JPH02164875A - 新規ポリグリシジルエステル、それらの製造およびそれらの熱硬化性組成物における使用 - Google Patents
新規ポリグリシジルエステル、それらの製造およびそれらの熱硬化性組成物における使用Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
光凱傅分野
本発明は新規ポリグリシジルエステル、それらの製造方
法およびそれらの、特に無溶剤コーチングおよび複合材
用の、熱硬化性組成物における使用に関する。
法およびそれらの、特に無溶剤コーチングおよび複合材
用の、熱硬化性組成物における使用に関する。
鴛漣」lしし圃朋力。
アジピン酸およびセバシン酸のような線状ジカルボン酸
のジグリシジルエステルは例えば米国特許3,053,
855号から知られている。該ポリグリシジルエステル
およびそれらに基く生成物は非常に良好な屋外耐久性能
を有することが見出されているけれども、それらは大き
な欠陥即ち不充分な加水分解安定性を有する。改善され
た加水分解安定性を有するジグリシジルエステルはドイ
ツ特許出願公報1942836号に記載されており、そ
して23個のC,−C4アルキル置換基を有する線状C
Cl0アルキレン鎖を有する枝分れジカルボン酸に基い
ており、2,2.4−および2,4.4−トリスチルア
ジピン酸のジグリシジルエステルに特に注意が集中され
る。これらジグリシジルエステルの改善された加水分解
安定性は、■または2個の低級アルキル置換基を有する
、カルボニル基に対しα位の炭素原子の存在に疑いもな
く関係している。
のジグリシジルエステルは例えば米国特許3,053,
855号から知られている。該ポリグリシジルエステル
およびそれらに基く生成物は非常に良好な屋外耐久性能
を有することが見出されているけれども、それらは大き
な欠陥即ち不充分な加水分解安定性を有する。改善され
た加水分解安定性を有するジグリシジルエステルはドイ
ツ特許出願公報1942836号に記載されており、そ
して23個のC,−C4アルキル置換基を有する線状C
Cl0アルキレン鎖を有する枝分れジカルボン酸に基い
ており、2,2.4−および2,4.4−トリスチルア
ジピン酸のジグリシジルエステルに特に注意が集中され
る。これらジグリシジルエステルの改善された加水分解
安定性は、■または2個の低級アルキル置換基を有する
、カルボニル基に対しα位の炭素原子の存在に疑いもな
く関係している。
この点に関し、α−炭素原子の各々が低級アルキル基例
えばメチル基で二置換されたポリカルボン酸に基(ポリ
グリシジルエステルは大きな興味があるはずであると期
待されうる。
えばメチル基で二置換されたポリカルボン酸に基(ポリ
グリシジルエステルは大きな興味があるはずであると期
待されうる。
問題解決の手段
引続く広範な研究と実験の結果として、意外にも、α−
炭素原子の各々上に2個のアルキル置換基を有するポリ
カルボン酸に基くポリグリシジルエステルを製造できる
ことが見出された。これらのポリグリシジルエステルは
新規化合物である。
炭素原子の各々上に2個のアルキル置換基を有するポリ
カルボン酸に基くポリグリシジルエステルを製造できる
ことが見出された。これらのポリグリシジルエステルは
新規化合物である。
本発明は従って一般式
(式中、
RはHまたはCH3であり;
Aはアルキレン基−CR2−C1,−を表わし、ここで
各R1は同一または異なってもよいCI C4アルキ
ル基を表わし、該基Aは隣接基Bに−CH□−基を介し
て付いており; nは0−10の範囲の値を有し; mは1または2であり; mが1ならBは基−8Op−または基−3Op−Q−3
o。
各R1は同一または異なってもよいCI C4アルキ
ル基を表わし、該基Aは隣接基Bに−CH□−基を介し
て付いており; nは0−10の範囲の値を有し; mは1または2であり; mが1ならBは基−8Op−または基−3Op−Q−3
o。
を表わし、ここでpはO,Lまたは2であり、そしてQ
は2−10個の炭素原子を有する直鎖または枝分れアル
キレン基であり、 mが2ならBは基+5Qp−Clh) z−CH−3O
,−を表わし、ここでpは前記と同し意味を有する)の
ポリグリシジルエステルを提供する。
は2−10個の炭素原子を有する直鎖または枝分れアル
キレン基であり、 mが2ならBは基+5Qp−Clh) z−CH−3O
,−を表わし、ここでpは前記と同し意味を有する)の
ポリグリシジルエステルを提供する。
本発明の関係では、用語ポリグリシジルエステルは分子
あたり平均1個より多いグリシジルエステル基を有する
グリシジルエステルをさす。
あたり平均1個より多いグリシジルエステル基を有する
グリシジルエステルをさす。
それらが由来する酸の型並びにそれらの分子量に依って
、本発明のポリグリシジルエステルは低粘度油型液体か
ら高粘度または半固体生成物まで変化しうる。低粘度ポ
リグリシジルエステルは熱硬化性および化学的に架橋し
うる系における反応性希釈剤として適当に使用しうる。
、本発明のポリグリシジルエステルは低粘度油型液体か
ら高粘度または半固体生成物まで変化しうる。低粘度ポ
リグリシジルエステルは熱硬化性および化学的に架橋し
うる系における反応性希釈剤として適当に使用しうる。
より高粘度の生成物は例えばコーチング組成物および/
