廃水処理のコストの低い剥離液組成物を提供するこ
とである。
[問題を解決するための手段]
本発明者らは鋭意研究の結果、ベンジルアルコール、ア
ニオン型界面活性剤、アルカリ剤及び水から成る剥離液
組成物を用いることにより本発明の目的が達成されるこ
とを見いだした。
ニオン型界面活性剤、アルカリ剤及び水から成る剥離液
組成物を用いることにより本発明の目的が達成されるこ
とを見いだした。
以下に、本発明の詳細な説明する。
本発明において使用されるアニオン型界面活性剤として
は、炭素数が8〜22個までの高級アルコール硫酸エス
テル塩*:例えば、ラウリルアルコールサルフェートの
ナトリウム塩、オクチルアルコールサルフェートのナト
リウム塩、ラウリルアルコールサルフェートのアンモニ
ウムfi、rTeepolB−81J (シェル化学
社製商品名)、第2ナトリウムアルキルサルフエート等
、脂肪族アルコール燐酸エステル類:例えば、セチルア
ルコール燐酸エステルのナトリウム塩、アルキル7リー
ルスルホン酸塩wi:例えば、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸のナトリウム塩、イソプロピルナフタレンスルホン
酸のすYリウム塩、L−ブチルナフタレンスルホン酸の
ナトリウム塩、yt −ytルナ7タレンスルホン酸の
ナトリウム塩、ノナ7タレンジスルホン酸のナトリウム
塩、メタニトロベンゼンスルホン酸のナトリウム塩等、
フルキルアミドのスルホン酸塩類:例えば、 C+ v H3jCON CH2CH2S O3N 8
等、2塩基 H3 性脂肪酸エステルのスルホン酸塩wi:例えば、ナトリ
ウムスルホコハク酸ジオクチルエステル、ナトリウムス
ルホコへり酸ジヘキシルエステル等、ポリオキシアルキ
レンナフチルエーテル硫酸エステルの塩類が挙げられる
。待に、L−ブチルナフタレンスルホン酸のナトリウム
塩を主成分とする[ペレックスNBLJ (化工アト
ラス(株)製部品名)、イソプロ虻ルナ7タレンスルホ
ン酸ナトリウム塩である[AerosolO8J (
アメリカンシアナミド社製商品名)及び[二ニーコール
B4SNJ (日本乳化剤(株)製部品名)は、ベン
シルアルコールとの組み合わせにおいて、少量で有効に
働くので好適である。
は、炭素数が8〜22個までの高級アルコール硫酸エス
テル塩*:例えば、ラウリルアルコールサルフェートの
ナトリウム塩、オクチルアルコールサルフェートのナト
リウム塩、ラウリルアルコールサルフェートのアンモニ
ウムfi、rTeepolB−81J (シェル化学
社製商品名)、第2ナトリウムアルキルサルフエート等
、脂肪族アルコール燐酸エステル類:例えば、セチルア
ルコール燐酸エステルのナトリウム塩、アルキル7リー
ルスルホン酸塩wi:例えば、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸のナトリウム塩、イソプロピルナフタレンスルホン
酸のすYリウム塩、L−ブチルナフタレンスルホン酸の
ナトリウム塩、yt −ytルナ7タレンスルホン酸の
ナトリウム塩、ノナ7タレンジスルホン酸のナトリウム
塩、メタニトロベンゼンスルホン酸のナトリウム塩等、
フルキルアミドのスルホン酸塩類:例えば、 C+ v H3jCON CH2CH2S O3N 8
等、2塩基 H3 性脂肪酸エステルのスルホン酸塩wi:例えば、ナトリ
ウムスルホコハク酸ジオクチルエステル、ナトリウムス
ルホコへり酸ジヘキシルエステル等、ポリオキシアルキ
レンナフチルエーテル硫酸エステルの塩類が挙げられる
。待に、L−ブチルナフタレンスルホン酸のナトリウム
塩を主成分とする[ペレックスNBLJ (化工アト
ラス(株)製部品名)、イソプロ虻ルナ7タレンスルホ
ン酸ナトリウム塩である[AerosolO8J (
アメリカンシアナミド社製商品名)及び[二ニーコール
B4SNJ (日本乳化剤(株)製部品名)は、ベン
シルアルコールとの組み合わせにおいて、少量で有効に
働くので好適である。
本発明の剥離液組成物中におけるアニオン型界面活性剤
の含有比率は、0.1〜5重1%が好適であり、より好
ましくは0.5〜1.5重量%である。0.1重量%未
