JPH02164742A - 光ファイバおよびその母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバおよびその母材の製造方法Info
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- JPH02164742A JPH02164742A JP63319365A JP31936588A JPH02164742A JP H02164742 A JPH02164742 A JP H02164742A JP 63319365 A JP63319365 A JP 63319365A JP 31936588 A JP31936588 A JP 31936588A JP H02164742 A JPH02164742 A JP H02164742A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、コアに含まれるＧｅ Ｏ□量が少なく、か
つコアとクラッドとの比屈折率差△は十分に大きな光フ
ァイバおよびそれ用の光ファイバ母材の製造方法に関す
るもので、レーり散乱の小さな低伝送損失のものを提供
する。
つコアとクラッドとの比屈折率差△は十分に大きな光フ
ァイバおよびそれ用の光ファイバ母材の製造方法に関す
るもので、レーり散乱の小さな低伝送損失のものを提供
する。
（従来の技術）
従来の石英ガラス系光ファイバの主流は、コアにＧｅ
Ｏ□を十分にドーピングすることでその屈折率を高め、
クラッドには純粋Ｓｉ Ｏ□を用いて両者間の比屈折率
差△を０．３〜１％程度にしたものである。
Ｏ□を十分にドーピングすることでその屈折率を高め、
クラッドには純粋Ｓｉ Ｏ□を用いて両者間の比屈折率
差△を０．３〜１％程度にしたものである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながらＧｅ Ｏ□を含むファイバのレーり散乱損
失は第１図に示すようにその量が増すほど大となり、屈
折率を容易に増加しつるという利点はあるものの自から
限界がある。そこでコアを純粋Ｓｉ Ｏａとし、クラッ
ドをフッ素ドープＳｉ Ｌとする光ファイバが提案され
ているが、フッ素をＳｉ Ｏ□ガラス内に均一かつ多量
にドープすることはなかなか困難で、コアとクラッドと
の比屈折率差△をＧｅ Ｌを用いた場合と同程度０，３
〜１％にまで高めるには再現性の点で問題があった。フ
ッ素をＳｉ Ｏ□ガラス内に多量にドープする手段とし
てはプラズマ法があるが、この方法においても均一にド
ープするということでは問題がある。
失は第１図に示すようにその量が増すほど大となり、屈
折率を容易に増加しつるという利点はあるものの自から
限界がある。そこでコアを純粋Ｓｉ Ｏａとし、クラッ
ドをフッ素ドープＳｉ Ｌとする光ファイバが提案され
ているが、フッ素をＳｉ Ｏ□ガラス内に均一かつ多量
にドープすることはなかなか困難で、コアとクラッドと
の比屈折率差△をＧｅ Ｌを用いた場合と同程度０，３
〜１％にまで高めるには再現性の点で問題があった。フ
ッ素をＳｉ Ｏ□ガラス内に多量にドープする手段とし
てはプラズマ法があるが、この方法においても均一にド
ープするということでは問題がある。
（課題を解決するための手段）
この発明は、以上の観点からコア内のＧｅ Ｏ□のドー
パント量を極力下げてレーり散乱損失の低減をはかると
ともに、クラッド内へのフッ素のドーパント量を多量か
つ均一にしたもので、まず第１の請求項は、Ｇｅ Ｏ□
を２ｍｏｌ％以下含むＳｉ Ｏ□ココア、少なくともフ
ッ素が０．３ ｍｏ１％添加されたＳｉ Ｏ□クラッド
とからなり、これらコアとクラッドとの比屈折率差Δが
少なくとも０．３％以上である光ファイバにある。また
第２の請求項は、Ｇｅ Ｏ□を２ ｍｏ１％以下含むＳ
ｉ ０２コア用ガラスロツドの回りに、火炎加水分解も
しくは熱酸化法によりＳｉ Ｏ□ガラス微粒子からなる
多孔質ガラス層を堆積させて多孔質ガラスラリフォーム