または複合材における結合剤成分として使用しうる。こ
れらグリシジルエステルにもくろまれる他の潜在的用途
は例えば重合体の安定剤としてである。粘度および物理
的状態の差を除き、−放火Iのボリグリシジルエステル
はガラス転移温度(Tg)および加水分解安定性といっ
た他の特性において強く変化しうる生成物を包含するで
あろう。Tgに関して或最小必要条件を有する用途には
、好ましい部類のポリグリシジルエステルは、Bが5Q
p−Q−3o、−でありそしてQがエチレン基であるか
、またはBが一5Op−であるものである。特に好まし
いのはpが1または2であり、より好ましくはpが2で
あるポリグリシジルエステルである。
または複合材における結合剤成分として使用しうる。こ
れらグリシジルエステルにもくろまれる他の潜在的用途
は例えば重合体の安定剤としてである。粘度および物理
的状態の差を除き、−放火Iのボリグリシジルエステル
はガラス転移温度(Tg)および加水分解安定性といっ
た他の特性において強く変化しうる生成物を包含するで
あろう。Tgに関して或最小必要条件を有する用途には
、好ましい部類のポリグリシジルエステルは、Bが5Q
p−Q−3o、−でありそしてQがエチレン基であるか
、またはBが一5Op−であるものである。特に好まし
いのはpが1または2であり、より好ましくはpが2で
あるポリグリシジルエステルである。
その分子構造が該ポリグリシジルエステルまたはそれか
ら誘導される生成物のTgに対して正の寄与を提供しう
る部類の一般式Iのポリグリシジルエステルは各R1が
一〇H,であるものである。加水分解安定性に関する必
要条件が非常に厳しい用途には、好ましいポリグリシジ
ルエステルはpが0であるものである。
ら誘導される生成物のTgに対して正の寄与を提供しう
る部類の一般式Iのポリグリシジルエステルは各R1が
一〇H,であるものである。加水分解安定性に関する必
要条件が非常に厳しい用途には、好ましいポリグリシジ
ルエステルはpが0であるものである。
ポリグリシジルエステルの分子あたりのグリシジル基の
数は理論ではそれらが基くポリカルボン酸の官能価に等
しいであろうが、実際にはおよび製造法に依って、この
数はそれより若干低くあり得、その差は例えばα−グリ
コール基、即ち加水分解されたグリシジル基、クロロヒ
ドリン基およびカルボキシル基により作り上げられる。
数は理論ではそれらが基くポリカルボン酸の官能価に等
しいであろうが、実際にはおよび製造法に依って、この
数はそれより若干低くあり得、その差は例えばα−グリ
コール基、即ち加水分解されたグリシジル基、クロロヒ
ドリン基およびカルボキシル基により作り上げられる。
本発明のポリグリシジルエステルの製造は、例えば前記
ドイツ特許出願に記載されているもののような既知ポリ
グリシジルエステル製造法、即ちa) 適当なポリカル
ボン酸のアルカリ金属塩と過剰(7)エピハロヒドリン
またはβ−メチルエビハロヒドリンとの反応およびそれ
に続く同時に生成したハロゲン化アルカリ金属の分離、 b+)ポリカルボン酸と過剰のエビハロヒドリンまたは
β−メチルエピハロヒドリンとの、一般ニカルボキシル
基あたり〉2モルのエピハロヒドリンでの、第3アミン
、第4級アンモニウム塩またはイオン交換樹脂のような
適当な触媒の存在下での反応、この場合中間的に生成し
たハロヒドリン基は、生成したハロヒドリンと過剰のエ
ピハロヒドリンまたはβ−メチルエピハロヒドリンとの
間の反応の結果として対応するグリセリンジハロゲンヒ
ドリンの生成下にエポキシ基に転化される、および す、)ポリカルボン酸とエピハロヒドリンまたはβ−メ
チルエピハロヒドリンとの、第3アミンまたは第4級ア
ンモニウム塩の存在下および無水の水酸化ナトリウムま
たは関連無機化合物のような脱ハロゲン化水素剤を用い
る反応、 により好都合に行ないうる。
ドイツ特許出願に記載されているもののような既知ポリ
グリシジルエステル製造法、即ちa) 適当なポリカル
ボン酸のアルカリ金属塩と過剰(7)エピハロヒドリン
またはβ−メチルエビハロヒドリンとの反応およびそれ
に続く同時に生成したハロゲン化アルカリ金属の分離、 b+)ポリカルボン酸と過剰のエビハロヒドリンまたは
β−メチルエピハロヒドリンとの、一般ニカルボキシル
基あたり〉2モルのエピハロヒドリンでの、第3アミン
、第4級アンモニウム塩またはイオン交換樹脂のような
適当な触媒の存在下での反応、この場合中間的に生成し
たハロヒドリン基は、生成したハロヒドリンと過剰のエ
ピハロヒドリンまたはβ−メチルエピハロヒドリンとの
間の反応の結果として対応するグリセリンジハロゲンヒ
ドリンの生成下にエポキシ基に転化される、および す、)ポリカルボン酸とエピハロヒドリンまたはβ−メ
チルエピハロヒドリンとの、第3アミンまたは第4級ア
ンモニウム塩の存在下および無水の水酸化ナトリウムま
たは関連無機化合物のような脱ハロゲン化水素剤を用い
る反応、 により好都合に行ないうる。
好ましくは本発明のポリグリシジルエステルの製造に使
用しうるエピハロヒドリンおよび/またはβ−メチルエ
ピハロヒドリンはエピクロロヒドリン類であり、エピク
ロロヒドリンが特に好ましい。
用しうるエピハロヒドリンおよび/またはβ−メチルエ
ピハロヒドリンはエピクロロヒドリン類であり、エピク
ロロヒドリンが特に好ましい。
