JPH02163971A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH02163971A JPH02163971A JP31898588A JP31898588A JPH02163971A JP H02163971 A JPH02163971 A JP H02163971A JP 31898588 A JP31898588 A JP 31898588A JP 31898588 A JP31898588 A JP 31898588A JP H02163971 A JPH02163971 A JP H02163971A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- FBMUYWXYWIZLNE-UHFFFAOYSA-N nickel phosphide Chemical compound [Ni]=P#[Ni] FBMUYWXYWIZLNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- -1 tungsten Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置および製造方法に関する。
（従来の技術および発明が解決しようとする課題）半導
体装置には各種の金属配線が用いられている。しかし、
用途によっては単に電流バスとしての導体以外の特性が
要求される金属配線がある。
体装置には各種の金属配線が用いられている。しかし、
用途によっては単に電流バスとしての導体以外の特性が
要求される金属配線がある。
例えば、近年盛んに研究開発が行なわれている液晶を用
いたフラットパネルデイスプレィ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａ！ Ｄｉｓｐｌａｙ）は、画素毎に薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形成したアクティブマトリ
クス形が高速応答性、高コントラスト比が達成できるこ
とから研究開発が盛んである。現在、アクティブマ）・
リクスに広く用いられているアクティブ素子はアモルフ
ァスシリコン（以下ａ−５ｉト”Ｌ４Ｃ） ヲ用いたＴ
ＰＴである。このＴＰＴではソース・ドレインから引き
出したソース・ドレイン配線とａ−５ｉとの接触部（ソ
ース・ドレイン領域）にＴＰＴのチャネルとオーム性接
触を取るためと、不用な正孔の注入を避けるためにリン
をドープしたｎ形ａ−３ｉ（ｎ’ ａ−５Ｌ） Ｉｌｌ
が用いられている。しかし、ｎ’ ａ−３ｌ膜を用いる
には、その堆積、加工が必要となる。
いたフラットパネルデイスプレィ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａ！ Ｄｉｓｐｌａｙ）は、画素毎に薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形成したアクティブマトリ
クス形が高速応答性、高コントラスト比が達成できるこ
とから研究開発が盛んである。現在、アクティブマ）・
リクスに広く用いられているアクティブ素子はアモルフ
ァスシリコン（以下ａ−５ｉト”Ｌ４Ｃ） ヲ用いたＴ
ＰＴである。このＴＰＴではソース・ドレインから引き
出したソース・ドレイン配線とａ−５ｉとの接触部（ソ
ース・ドレイン領域）にＴＰＴのチャネルとオーム性接
触を取るためと、不用な正孔の注入を避けるためにリン
をドープしたｎ形ａ−３ｉ（ｎ’ ａ−５Ｌ） Ｉｌｌ
が用いられている。しかし、ｎ’ ａ−３ｌ膜を用いる
には、その堆積、加工が必要となる。
大面積基板上に高歩留まりにアクティブマトリクスを製
作するには、できる限り工程を減らすことが望ましく
、ｎ′ａ−３ｔ膜を形成しないで済ませられれば、工程
削減効果により歩留まりの向上と製作コストの低減が可
能になる。
作するには、できる限り工程を減らすことが望ましく
、ｎ′ａ−３ｔ膜を形成しないで済ませられれば、工程
削減効果により歩留まりの向上と製作コストの低減が可
能になる。
