JPH02166118A - スピロビインダン共ポリシロキサンカーボネート及びそれらの製造法 - Google Patents
スピロビインダン共ポリシロキサンカーボネート及びそれらの製造法Info
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- JPH02166118A JPH02166118A JP1258987A JP25898789A JPH02166118A JP H02166118 A JPH02166118 A JP H02166118A JP 1258987 A JP1258987 A JP 1258987A JP 25898789 A JP25898789 A JP 25898789A JP H02166118 A JPH02166118 A JP H02166118A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/445—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing polyester sequences
- C08G77/448—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing polyester sequences containing polycarbonate sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
- C08G64/04—Aromatic polycarbonates
- C08G64/06—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation
- C08G64/08—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation containing atoms other than carbon, hydrogen or oxygen
- C08G64/085—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation containing atoms other than carbon, hydrogen or oxygen containing silicon
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- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は共ポリカーボネート及びそれらの製造法に関し
、特に低い配向複屈折及び望ましい加工性をもつ共ポリ
カーボネートに関するものである。
、特に低い配向複屈折及び望ましい加工性をもつ共ポリ
カーボネートに関するものである。
従来の技術
ポリカーボネートは透明であり、光学ディスクの製造の
ために広く使用されている。しかしながら、従来か\る
ディスクの使用はたいてい録音及びコンピューター用の
読取り専用記憶装置のような永久形態のデータの記録が
許容される用途に限定されていた。消去可能でありかつ
さらに新たなデータを記録することのできる光学ディス
クの開発についての関心が高まってきている。
ために広く使用されている。しかしながら、従来か\る
ディスクの使用はたいてい録音及びコンピューター用の
読取り専用記憶装置のような永久形態のデータの記録が
許容される用途に限定されていた。消去可能でありかつ
さらに新たなデータを記録することのできる光学ディス
クの開発についての関心が高まってきている。
光学ディスク上のデータは平面偏光レーザー光線を垂直
方向に偏光された同様の基準光線と組合わせることによ
って読み取られる。正確な読取りのためには、これらの
レーザー光線がディスクを通過する際の位相遅れを最小
限度にすることが必要である。か〜る遅れに直接影響す
る一因子は複屈折、すなわち相互に垂直な二方向に偏光
された光の屈折率間の差である。
方向に偏光された同様の基準光線と組合わせることによ
って読み取られる。正確な読取りのためには、これらの
レーザー光線がディスクを通過する際の位相遅れを最小
限度にすることが必要である。か〜る遅れに直接影響す
る一因子は複屈折、すなわち相互に垂直な二方向に偏光
された光の屈折率間の差である。
複屈折は分子構造及び分子の配向度のような因子に起因
するいくつかの構成要素をもつ。延伸による全重合体分
子の完全な配向後に理想的に測定された重合体の“配向
による°複屈折(以下配向複屈折という)はもっばら分
子構造の関数である。
するいくつかの構成要素をもつ。延伸による全重合体分
子の完全な配向後に理想的に測定された重合体の“配向
による°複屈折(以下配向複屈折という)はもっばら分
子構造の関数である。
比較の目的で、数種の重合体の配向複屈折のだいたい正
確な測定を実質的に同一条件下で射出成形された試料に
ついて行なうことができる。