nの値はポリグリシジルエステルの製造に使用された方
法の種類により並びに用いられたエピハロヒドリン化合
物の過剰量により大きく左右されることは当該技術分野
の熟達者には理解されるであろう。一般にポリグリシジ
ルエステルは異なるnの値を有するエステルの混合物で
あろう。所望なら、後記−放火Hのポリカルボン酸とモ
ル過剰の前記ポリグリシジルエステル例えばn=oであ
る一般式Iのポリグリシジルエステルとを適当な触媒の
存在下に反応させることにより該ポリグリシジルエステ
ルを製造することもできる。
法の種類により並びに用いられたエピハロヒドリン化合
物の過剰量により大きく左右されることは当該技術分野
の熟達者には理解されるであろう。一般にポリグリシジ
ルエステルは異なるnの値を有するエステルの混合物で
あろう。所望なら、後記−放火Hのポリカルボン酸とモ
ル過剰の前記ポリグリシジルエステル例えばn=oであ
る一般式Iのポリグリシジルエステルとを適当な触媒の
存在下に反応させることにより該ポリグリシジルエステ
ルを製造することもできる。
本発明のポリグリシジルエステルの製造に使用しうるポ
リカルボン酸は一般式 %式% (式中、A、Bおよびmは前記と同じ意味を有する) のポリカルボン酸である。−放火Hのポリカルボン酸の
例はチオジピバル酸、スルホニルビハル酸、スルホニル
ビハル酸、エタン−12−ビス(チオピバル酸)、エタ
ン−1,2−ビス(スルホニルビハル酸)、エタン−1
,2−ビス(スルホニルビパル酸)、プロパン−L2,
3−トリス(チオビバル酸)、プロパン−1,2,31
−リス(スルホニルビハル酸体生 3−トリス(スルホニルビハル酸)、ブタン−1゜4−
ビス(チオピバル酸)、ブタン−14−ビススルフィニ
ルピハル酸)およびブタン−L4ビス(スルホニルピバ
ル酸)を包含する。チオジピバル酸が好ましい一形式■
のポリカルボン酸である。
リカルボン酸は一般式 %式% (式中、A、Bおよびmは前記と同じ意味を有する) のポリカルボン酸である。−放火Hのポリカルボン酸の
例はチオジピバル酸、スルホニルビハル酸、スルホニル
ビハル酸、エタン−12−ビス(チオピバル酸)、エタ
ン−1,2−ビス(スルホニルビハル酸)、エタン−1
,2−ビス(スルホニルビパル酸)、プロパン−L2,
3−トリス(チオビバル酸)、プロパン−1,2,31
−リス(スルホニルビハル酸体生 3−トリス(スルホニルビハル酸)、ブタン−1゜4−
ビス(チオピバル酸)、ブタン−14−ビススルフィニ
ルピハル酸)およびブタン−L4ビス(スルホニルピバ
ル酸)を包含する。チオジピバル酸が好ましい一形式■
のポリカルボン酸である。
Bが一3Op−(CHz) 4−3op−または−GS
Op−CHzhCH−5opである一般式Hのポリカル
ボン酸は新規化合物である。
Op−CHzhCH−5opである一般式Hのポリカル
ボン酸は新規化合物である。
Bが一3Op−Q −5Op−または−(So、 C
Hz→Cl1−5o「でありそしてpがOである一般火
■のポリカルボン酸は例えばA、C,Bel Iaar
t等によりZ、 anorg。
Hz→Cl1−5o「でありそしてpがOである一般火
■のポリカルボン酸は例えばA、C,Bel Iaar
t等によりZ、 anorg。
allg、 Chem、 412.155 160 (
1975) に記載されているようにクロロピバル酸
と2−10個の炭素原子を有する適当なアルカンポリチ
オールを反応させることにより好都合に製造しうる。
1975) に記載されているようにクロロピバル酸
と2−10個の炭素原子を有する適当なアルカンポリチ
オールを反応させることにより好都合に製造しうる。
該ポリカルボン酸の好ましいそして新規な製造法はメル
カプトビパル酸のジアルカリ金属またはジアンモニウム
塩と2−10個の炭素原子を有する適当なジハロゲンア
ルカンの反応および続く反応生成物の酸性化を経るもの
である。
カプトビパル酸のジアルカリ金属またはジアンモニウム
塩と2−10個の炭素原子を有する適当なジハロゲンア
ルカンの反応および続く反応生成物の酸性化を経るもの
である。
チオジピバル酸(pがOでBが一5op−)の製造はク
ロロピバル酸ナトリウムの水性乳濁液を硫化ナトリウム
水溶液と20−23°Cで24時間攪拌しそして次に反
応媒体を酸性化してチオジピパレートを沈澱として提供
することにより好都合に行ないうる;この方法は知られ
ている。チオジピバル酸製造の好ましいそして新規な方
法はメルカプトビパル酸のジアルカリ金属またはジアン
モニウム塩とピバロラクトンの0−25°Cの範囲、好
ましくは5−15℃の範囲の温度での反応とそれに続く
反応生成物の酸性化を経るものである。
ロロピバル酸ナトリウムの水性乳濁液を硫化ナトリウム
水溶液と20−23°Cで24時間攪拌しそして次に反
応媒体を酸性化してチオジピパレートを沈澱として提供
することにより好都合に行ないうる;この方法は知られ
ている。チオジピバル酸製造の好ましいそして新規な方
法はメルカプトビパル酸のジアルカリ金属またはジアン
モニウム塩とピバロラクトンの0−25°Cの範囲、好
ましくは5−15℃の範囲の温度での反応とそれに続く
反応生成物の酸性化を経るものである。
pが1または2である一般火■のポリカルボン酸は、p
が0である対応酸のジアルキルエステル例えばチオジピ