となし、次いでこのプリフォームを１２００〜１４００
℃の温度で、かつフッ素イオン濃度が少なくとも１．０
％のＨｅ雰囲気下で熱処理し、しかるのちこの多孔質ガ
ラスラリフォームなＨｅのみの雰囲気で、かつその雰囲
気内分圧を多孔質ガラスラリフォーム内分へ 圧よりも低（シた状態で１６００〜１７００℃に加熱し
て透明ガラス化する光ファイバ母材の製造方法にある。
パント量を極力下げてレーり散乱損失の低減をはかると
ともに、クラッド内へのフッ素のドーパント量を多量か
つ均一にしたもので、まず第１の請求項は、Ｇｅ Ｏ□
を２ｍｏｌ％以下含むＳｉ Ｏ□ココア、少なくともフ
ッ素が０．３ ｍｏ１％添加されたＳｉ Ｏ□クラッド
とからなり、これらコアとクラッドとの比屈折率差Δが
少なくとも０．３％以上である光ファイバにある。また
第２の請求項は、Ｇｅ Ｏ□を２ ｍｏ１％以下含むＳ
ｉ ０２コア用ガラスロツドの回りに、火炎加水分解も
しくは熱酸化法によりＳｉ Ｏ□ガラス微粒子からなる
多孔質ガラス層を堆積させて多孔質ガラスラリフォーム
となし、次いでこのプリフォームを１２００〜１４００
℃の温度で、かつフッ素イオン濃度が少なくとも１．０
％のＨｅ雰囲気下で熱処理し、しかるのちこの多孔質ガ
ラスラリフォームなＨｅのみの雰囲気で、かつその雰囲
気内分圧を多孔質ガラスラリフォーム内分へ 圧よりも低（シた状態で１６００〜１７００℃に加熱し
て透明ガラス化する光ファイバ母材の製造方法にある。
なお、第１の請求項において、Ｇｅ Ｏ□のドーパント
量を２ ｍｏ１％以下としたのは波長１．５５μｍにお
けるレーり散乱損失を０．１５ ｄＢ／ｋｍ程度に抑え
ることが可能であり、現在の光ファイバの伝送損失特許
請求の範囲内とされるからである。また第２の請求項に
おいて、フッ素を含有したＳｉ Ｏｉ多孔質ガラスラリ
フォームの透明ガラス化芝 に際して、その雰囲気内分圧貴多孔質ガラスラリフォー
ム内分圧よりも高（するのは、−旦Ｓｉ Ｏ□多多孔質
ガラ円内付着、浮遊するフッ素イオンが雰囲気内に拡散
してきて所定量Ｓｉ Ｏ□内には入らなくなるのを防ぐ
ためである。
量を２ ｍｏ１％以下としたのは波長１．５５μｍにお
けるレーり散乱損失を０．１５ ｄＢ／ｋｍ程度に抑え
ることが可能であり、現在の光ファイバの伝送損失特許
請求の範囲内とされるからである。また第２の請求項に
おいて、フッ素を含有したＳｉ Ｏｉ多孔質ガラスラリ
フォームの透明ガラス化芝 に際して、その雰囲気内分圧貴多孔質ガラスラリフォー
ム内分圧よりも高（するのは、−旦Ｓｉ Ｏ□多多孔質
ガラ円内付着、浮遊するフッ素イオンが雰囲気内に拡散
してきて所定量Ｓｉ Ｏ□内には入らなくなるのを防ぐ
ためである。
さらに、フッ素含有ガスとしては、ＣＦ、 、 Ｃ，Ｆ
。
。
ＳＦａ 、 Ｓｉ Ｆ４ 、Ｓｉ２Ｆ６． ＣＣ１２Ｆ
２ 、 ＣＣ１ｓ Ｆ、ＣＧＩ Ｆ３ 、Ｆｚ等があげ
られる。
２ 、 ＣＣ１ｓ Ｆ、ＣＧＩ Ｆ３ 、Ｆｚ等があげ
られる。
（作用）
コア内へのＧｅＯ２のドーパント量を所定量以下とした
のでレーり散乱損失を低減でき、またクラッド内へのフ
ッ素の添加はそれを含むＳｉ Ｏ□□孔質ガラスの透明
ガラス化時の雰囲気ガスの分圧を調整したのでフッ素イ
オンガＳｉ Ｏ□外へ逃げることがなく所定の範囲とす
ることができる。
のでレーり散乱損失を低減でき、またクラッド内へのフ
ッ素の添加はそれを含むＳｉ Ｏ□□孔質ガラスの透明
ガラス化時の雰囲気ガスの分圧を調整したのでフッ素イ
オンガＳｉ Ｏ□外へ逃げることがなく所定の範囲とす
ることができる。
（実施例）
いわゆるＶＡＤ法によりコア用にＧｅ Ｏ□を２ｍｏｌ
％含むＳｉ Ｏ□□明ガラスロッドを作った。このロッ
ドの外径はφ１０ ｍｍ 、長さは３００１Ｉ＋、屈折
率はＳｉ Ｏ□と比較して約＋０．２％である。このロ
ッドを１０ Ｏｒｐｍで回転させつつ、その回りにクラ
ッド用として外付は法によりＳｉ Ｏ□ガラス微粒子層
を４０ ｍｒ＋＋厚さに堆積させて多孔質ガラスラリフ
ォームとなし、次いでこのプリフォームを最高温度が１
