JPH02166449A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
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- JPH02166449A JPH02166449A JP63325078A JP32507888A JPH02166449A JP H02166449 A JPH02166449 A JP H02166449A JP 63325078 A JP63325078 A JP 63325078A JP 32507888 A JP32507888 A JP 32507888A JP H02166449 A JPH02166449 A JP H02166449A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
露光用マスク、と（に遠紫外線を用いる露光に好適なマ
スクに関し。
スクに関し。
遠紫外線に対して高い透過率を有するＣａＦｇ等の基板
上に光吸収体から成るパターンを形成した露光用マスク
を実現することを目的とし。
上に光吸収体から成るパターンを形成した露光用マスク
を実現することを目的とし。
支持基板上に非吸湿性の保護膜を形成し、露光用の照射
光に対して透明であり且つ吸湿性を有する材料から成る
マスク基板を該保護股上に形成し。
光に対して透明であり且つ吸湿性を有する材料から成る
マスク基板を該保護股上に形成し。
該マスク基板層上に第２の非吸湿性の保護膜を形成し、
該支持基板の中央部を選択的に除去することにより、該
照射光が通過する開口と該マスク基板の周縁部に結合さ
れた周辺部を有する支持枠を形成することから構成され
る。
該支持基板の中央部を選択的に除去することにより、該
照射光が通過する開口と該マスク基板の周縁部に結合さ
れた周辺部を有する支持枠を形成することから構成され
る。
（産業上の利用分野〕
本発明は、露光用マスクもしくはレチクルに係り、とく
に遠紫外線を用いる露光に好適なマスクもしくはレチク
ルに関する。
に遠紫外線を用いる露光に好適なマスクもしくはレチク
ルに関する。
半導体集積回路の高密度化に伴って、サブミクロン領域
のｎ光技術が必須となりつつある。このために、高圧水
銀ランプから発生されるＧ線あるいは夏線等を用いる従
来の紫外線露光法に代わって、エキシマレーザが発生す
るより短波長の紫外線を用いる露光技術が注目されてい
る。エキシマレーザにおいては９例えばＸｅＣ１，Ｋｒ
ＦあるいはＡｒＦ等の希ガスとハロゲンガスの２量体か
ら、波長がそれぞれ３０６ｎｍ、 ２４８ｎｍおよび１
９８ｎｍの光が誘導放出される。このうち、 ＸｅＣ１
エキシマレーザからの波長３０６ｎ−の誘導放出光は、
波長３９６ｎｍの前記１線の光に近いため、微細パター
ンの露光に用いる利点が少ない、したがって、ＫｒＦあ
るいは＾ｒＦエキシマレーザがそれぞれ放出する２４８
ｎｍおよび１９８ｎ−のような、遠紫外線（Ｄｅｅｐ−
ＵＶ）と呼ばれるより短波長の光が微細パターンの露光
用に有用視されている。
のｎ光技術が必須となりつつある。このために、高圧水
銀ランプから発生されるＧ線あるいは夏線等を用いる従
来の紫外線露光法に代わって、エキシマレーザが発生す
るより短波長の紫外線を用いる露光技術が注目されてい
る。エキシマレーザにおいては９例えばＸｅＣ１，Ｋｒ
ＦあるいはＡｒＦ等の希ガスとハロゲンガスの２量体か
ら、波長がそれぞれ３０６ｎｍ、 ２４８ｎｍおよび１
９８ｎｍの光が誘導放出される。このうち、 ＸｅＣ１
エキシマレーザからの波長３０６ｎ−の誘導放出光は、
波長３９６ｎｍの前記１線の光に近いため、微細パター
ンの露光に用いる利点が少ない、したがって、ＫｒＦあ
るいは＾ｒＦエキシマレーザがそれぞれ放出する２４８
ｎｍおよび１９８ｎ−のような、遠紫外線（Ｄｅｅｐ−
ＵＶ）と呼ばれるより短波長の光が微細パターンの露光
用に有用視されている。
一方、上記のような短波長の光を用いる場合。
光吸収が大きくなるため、露光雰囲気、投影レンズ等の
露光光学系構成材料や、マスクパターンが形成されるマ
スク基板の材料に対する選択条件が厳しくなる。
露光光学系構成材料や、マスクパターンが形成されるマ
スク基板の材料に対する選択条件が厳しくなる。
このうち、マスク基板材料としては、従来の紫外線露光
において用いられていた石英は、２５０〜１５０ｎｍの
短波長領域における光吸収が大きいために使用できない
、遠紫外線領域における光透過率の高い材料としては、