満ではその効果が認められず、5重量%を越えると発泡
し易くなり好ましくない。
の含有比率は、0.1〜5重1%が好適であり、より好
ましくは0.5〜1.5重量%である。0.1重量%未
満ではその効果が認められず、5重量%を越えると発泡
し易くなり好ましくない。
ベンノルアルコールの含有比率は、1〜5重1%が好適
であり、より好ましくは0.5〜3重量%である。該ベ
ンノルアルコールの含有量は該アニオン型界面活性剤の
含有量と密接な関係があり、ベンジルアルコールの量が
増えるに連れて、アニオン型界面活性剤の量を増加させ
ねばならない。
であり、より好ましくは0.5〜3重量%である。該ベ
ンノルアルコールの含有量は該アニオン型界面活性剤の
含有量と密接な関係があり、ベンジルアルコールの量が
増えるに連れて、アニオン型界面活性剤の量を増加させ
ねばならない。
アニオン型界面活性剤の量が少なく、ベンクルアルコー
ルを多く用いるとベンノルアルコールが十分に溶解せず
、剥離液が濁ることがあり好ましくない。
ルを多く用いるとベンノルアルコールが十分に溶解せず
、剥離液が濁ることがあり好ましくない。
アルカリ剤としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化リチウム、水酸化アンモニウム等を挙げるこ
とができる。アルカリ剤の含有比率は0.5〜5重量%
が好適である。0.5重量%未満では剥離が完全には行
われないか、完全に行われたとしても極めて時間がかか
り能率が低い。
ム、水酸化リチウム、水酸化アンモニウム等を挙げるこ
とができる。アルカリ剤の含有比率は0.5〜5重量%
が好適である。0.5重量%未満では剥離が完全には行
われないか、完全に行われたとしても極めて時間がかか
り能率が低い。
一方、5重量%を越えると、錫やノ為ング等のメツキ金
属を損なうので好ましくない。
属を損なうので好ましくない。
レノストの剥離は、一般に、室温以上、好ましくは30
〜80℃で行う、剥離に要する時間は剥離液の温度、剥
離液の組成及び固形分濃度に依存するが、30秒〜3分
で行うのが望ましい。
〜80℃で行う、剥離に要する時間は剥離液の温度、剥
離液の組成及び固形分濃度に依存するが、30秒〜3分
で行うのが望ましい。
本発明の剥離液組成物は、一般に用いられている、剥離
液の洛中にレノストを有する基板を浸漬する方法、また
浸漬しながら超音波を照射する方法、及び基板を搬送す
る装置・剥離液をスプレーする装置・剥離液を集めスプ
レーに循環する装置を組み合わせたいわゆる自動剥離機
を用いる方法等において使用される。
液の洛中にレノストを有する基板を浸漬する方法、また
浸漬しながら超音波を照射する方法、及び基板を搬送す
る装置・剥離液をスプレーする装置・剥離液を集めスプ
レーに循環する装置を組み合わせたいわゆる自動剥離機
を用いる方法等において使用される。
本発明の剥離液組成物中には、さらに公知の消泡剤を添
加することができる。消泡剤の例としては、特公昭42
−11328号記載のカルボン酸アルミニウム塩、炭素
数6以上の高級アルコール、高級脂肪酸、パラフィンワ
ックス、流動パラフィン、鉱油、軽油の単独もしくは混
合品、特公昭42−22455号記載の脂肪族炭化水素
、脂環族炭化水素、芳香族炭化水素の単独もしくは混合
物より成る群から選ばれた、沸息が66℃以上の疎水性
液体と疎水性シリカの組み合わせ、特公昭42−261
79号に記載の水に不溶性の非極性有機体と疎水性シリ
カの組み合わせのほか、特公昭45−19977号、同
47−13487号、同49−31873号、同49−
45472号、同50−1475号、同50−5157
号、同51−31038号、同52−22356号、同
53−35688号、特開昭49−109276号、同
47−12177号、同48−36084号、同51−
20787号等に記載の消泡剤組成物を挙げることがで
きる。
加することができる。消泡剤の例としては、特公昭42
−11328号記載のカルボン酸アルミニウム塩、炭素
数6以上の高級アルコール、高級脂肪酸、パラフィンワ
ックス、流動パラフィン、鉱油、軽油の単独もしくは混