ｎ’ ａ−８ｉ膜を形成しない方法として、特開昭６２
−８１０６４に次の方法が開示されている。この方法は
ソース・ドレイン配線として使用する酸化インジウム錫
（以下ＩＴＯと呼ぶ）の配線を形成したのち、プラズマ
気相成長（ＰＣＶＤ）装置中に入れフォスフイン（Ｐ）
１．）のプラズマに曝すことにより、ＩＴＯ腹中にリン
を混入させリンを含んだソース・ドレイン配線を形成す
る。その後、ＩＴＯ膜上に形成されたａ−５ｔ膜のＩＴ
Ｏに接触した部分をｎ″ａ−３ｉにする方法である。し
かし、この方法ではＩＴＯ配線のごく表面しかリンが含
まれないため、ＰＲ，プラズマ処理を施したＩＴＯ配線
上にしかａ−５ｌ膜が堆積できない、このためＴＰＴ構
造としてソース・ドレインが基板に形成され、その上に
ａ−３ｉ膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極と積層されたト
ップゲート形ＴＰＴにしか適用できず、逆に積層したボ
トムゲート形ＴＰＴには適用できないという基本的な欠
点があった。
−８１０６４に次の方法が開示されている。この方法は
ソース・ドレイン配線として使用する酸化インジウム錫
（以下ＩＴＯと呼ぶ）の配線を形成したのち、プラズマ
気相成長（ＰＣＶＤ）装置中に入れフォスフイン（Ｐ）
１．）のプラズマに曝すことにより、ＩＴＯ腹中にリン
を混入させリンを含んだソース・ドレイン配線を形成す
る。その後、ＩＴＯ膜上に形成されたａ−５ｔ膜のＩＴ
Ｏに接触した部分をｎ″ａ−３ｉにする方法である。し
かし、この方法ではＩＴＯ配線のごく表面しかリンが含
まれないため、ＰＲ，プラズマ処理を施したＩＴＯ配線
上にしかａ−５ｌ膜が堆積できない、このためＴＰＴ構
造としてソース・ドレインが基板に形成され、その上に
ａ−３ｉ膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極と積層されたト
ップゲート形ＴＰＴにしか適用できず、逆に積層したボ
トムゲート形ＴＰＴには適用できないという基本的な欠
点があった。
上記の問題はリンを均一に含む金属配線が形成できない
ことに起因する。また、上記は一例であって、リンを含
む金属配線を必要とする分野は他にも多くあるが、リン
を含む金属配線を容易に形成する方法は知られていなか
った。
ことに起因する。また、上記は一例であって、リンを含
む金属配線を必要とする分野は他にも多くあるが、リン
を含む金属配線を容易に形成する方法は知られていなか
った。
本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもので
、その目的は、リンを含む金属配線材料を用いた半導体
装置およびその製造方法を提供することにある。
、その目的は、リンを含む金属配線材料を用いた半導体
装置およびその製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するため本発明はリン化ニッケルを含
む金属を配線・電極などの導電部材としたことを特徴と
する半導体装置を特徴とするものである。さらに本発明
はリン化ニッケルと他の金属またはそれらの混合物をタ
ーゲット材とし、スパッタ法によりリン化ニッケルを含
む金属配線・電極を形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法を特徴とするものである。
む金属を配線・電極などの導電部材としたことを特徴と
する半導体装置を特徴とするものである。さらに本発明
はリン化ニッケルと他の金属またはそれらの混合物をタ
ーゲット材とし、スパッタ法によりリン化ニッケルを含
む金属配線・電極を形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法を特徴とするものである。
（作 用）
本発明はリンの固体金属化合物としてリン化ニッケルで
あることに注目し、スパッタ法によりリン化ニッケルを
含む金属配線材料が容易に形成できることによりなされ
たもので、製造工程の短縮化及び歩留りの向上をはかる
ことができる。
あることに注目し、スパッタ法によりリン化ニッケルを