確な測定を実質的に同一条件下で射出成形された試料に
ついて行なうことができる。
1987年4月20日付で出願された本出願人自身の米
国特許出願第40,528号明細書には、ビスフェノー
ルAと種々のスピロビインダンビスフェノール、特に6
,6′−ジヒドロキシ−3゜3、 3’ 、 3’−
テトラメチル−1,1′ −スピロ(ビス)インダン(
以下“SBI”という)との共ポリカーボネートが開示
されている。多くのか〜る共ポリカーボネート、特にS
BI構造単位を含む共ポリカーボネート、はきわめて低
い配向複屈折を有する。したがって、光学ディスク製造
へのか−る共ポリカーボネートの使用の将来性は高い。
国特許出願第40,528号明細書には、ビスフェノー
ルAと種々のスピロビインダンビスフェノール、特に6
,6′−ジヒドロキシ−3゜3、 3’ 、 3’−
テトラメチル−1,1′ −スピロ(ビス)インダン(
以下“SBI”という)との共ポリカーボネートが開示
されている。多くのか〜る共ポリカーボネート、特にS
BI構造単位を含む共ポリカーボネート、はきわめて低
い配向複屈折を有する。したがって、光学ディスク製造
へのか−る共ポリカーボネートの使用の将来性は高い。
しかしながら、ビスフェノールAとスピロビインダンビ
スフェノール類との共ポリカーボネートは、特にスピロ
ビインダン構造単位を高割合で含む場合に、さらにある
種の不都合な性質を有する。
スフェノール類との共ポリカーボネートは、特にスピロ
ビインダン構造単位を高割合で含む場合に、さらにある
種の不都合な性質を有する。
これらの不都合な性質としては、延性の不足、高い加工
温度及び応力亀裂の傾向があげられる。これらの不都合
な性質の最初の二つは低い引張伸び及び高いガラス転移
温度(Tg)によってそれぞれ明示される。スピロビイ
ンダン共ポリカーボネートの高い加工温度は商業的に入
手し得る成形機上での光学ディスクの製造を困難にする
ので光学ディスクの製造にとって特に不都合である。ア
ンダーライター実験室試験法UL−94におけるV−0
等級によって実証されるごとき低い燃焼性を包含するそ
の他の性質もまたこの型のポリカーボネートにとって興
味あるものである。
温度及び応力亀裂の傾向があげられる。これらの不都合
な性質の最初の二つは低い引張伸び及び高いガラス転移
温度(Tg)によってそれぞれ明示される。スピロビイ
ンダン共ポリカーボネートの高い加工温度は商業的に入
手し得る成形機上での光学ディスクの製造を困難にする
ので光学ディスクの製造にとって特に不都合である。ア
ンダーライター実験室試験法UL−94におけるV−0
等級によって実証されるごとき低い燃焼性を包含するそ
の他の性質もまたこの型のポリカーボネートにとって興
味あるものである。
本発明は透明性、高い延性、低い加工温度、低い応力亀
裂傾向、比較的製造容品であること及びさらに低い配向
複屈折等を特徴とするスピロビインダンビスフェノール
類の一群の共ポリカーボネートを提供することを意図す
るものである。種々のか−る共ポリカーボネートはさら
に他の有利な性質、たとえば低い燃焼性、を有する。本
発明はさらにか\る共ポリカーボネートの製造のための
比較的簡単な方法を提供するものである。
裂傾向、比較的製造容品であること及びさらに低い配向
複屈折等を特徴とするスピロビインダンビスフェノール
類の一群の共ポリカーボネートを提供することを意図す
るものである。種々のか−る共ポリカーボネートはさら
に他の有利な性質、たとえば低い燃焼性、を有する。本
発明はさらにか\る共ポリカーボネートの製造のための
比較的簡単な方法を提供するものである。
発明の要旨
したがって、第一の本発明は、式:
(式中、A1は式:
であり、A2は式:
であり、R1は炭化水素基であり、R2及びR3の各々
は独立的にC1−4アルキル基又はハロ基であり、R4
及びR5の各々は独立的にCl−4アルキル基又はフェ
ニル基であり、mは0−4であり、nは0−3であり、
X及びンの各々は約0−200の平均値をもちかつx+
yの平均値は少なくとも約5であり、WはXがOである
場合にはOでありモしてXが0より大きい場合には少な
くとも1であり、そしてZはyがOである場合には0で
ありモしてyが0より大きい場合には少なくとも1であ
るが、たソしW及び2の少なくとも一方は1又はそれ以
上である)の構造単位を含んでなる共ポリシロキサンカ
ーボネート組成物を提供する。
は独立的にC1−4アルキル基又はハロ基であり、R4
及びR5の各々は独立的にCl−4アルキル基又はフェ
ニル基であり、mは0−4であり、nは0−3であり、
X及びンの各々は約0−200の平均値をもちかつx+
yの平均値は少なくとも約5であり、WはXがOである
場合にはOでありモしてXが0より大きい場合には少な
くとも1であり、そしてZはyがOである場合には0で
ありモしてyが0より大きい場合には少なくとも1であ
るが、たソしW及び2の少なくとも一方は1又はそれ以
上である)の構造単位を含んでなる共ポリシロキサンカ
ーボネート組成物を提供する。
発明の詳細な開示