合品、特公昭42−22455号記載の脂肪族炭化水素
、脂環族炭化水素、芳香族炭化水素の単独もしくは混合
物より成る群から選ばれた、沸息が66℃以上の疎水性
液体と疎水性シリカの組み合わせ、特公昭42−261
79号に記載の水に不溶性の非極性有機体と疎水性シリ
カの組み合わせのほか、特公昭45−19977号、同
47−13487号、同49−31873号、同49−
45472号、同50−1475号、同50−5157
号、同51−31038号、同52−22356号、同
53−35688号、特開昭49−109276号、同
47−12177号、同48−36084号、同51−
20787号等に記載の消泡剤組成物を挙げることがで
きる。
本発明において使用する光重合性7オトレノスト層は、
アルカリ現像可能なタイプのものであり、カルボン酸基
含有有機高分子バインダーと分子中に少なくとも2個の
エチレン性不飽和基を含有する化合物と光重合開始剤を
含有する。この層中には、更に熱重合防止剤、焼きだし
のためのロイコ色素、染料、顔料、水素供与体、可塑剤
、密着促進剤を含有することができる。
アルカリ現像可能なタイプのものであり、カルボン酸基
含有有機高分子バインダーと分子中に少なくとも2個の
エチレン性不飽和基を含有する化合物と光重合開始剤を
含有する。この層中には、更に熱重合防止剤、焼きだし
のためのロイコ色素、染料、顔料、水素供与体、可塑剤
、密着促進剤を含有することができる。
光重合性フオトレジスト層に好適なカルボン酸基含有有
機高分子バインダーは、アルカリ水溶液に可溶であるか
、少なくとも膨潤性である。その例として次ぎのらのが
挙げられる。0内はバインダーの例である。特公昭46
−32714号(メタクリル酸メチル/メタクリル酸共
重合体)、特公昭54−34327号(メタクリル酸メ
チル// P 91フル@−2−エチルヘキシル/メタ
クリル酸の3元共重合体)、特公昭55−38961号
(スチレン/マレイン酸量)n−ブチルエステル共重合
体)、特公昭5G−33413号(メタクリル酸メチル
/アクリル酸エチル/メタクリル酸の3元共重合体)、
特公昭54−25957号(スチレン/メタクリル酸メ
チル/アクリル酸エチル/メタクリル酸の4元共重合体
)、特開昭52−998109(メタクリル酸ベンジル
/メタクリル酸共重合体)、特公昭58−12577号
(アクリロニトリル/メタクリル酸2−エチルヘキシル
/メタクリル酸の3元共重合体)、特公昭55−621
0号(メタクリル酸メチル/アクリル酸エチル/アクリ
ル酸の3元共重合体とインプロパツールで一部分エステ
ル化したスチレン/マレイン酸無水物共重合体の2種混
合物)、特開昭58−1142号(メタクリル酸メチル
/メタクリル酸/アクリル酸2−エチルヘキシル/メタ
クリルW1n−ブチルの4元共重合体)及び特開昭63
−147159号(メタクリル酸メチル/アクリル@2
−エチルヘキシル メタクリル酸の4元共重合体)のようなバインダー、該
バインダーの含有比率は、光重合性7オトレノスト層の
全重量基準で、好ましくは40〜80重量%、より好ま
しくは50〜70重量%である。
機高分子バインダーは、アルカリ水溶液に可溶であるか
、少なくとも膨潤性である。その例として次ぎのらのが
挙げられる。0内はバインダーの例である。特公昭46
−32714号(メタクリル酸メチル/メタクリル酸共
重合体)、特公昭54−34327号(メタクリル酸メ
チル// P 91フル@−2−エチルヘキシル/メタ
クリル酸の3元共重合体)、特公昭55−38961号
(スチレン/マレイン酸量)n−ブチルエステル共重合
体)、特公昭5G−33413号(メタクリル酸メチル
/アクリル酸エチル/メタクリル酸の3元共重合体)、
特公昭54−25957号(スチレン/メタクリル酸メ
チル/アクリル酸エチル/メタクリル酸の4元共重合体
)、特開昭52−998109(メタクリル酸ベンジル
/メタクリル酸共重合体)、特公昭58−12577号
(アクリロニトリル/メタクリル酸2−エチルヘキシル
/メタクリル酸の3元共重合体)、特公昭55−621
0号(メタクリル酸メチル/アクリル酸エチル/アクリ