含む金属配線材料が容易に形成できることによりなされ
たもので、製造工程の短縮化及び歩留りの向上をはかる
ことができる。
リンを含む金属配線材料の形成には直接リンまたはリン
を混合させた金属をターゲットに用いることが考えられ
るが、リン（赤燐）は融点が低い（５９０’Ｃ）こと、
蒸気圧が高いことがらスバ７り法でリンを含む金属配線
材料を形成することは困難である。一方、リン化ニッケ
ルにはいくつかの結合体があり、−リン化ニッケル（Ｎ
ｒｚＰ）、−リン化三ニッケル（ＮｉｓＰ）が知られて
いるが、例えばＮ１ｘＰの融点は１１１２ ’Ｃと高（
、スパンタターゲントとして使用し易い、なお、ここで
はこれらのリンとニッケルの化合物を区別せず、総称し
てニッケルと呼ぶ。
を混合させた金属をターゲットに用いることが考えられ
るが、リン（赤燐）は融点が低い（５９０’Ｃ）こと、
蒸気圧が高いことがらスバ７り法でリンを含む金属配線
材料を形成することは困難である。一方、リン化ニッケ
ルにはいくつかの結合体があり、−リン化ニッケル（Ｎ
ｒｚＰ）、−リン化三ニッケル（ＮｉｓＰ）が知られて
いるが、例えばＮ１ｘＰの融点は１１１２ ’Ｃと高（
、スパンタターゲントとして使用し易い、なお、ここで
はこれらのリンとニッケルの化合物を区別せず、総称し
てニッケルと呼ぶ。
次に本発明の実施例について説明する。
なお実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
ない範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうることは
云うまでもない。
ない範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうることは
云うまでもない。
（実施例１）
ａ−５ｉを用いたＴＰＴのソース・ドレイン配線にリン
化ニッケルを含むモリブデンを用いた本発明の一実施例
を示す、第１図の工程断面模式図で説明する。適用した
ＴＦＴ ｔｌＩ造は基板上に最初にゲートｆｆ１ｌｉが
形成されるボトムゲート形のＴＰＴである。
化ニッケルを含むモリブデンを用いた本発明の一実施例
を示す、第１図の工程断面模式図で説明する。適用した
ＴＦＴ ｔｌＩ造は基板上に最初にゲートｆｆ１ｌｉが
形成されるボトムゲート形のＴＰＴである。
まず、ガラス（コーニング７５０９ガラス）基板１０上
にモリブデン（ｉｏ）でゲート電極１１を形成した（第
１図（ａｌ）、次いで、ゲート絶縁膜となる約２０００
人の窒化シリコン（ＳＩＮヶ）膜１２、ＴＰＴ活性層と
なる約１０００人のａ−５ｉ膜Ｊ３、表面保護膜となる
約２０００人の５ＩＩＩＸ欣１４の３層をプラズマ気相
成長（ＰＥＣＶＤ）法で真空を破ることなく連続堆積し
た（第１図（ｂｌ）、次に、ポジ型レジストを基板表面
に塗布したのち、基板の背面からゲート電極を遮光マス
クとして露光してゲート電極と同形のレジストバタン１
５を形成したのち、このレジストバタンをエツチングマ
スクとして表面保護用５ｉＮｚ膜１４をエツチングした
（第１図（Ｃ１）、次いで、ａ−５ｉｌｌ ｌ ３をＴ
ＦＴの活性領域のみを残すように加工した（第１図（ｄ
））、この後、ｎ’ ａ−３ｉ膜を堆積することなく、
リン化ニッケルを含むモリブデンＩＩｇ、ｔ ６をスパ
ッタ法で堆積し、ソース・ドレイン配線に加工した（第
１図（ｅ））、 リン化ニッケルを含むモリブデン膜１
６の堆積は、リン化ニノケルとモリブデンの二つのター
ゲットを用い、ＲＦスパッタ法でリン化ニッケルを含む
モリブデン膜を堆積した。投入ＲＦ電力比はモリブデン
ターゲント１に対し、リン化工ンケルターゲット０，０
５とした。リン化ニッケルを含むモリブデン膜の方「工
はモリブデンのみと同様に、Ｃｉ！ｌ’２ と０２のガ
スを用いたプラズマエツチング法で加工した。
にモリブデン（ｉｏ）でゲート電極１１を形成した（第
１図（ａｌ）、次いで、ゲート絶縁膜となる約２０００
人の窒化シリコン（ＳＩＮヶ）膜１２、ＴＰＴ活性層と
なる約１０００人のａ−５ｉ膜Ｊ３、表面保護膜となる
約２０００人の５ＩＩＩＸ欣１４の３層をプラズマ気相
成長（ＰＥＣＶＤ）法で真空を破ることなく連続堆積し