弗化リチウム（Ｌｉ Ｆ ）や弗化カルシウム（ＣａＦ
ｚ）等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲ
ン化物がある。しかしながら、これらの材料は潮解性な
いしは吸湿性が高く。
において用いられていた石英は、２５０〜１５０ｎｍの
短波長領域における光吸収が大きいために使用できない
、遠紫外線領域における光透過率の高い材料としては、
弗化リチウム（Ｌｉ Ｆ ）や弗化カルシウム（ＣａＦ
ｚ）等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲ
ン化物がある。しかしながら、これらの材料は潮解性な
いしは吸湿性が高く。
通常の露光雰囲気中では使用できない。すなわち。
上記の材料を基板とし、この上にクロム等の薄膜から成
る遮光性のマスクパターンを形成した場合。
る遮光性のマスクパターンを形成した場合。
マスクパターンの開口部に表出する基板に水分が吸着す
ると、その表面が曇って光散乱性を呈し。
ると、その表面が曇って光散乱性を呈し。
透過率が低下する。その結果、所望の透過光パターンを
得ることができなくなる。さらに、マスク基板材料の吸
湿性や潮解性が強い場合には、基板との接着力の低下に
よりクロム薄膜が剥離したり基板表面上を移動し、所定
のパターン精度を維持できな（なる問題も生じる。
得ることができなくなる。さらに、マスク基板材料の吸
湿性や潮解性が強い場合には、基板との接着力の低下に
よりクロム薄膜が剥離したり基板表面上を移動し、所定
のパターン精度を維持できな（なる問題も生じる。
本発明は、 ＣａＦｚ等の吸湿性ないし潮解性を有する
マスク基板を露光雰囲気中の水分の影響から保護して成
る遠紫外線露光用のマスクを提供することを目的とする
。
マスク基板を露光雰囲気中の水分の影響から保護して成
る遠紫外線露光用のマスクを提供することを目的とする
。
上記目的は、露光用の照射光に対して透明であるアルカ
リ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物から成る
マスク基板と、該マスク基板の有する少なくとも開放表
面を覆うように形成された前記照射光に対して透明であ
り且つ非吸湿性の材料から成る保護薄膜とを備えたこと
を特徴とする本発明に係る露光用マスクによって達成さ
れる。
リ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物から成る
マスク基板と、該マスク基板の有する少なくとも開放表
面を覆うように形成された前記照射光に対して透明であ
り且つ非吸湿性の材料から成る保護薄膜とを備えたこと
を特徴とする本発明に係る露光用マスクによって達成さ
れる。
すなわち、支持基板上に非吸湿性の透明な保護膜を形成
し、露光用の照射光に対して透明であり且つ吸湿性を有
するアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化
物から成るマスク基板を該透明保護膜上に形成し、該マ
スク基板上に第２の非吸湿性の透明な保護膜を形成し、
該支持基板の中央部を選択的に除去することにより、該
照射光が通過する開口と該マスク基板の周縁部に結合さ
れた周辺部を有する支持枠を形成することにより上記本
発明の露光用マスクが製造される。
し、露光用の照射光に対して透明であり且つ吸湿性を有
するアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化
物から成るマスク基板を該透明保護膜上に形成し、該マ
スク基板上に第２の非吸湿性の透明な保護膜を形成し、
該支持基板の中央部を選択的に除去することにより、該
照射光が通過する開口と該マスク基板の周縁部に結合さ
れた周辺部を有する支持枠を形成することにより上記本
発明の露光用マスクが製造される。
ＬｉＦあるいはＣａＦ、等のアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属のハロゲン化物から成る遠紫外線領域におい
て高透過率を示すマスク基板の両面を３ＳｉＯｚ＋ ５
１３Ｎ４１または＾ｌ！０３等の非吸湿性の透明保護膜
材料により被覆して、水分を含有する露光雰囲気から遮
断することにより、このマスク基板上に形成されたマス
クパターンのパターン精度およびマスクパターンの開口
部に表出するマスク基板の光透過率を安定に維持可能と
なる。
リ土類金属のハロゲン化物から成る遠紫外線領域におい
て高透過率を示すマスク基板の両面を３ＳｉＯｚ＋ ５