ル酸の3元共重合体とインプロパツールで一部分エステ
ル化したスチレン/マレイン酸無水物共重合体の2種混
合物)、特開昭58−1142号(メタクリル酸メチル
/メタクリル酸/アクリル酸2−エチルヘキシル/メタ
クリルW1n−ブチルの4元共重合体)及び特開昭63
−147159号(メタクリル酸メチル/アクリル@2
−エチルヘキシル メタクリル酸の4元共重合体)のようなバインダー、該
バインダーの含有比率は、光重合性7オトレノスト層の
全重量基準で、好ましくは40〜80重量%、より好ま
しくは50〜70重量%である。
本発明で使用する光重合性7オトレノスF層に好適に用
いられる、分子中に少なくとも2個のエチレン性不飽和
基を含有する化合物の例としては、特公昭35−509
3号、同35−14719号、同44−28727号、
米国特許@4495271号に記載されている、ポリオ
ールのアクリル酸もしくはメタクリル酸エステル類、即
ちノエチレングリコールノ(メタ)7クリレート、トリ
エチレングリコールノ(メタ)アクリレート、テトラエ
チレングリコールレノ(メタ)7クリレート、ノナエチ
レングリコールノ(メタ)アクリレート、ポリプロビレ
ングリコールシ(メタ)7クリレート、ペンタエリスリ
トールトリ (メタ)アクリレート、トリメチロールプ
ロパントリ (メタ)アクリレート、トリメチロールプ
ロバンク(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール
テトラ(メタ)7クリレート、ジペンタエリスリトール
テトラ (メタ)7クリレート、ノペンタエリスリトー
ルベンタ(メタ)アクリレート、ノペンタエリスリトー
ルヘキサ(メタ)アクリレート、L6−へキサンクオー
ルノ(メタ)7クリレート等、またはビス(メタ)アク
リル7ミド類、すなわちメチレンビス(メタ)7クリル
アミド、エチレンビス(ツタ)アクリル7ミド、−一キ
シリレンビス(メタ)アクリルアミド等、あるいはウレ
タン基を含有する化合物、即ち、シ(2−7タクリロキ
シシエチル)2t+−トリレンノウレタン、ノ(2−7
クリロキシエチル)ヘキサメチレンクラレタン、または
ポリオールとジイソシアネートとをあらかじめ反応させ
て得られる末端インン7ネート化合物に更にβ−ヒドロ
キシフルキル(メタ)アクリレートを反応せしめること
により得られる(/夕)アクリルウレタンオリゴマー、
例えば、2.4−トリレンジイソシアネートを4モルと
エチレングリコールを3モルとの反応生成物に1モルの
β−ヒドロキシエチル7クリレートを反応して得られる
オリゴマー等が挙げられる。
いられる、分子中に少なくとも2個のエチレン性不飽和
基を含有する化合物の例としては、特公昭35−509
3号、同35−14719号、同44−28727号、
米国特許@4495271号に記載されている、ポリオ
ールのアクリル酸もしくはメタクリル酸エステル類、即
ちノエチレングリコールノ(メタ)7クリレート、トリ
エチレングリコールノ(メタ)アクリレート、テトラエ
チレングリコールレノ(メタ)7クリレート、ノナエチ
レングリコールノ(メタ)アクリレート、ポリプロビレ
ングリコールシ(メタ)7クリレート、ペンタエリスリ
トールトリ (メタ)アクリレート、トリメチロールプ
ロパントリ (メタ)アクリレート、トリメチロールプ
ロバンク(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール
テトラ(メタ)7クリレート、ジペンタエリスリトール
テトラ (メタ)7クリレート、ノペンタエリスリトー
ルベンタ(メタ)アクリレート、ノペンタエリスリトー
ルヘキサ(メタ)アクリレート、L6−へキサンクオー
ルノ(メタ)7クリレート等、またはビス(メタ)アク
リル7ミド類、すなわちメチレンビス(メタ)7クリル
アミド、エチレンビス(ツタ)アクリル7ミド、−一キ
シリレンビス(メタ)アクリルアミド等、あるいはウレ
タン基を含有する化合物、即ち、シ(2−7タクリロキ
シシエチル)2t+−トリレンノウレタン、ノ(2−7
クリロキシエチル)ヘキサメチレンクラレタン、または