３００℃の温度の炉内に入れ、炉内にはＳＩ Ｆ４を１
７０ｃｃ／分、 Ｈｅを５．Ｆ＋ｊ２／分供給しつつ５
時間熱処理した。このときＳｉ Ｏ□□孔質ガラス層内
にはフッ素がＦイオン濃度で１．２％含まれていた０次
に炉内温度を昇温させて最高温度１７００℃となし、炉
内にはＨｅのみを２ρ／分供給しつつこの熱処理された
多孔質ガラスラリフォームを５時間加熱して透明ガラス
化した。このクラッド部の厚さは２０ ｍｎ＋ 、屈折
率はＳｉ Ｏ□と比べて−０，１％であった。かくして
得られたプリフォームをファイバ化したところ、コアと
クラッドとの比屈折率差Δが０．３％、波長１．５５
ＬＬｍにおり ける伝送損失が０．１８ ｄＢ／ｋｍであり、レーり散
乱妃影響の少ないファイバが得られた。
％含むＳｉ Ｏ□□明ガラスロッドを作った。このロッ
ドの外径はφ１０ ｍｍ 、長さは３００１Ｉ＋、屈折
率はＳｉ Ｏ□と比較して約＋０．２％である。このロ
ッドを１０ Ｏｒｐｍで回転させつつ、その回りにクラ
ッド用として外付は法によりＳｉ Ｏ□ガラス微粒子層
を４０ ｍｒ＋＋厚さに堆積させて多孔質ガラスラリフ
ォームとなし、次いでこのプリフォームを最高温度が１
３００℃の温度の炉内に入れ、炉内にはＳＩ Ｆ４を１
７０ｃｃ／分、 Ｈｅを５．Ｆ＋ｊ２／分供給しつつ５
時間熱処理した。このときＳｉ Ｏ□□孔質ガラス層内
にはフッ素がＦイオン濃度で１．２％含まれていた０次
に炉内温度を昇温させて最高温度１７００℃となし、炉
内にはＨｅのみを２ρ／分供給しつつこの熱処理された
多孔質ガラスラリフォームを５時間加熱して透明ガラス
化した。このクラッド部の厚さは２０ ｍｎ＋ 、屈折
率はＳｉ Ｏ□と比べて−０，１％であった。かくして
得られたプリフォームをファイバ化したところ、コアと
クラッドとの比屈折率差Δが０．３％、波長１．５５
ＬＬｍにおり ける伝送損失が０．１８ ｄＢ／ｋｍであり、レーり散
乱妃影響の少ないファイバが得られた。
（発明の効果）
この発明は、以上のようにコアに含まれるＧｅ Ｏ□の
ドーパント量を少なくしてレーり散乱の影響を抑制し、
コアとクラッドと按比屈折率差はフッ素を均一、かつ十
分に入れることで対応したので伝送特性上層れたファイ
バを得ることができる。またフッ素を均一、かつ十分に
入れる方法として多孔質のＳｉ Ｏ□ガラス内にＦイオ
ンとして含ませ、その透明ガラス化時に雰囲気内のガス
分圧を多孔質のＳｉ Ｏ□ガラス内のガス分圧よりも高
くするという方法を採用したので、−旦多孔質のＳｉＯ
ガラスに入ったイオンが外へ逃げることがなく所定量と
おりＳｉ Ｏ□透明ガラス内に均一に含ませることがで
き、以ってコアークラッド間の比屈折＾３一定のファイ
バを得ることができる。
ドーパント量を少なくしてレーり散乱の影響を抑制し、
コアとクラッドと按比屈折率差はフッ素を均一、かつ十
分に入れることで対応したので伝送特性上層れたファイ
バを得ることができる。またフッ素を均一、かつ十分に
入れる方法として多孔質のＳｉ Ｏ□ガラス内にＦイオ
ンとして含ませ、その透明ガラス化時に雰囲気内のガス
分圧を多孔質のＳｉ Ｏ□ガラス内のガス分圧よりも高
くするという方法を採用したので、−旦多孔質のＳｉＯ
ガラスに入ったイオンが外へ逃げることがなく所定量と
おりＳｉ Ｏ□透明ガラス内に均一に含ませることがで
き、以ってコアークラッド間の比屈折＾３一定のファイ
バを得ることができる。
第１図は、Ｇｅ ＯｓのＳｉ Ｏ□内へのドーパント量
とレーり散乱損失との関係を示すグラフ。
とレーり散乱損失との関係を示すグラフ。
Claims (2)
- （１）ＧｅＯ＿２を２ｍｏｌ％以下含むＳｉＯ＿２コア
と、少なくともフッ素が０．３ｍｏｌ％添加されたＳｉ
Ｏ＿２クラッドとからなり、これらコアとクラッドとの
比屈折率差Δが少なくとも０．３％以上であることを特
徴とする光ファイバ。 - （２）ＧｅＯ＿２を２ｍｏｌ％以下含むＳｉＯ＿２コア
用ガラスロッドの回りに、火炎加水分解もしくは熱酸化
法によりＳｉＯ＿２ガラス微粒子からなる多孔質ガラス
