JP4663202B2 - TFTのためのSi層の金属誘起による自己整合結晶化を用いる半導体デバイス、トップ・ゲート形TFTおよび該トップ・ゲート形TFTの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、薄膜トランジスタ(TFT)およびTFTの製造方法に関し、詳しくは、新規なトップ・ゲート形TFTを含む半導体デバイス、新規なトップ・ゲート形TFT、アモルファス・シリコンの金属誘起による結晶化によって新規なトップ・ゲート形TFTを製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ(TFT)は、低消費電力で薄く、軽量なデバイスを提供することができるため、アクティブ・マトリックス形液晶ディスプレイ、有機エレクトロ・ルミネセンス・ディスプレイおよびイメージ・センサといった幅広い半導体デバイスに使用されている。TFTの中で、多結晶シリコン(以下、ポリ−Siという。)を使用するTFTは、低製造コストで広範囲に、かつ高分解能のデバイスを提供することを可能とするために興味がもたれている。
【0003】
従来、ポリ−Siは、固相結晶化またはレーザ結晶化によってガラス、金属、金属酸化物、単結晶シリコンといった基板上に形成されている。典型的な固相結晶化は、アモルファス・シリコン(a−Si)層を堆積させるステップと、数時間から数十時間の間、約400℃〜約550℃で加熱し、a−Si層を結晶化するステップとを含んでいる。また、典型的なレーザ結晶化は、a−Si層を照射し、照射された箇所のa−Siを融解するステップと、大気温度まで冷却してSiを再結晶するステップとを含んでいる。
【0004】
図1は、トップ・ゲート形TFTに適用される固相結晶化のためのプロセスを示す。従来のプロセスでは、図1(a)に示すように、a−Si層102が基板101上に堆積され、その後、Ni層103が好適な堆積法により堆積される。
堆積された層を有する基板101は、400℃〜550℃でアニールされ、図1(b)に示すようにNi層103の結晶構造によって誘起されたa−Si層からポリ−Si層104への結晶化が行われる。図1(b)に示される場合においては、結晶境界104a、104bがポリ−Si層104内でランダムに形成される。次いで、従来のプロセスでは、図1(c)に示すゲッタリング・プロセスへ進み、Ni層103は、HF処理およびアニール処理され、ゲッタリング・プロセスによりNi層103が除去される。
【0005】
その後、図1(d)に示されるように、ゲート絶縁層105がポリ−Si層104上に堆積され、ゲート電極106がポリ−Si層104上に形成される。次に、N+ドーピングが31P+の反応性イオン・ドープといった好適な方法によって施され、ソース電極およびドレイン電極が形成される。
【0006】
従来の金属誘起による結晶化によって形成されるポリ−Siを有する従来のTFTは充分な性能を示すものの、結晶境界がポリ−Si層内でランダムに生成されるため、オン電流およびオフ電流の両方で不均一になるといった不都合がある。加えて、堆積後のNiの除去プロセスおよびドーピング・プロセスがデバイスを形成するために必要とされるので、その後の製造プロセスがさらに複雑となっている。
【0007】
特開平7−45519号公報は、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法を開示しており、a−Siの結晶化温度より低い温度、すなわち、Ni、Fe、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Au、Agやそれらのシリサイドを用いて堆積されるアイランドを用い、与えられたガラス基板のガラス転移温度より低い温度でアニールすることによるa−Siの結晶化により、ポリ−Siが生成することを開示している。これらのアイランドは、結晶化のためのシードとして機能し、得られる結晶境界が制御された方法の下で形成される。開示された半導体デバイスは、充分な性能を示すものの、結晶境界が依然としてランダムさを有しているので、オン電流およびオフ電流が不均一を与えてしまう。この製造プロセスは、依然としてNi層の除去ステップが必要とされ、またドーピング・ステップも必要とされる。
【0008】
特開平9−213966号公報は、半導体デバイスの製造方法を開示しており、a−Si層がレーザ照射を用いて結晶化され、結晶サイズの大きなポリ−Si層を有するTFTデバイスが開示されている。得られたTFTデバイスは、TFTがオフの場合に、リーク電流が充分に低くなる。レーザ照射による結晶化は、上述したように結晶境界の不均一性を改善し、ポリ−Si層において大きな結晶サイズを与えることが可能である。しかしながら、この方法は、レーザ・システムを必要とするので、工業規模のプラントを建設するための設備投資が巨額となり、その結果、デバイス・コストを上昇させることになる。加えて、レーザ照射は、ポリ−Si層における大きな結晶サイズを与えるものの、さらに大きな結晶サイズがデバイス特性の改善のために望まれている。
【0009】
したがって、これまで、TFTのオン電流およびオフ電流が改善され、より簡単な方法で製造される半導体デバイスを提供することが必要とされている。