本発明の本質的に重要な一特徴は共ポリシロキサンカー
ボネート組成物中に式(DI)のスピロビインダン分子
部分を含む式(I)の構造単位を存在せしめた点である
。該スピロビインダン分子部分はSBI又はその種々の
アルキル−又はハロー置換同族体、特にnが1又は2で
ありかつR2がメチル、クロル又はブロム基である同族
体から誘導することができる。好ましい化合物はSB
I。
ボネート組成物中に式(DI)のスピロビインダン分子
部分を含む式(I)の構造単位を存在せしめた点である
。該スピロビインダン分子部分はSBI又はその種々の
アルキル−又はハロー置換同族体、特にnが1又は2で
ありかつR2がメチル、クロル又はブロム基である同族
体から誘導することができる。好ましい化合物はSB
I。
すなわちnが0である化合物である。
本発明の共ポリシロキサンカーボネート組成物中にはさ
らに2個のヒドロキシル基に結合された式(IV)の基
をもつビスフェノールから誘導された式(n)の構造単
位も存在する。これらはmが0であるか又は正の数であ
るかに従って芳香族核に置換基をもたないか又はもつビ
スフェノール類を包含する。mの値は多くの場合θ又は
2であり、好ましくは0である。存在する場合、基R3
は通常メチル又はブロム基である。
らに2個のヒドロキシル基に結合された式(IV)の基
をもつビスフェノールから誘導された式(n)の構造単
位も存在する。これらはmが0であるか又は正の数であ
るかに従って芳香族核に置換基をもたないか又はもつビ
スフェノール類を包含する。mの値は多くの場合θ又は
2であり、好ましくは0である。存在する場合、基R3
は通常メチル又はブロム基である。
基R4及びR5はC1−4アルキル基又はフェニル基で
あり得る。R4及びR5はともにメチル基であることが
好ましい。したがって、式(I)の好ましい単位はビス
フェノールA、すなわち2゜2−(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパンから誘導されたものである。
あり得る。R4及びR5はともにメチル基であることが
好ましい。したがって、式(I)の好ましい単位はビス
フェノールA、すなわち2゜2−(4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパンから誘導されたものである。
式(I)及び(n)の少なくとも一方の構造単位はさら
にポリジオルガノシロキサン分子部分を含み、その合計
数はX及びyの値によって表わされる。少なくとも約5
個、好ましくは少なくとも約10個の該分子部分がそれ
らを含む各構造単位中に存在する。
にポリジオルガノシロキサン分子部分を含み、その合計
数はX及びyの値によって表わされる。少なくとも約5
個、好ましくは少なくとも約10個の該分子部分がそれ
らを含む各構造単位中に存在する。
W及び2の値は対応するポリジオルガノシロキサン分子
部分が存在しない場合はそれぞれ0でありそして該分子
部分が存在する場合には少なくとも1である。これらは
多くの場合1より大きくないが、前駆体化合物の製造中
に生起し得る縮合反応の結果として少割合のポリカーボ
ネート単位中ではより大きくてもよい。ポリジオルガノ
シロキサン分子部分において、R1は脂肪族、脂環族又
は芳香族炭化水素基であり得る。R1は多くの場合C1
−4アルキル基、好ましくはメチル基である。
部分が存在しない場合はそれぞれ0でありそして該分子
部分が存在する場合には少なくとも1である。これらは
多くの場合1より大きくないが、前駆体化合物の製造中
に生起し得る縮合反応の結果として少割合のポリカーボ
ネート単位中ではより大きくてもよい。ポリジオルガノ
シロキサン分子部分において、R1は脂肪族、脂環族又
は芳香族炭化水素基であり得る。R1は多くの場合C1
−4アルキル基、好ましくはメチル基である。
前述したポリジオルガノシロキサン分子単位はまた式(
n)の構造単位中にも随意に存在する。
n)の構造単位中にも随意に存在する。
しかしながら、本発明においては式(り及び(n)の少
なくとも一方の単位中にか−る分子部分の存在を必要と
する。
なくとも一方の単位中にか−る分子部分の存在を必要と
する。
本発明はさらに前述した共ポリシロキサンカーボネート
組成物の製造法を提供するものであり、該方法はつぎの
反応剤: (A)カーボネート前駆体; (B)式: の少なくとも一種のスピロビインダノール化合物;及び (C)式: の少なくとも一種のジヒドロキシ芳香族化合物;ぐたり
し、両式中A’ + A2* R’ * Vir X
t ’1及び2は前記の意義を有する) を反応せしめることからなる。
組成物の製造法を提供するものであり、該方法はつぎの
反応剤: (A)カーボネート前駆体; (B)式: の少なくとも一種のスピロビインダノール化合物;及び (C)式: の少なくとも一種のジヒドロキシ芳香族化合物;ぐたり
し、両式中A’ + A2* R’ * Vir X
t ’1及び2は前記の意義を有する) を反応せしめることからなる。
本発明の方法における反応剤(A)はカーボネート前駆