た（第１図（ｂｌ）、次に、ポジ型レジストを基板表面
に塗布したのち、基板の背面からゲート電極を遮光マス
クとして露光してゲート電極と同形のレジストバタン１
５を形成したのち、このレジストバタンをエツチングマ
スクとして表面保護用５ｉＮｚ膜１４をエツチングした
（第１図（Ｃ１）、次いで、ａ−５ｉｌｌ ｌ ３をＴ
ＦＴの活性領域のみを残すように加工した（第１図（ｄ
））、この後、ｎ’ ａ−３ｉ膜を堆積することなく、
リン化ニッケルを含むモリブデンＩＩｇ、ｔ ６をスパ
ッタ法で堆積し、ソース・ドレイン配線に加工した（第
１図（ｅ））、 リン化ニッケルを含むモリブデン膜１
６の堆積は、リン化ニノケルとモリブデンの二つのター
ゲットを用い、ＲＦスパッタ法でリン化ニッケルを含む
モリブデン膜を堆積した。投入ＲＦ電力比はモリブデン
ターゲント１に対し、リン化工ンケルターゲット０，０
５とした。リン化ニッケルを含むモリブデン膜の方「工
はモリブデンのみと同様に、Ｃｉ！ｌ’２ と０２のガ
スを用いたプラズマエツチング法で加工した。
製作したＴＰＴＰ性を測定したところ、ｎ″ａ−５ｉ膜
をソース・ドレイン領域に形成したＴＰＴと全く同様で
あり、ｎ’ ａ−３ｉｌｌＪの形成と加工が不用になる
効果があった。
をソース・ドレイン領域に形成したＴＰＴと全く同様で
あり、ｎ’ ａ−３ｉｌｌＪの形成と加工が不用になる
効果があった。
（実施例２）
実施例１と同じ（、ａ−５ｊを用いたＴＰＴのソース・
ドレイン配線にリン化ニッケルを含むモリブデンを用い
た本発明の一実施例を示す、第２図の工程断面模式図で
説明する。適用したＴＰＴＰ造は実施例１と異なり基板
上に最初にソース・ドレイン配線が形成されるトフブゲ
ート形のＴＰＴである。
ドレイン配線にリン化ニッケルを含むモリブデンを用い
た本発明の一実施例を示す、第２図の工程断面模式図で
説明する。適用したＴＰＴＰ造は実施例１と異なり基板
上に最初にソース・ドレイン配線が形成されるトフブゲ
ート形のＴＰＴである。
まず、ガラス（コーニング７ｏ５９ガラス）基誉反２゜
上にリン化ニッケルを含むモリブデンでソース・ドレイ
ン配線２１を形成した（第２図（ａ））、次いで約１０
００人のａ−３ｉ膜を堆積しＴＰＴＰ性層２２に加工し
た（第２図（ｂ））、次いで、ゲート絶縁膜となる約２
０００人の窒化シリコン（ＳｉＮｘ ）膜を堆積しく第
２図（（Ｊ）、最後に八ｌでゲート電極配線を形成した
（第２図（ｄ））、 リン化ニッケルを含むモリブデ
ン膜の堆積、加工は、実施例１と全く同じ方法で行なっ
た。
上にリン化ニッケルを含むモリブデンでソース・ドレイ
ン配線２１を形成した（第２図（ａ））、次いで約１０
００人のａ−３ｉ膜を堆積しＴＰＴＰ性層２２に加工し
た（第２図（ｂ））、次いで、ゲート絶縁膜となる約２
０００人の窒化シリコン（ＳｉＮｘ ）膜を堆積しく第
２図（（Ｊ）、最後に八ｌでゲート電極配線を形成した
（第２図（ｄ））、 リン化ニッケルを含むモリブデ
ン膜の堆積、加工は、実施例１と全く同じ方法で行なっ
た。
製作したＴＰ丁時特性測定したところ、ｎ” ａ−５ｔ
をソース・ドレイン領域に形成したＴＰＴと全く同様な
特性が得られ、ｉ″ａ−５ｌｌｌｌの形成と加工が不用
になる効果があった。
をソース・ドレイン領域に形成したＴＰＴと全く同様な
特性が得られ、ｉ″ａ−５ｌｌｌｌの形成と加工が不用
になる効果があった。
上記実施例に示した↑ＦＴ構造は一例であり、微妙に構
造の異なる各種のＴＰＴＰ造に本発明が適用できること
は明かである。さらに、ａ−５ｉ以外の多結晶シリコン
（ｐｏｌｙ Ｓｉ）や単結晶シリコンを用いたＴＰＴや
トランジスタにも適用できることは明らかである。
造の異なる各種のＴＰＴＰ造に本発明が適用できること
は明かである。さらに、ａ−５ｉ以外の多結晶シリコン
（ｐｏｌｙ Ｓｉ）や単結晶シリコンを用いたＴＰＴや
トランジスタにも適用できることは明らかである。
実施例ではリン化ニッケルを含有させる金属材料として
モリブデンを用いたが、他の金属例えばタングステン、
チタン、クロム、１丁０等またはそれらの合金等に容易
に通用できる。リン化ニッケルを含む金属配線材料を形