バル酸ジエチルを氷酢酸と無水酢酸の混合物中の溶液と
して所望量の過酸化水素(30%m)と、後者を該溶液
に3時間にわたり流加して反応させることにより、該対
応酸から製造しうる。過剰の溶媒を除去後、所望の生成
物を酸性化および再結晶して単離しうる。この方法は知
られている。pが1または2である一般式Iのポリグリ
シジルエステルでは1つより多い製造法があり、例えば
: a)pが1または2の値を有する一般火■のポリカルボ
ン酸のグリシジル化、および b)pが0である一般火■のポリカルボン酸のグリシジ
ル化とそれに続く得られたチオ基含有ポリグリシジルエ
ステルの、例えばジグリシジルチオジビハレ−1・のジ
クロロメタンおよび氷酢酸中の溶液を一10℃で段階的
に添加されるペンジルトリエチルアンモニウムパーマン
カネートと1時間反応させることによる、対応するスル
フィニルまたはスルホニル基含有化合物への酸化。ジエ
チルエーテルで希釈後、反応を30分間攪拌し、しかる
後混合物を濾過する。有機溶液を精製後、有機溶媒の蒸
発を経て所望化合物を得ることができる。
が0である対応酸のジアルキルエステル例えばチオジピ
バル酸ジエチルを氷酢酸と無水酢酸の混合物中の溶液と
して所望量の過酸化水素(30%m)と、後者を該溶液
に3時間にわたり流加して反応させることにより、該対
応酸から製造しうる。過剰の溶媒を除去後、所望の生成
物を酸性化および再結晶して単離しうる。この方法は知
られている。pが1または2である一般式Iのポリグリ
シジルエステルでは1つより多い製造法があり、例えば
: a)pが1または2の値を有する一般火■のポリカルボ
ン酸のグリシジル化、および b)pが0である一般火■のポリカルボン酸のグリシジ
ル化とそれに続く得られたチオ基含有ポリグリシジルエ
ステルの、例えばジグリシジルチオジビハレ−1・のジ
クロロメタンおよび氷酢酸中の溶液を一10℃で段階的
に添加されるペンジルトリエチルアンモニウムパーマン
カネートと1時間反応させることによる、対応するスル
フィニルまたはスルホニル基含有化合物への酸化。ジエ
チルエーテルで希釈後、反応を30分間攪拌し、しかる
後混合物を濾過する。有機溶液を精製後、有機溶媒の蒸
発を経て所望化合物を得ることができる。
例 ■
チオジピバル1の+1造
10℃の温度を有する水10.1リットル中のメルカプ
トビハル酸のニナトリウム塩26モルの攪拌溶液に、ピ
ハロラクトン2600g(26モル)を4時間にわたり
反応器内容物の温度が約10℃に保たれるような速度で
添加した。反応器内容物は固化する傾向があったので、
更に1.5リットルの水をピバロラクトン添加中に添加
した。ラクトン添加完了後溶液を更に2時間攪拌した。
トビハル酸のニナトリウム塩26モルの攪拌溶液に、ピ
ハロラクトン2600g(26モル)を4時間にわたり
反応器内容物の温度が約10℃に保たれるような速度で
添加した。反応器内容物は固化する傾向があったので、
更に1.5リットルの水をピバロラクトン添加中に添加
した。ラクトン添加完了後溶液を更に2時間攪拌した。
反応器内容物を濃塩酸(6050m A )で酸性化し
てpH3とした。生じた濃稠白色沈澱を濾過により分離
した。
てpH3とした。生じた濃稠白色沈澱を濾過により分離
した。
固体塊を8リツトルの水中で攪拌しそして再決過した。
この段階で湿った粗生成物は7308 gの重さであっ
た。少量(34,39g)を乾燥して白色粉(27,7
5g )を得、それは融点155−157℃(文献16
3−164℃)であった。即ち粗チオシヒハル酸(TD
PA) <7)収量は5465g (90%)であった
。粗酸を還流の工業用メタノール変性アルコール(IM
S)/水混合物(4,5/10jりから再結晶した。溶
液を2日間冷却するにまかせ、そして再結晶したTDP
Aを濾過により分離しそして水/IMS100:45ν
/νで洗滌した。90℃10.5mlで乾燥後、163
−164℃の融点を有する純TDPA 4401g (
ラクトン基準で収率72.3%)が得られた。
た。少量(34,39g)を乾燥して白色粉(27,7
5g )を得、それは融点155−157℃(文献16
3−164℃)であった。即ち粗チオシヒハル酸(TD
PA) <7)収量は5465g (90%)であった
。粗酸を還流の工業用メタノール変性アルコール(IM
S)/水混合物(4,5/10jりから再結晶した。溶
液を2日間冷却するにまかせ、そして再結晶したTDP
Aを濾過により分離しそして水/IMS100:45ν
/νで洗滌した。90℃10.5mlで乾燥後、163
−164℃の融点を有する純TDPA 4401g (
ラクトン基準で収率72.3%)が得られた。
分析 測定値: C,50,7;H,7,8; S、
13.8%計算値:Cl0HIBO4S :C,,5
1,2;H,7,8;S、13.8% 酸価:474■KOH/ g 例 ■ ブタン−L4−ビス(チオビハル )の製造メルカプト
ビハル酸(MPA)のニナトリウム塩の水溶液を、MP
A (2モル、268.4g) 、水酸化ナトリウム(
4モル、160 g)および水(800m6)から窒素
下で製造した。この溶液を70°Cで攪拌しそして14
−ジクロロブタン(1モル、91.5 g )を20分
間にわたり添加し、その間濁った反応混合物の温度は7
0−80°Cのままであった。全部のジクロロブタンが