体である。この型の代表的な化合物はホスゲン及びジア
リールカーボネート、特にジフェニルカーボネートであ
る。一般にホスゲンが好ましい。
体である。この型の代表的な化合物はホスゲン及びジア
リールカーボネート、特にジフェニルカーボネートであ
る。一般にホスゲンが好ましい。
反応剤(B)はSBIのようなスピロビインダンビスフ
ェノール又はスビロビインダノール末端ポリジオルガノ
シロキサンであり得るスビロビインダノール化合物であ
る。スピロビインダノール末端ポリジオルガノシロキサ
ンはα、ω−ジクロルポリジオルガノシロキサンとスピ
ロビインダンビスフェノールとを、酸受容体、典型的に
はアミン、好ましくはトリエチルアミンのような第3級
アミンの存在下に反応させることによって製造すること
ができる。スピロビインダノール末端ポリジオルガノシ
ロキサンは米国特許出願に開示されている。これらの製
造例を実施例1によって例証する。実施例中、ポリジオ
ルガノシロキサン単位の割合は5L29核磁気共鳴スペ
クトル分析によって測定した。
ェノール又はスビロビインダノール末端ポリジオルガノ
シロキサンであり得るスビロビインダノール化合物であ
る。スピロビインダノール末端ポリジオルガノシロキサ
ンはα、ω−ジクロルポリジオルガノシロキサンとスピ
ロビインダンビスフェノールとを、酸受容体、典型的に
はアミン、好ましくはトリエチルアミンのような第3級
アミンの存在下に反応させることによって製造すること
ができる。スピロビインダノール末端ポリジオルガノシ
ロキサンは米国特許出願に開示されている。これらの製
造例を実施例1によって例証する。実施例中、ポリジオ
ルガノシロキサン単位の割合は5L29核磁気共鳴スペ
クトル分析によって測定した。
実施例1
塩化メチレン200m1、無水5B112.61i(4
0,9ミリモル)及びトリエチルアミン11、 5ml
(81,8ミリモル)の混合物に、平均で32個のジ
メチルシロキサン単位をもつα、ω−ジクロルポリジメ
チルシロキサン49. 6fzr(20,5ミリモル)
を、撹拌下に10分かかって滴加した。この混合物を還
流下に20分間加熱し、冷却しそして塩酸水溶液で酸性
化した。有機相を分離し、水で3回洗滌しそして硫酸マ
グネシウム上で乾燥した。塩化メチレンを真空蒸発させ
て所望のスビロビインダノール末端ポリジメチルシロキ
サンを透明な液体として得た。
0,9ミリモル)及びトリエチルアミン11、 5ml
(81,8ミリモル)の混合物に、平均で32個のジ
メチルシロキサン単位をもつα、ω−ジクロルポリジメ
チルシロキサン49. 6fzr(20,5ミリモル)
を、撹拌下に10分かかって滴加した。この混合物を還
流下に20分間加熱し、冷却しそして塩酸水溶液で酸性
化した。有機相を分離し、水で3回洗滌しそして硫酸マ
グネシウム上で乾燥した。塩化メチレンを真空蒸発させ
て所望のスビロビインダノール末端ポリジメチルシロキ
サンを透明な液体として得た。
ポリジオルガノシロキサン単位を含むこの型の化合物は
たとえば米国特許第3,821.325号明細書に記載
されるごとき既知の方法を用いてビスフェノール化合物
とα、ω−ジクロルポリジオルガノシロキサンとを反応
させることによって製造することができる。
たとえば米国特許第3,821.325号明細書に記載
されるごとき既知の方法を用いてビスフェノール化合物
とα、ω−ジクロルポリジオルガノシロキサンとを反応
させることによって製造することができる。
反応剤(A)がホスゲンである場合には、共ポリシロキ
サンカーボネートの製造は典型的にはポリカーボネート
の製造のための既知のホスゲン化反応と同様にアルカリ
性媒質中でかつトリエチルアミンのような第3級アミン
触媒の存在下で行なわれる。この反応のためには種々の
選択が可能であり、その一つは反応剤(B)及び(C)
の混合物を単一工程でホスゲン化する方法の採用である
。
サンカーボネートの製造は典型的にはポリカーボネート
の製造のための既知のホスゲン化反応と同様にアルカリ
性媒質中でかつトリエチルアミンのような第3級アミン
触媒の存在下で行なわれる。この反応のためには種々の
選択が可能であり、その一つは反応剤(B)及び(C)
の混合物を単一工程でホスゲン化する方法の採用である
。
しかしながら、通常はこの反応は逐次的に行なうことが
好ましい。多くの場合、W及び2がOである反応剤(B
)及び(C)の少なくとも一方をまずアルカリ性媒質中
でホスゲン化して単量体状ビスクロルホルメート及びオ
リゴマー状カーボネートビスクロルホルメートを含むビ
スクロルホルメート組成物を形成する。ついで、W及び
2が1である反応剤(B)及び(C)の少なくとも一方
の別置を添加しそして混合物をさらにホスゲン化して共
ポリシロキサンカーボネートを製造する。
好ましい。多くの場合、W及び2がOである反応剤(B
)及び(C)の少なくとも一方をまずアルカリ性媒質中
でホスゲン化して単量体状ビスクロルホルメート及びオ
リゴマー状カーボネートビスクロルホルメートを含むビ