ポリオールとジイソシアネートとをあらかじめ反応させ
て得られる末端インン7ネート化合物に更にβ−ヒドロ
キシフルキル(メタ)アクリレートを反応せしめること
により得られる(/夕)アクリルウレタンオリゴマー、
例えば、2.4−トリレンジイソシアネートを4モルと
エチレングリコールを3モルとの反応生成物に1モルの
β−ヒドロキシエチル7クリレートを反応して得られる
オリゴマー等が挙げられる。
分子中に少なくとも2個のエチレン性不飽和基を含有す
る化合物の含有比率は、光重合性フオトレジスト層の全
重量基準で、好ましくは7.5〜55重量%、より好ま
しくは15〜45重1%である。
る化合物の含有比率は、光重合性フオトレジスト層の全
重量基準で、好ましくは7.5〜55重量%、より好ま
しくは15〜45重1%である。
光重合性フオトレジスト層に好適に用いられる光重合開
始剤としては、前記分子中に少なくとも2個のエチレン
性不飽和基を含有する化合物の光重合を開始し得る単一
の化合物もしくは2111以上の化合物を組み合わせた
光重合開始剤系はすべて用いることができる。なかでも
、約300〜800n鴫、より好ましくは330〜50
0nmの範囲に少なくとも約50の分子吸光係数を有す
る成分を少な(とも1種含有している光重合開始剤もし
くは開始剤系が好ましい。
始剤としては、前記分子中に少なくとも2個のエチレン
性不飽和基を含有する化合物の光重合を開始し得る単一
の化合物もしくは2111以上の化合物を組み合わせた
光重合開始剤系はすべて用いることができる。なかでも
、約300〜800n鴫、より好ましくは330〜50
0nmの範囲に少なくとも約50の分子吸光係数を有す
る成分を少な(とも1種含有している光重合開始剤もし
くは開始剤系が好ましい。
光重合開始剤の好ましい具体例として、次の化合物を挙
げることができる。芳香族ケトン類、例えば、ベンゾフ
ェノン、4,4°−ビス(ツメチルアミノ)ベンゾフェ
ノン、4−ノドキン−4゜ジメチルアミ/ベンゾフェノ
ン、4.4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−ジメチ
ル7ミノベンゾフエノン、4−ツメチル7ミノ7セト7
エ/ン、ベンノル、7ントラキノン、2−tert−ブ
チル7ントラキノン、2−7チル7ントラキ/ン、キサ
ントン、チオキサントン、2−クロルチオキサントン、
2.4−クエチルチオキサントン、フルオレノン、アク
リドン、ベンゾイン及びベンゾインエーテル類、例えば
、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェ
ニルエーテル、及び2,4.5−)リアリールイミダゾ
ール二量体、例えば、2−(o−クロロフェニル)−4
゜5−ノフェニルイミダゾールニ量体、2(o−クロロ
フェニル)−4,5−ジ(−一メトキシ7工二ル)イミ
ダゾールニflk体、2− (o −フルオロフェニル
)−4,5−シ7二二ルイミダゾール二量体、2−(o
−メトキシフェニル)−4,5−シフェニルイミグゾー
ルニ量体%2(p−ノドキシフェニル)−4,5−7フ
工ニルイミダゾールニ量体、及びポリハロゲン化合物、
例えば、VA央化R1フェニルトリブロモメチルスルホ
ン、フェニルトリクロロメチルケトン、及び待閏昭53
−133428号、特公昭57−1819号、特公昭5
7−6096号、米国特許第3615455号の明細書
中に記載の化合物、2種またはそれ以上の化合物の組み
合わせの例としては、2゜4.5−トリアリールイミダ
ゾールニ量体と/ルカプトペンズオキサゾールもしくは
ロイコクリスタルバイオレット等との組み合わせ、米国
特許第3427161号に記載の4,4゛−ビス(ジメ
チルアミノ)ベンゾフェノンとベンゾ7エ/ンもしくは
ベンゾインメチルエーテルとの組み合わせ、米国特許@
4239850号に記載のベンゾイル−N−メチルナフ
トチアゾリンと2.4−ビス(トリクロロメチル)−6
−(4°−メトキシ7エ二ル)−トリアゾールの組み合
わせ、また特開昭57−23602号に記載のノアルキ
ル7ミノ安息香酸エステルとツメチルチオキサントンの
組み合わせ、特開昭59−78339号の4.4゛−ビ