反応するまで(約90分)反応混合物を攪拌し、その結
果濁りは消えそして温度は100 ’Cに上昇した。こ
の溶液を100°Cで更に15分間攪拌し、冷却し、そ
して濃塩酸(180mjりを流加酸性化した。沈澱した
固体をJ過し、吸引乾燥し、そしてジエチルエーテル/
沸騰範囲30−40℃のベトロリウムスピリツトから再
結晶して純酸を融点95.5−96℃、当量162.1
の白色固体として86.5%の収率で得た。
13.8%計算値:Cl0HIBO4S :C,,5
1,2;H,7,8;S、13.8% 酸価:474■KOH/ g 例 ■ ブタン−L4−ビス(チオビハル )の製造メルカプト
ビハル酸(MPA)のニナトリウム塩の水溶液を、MP
A (2モル、268.4g) 、水酸化ナトリウム(
4モル、160 g)および水(800m6)から窒素
下で製造した。この溶液を70°Cで攪拌しそして14
−ジクロロブタン(1モル、91.5 g )を20分
間にわたり添加し、その間濁った反応混合物の温度は7
0−80°Cのままであった。全部のジクロロブタンが
反応するまで(約90分)反応混合物を攪拌し、その結
果濁りは消えそして温度は100 ’Cに上昇した。こ
の溶液を100°Cで更に15分間攪拌し、冷却し、そ
して濃塩酸(180mjりを流加酸性化した。沈澱した
固体をJ過し、吸引乾燥し、そしてジエチルエーテル/
沸騰範囲30−40℃のベトロリウムスピリツトから再
結晶して純酸を融点95.5−96℃、当量162.1
の白色固体として86.5%の収率で得た。
分析 測定値: C,51,8; l(、8,1; S
、 20.2%計算値: Czllz604Sz :
C,52,1i tl、 8.1 ;S、19.9% 例■ プロパン−L2,3−トリス(チオピバル )の製例■
に記載した方法に従いそしてL2,3− トリクロロプ
ロパン1モル、MPA3モルおよヒNa0II6モルを
使用してプロパンL2,3− トリス(チオビバル酸)
を製造した。再結晶複酸が83%の収率で得られた。
、 20.2%計算値: Czllz604Sz :
C,52,1i tl、 8.1 ;S、19.9% 例■ プロパン−L2,3−トリス(チオピバル )の製例■
に記載した方法に従いそしてL2,3− トリクロロプ
ロパン1モル、MPA3モルおよヒNa0II6モルを
使用してプロパンL2,3− トリス(チオビバル酸)
を製造した。再結晶複酸が83%の収率で得られた。
融点:118−121℃、当量148.3゜分析 測定
値 C,48,8iH,7,3,S、 22.9%計算
値 c+ BH3□o6s、 : C,49,1; H
,7,3。
値 C,48,8iH,7,3,S、 22.9%計算
値 c+ BH3□o6s、 : C,49,1; H
,7,3。
S、 21.8%
例■
スルホニルジピバル酸(SDPA)の製造酸化タングス
テン(10g、0.04モル)を水(5β)中の懸濁液
として50℃で攪拌した。水酸化すi−リウムの濃水溶
液を滴加してすべての酸化物が溶解した時アルカリ性溶
液を得た。この溶液を氷酢酸でpH5−6に酸性化して
タングステン酸を遊離させ、この化合物はS叶への製造
に触媒として使用する。
テン(10g、0.04モル)を水(5β)中の懸濁液
として50℃で攪拌した。水酸化すi−リウムの濃水溶
液を滴加してすべての酸化物が溶解した時アルカリ性溶
液を得た。この溶液を氷酢酸でpH5−6に酸性化して
タングステン酸を遊離させ、この化合物はS叶への製造
に触媒として使用する。
チオジピパル酸(936,8g 、 4.0モル)をタ
ングステン酸含有溶液に添加しそして得られるスラリー
を60゛Cで攪拌した。次に過酸化水素(30%m 1
000 ml)をスラリーに滴加した。最初の500m
βの(100分にわたる)添加の量温度は外部加熱無し
で72−73°Cのままであった。過酸化水素の残りの
(40分にわたる)添加の量温度を75−85℃の範囲
に保つのに外部加熱を必要とした。次にスラリーを85
−89°Cで24時間攪拌し、そして次に冷却した。粗
5DPAを濾過により分離しそして水で洗滌して過酸化
物を除去した。粗5DPAが90%の収率で得られた(
融点237240°C)。氷酢酸(57りから再結晶し
、ペトロリウムスピリソト(40−60℃沸騰範囲)で
洗滌しそして100”c15龍Hgで乾燥後、純5DP
A(融点239.5−240.5℃)866g (81
,5%)が得られた。
ングステン酸含有溶液に添加しそして得られるスラリー
を60゛Cで攪拌した。次に過酸化水素(30%m 1
000 ml)をスラリーに滴加した。最初の500m
βの(100分にわたる)添加の量温度は外部加熱無し
で72−73°Cのままであった。過酸化水素の残りの
(40分にわたる)添加の量温度を75−85℃の範囲
に保つのに外部加熱を必要とした。次にスラリーを85
−89°Cで24時間攪拌し、そして次に冷却した。粗
5DPAを濾過により分離しそして水で洗滌して過酸化
物を除去した。粗5DPAが90%の収率で得られた(
融点237240°C)。氷酢酸(57りから再結晶し
、ペトロリウムスピリソト(40−60℃沸騰範囲)で
洗滌しそして100”c15龍Hgで乾燥後、純5DP
A(融点239.5−240.5℃)866g (81
,5%)が得られた。
分析 測定値:C,44,6;H,6,13;S、 1