スクロルホルメート組成物を形成する。ついで、W及び
2が1である反応剤(B)及び(C)の少なくとも一方
の別置を添加しそして混合物をさらにホスゲン化して共
ポリシロキサンカーボネートを製造する。
さらに一種又はそれ以上の慣用の末端キャップ剤、たと
えばフェノール、p−t−ブチルフェノール又はp−ク
ミルフェノールを存在させることもできる。
えばフェノール、p−t−ブチルフェノール又はp−ク
ミルフェノールを存在させることもできる。
逐次的方法は通常約20−50℃の範囲の温度でかつ水
及び実質的に水と非混和性の有機溶剤、典型的には塩化
メチレン中での界面条件下で行なわれる。通常約8−1
2の範囲のpI(を示すアルカリ性反応条件が使用され
る。かくして共ポリシロキサンカーボネートが有機液体
中の溶液として得られそして該溶液から慣用の方法によ
って回収することができる。
及び実質的に水と非混和性の有機溶剤、典型的には塩化
メチレン中での界面条件下で行なわれる。通常約8−1
2の範囲のpI(を示すアルカリ性反応条件が使用され
る。かくして共ポリシロキサンカーボネートが有機液体
中の溶液として得られそして該溶液から慣用の方法によ
って回収することができる。
反応剤(B)及び(C)の種類及び割合を変えることに
よって広い範囲で変動する性質をもつ共ポリシロキサン
カーボネートを得ることができる。
よって広い範囲で変動する性質をもつ共ポリシロキサン
カーボネートを得ることができる。
実験誤差の範囲内で本発明の共ポリシロキサンカーボネ
ート中の式(I)及び(■)の構造単位の数の比率はそ
れぞれ反応剤(B)及び(C)のモル割合に相当するで
あろう。式(I)の構造単位を約65−80数量%、特
に約70−75数量%の割合で含む生成物が低い配向複
屈折を示すという理由でしばしば好ましい。
ート中の式(I)及び(■)の構造単位の数の比率はそ
れぞれ反応剤(B)及び(C)のモル割合に相当するで
あろう。式(I)の構造単位を約65−80数量%、特
に約70−75数量%の割合で含む生成物が低い配向複
屈折を示すという理由でしばしば好ましい。
ポリジオルガノシロキサン単位の割合は共ポリシロキサ
ンカーボネート中及び反応剤(B)及び(、C)の混合
物中のか−る単位対ビスフェノール分子部分の数の比に
よって表わされる。(ポリジオルガノシロキサンビスフ
ェノール−すなわちW及び/又は2の値が1である反応
剤(B)又は(C) −が2個のビスフェノール分子部
分を含むことは明らかであろう。)これらの割合は反応
の化学量論から、ポリジオルガノシロキサンビスフェノ
ールのモル数に分子当りのポリジオルガノシロキサン単
位の平均数を乗じそしてその積を(a)w及び2が0で
ある反応剤(B)及び(C)のモル数及び(b)w及び
2が1である反応剤(B)及び(C)のモル数の2倍の
合計値で割ることによって容易に計算することができる
。該数量比はたとえば約0.1−4.0:1の範囲、好
ましくは約0.8−1.2:1の範囲であり得る。
ンカーボネート中及び反応剤(B)及び(、C)の混合
物中のか−る単位対ビスフェノール分子部分の数の比に
よって表わされる。(ポリジオルガノシロキサンビスフ
ェノール−すなわちW及び/又は2の値が1である反応
剤(B)又は(C) −が2個のビスフェノール分子部
分を含むことは明らかであろう。)これらの割合は反応
の化学量論から、ポリジオルガノシロキサンビスフェノ
ールのモル数に分子当りのポリジオルガノシロキサン単
位の平均数を乗じそしてその積を(a)w及び2が0で
ある反応剤(B)及び(C)のモル数及び(b)w及び
2が1である反応剤(B)及び(C)のモル数の2倍の
合計値で割ることによって容易に計算することができる
。該数量比はたとえば約0.1−4.0:1の範囲、好
ましくは約0.8−1.2:1の範囲であり得る。
使用される反応剤(B)及び(C)の種類はまたある程
度まで共ポリシロキサンカーボネート生成物中の所望の
式(I)及び(II)の単位の割合に関係する。式(I
)の単位そしてポリジオルガノシロキサン分子部分の比
較的小割合が望まれる場合には、ポリシロキサン反応剤
は反応剤(C)であることができる。他方、高割合の式
(I)の単位及び高割合のポリジオルガノシロキサン単
位の組合せは反応剤(B)として実施例1の生成物のよ
うなポリジオルガノシロキサン化合物の使用を必要とす
る。
度まで共ポリシロキサンカーボネート生成物中の所望の
式(I)及び(II)の単位の割合に関係する。式(I
)の単位そしてポリジオルガノシロキサン分子部分の比
較的小割合が望まれる場合には、ポリシロキサン反応剤
は反応剤(C)であることができる。他方、高割合の式
(I)の単位及び高割合のポリジオルガノシロキサン単
位の組合せは反応剤(B)として実施例1の生成物のよ
うなポリジオルガノシロキサン化合物の使用を必要とす
る。
つぎに本発明の共ポリシロキサンカーボネートの製造を
実施例によってさらに説明する。実施例中に示すすべて
の分子量は重責平均分子量であり、ポリスチレンに対す
るゲル透過クロマトグラフィーによって測定したもので