ス(ツメチルアミノ)ベンゾフェノンとベンゾフェノン
とポリへロデン化メチル化合物の組み合わせを挙げるこ
とができる。
げることができる。芳香族ケトン類、例えば、ベンゾフ
ェノン、4,4°−ビス(ツメチルアミノ)ベンゾフェ
ノン、4−ノドキン−4゜ジメチルアミ/ベンゾフェノ
ン、4.4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−ジメチ
ル7ミノベンゾフエノン、4−ツメチル7ミノ7セト7
エ/ン、ベンノル、7ントラキノン、2−tert−ブ
チル7ントラキノン、2−7チル7ントラキ/ン、キサ
ントン、チオキサントン、2−クロルチオキサントン、
2.4−クエチルチオキサントン、フルオレノン、アク
リドン、ベンゾイン及びベンゾインエーテル類、例えば
、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェ
ニルエーテル、及び2,4.5−)リアリールイミダゾ
ール二量体、例えば、2−(o−クロロフェニル)−4
゜5−ノフェニルイミダゾールニ量体、2(o−クロロ
フェニル)−4,5−ジ(−一メトキシ7工二ル)イミ
ダゾールニflk体、2− (o −フルオロフェニル
)−4,5−シ7二二ルイミダゾール二量体、2−(o
−メトキシフェニル)−4,5−シフェニルイミグゾー
ルニ量体%2(p−ノドキシフェニル)−4,5−7フ
工ニルイミダゾールニ量体、及びポリハロゲン化合物、
例えば、VA央化R1フェニルトリブロモメチルスルホ
ン、フェニルトリクロロメチルケトン、及び待閏昭53
−133428号、特公昭57−1819号、特公昭5
7−6096号、米国特許第3615455号の明細書
中に記載の化合物、2種またはそれ以上の化合物の組み
合わせの例としては、2゜4.5−トリアリールイミダ
ゾールニ量体と/ルカプトペンズオキサゾールもしくは
ロイコクリスタルバイオレット等との組み合わせ、米国
特許第3427161号に記載の4,4゛−ビス(ジメ
チルアミノ)ベンゾフェノンとベンゾ7エ/ンもしくは
ベンゾインメチルエーテルとの組み合わせ、米国特許@
4239850号に記載のベンゾイル−N−メチルナフ
トチアゾリンと2.4−ビス(トリクロロメチル)−6
−(4°−メトキシ7エ二ル)−トリアゾールの組み合
わせ、また特開昭57−23602号に記載のノアルキ
ル7ミノ安息香酸エステルとツメチルチオキサントンの
組み合わせ、特開昭59−78339号の4.4゛−ビ
ス(ツメチルアミノ)ベンゾフェノンとベンゾフェノン
とポリへロデン化メチル化合物の組み合わせを挙げるこ
とができる。
光重会開始胴もしくは開始剤系の含有比率は、光重合性
フォトレジスト層の全重量基準で、好ましくは、0.1
〜10重量%、より好ましくは0゜2〜6重量%である
。
フォトレジスト層の全重量基準で、好ましくは、0.1
〜10重量%、より好ましくは0゜2〜6重量%である
。
「実施例」
以下に、本発明を実施例に基づいて更に詳しく説明する
。vfに断りのない限り、%及び混合比は重量を基準と
し、また、pbwは重量比を意味する。
。vfに断りのない限り、%及び混合比は重量を基準と
し、また、pbwは重量比を意味する。
実施例1
厚さ25 μ鋤のポリエチレンテレフタレートフィルム
上に、以下に示す組成の、厚さ50 μmの7オトレノ
スト層を形成し、厚さ40 μmのポリエチレンフィル
ムで覆った。
上に、以下に示す組成の、厚さ50 μmの7オトレノ
スト層を形成し、厚さ40 μmのポリエチレンフィル
ムで覆った。
メチルメタクリレ−)/ 15.0pbw2−エ
チルへキシル7 クリレート/ベンノル ツタクリレート/フタ クリル酸の四元共重合 体(モル比=55: 1 1.7: 4.5: 2″8.8) エチルミヒラーズケトン 0,04p b wベン
ゾ7エ/ン 0,45pbwトリブロモ/
チルフェニ 0.45p b wルスルホン ポリプロピレングリフール 7.Op b wノア
クリレート (MW= ポリエチレングリコールノ 2.Op b wzメ
タクリレ) (MW=7 4゛2) 3.6−とX(77zニル7 0,09pbwミノ)