2.2%計算値(C,。H1806Sとして) :C
,45,1;I+、 6.8 ;S、 12.1% 酸イ@42 6N KOH/g 例■ ジグリシジルチオジピバレ−1・の製造水5B、8mj
!中の水酸化ナトリウム11.79gの溶液にチオジピ
バル酸35.1g(0,15モル)を添加し、そしてこ
の混合物を約15分攪拌することによりチオジビバル酸
のニナトリウム塩を製造した。次に水を減圧で蒸発させ
ることにより除去しそして更に50−75℃で100
+ul1gで乾燥した。
2.2%計算値(C,。H1806Sとして) :C
,45,1;I+、 6.8 ;S、 12.1% 酸イ@42 6N KOH/g 例■ ジグリシジルチオジピバレ−1・の製造水5B、8mj
!中の水酸化ナトリウム11.79gの溶液にチオジピ
バル酸35.1g(0,15モル)を添加し、そしてこ
の混合物を約15分攪拌することによりチオジビバル酸
のニナトリウム塩を製造した。次に水を減圧で蒸発させ
ることにより除去しそして更に50−75℃で100
+ul1gで乾燥した。
このチオジピバル酸二ナトリウムをエピクロロヒドリン
(ECH) 215.0g (2,32モル)とテトラ
ブチルアンモニウムプロミド0.91 g (2,82
xlo−3モル)の攪拌混合物に添加した。次に混合物
を(120℃油浴上で)4時間攪拌しつつ還流させ、そ
して40℃に冷却し、濾過した。過剰のlECl−1を
120°Cまでの温度および15m耐1gの圧力で蒸発
させることにより除去した。残渣をトルエン147m7
!に添加し、次に水27.5mj!中の水酸化ナトリウ
ム1.88 gを添加した。生ずる二層系を100°C
の油浴上で15分加熱した。有機層を分離しそして3%
m Na1l□po4水溶液3001βで洗滌し、次に
水で洗滌し、11gSO4上で乾燥しそしてt濾過した
。?容媒を減圧(L 5 n+8g)で蒸発させた。残
渣の真空蒸留は沸点167℃/ 0.03 mmHgお
よび粘度91mPaを有する淡黄色油39.4 g(収
率76%)を与えた。’IINMRおよび13CNMR
は生成物がジクリシジルチオジビハレートであることを
示した。エポキシ含量は理論量の96.1%であること
が見出され、そしてこのエポキシ含量は40℃で40日
間貯蔵中変化しなかった。
(ECH) 215.0g (2,32モル)とテトラ
ブチルアンモニウムプロミド0.91 g (2,82
xlo−3モル)の攪拌混合物に添加した。次に混合物
を(120℃油浴上で)4時間攪拌しつつ還流させ、そ
して40℃に冷却し、濾過した。過剰のlECl−1を
120°Cまでの温度および15m耐1gの圧力で蒸発
させることにより除去した。残渣をトルエン147m7
!に添加し、次に水27.5mj!中の水酸化ナトリウ
ム1.88 gを添加した。生ずる二層系を100°C
の油浴上で15分加熱した。有機層を分離しそして3%
m Na1l□po4水溶液3001βで洗滌し、次に
水で洗滌し、11gSO4上で乾燥しそしてt濾過した
。?容媒を減圧(L 5 n+8g)で蒸発させた。残
渣の真空蒸留は沸点167℃/ 0.03 mmHgお
よび粘度91mPaを有する淡黄色油39.4 g(収
率76%)を与えた。’IINMRおよび13CNMR
は生成物がジクリシジルチオジビハレートであることを
示した。エポキシ含量は理論量の96.1%であること
が見出され、そしてこのエポキシ含量は40℃で40日
間貯蔵中変化しなかった。
例■
ジグリシジルスルホニルジピハレートの製造ジグリシジ
ルチオジビハレート346■(1ミリモル)をジクロロ
メタン10+nj+に溶解し、次に氷酢酸1gを添加し
た。この攪拌溶液を氷/塩浴の助けで一10℃に冷却し
た。次にヘンジルトリエチルアンモニウムパーマンガネ
−1−684■を段階的に添加、即ち1分あたり1回添
加の割合で、約98■ずつ7回添加した。混合物を1時
間攪拌汲水/塩浴を取去りそしてジエチルエーテル20
mj!を添加し、そして更に30分攪拌後混合物を濾過
した。有機溶液を水15m1で2回および5%m Na
t+C:03水溶液15+n6で1回振盪し、MgSO
4で乾燥しそしてが過した。最後に溶媒を薄膜蒸発器中
で蒸発させることにより除去してジグリシジルスルホニ
ルジピパレート240Ivを得た。
ルチオジビハレート346■(1ミリモル)をジクロロ
メタン10+nj+に溶解し、次に氷酢酸1gを添加し
た。この攪拌溶液を氷/塩浴の助けで一10℃に冷却し
た。次にヘンジルトリエチルアンモニウムパーマンガネ
−1−684■を段階的に添加、即ち1分あたり1回添
加の割合で、約98■ずつ7回添加した。混合物を1時
間攪拌汲水/塩浴を取去りそしてジエチルエーテル20
mj!を添加し、そして更に30分攪拌後混合物を濾過
した。有機溶液を水15m1で2回および5%m Na
t+C:03水溶液15+n6で1回振盪し、MgSO
4で乾燥しそしてが過した。最後に溶媒を薄膜蒸発器中
で蒸発させることにより除去してジグリシジルスルホニ
ルジピパレート240Ivを得た。
スルホニル基の存在は赤外スペクトルにより確認された
。
。
例■
架 したチオジピバル酸ジグリシジルエステルの翌遺
例■で製造したチオジビバル酸ジグリシジルエステルを
イソホロンジアミン(IPD)およびジフェニルジアミ
ノメタン(DDM) と、表1に示した量および条件下