ある。構造単位及び分子部分の割合は化学量論から計算
した。
実施例によってさらに説明する。実施例中に示すすべて
の分子量は重責平均分子量であり、ポリスチレンに対す
るゲル透過クロマトグラフィーによって測定したもので
ある。構造単位及び分子部分の割合は化学量論から計算
した。
実施例2
塩化メチレン80m1.水60m1及び無水5B113
、Ig (42,5ミリモル)の混合物に50゛%水酸
化ナトリウム水溶・液を添加することによってそのpH
を9.5に調整した。この混合物中にホスゲンを0.8
3g/分の割合で全量84ミリモルを10分間で通送し
た。SBIの別置5.77g−(I8,7ミリモル)を
添加しそしてホスゲンの導入をさらに4.4分間(36
,9ミリモル)続けた。全ホスゲン化反応時間を通じて
pHは9゜5に維持した。
、Ig (42,5ミリモル)の混合物に50゛%水酸
化ナトリウム水溶・液を添加することによってそのpH
を9.5に調整した。この混合物中にホスゲンを0.8
3g/分の割合で全量84ミリモルを10分間で通送し
た。SBIの別置5.77g−(I8,7ミリモル)を
添加しそしてホスゲンの導入をさらに4.4分間(36
,9ミリモル)続けた。全ホスゲン化反応時間を通じて
pHは9゜5に維持した。
SBIビスクロルホルメート及びそのカーボネートオリ
ゴマーを含むこの反応混合物を窒素でパージしそしてビ
スフェノールA4.15g (20゜8ミルモル)及び
分子当り平均10個のジメチルシロキサン単位を含むビ
スフェノールAでキャップされたポリジメチルシロキサ
ン7.08m1(I゜5ミリモル)を添加した。後者は
塩化メチレン4ml中にキャップされたポリジメチルシ
ロキサン1gを含有する溶液として添加した。同時に、
塩化メチレン中のトリエチルアミンの0.83M溶液及
び塩化メチレン中のフェノールの0.83M溶液をそれ
ぞれ1mlずつ添加した。この混合物を、そのpHを9
−11°の範囲に保持しつつ5分間撹拌し、その後ホス
ゲンの別置47ミリモルを添加した。生成物を塩化メチ
レンで稀釈し、塩酸水溶液で3回洗滌し、ついで洗滌水
中に塩素イオンが検出されなくなるまで水洗した。この
溶液を過剰のメタノール−イソプロパツール混合物中に
注入することによって共ポリシロキサンカーボネートを
沈澱させ、これを枦遇しそして乾燥した。
ゴマーを含むこの反応混合物を窒素でパージしそしてビ
スフェノールA4.15g (20゜8ミルモル)及び
分子当り平均10個のジメチルシロキサン単位を含むビ
スフェノールAでキャップされたポリジメチルシロキサ
ン7.08m1(I゜5ミリモル)を添加した。後者は
塩化メチレン4ml中にキャップされたポリジメチルシ
ロキサン1gを含有する溶液として添加した。同時に、
塩化メチレン中のトリエチルアミンの0.83M溶液及
び塩化メチレン中のフェノールの0.83M溶液をそれ
ぞれ1mlずつ添加した。この混合物を、そのpHを9
−11°の範囲に保持しつつ5分間撹拌し、その後ホス
ゲンの別置47ミリモルを添加した。生成物を塩化メチ
レンで稀釈し、塩酸水溶液で3回洗滌し、ついで洗滌水
中に塩素イオンが検出されなくなるまで水洗した。この
溶液を過剰のメタノール−イソプロパツール混合物中に
注入することによって共ポリシロキサンカーボネートを
沈澱させ、これを枦遇しそして乾燥した。
生成物は76.000の分子量をもち、式(I)の単位
を73%含有しかつジメチルシロキサン対ビスフェノー
ル分子部分の比が0.18:1である共ポリシロキサン
カーボネートであった。塩化メチレン中の溶液からキャ
ストされた共ポリシロキサンカーボネートの薄いフィル
ムは透明であった。その固有複屈折は0.0014であ
り、対応する比率の5BI−ビスフェノールA共ポリカ
ーボネートの固有複屈折と同一であった。
を73%含有しかつジメチルシロキサン対ビスフェノー
ル分子部分の比が0.18:1である共ポリシロキサン
カーボネートであった。塩化メチレン中の溶液からキャ
ストされた共ポリシロキサンカーボネートの薄いフィル
ムは透明であった。その固有複屈折は0.0014であ
り、対応する比率の5BI−ビスフェノールA共ポリカ
ーボネートの固有複屈折と同一であった。
実施例3−4
実施例2の方法に従ってジメチルシロキサン単位対ビス
フェノール単位の比がそれぞれ0.43:1及び0.8
2:1である同様の二種類の共ポリシロキサンカーボネ
ートを製造した。
フェノール単位の比がそれぞれ0.43:1及び0.8
2:1である同様の二種類の共ポリシロキサンカーボネ
ートを製造した。
実施例5
SB110.4g (33,9ミリモル)、ビスフェノ
ールA3.3g (I4,5ミリモル)、塩化メチレン
中のp−クミルフェノールの0゜25M溶液1ml、塩
化メチレン100m1及び水75m1の混合物を50%
水酸化ナトリウム水溶液の添加によって9〜10の範囲
のpHに調整した。pHを同一範囲に保持しつつ、ホス
ゲンを0.495g/分の割合で20分間(全量で10
0ミリモル)導入した。ついで、実施例1の生成物4.