成する方法として、実施例では複数のターゲットを用い
た同時スパッタを用いたが、リン化ニッケルを所望の濃
度含んだターゲットを製作すれば一個のターゲットで上
記リン化ニッケルを含む金属配線材料を形成するこきが
できることは明らかである。いずれの方法を用いてもリ
ン４度が容易で制御できることが可能であるのは言うま
でもない。
モリブデンを用いたが、他の金属例えばタングステン、
チタン、クロム、１丁０等またはそれらの合金等に容易
に通用できる。リン化ニッケルを含む金属配線材料を形
成する方法として、実施例では複数のターゲットを用い
た同時スパッタを用いたが、リン化ニッケルを所望の濃
度含んだターゲットを製作すれば一個のターゲットで上
記リン化ニッケルを含む金属配線材料を形成するこきが
できることは明らかである。いずれの方法を用いてもリ
ン４度が容易で制御できることが可能であるのは言うま
でもない。
本発明の要点は、リン化ニッケルを含む金属配線材料を
用いることにより、リンを含む金属配線材料を形成する
ことにあり、実施例で示した用途に限定されることはな
く、リンを含む金属配線材料を必要とする用途に利用で
きる。
用いることにより、リンを含む金属配線材料を形成する
ことにあり、実施例で示した用途に限定されることはな
く、リンを含む金属配線材料を必要とする用途に利用で
きる。
（発明の効果）
本発明によればリン化ニッケルを用いたことにより、Ｔ
ＰＴへの応用ではｎ” ａ−３ｉＢの堆積・加工が不用
となるので、製作工程の短縮とそれに付随した歩留まり
向上が図れる利点がある。
ＰＴへの応用ではｎ” ａ−３ｉＢの堆積・加工が不用
となるので、製作工程の短縮とそれに付随した歩留まり
向上が図れる利点がある。
一方、ＭＯ５形半導体素子のゲート電極配線は、低抵抗
であることに加え、ゲート絶縁膜の安定化が図れるよう
リンを含むものであるのが望ましい。
であることに加え、ゲート絶縁膜の安定化が図れるよう
リンを含むものであるのが望ましい。
これは、ゲートｔＪｉからリンがゲート絶縁＃（−般に
シリコンの熱酸化膜）中に拡散して、リンガラス層を形
成してアルカリイオンゲッタリング効果を持たせるため
である。従来はリンを含むｎ形の多結晶シリコン膜がゲ
ートを極配線として用いられてきたが、高速性を追求す
るため多結晶シリコンに比べ低抵抗なモリブデン（Ｍｏ
）等の金属をゲート配線に用いる試みがなされている。
シリコンの熱酸化膜）中に拡散して、リンガラス層を形
成してアルカリイオンゲッタリング効果を持たせるため
である。従来はリンを含むｎ形の多結晶シリコン膜がゲ
ートを極配線として用いられてきたが、高速性を追求す
るため多結晶シリコンに比べ低抵抗なモリブデン（Ｍｏ
）等の金属をゲート配線に用いる試みがなされている。
したがって、本発明のリン化ニッケルを含む金属配線を
ゲート電極に用いれば低抵抗金属配線による高速性とゲ
ート絶縁膜の安定性が同時に確保できる利点がある。
ゲート電極に用いれば低抵抗金属配線による高速性とゲ
ート絶縁膜の安定性が同時に確保できる利点がある。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は本発
明の他の実施例を示す工程図を示す。 １０・・・ガラス基板、１１・・・ゲート電極、１２・
・・ゲート絶縁収用ｓｔＮｗ膜、Ｉ ３−ａ−５ｉ＠、
１４−表面保護用ＳｉＮｘ膜、１５・・・ポジ型レ
ジスト、１６・・・リン化ニッケルを含むモリブデン配
線。 ２０・・・ガラス基板、２１・・・リン化ニッケルを含
むモリブデンのソース・ドレイン配線、２２・・・ａ−
５ｉのＴＰＴ活性層、２３・・・ＳＩＮ舅のゲート絶縁
膜、２４・・・八ｌのゲート配線。 （ほか１名）
明の他の実施例を示す工程図を示す。 １０・・・ガラス基板、１１・・・ゲート電極、１２・
・・ゲート絶縁収用ｓｔＮｗ膜、Ｉ ３−ａ−５ｉ＠、
１４−表面保護用ＳｉＮｘ膜、１５・・・ポジ型レ
ジスト、１６・・・リン化ニッケルを含むモリブデン配
線。 ２０・・・ガラス基板、２１・・・リン化ニッケルを含
むモリブデンのソース・ドレイン配線、２２・・・ａ−