１３Ｎ４１または＾ｌ！０３等の非吸湿性の透明保護膜
材料により被覆して、水分を含有する露光雰囲気から遮
断することにより、このマスク基板上に形成されたマス
クパターンのパターン精度およびマスクパターンの開口
部に表出するマスク基板の光透過率を安定に維持可能と
なる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の露光用マスクの構造の一実施例を示す
要部断面図であって１例えばＣａｂ、から成る厚さ１０
０ ／／ＩＩ＋以下のマスク基板１の両表面には。
要部断面図であって１例えばＣａｂ、から成る厚さ１０
０ ／／ＩＩ＋以下のマスク基板１の両表面には。
例えばＳｉｎｇから成る厚さ１０００〜２０００人の透
明保護膜２が形成されている。マスク基板１としては。
明保護膜２が形成されている。マスク基板１としては。
ブリッジマン法等の方法で作成したＣａＦｚ、 Ｂａｎ
ｇあるいはＬｉＦの結晶インゴットから薄板状の結晶を
切り出し、その表面を周知の方法により鏡面研磨すると
ともに、１００μｍ以下の厚さに加工したものを用いれ
ばよい、そして、鏡面研磨された表面に１周知のＣＶＤ
法またはスパッタリング法を用いて、 ５ｆＯｚ＋
５ｉｓＮａあるいはＡｌｚＯｚの薄膜を厚さ１０００〜
２０００人堆積して、前記透明保護膜２とする。
ｇあるいはＬｉＦの結晶インゴットから薄板状の結晶を
切り出し、その表面を周知の方法により鏡面研磨すると
ともに、１００μｍ以下の厚さに加工したものを用いれ
ばよい、そして、鏡面研磨された表面に１周知のＣＶＤ
法またはスパッタリング法を用いて、 ５ｆＯｚ＋
５ｉｓＮａあるいはＡｌｚＯｚの薄膜を厚さ１０００〜
２０００人堆積して、前記透明保護膜２とする。
その後１片側の透明保護膜２上に、遮光体として。
図示しない９例えばクロム薄膜を形成し、これをリソグ
ラフ技術を用いて、所定のマスクパターンに加工するこ
とにより、遠紫外線露光に適用可能な露光用マスクが完
成される。
ラフ技術を用いて、所定のマスクパターンに加工するこ
とにより、遠紫外線露光に適用可能な露光用マスクが完
成される。
第２図は本発明の露光用マスクの構造の別の実施例であ
って９例えばＣＶＤ法により形成された厚さ１〜１００
μ鶴のＣａｂ、から成るマスク基板５の両面は３例えば
Ｓｉｎｇから成る厚さ１０００〜２０００人の透明保護
膜４および６によってそれぞれ被覆されており、マスク
基板５はその周縁部を９例えばシリコン板から成る支持
枠３によって支持されている。
って９例えばＣＶＤ法により形成された厚さ１〜１００
μ鶴のＣａｂ、から成るマスク基板５の両面は３例えば
Ｓｉｎｇから成る厚さ１０００〜２０００人の透明保護
膜４および６によってそれぞれ被覆されており、マスク
基板５はその周縁部を９例えばシリコン板から成る支持
枠３によって支持されている。
支持枠３は、その中央部に露光用の照射光が通過する開
口ｌＯが設けられており、その周縁部が前記マスク基板
５の周縁部と結合されている。そして。
口ｌＯが設けられており、その周縁部が前記マスク基板
５の周縁部と結合されている。そして。
例えば透明保護膜６上には、金あるいはクロム薄膜から
成る図示しないマスクパターンが形成されている。
成る図示しないマスクパターンが形成されている。
第３図は本発明の露光用マスクの製造方法の実施例を説
明するための要部断面図であって、同図（ａ）に示すよ
うに１例えばＡ１から成る厚さ約ＩＩＩＩＩ１１の支持
基板３′の片面に＋ Ｓｉｎｇ、 ５ｉＪ４＋ Ａｌｚ
ＯＪのいずれかから成る膜、またはこれらの複合膜であ
る厚さ１０００〜２０００人の透明保護ＩＩ！４を、支
持基板３′の裏面に、厚さ１０００〜２０００人のエツ
チングマスク７′を形成する。これら透明保護膜４およ
びエツチングマスク７′の形成は９周知のＣＶＤ技術を
用いればよい。次いで、透明保護膜４上に９例えばＣＶ
Ｄ法あるいはスパッタ、蒸着法等の周知の薄膜技術を用
いて＋ ＣａＦｚ＋ ＢａＦｚ＋ ＬｉＦ等のいずれか
から成る膜、またはこれらの複合膜から成るマスク基板
５を堆積し、さらに、マスク基板５上に。
明するための要部断面図であって、同図（ａ）に示すよ
うに１例えばＡ１から成る厚さ約ＩＩＩＩＩ１１の支持
基板３′の片面に＋ Ｓｉｎｇ、 ５ｉＪ４＋ Ａｌｚ
ＯＪのいずれかから成る膜、またはこれらの複合膜であ
る厚さ１０００〜２０００人の透明保護ＩＩ！４を、支
持基板３′の裏面に、厚さ１０００〜２０００人のエツ
チングマスク７′を形成する。これら透明保護膜４およ