78g(I,61ミリモル)及び塩化メチレン中のトリ
エチルアミンの0.25M溶液2mlを添加しそして混
合物を同−pH範囲で5分間撹拌した。別置のホスゲン
2゜48g(25ミリモル)を5分間かかって添加し、
その後この溶液を窒素でパージしそして塩化メチレンで
稀釈した。
ールA3.3g (I4,5ミリモル)、塩化メチレン
中のp−クミルフェノールの0゜25M溶液1ml、塩
化メチレン100m1及び水75m1の混合物を50%
水酸化ナトリウム水溶液の添加によって9〜10の範囲
のpHに調整した。pHを同一範囲に保持しつつ、ホス
ゲンを0.495g/分の割合で20分間(全量で10
0ミリモル)導入した。ついで、実施例1の生成物4.
78g(I,61ミリモル)及び塩化メチレン中のトリ
エチルアミンの0.25M溶液2mlを添加しそして混
合物を同−pH範囲で5分間撹拌した。別置のホスゲン
2゜48g(25ミリモル)を5分間かかって添加し、
その後この溶液を窒素でパージしそして塩化メチレンで
稀釈した。
を機相を分離して稀塩酸水溶液及び水で洗修しそしてメ
タノール中に注入することによって共ポリシロキサンカ
ーボネートを沈澱させ、枦退しそして真空オーブン中で
乾燥した。それは114゜100の分子量を°もち、式
(I)の単位71%を含みかつポリジメチルシロキサン
分子部分対ビスフェノール分子部分の比1:1を有して
いた。
タノール中に注入することによって共ポリシロキサンカ
ーボネートを沈澱させ、枦退しそして真空オーブン中で
乾燥した。それは114゜100の分子量を°もち、式
(I)の単位71%を含みかつポリジメチルシロキサン
分子部分対ビスフェノール分子部分の比1:1を有して
いた。
実施例6
実施例5の方法に従って、5B12.89モル、ビスフ
ェノールA1.56モル、p−クミルフェノール25ミ
リモル及び実施例1の生成物と同様の、たりし分子当り
平均32個のジメチルシロキサン単位を含むスピロビイ
ンダノール末端ポリジメチルシロキサン556ミリモル
から共ポリシロキサンカーボネートを製造した。それは
約143゜000の分子量をもち、式(I)の単位69
%を含みかつポリジメチルシロキサン分子部分対ビスフ
ェノール分子部分の比1:1を有していた。
ェノールA1.56モル、p−クミルフェノール25ミ
リモル及び実施例1の生成物と同様の、たりし分子当り
平均32個のジメチルシロキサン単位を含むスピロビイ
ンダノール末端ポリジメチルシロキサン556ミリモル
から共ポリシロキサンカーボネートを製造した。それは
約143゜000の分子量をもち、式(I)の単位69
%を含みかつポリジメチルシロキサン分子部分対ビスフ
ェノール分子部分の比1:1を有していた。
前述したごとく、本発明の共ポリシロキサンカーボネー
トは高い延性、低い加工温度及び低い配向複屈折のよう
な性質をもつという特徴がある。
トは高い延性、低い加工温度及び低い配向複屈折のよう
な性質をもつという特徴がある。
高い延性は高い引張伸びによって実証されかつ低い加工
温度はジオルガノシロキサン分子部分を含まない対応す
る5BI−ビスフェノールA共ポリカーボネートと比較
した相対的に低いガラス転移温度(Tg)によって実証
される。さらに、実施例5の生成物はV−Qの難燃性等
級を有する。
温度はジオルガノシロキサン分子部分を含まない対応す
る5BI−ビスフェノールA共ポリカーボネートと比較
した相対的に低いガラス転移温度(Tg)によって実証
される。さらに、実施例5の生成物はV−Qの難燃性等
級を有する。
次表に本発明の共ポリシロキサンカーボネートの押出し
及びベレット化後の種々の性質を示す。
及びベレット化後の種々の性質を示す。
実施例5及び6の生成物の分子量は押出−ベレット化工
程中に分解が生起するために前記した実施例中に示した
分子量よりも低い。対照試験試料はジオルガノシロキサ
ン単位を含まないかつSBIカーボネート単位71%及
びビスフェノールAカーボネート単位29%からなる共
ポリカーボネートであった。固有粘度は塩化メチレン中
で25℃で測定したものである。
程中に分解が生起するために前記した実施例中に示した
分子量よりも低い。対照試験試料はジオルガノシロキサ
ン単位を含まないかつSBIカーボネート単位71%及
びビスフェノールAカーボネート単位29%からなる共
ポリカーボネートであった。固有粘度は塩化メチレン中
で25℃で測定したものである。
実施例No、 2
分子量My 7B、000固有粘度(di
/g) Tg ’C200 配向複屈折(X103) 1.4 引張強さ(月Pa) 降伏点 破断点 − 引張伸び(%) − 94.000 0.54 0.08 122.000 0.65 0.6 43.8 30.1 49.9 46.8 対照 118.000 0.72 2J、0 1.4 70.2 前述した性質に加えて、本発明の共ポリシロキサンカー
ボネートは通常のSBIビスフェノールA共ポリポリカ
ーボネート力亀裂特性をもたない物品に成形し得ると云
う利点をもつ。