フルオラン 1−7エ=ルー3−モルホ 0.O1pbwリッツチ
ル−1,3,4− トリアゾール−2−チオン ビクトリアピーL7ブIk−0,O1pbwOH 市販のドライフィルムラミネーターを用い、ポリエチレ
ン保!J!フィルムをはぎ取り、レノスト層を銅張り積
層板上に、加熱・加圧しながら積層した0次いで配線パ
ターンを通して140mj/c輪2で露光した後、ポリ
エチレンテレフタレートフィルムをはぎ取り、30℃の
1%炭酸ナトリウム水溶液を1.5kg/c鎗2のスプ
レー圧でスプレーすることにより未露光部を除去した0
次いで塩化銅エッチャントで露出した銅基板の銅部分を
溶出した後、以下に示す組成の剥離液中にこの銅基板を
50℃で浸漬した。
チルへキシル7 クリレート/ベンノル ツタクリレート/フタ クリル酸の四元共重合 体(モル比=55: 1 1.7: 4.5: 2″8.8) エチルミヒラーズケトン 0,04p b wベン
ゾ7エ/ン 0,45pbwトリブロモ/
チルフェニ 0.45p b wルスルホン ポリプロピレングリフール 7.Op b wノア
クリレート (MW= ポリエチレングリコールノ 2.Op b wzメ
タクリレ) (MW=7 4゛2) 3.6−とX(77zニル7 0,09pbwミノ)
フルオラン 1−7エ=ルー3−モルホ 0.O1pbwリッツチ
ル−1,3,4− トリアゾール−2−チオン ビクトリアピーL7ブIk−0,O1pbwOH 市販のドライフィルムラミネーターを用い、ポリエチレ
ン保!J!フィルムをはぎ取り、レノスト層を銅張り積
層板上に、加熱・加圧しながら積層した0次いで配線パ
ターンを通して140mj/c輪2で露光した後、ポリ
エチレンテレフタレートフィルムをはぎ取り、30℃の
1%炭酸ナトリウム水溶液を1.5kg/c鎗2のスプ
レー圧でスプレーすることにより未露光部を除去した0
次いで塩化銅エッチャントで露出した銅基板の銅部分を
溶出した後、以下に示す組成の剥離液中にこの銅基板を
50℃で浸漬した。
水酸化ナトリウム 2pbwペレック
スNBL lp b wペンノルフル
コール 29b四水
95pbwこの剥離液は、臭気が
少な(透明であり、110秒後I4.レノストが剥離さ
れ、剥離片は繍′かく、#1基板上には何等剥離片の残
留も認められなかった。
スNBL lp b wペンノルフル
コール 29b四水
95pbwこの剥離液は、臭気が
少な(透明であり、110秒後I4.レノストが剥離さ
れ、剥離片は繍′かく、#1基板上には何等剥離片の残
留も認められなかった。
実施例2〜5、及び比較例1〜6
剥離液の性能を比較するため、レノストに露光するとき
に配線パターンを通さずに全面に露光をした以外は実施
例1と同様にして、銅基板を作成した、これらの銅基板
を種々の剥離液に浸漬したときに、レジストが基板から
はがれるまでにががる時間及び剥離片の大きさを比較し
た。剥離片の大きさは以下のように評価した。
に配線パターンを通さずに全面に露光をした以外は実施
例1と同様にして、銅基板を作成した、これらの銅基板
を種々の剥離液に浸漬したときに、レジストが基板から
はがれるまでにががる時間及び剥離片の大きさを比較し
た。剥離片の大きさは以下のように評価した。
生じた剥離片の大きさSが
Sく25曽輸21
25−−ズ≦s<ioo■llI22
100mm”≦S<500mm” 3500
論簡2≦84 剥離片にならず多くの亀裂が入った 5剥離片にな
らず数本の亀裂が入った 6亀裂が全(入らなかっ
た 7上記の評価において、数の小さい
方がより好ましい。
論簡2≦84 剥離片にならず多くの亀裂が入った 5剥離片にな
らず数本の亀裂が入った 6亀裂が全(入らなかっ
た 7上記の評価において、数の小さい
方がより好ましい。
結果を第1表及び第2表に示す、これらから、本発明の
剥離液組成物は臭気が少なく、これを用いると、生じる
剥離片が小さいこと及び剥離に要する時間が少なくて済
むことが判る。
剥離液組成物は臭気が少なく、これを用いると、生じる
剥離片が小さいこと及び剥離に要する時間が少なくて済
むことが判る。
第1表
Claims (1)