で混合した。混合物を(Dow Corningからの
)シリコンに基く離型剤で前処理したアルミニウムカッ
プ(φ5cm)に移した。カップの内容物を100℃で
1時間、次に125°Cで1時間、最後に175°Cで
4時間加熱した。ジグリシジルエステル/IPD混合物
はまた、燐酸塩処理鋼板上にフィルムアプリケータの助
けで25μmフィルムとして適用し次に窒素雰囲気中で
175℃で90分加熱した。
イソホロンジアミン(IPD)およびジフェニルジアミ
ノメタン(DDM) と、表1に示した量および条件下
で混合した。混合物を(Dow Corningからの
)シリコンに基く離型剤で前処理したアルミニウムカッ
プ(φ5cm)に移した。カップの内容物を100℃で
1時間、次に125°Cで1時間、最後に175°Cで
4時間加熱した。ジグリシジルエステル/IPD混合物
はまた、燐酸塩処理鋼板上にフィルムアプリケータの助
けで25μmフィルムとして適用し次に窒素雰囲気中で
175℃で90分加熱した。
硬化後すべての注型品は表1に示したTg値を有する硬
い透明な淡色の系であった。IPDに基くフィルムは更
に非常に良好な金属基材への接着性および高い光沢度を
示した。
い透明な淡色の系であった。IPDに基くフィルムは更
に非常に良好な金属基材への接着性および高い光沢度を
示した。
表 1
* 個々の化合物を混合前に別々に100℃に加熱した
。
。
Claims (8)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、 RはHまたはCH_3であり; Aはアルキレン基−CR^1_2−CH_2−を表わし
、ここで各R^1は同一または異なってもよいC_1−
C_4アルキル基を表わし、該基Aは隣接基Bに−CH
_2−基を介して付いており; nは0−10の範囲の値を有し; mは1または2であり; mが1ならBは基−SO_p−または基−SO_p−Q
−SO_p−を表わし、ここでpは0、1または2であ
り、そしてQは2−10個の炭素原子を有する直鎖また
は枝分れアルキレン基であり、 mが2ならBは基▲数式、化学式、表等があります▼を
表わ し、ここでpは前記と同じ意味を有する) のポリグリシジルエステル。 - (2)Bが−SO_p−Q−SO_p−でありそしてQ
がエチレン基である特許請求の範囲第1項記載のポリグ
リシジルエステル。 - (3)Bが−SO_p−である特許請求の範囲第1項記
載のポリグリシジルエステル。 - (4)各R^1がCH_3である特許請求の範囲第1−
3項のいずれか記載のポリグリシジルエステル。 - (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中A、Bおよびmは前記と同じ意味を有する)のポ
リカルボン酸を過剰のエピハロヒドリンまたはβ−メチ
ルエピハロヒドリンと既知方法により反応させる特許請
求の範囲第1−4項のいずれか記載のポクグリシジルエ
ステルの製造方法。 - (6)ポリカルボン酸がチオジピバル酸でありそしてエ
ピハロヒドリンがエピクロロヒドリンである特許請求の
範囲第5項記載の方法。 - (7)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ のポリカルボン酸。
- (8)ブタン−1,4−ビス(チオピバル酸)、プロパ
ン−1,2,3−トリス(チオピバル酸)、ジグリシジ
ルチオピバレートおよびジグリシジルスルホニルジピバ
レート。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB888825057A GB8825057D0 (en) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | Novel polygycidyl esters their preparation & their use in thermosetting compositions |
GB8825057.6 | 1988-10-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02164875A true JPH02164875A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=10645819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27514889A Pending JPH02164875A (ja) | 1988-10-26 | 1989-10-24 | 新規ポリグリシジルエステル、それらの製造およびそれらの熱硬化性組成物における使用 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0366205B1 (ja) |
JP (1) | JPH02164875A (ja) |
CA (1) | CA2000146A1 (ja) |
DE (1) | DE68912708T2 (ja) |