/g) Tg ’C200 配向複屈折(X103) 1.4 引張強さ(月Pa) 降伏点 破断点 − 引張伸び(%) − 94.000 0.54 0.08 122.000 0.65 0.6 43.8 30.1 49.9 46.8 対照 118.000 0.72 2J、0 1.4 70.2 前述した性質に加えて、本発明の共ポリシロキサンカー
ボネートは通常のSBIビスフェノールA共ポリポリカ
ーボネート力亀裂特性をもたない物品に成形し得ると云
う利点をもつ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、式: ▲数式、化学式、表等があります▼(I) 及び ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、A^1は式: ▲数式、化学式、表等があります▼(III) の基であり、A^2は式: ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) の基であり、R^1は炭化水素基であり、R^2及びR
^3の各々は独立的にC_1_−_4アルキル基又はハ
ロ基であり、R^4及びR^5の各々は独立的にC_1
_−_4アルキル基又はフェニル基であり、mは0−4
であり、nは0−3であり、x及びyの各々は約0−2
00の平均値をもちかつx+yの平均値は少なくとも約
5であり、wはxが0の場合には0でありそしてxが0
より大きい場合には少なくとも1であり、そしてzはy
が0の場合には0でありそしてyが0より大きい場合に
は少なくとも1であるが、ただしw及びzの少なくとも
一方は少なくとも1である)の構造単位を含んでなる共
ポリシロキサンカーボネート組成物。 2、nが0である請求項1記載の組成物。 3、R^4及びR^5の各々がメチル基でかつmが0で
ある請求項2記載の組成物。 4、R1がメチル基である請求項3記載の組成物。 5、約65−80数量%の式(I)の構造単位を含有す
る請求項4記載の組成物。 6、ポリジオルガノシロキサン単位対ビスフェノール分
子部分の数量比が約0.1−4.0:1の範囲である請
求項5記載の組成物。 7、約70−75数量%の式(I)の構造単位を含有し
かつポリジオルガノシロキサン単位対ビスフェノール分
子部分の数量比が約0.8−1.2:1の範囲である請
求項6記載の組成物。 8、つぎの反応剤: (A)カーボネート前駆体; (B)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ の少なくとも一種のスピロビインダノール化合物;及び (C)式: ▲数式、化学式、表等があります▼ の少なくとも一種のジヒドロキシ芳香族化合物;(ただ
し両式中、A^1は式: ▲数式、化学式、表等があります▼(III) の基であり、A^2は式: ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) の基であり、R^1は炭化水素基又はハロ炭化水素基で
あり、R^2及びR^3の各々は独立的にC_1_−_
4アルキル基又はハロ基であり、R^4及びR^5の各
々は独立的にC_1_−_4アルキル基又はフェニル基
であり、mは0−4であり、nは0−3であり、x及び
yの各々は約0−200の平均値をもちかつx+yの平
均値は少なくとも約5であり、wはxが0である場合に
は0でありそしてxが0より大きい場合には少なくとも
1であり、そしてzはyが0である場合には0でありそ
してyが0より大きい場合には少なくとも1であるが、
たゞしw及びzの少なくとも一方は少なくとも1である
)を反応せしめることからなる共ポリシロキサンカーボ
ネート組成物の製造法。 9、反応剤(A)がホスゲンである請求項8記載の製造
法。 10、nが0である請求項9記載の製造法。 11、反応を水および実質的に水と非混和性の有機溶剤
の中で界面条件下で行なう請求項10記載の製造法。 12、有機溶剤が塩化メチレンである請求項11記載の
製造法。 13、R^4及びR^5の各々がメチル基でかつmが0
である請求項12記載の製造法。 14、R^1がメチル基である請求項13記載の製造法
。 15、wが0でかつzが1である請求項14記載の製造
法。 16、wが1でかつzが0である請求項14記載の製造
法。 17、反応剤(B)及び(C)の少なくとも一方をまず
ビスクロルホルメート組成物に転化させ、反応剤(B)
及び(C)の少なくとも一方の別量を加えそしてホスゲ
ン化することによって反応を逐次的に行なう請求項14
記載の製造法。 18、反応剤(B)を反応剤(B)及び(C)の合計に
基づいて約65−80モル%の量で存在させる請求項1
7記載の製造法。 19、反応剤(B)及び(C)の両者中のポリジオルガ
ノシロキサン単位対ビスフェノール分子部分の数量比が
約0.1−4.0:1の範囲である請求項18記載の製
造法。 20、反応剤(B)を反応剤(B)及び(C)の合計に
基づいて約70−75モル%の量で存在させかつ反応剤
(B)及び(C)の両者中のポリジオルガノシロキサン
単位対ビスフェノール分子部分の数量比を約0.8−1
.2:1の範囲とする請求項19記載の製造法。
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