びエツチングマスク７′の形成は９周知のＣＶＤ技術を
用いればよい。次いで、透明保護膜４上に９例えばＣＶ
Ｄ法あるいはスパッタ、蒸着法等の周知の薄膜技術を用
いて＋ ＣａＦｚ＋ ＢａＦｚ＋ ＬｉＦ等のいずれか
から成る膜、またはこれらの複合膜から成るマスク基板
５を堆積し、さらに、マスク基板５上に。
５ｉ０２．５ｔｓＮ４． ＡｌｚＯＪのいずれかから成
る膜、またはこれらの複合膜である厚さ１０００〜２０
００人の透明保護膜６を堆積する。
る膜、またはこれらの複合膜である厚さ１０００〜２０
００人の透明保護膜６を堆積する。
支持基板３′はマスク基板５の成膜基体となるもので、
その構成材料としては、マスク基板５の熱膨張係数（（
：ａＦｚマスク基板の場合的１９Ｘ１０−” ／”Ｃ）
と同程度の熱膨張整数を有する１例えばアルミニウム（
ＡＩ）、銅（Ｃｕ） 、ニッケル（Ｎｉ）等から成る厚
さ１ａ＋ｍ以下の板を用いる。これにより、マスク基板
５の成膜時の温度変化によりマスク基板５に生じる残留
応力が低減され、マスクパターンの精度を安定に維持す
ることができる。
その構成材料としては、マスク基板５の熱膨張係数（（
：ａＦｚマスク基板の場合的１９Ｘ１０−” ／”Ｃ）
と同程度の熱膨張整数を有する１例えばアルミニウム（
ＡＩ）、銅（Ｃｕ） 、ニッケル（Ｎｉ）等から成る厚
さ１ａ＋ｍ以下の板を用いる。これにより、マスク基板
５の成膜時の温度変化によりマスク基板５に生じる残留
応力が低減され、マスクパターンの精度を安定に維持す
ることができる。
上記に次いで１周知のＳｉ、Ｎ、リソグラフ技術を用い
て、エツチングマスク７′の中央部を選択的に除去し、
第３図（ロ）に示すように、 Ｓｉ３Ｎ４から成るエ
ツチングマスクパターン７を形成する。そして、エツチ
ングマスクパターン７をマスクトシ。
て、エツチングマスク７′の中央部を選択的に除去し、
第３図（ロ）に示すように、 Ｓｉ３Ｎ４から成るエ
ツチングマスクパターン７を形成する。そして、エツチ
ングマスクパターン７をマスクトシ。
例えば水酸化ナトリウム溶液を用いて、 ＡＩ支持基板
３′を選択的にエツチングして、中央部に開口１０を有
するＡｔ支持枠３を形成する。そののち９例えば透明保
護膜６表面に９例えばクロム薄膜（図示省略）を形成し
、これを周知のリソグラフ技術を用いてエツチングする
ことにより、開口ｌＯに対応する領域にマスクパターン
を形成して１本発明の露光用のマスクが完成する。
３′を選択的にエツチングして、中央部に開口１０を有
するＡｔ支持枠３を形成する。そののち９例えば透明保
護膜６表面に９例えばクロム薄膜（図示省略）を形成し
、これを周知のリソグラフ技術を用いてエツチングする
ことにより、開口ｌＯに対応する領域にマスクパターン
を形成して１本発明の露光用のマスクが完成する。
なお１本明細書においては、“露光用マスク°゛なる用
語を用いて説明したが１本発明の性質からして１通常、
縮小投影露光法に用いられるレチクルも含まれることは
言うまでもない。
語を用いて説明したが１本発明の性質からして１通常、
縮小投影露光法に用いられるレチクルも含まれることは
言うまでもない。
本発明によれば、吸湿性ないし潮解性を有する遠紫外線
領域の光に対して高い透過率を示すマスク基板を用いて
構成される露光用のマスクを提供可能とする効果がある
。
領域の光に対して高い透過率を示すマスク基板を用いて
構成される露光用のマスクを提供可能とする効果がある
。
第１図および第２図は本発明の露光用マスクの構造の実
施例を示す要部断面図。 第３図は本発明の露光用マスクの製造方法の実施例を説
明するための要部断面図 である。 図において。 ｌと５はマスク基板。 ２と４と６は透明保護膜。 ３は支持枠。 ３′ は支持基板。 ７はエツチングマスクパターン。 ７′はエツチングマスク。 ｌＯは開口 である。 木苑明の蕗先出マスクの構造の実１色イダ１１（イの１
）第 １ 図 本発明の１九弔マスクのＭ１艷の臭兇伊１（イの２）２
２図 本危明の１九用マスクの襲造汚法の実方色イダリｖＪ
３ 口
施例を示す要部断面図。 第３図は本発明の露光用マスクの製造方法の実施例を説
明するための要部断面図 である。 図において。 ｌと５はマスク基板。 ２と４と６は透明保護膜。 ３は支持枠。 ３′ は支持基板。 ７はエツチングマスクパターン。 ７′はエツチングマスク。 ｌＯは開口 である。 木苑明の蕗先出マスクの構造の実１色イダ１１（イの１
）第 １ 図 本発明の１九弔マスクのＭ１艷の臭兇伊１（イの２）２
２図 本危明の１九用マスクの襲造汚法の実方色イダリｖＪ
３ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 露光用の照射光に対して透明であるアルカリ金属または
アルカリ土類金属のハロゲン化物から成るマスク基板と
、 該マスク基板の有する少なくとも開放表面を覆うように
形成された前記照射光に対して透明であり且つ非吸湿性
の材料から成る保護薄膜 とを備えたことを特徴とする露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32507888A JP2712447B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32507888A JP2712447B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166449A true JPH02166449A (ja) | 1990-06-27 |
| JP2712447B2 JP2712447B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=18172903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32507888A Expired - Fee Related JP2712447B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712447B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999024869A1 (fr) * | 1997-11-11 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Photomasque plaque de correction d'aberration, dispositif d'exposition et procede de fabrication de micro-dispositif |
| JP2009141239A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | ブリュースター窓及びレーザ発振器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182605A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 複合偏光板 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP32507888A patent/JP2712447B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182605A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 複合偏光板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999024869A1 (fr) * | 1997-11-11 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Photomasque plaque de correction d'aberration, dispositif d'exposition et procede de fabrication de micro-dispositif |
| US6653024B1 (en) | 1997-11-11 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correction plate, exposure apparatus, and process of production of microdevice |
| JP2009141239A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | ブリュースター窓及びレーザ発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712447B2 (ja) | 1998-02-10 |
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