GB (1) | GB8825057D0 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5186718A (en) * | 1989-05-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Staged-vacuum wafer processing system and method |
WO2020022086A1 (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 日産化学株式会社 | ヘテロ原子をポリマー主鎖中に含むレジスト下層膜形成組成物 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9111726D0 (en) * | 1991-05-31 | 1991-07-24 | Shell Int Research | Thermosetting resing composition |
CN101426763A (zh) | 2000-10-11 | 2009-05-06 | 埃斯佩里安医疗公司 | 用于胆固醇治疗和相关应用的硫化物和二硫化物化合物和组合物 |
US6610817B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-08-26 | Basf Corporation | Coating composition containing alcoholic reactive diluents |
WO2005068418A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-28 | Esperion Therapeutics, Inc. | Sulfide and disulfide compounds and compositions for cholesterol management and related uses |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH502402A (de) * | 1968-01-29 | 1971-01-31 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung von neuen langkettigen, aliphatische oder cycloaliphatische Säurereste enthaltenden Polyglycidylestern |
CH508614A (de) * | 1968-09-30 | 1971-06-15 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung von neuen Diglycidylestern aliphatischer Dicarbonsäuren und deren Verwendung in härtbaren Gemischen |
-
1988
- 1988-10-26 GB GB888825057A patent/GB8825057D0/en active Pending
-
1989
- 1989-10-04 CA CA 2000146 patent/CA2000146A1/en not_active Abandoned
- 1989-10-24 EP EP19890202689 patent/EP0366205B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-24 DE DE1989612708 patent/DE68912708T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-24 JP JP27514889A patent/JPH02164875A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5186718A (en) * | 1989-05-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Staged-vacuum wafer processing system and method |
WO2020022086A1 (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 日産化学株式会社 | ヘテロ原子をポリマー主鎖中に含むレジスト下層膜形成組成物 |
JPWO2020022086A1 (ja) * | 2018-07-24 | 2021-09-09 | 日産化学株式会社 | ヘテロ原子をポリマー主鎖中に含むレジスト下層膜形成組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68912708T2 (de) | 1994-05-19 |
CA2000146A1 (en) | 1990-04-26 |
DE68912708D1 (de) | 1994-03-10 |
GB8825057D0 (en) | 1988-11-30 |
EP0366205B1 (en) | 1994-01-26 |
EP0366205A1 (en) | 1990-05-02 |
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