- カルボン酸基含有有機高分子バインダー、分子中に少な
くとも2個のエチレン性不飽和基を含有する化合物及び
光重合開始剤を含有する光重合性フオトレジスト層の剥
離液組成物で、(a)ベンジルアルコール、(b)アニ
オン型界面活性剤、(c)アルカリ剤及び(d)水から
成ることを特徴とする剥離液組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32142888A JPH02166459A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光重合性フオトレジスト層の剥離液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32142888A JPH02166459A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光重合性フオトレジスト層の剥離液組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02166459A true JPH02166459A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18132440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32142888A Pending JPH02166459A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光重合性フオトレジスト層の剥離液組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02166459A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05216242A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-08-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ホトレジストの現像およびストリップ用溶剤組成物 |
JP2011233774A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
WO2018088511A1 (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社カネコ化学 | 硬化性樹脂の硬化物の剥離剤、硬化性樹脂の硬化物の膨潤剤及び硬化性樹脂の硬化フォームの減容剤 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP32142888A patent/JPH02166459A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05216242A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-08-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ホトレジストの現像およびストリップ用溶剤組成物 |
JP2011233774A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
WO2018088511A1 (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社カネコ化学 | 硬化性樹脂の硬化物の剥離剤、硬化性樹脂の硬化物の膨潤剤及び硬化性樹脂の硬化フォームの減容剤 |
JPWO2018088511A1 (ja) * | 2016-11-11 | 2018-11-08 | 株式会社カネコ化学 | 硬化性樹脂の硬化物の剥離剤、硬化性樹脂の硬化物の膨潤剤及び硬化性樹脂の硬化フォームの減容剤 |
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