層を堆積させて多孔質ガラスラリフォームとなし、次い
でこのプリフォームを１２００〜１４００℃の温度で、
かつフッ素イオン濃度が少なくとも１．０％のＨｅ雰囲
気下で熱処理し、しかるのちこの多孔質ガラスラリフォ
ームをＨｅのみの雰囲気で、かつその雰囲気内分圧を多
孔質ガラスラリフォーム内分圧よりも高くした状態で１
６００１７００℃に加熱して透明ガラス化することを特
徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319365A JPH02164742A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光ファイバおよびその母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319365A JPH02164742A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光ファイバおよびその母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164742A true JPH02164742A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18109339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63319365A Pending JPH02164742A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光ファイバおよびその母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02164742A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1221430A2 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-10 | Lucent Technologies Inc. | Process of manufacturing fluorine-doped preforms for optical fibres |
| WO2002049977A3 (en) * | 2000-12-20 | 2003-01-30 | Corning Inc | Method of doping an optical fiber preform with fluorine |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63319365A patent/JPH02164742A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049977A3 (en) * | 2000-12-20 | 2003-01-30 | Corning Inc | Method of doping an optical fiber preform with fluorine |
| EP1221430A2 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-10 | Lucent Technologies Inc. | Process of manufacturing fluorine-doped preforms for optical fibres |
| EP1221430A3 (en) * | 2001-01-05 | 2003-01-08 | Lucent Technologies Inc. | Process of manufacturing fluorine-doped preforms for optical fibres |
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