５ｉのＴＰＴ活性層、２３・・・ＳＩＮ舅のゲート絶縁
膜、２４・・・八ｌのゲート配線。 （ほか１名）
Claims (2)
- （１）リン化ニッケルを含む金属を配線・電極などの導
電部材としたことを特徴とする半導体装置。 - （２）リン化ニッケルと他の金属またはそれらの混合物
をターゲット材とし、スパッタ法によりリン化ニッケル
を含む金属配線・電極を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31898588A JPH02163971A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31898588A JPH02163971A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163971A true JPH02163971A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18105203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31898588A Pending JPH02163971A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02163971A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962896A (en) * | 1994-12-20 | 1999-10-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor including oxidized film by oxidation of the surface of a channel area semiconductor |
| KR100290509B1 (ko) * | 1996-12-10 | 2001-07-12 | 가시오 가즈오 | 트랜지스터어레이의제조방법 |
| JP2002280391A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-09-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ＴＦＴのためのＳｉ層の金属誘起による自己整合結晶化を用いる半導体デバイス、トップ・ゲート形ＴＦＴおよび該トップ・ゲート形ＴＦＴの製造方法 |
| US6579749B2 (en) | 1998-11-17 | 2003-06-17 | Nec Corporation | Fabrication method and fabrication apparatus for thin film transistor |
Citations (4)
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| JPS5361274A (en) * | 1976-11-12 | 1978-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | Production of high frequency semiconductor devce |
| JPS57154845A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for rear face electrode |
| JPS59129441A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6066815A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP31898588A patent/JPH02163971A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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