【0010】
また、これまで、オン電流およびオフ電流特性が改善され、より簡単な方法で製造されるトップ・ゲート形TFTを提供することが必要とされている。
【0011】
さらに、これまで、オン電流およびオフ電流特性が改善され、より簡単な方法で製造されるTFTの製造方法を提供することが必要とされている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、TFTのオン電流およびオフ電流が改善され、より簡単な方法で製造される半導体デバイスを提供することにある。
【0013】
また、本発明の他の目的は、オンおよびオフ電流特性が改善され、より簡単な方法で製造されるトップ・ゲート形TFTを提供することにある。
【0014】
また、本発明のさらに他の目的は、オンおよびオフ電流特性が改善され、より簡単な方法で製造されるTFTの製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は、部分的には、a−Siの結晶化を金属−ドーパント化合物で形成された層上で行わせることにより、金属−ドーパント化合物がトップ・ゲート形TFTのための優れた電極として機能することを見出したことによりなされたものである。
【0016】
本発明によれば、トップ・ゲート形薄膜トランジスタ(TFT)を含む半導体デバイスであって、前記トップ・ゲート形TFTは、基板上に形成されており、前記トップ・ゲート形TFTは、
前記基板上に堆積される絶縁層と、
前記絶縁層上に堆積され、前記トップ・ゲート形TFTの内側横方向に向かう傾斜端部を有する金属−ドーパント化合物から成るソース電極およびドレイン電極と、
前記絶縁層と前記ソース電極と前記ドレイン電極との上側において、前記金属−ドーパント化合物からのドーパントのマイグレーションによって、前記金属−ドーパント化合物との間に均一な層境界を有するオーミック・コンタクト層を与えながら、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にその一部が配置され、かつa−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行する、前記金属−ドーパント化合物中の金属誘起による横方向結晶化により、中央に自己整合した結晶境界が形成された多結晶Si(ポリ−Si)層と、
前記ポリ−Si層上に堆積されるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上を横方向に延びるゲート電極と
を含み、
前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである。
【0017】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、Ni、Fe、Co、Pt、Mo、Ti、BおよびPからなる群から選択される元素を含む。
【0018】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである。
【0019】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、NiPであり、Pの濃度が0.5原子%〜10原子%の範囲である。
【0020】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、NiBであり、Bの濃度が0.25原子%〜2.0原子%の範囲である。
【0021】
本発明によれば、遮光層が、前記基板上に形成され、複数の前記TFTが、前記半導体デバイスにアクティブ・マトリックスを形成するように配置されており、前記半導体デバイスが、アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイとして使用される。
【0022】
本発明によれば、複数の前記TFTが、前記半導体デバイスにアクティブ・マトリックスを形成するように配置されており、前記半導体デバイスが、アクティブ・マトリックス・エレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイまたはイメージ・センサとして使用される。
【0023】
本発明によれば、基板上に形成されるトップ・ゲート形薄膜トランジスタ(TFT)が提供される。前記トップ・ゲート形TFTは、
前記基板上に堆積される絶縁層と、
前記絶縁層上に堆積され、前記トップ・ゲート形TFTの内側横方向に向かう傾斜端部を有する金属−ドーパント化合物から成るソース電極およびドレイン電極と、
前記絶縁層と前記ソース電極と前記ドレイン電極との上側において、前記金属−ドーパント化合物からのドーパントのマイグレーションによって、前記金属−ドーパント化合物との間に均一な層境界を有するオーミック・コンタクト層を与えながら、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にその一部が配置され、かつa−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行する、前記金属−ドーパント化合物中の金属誘起による横方向結晶化により、中央に自己整合した結晶境界が形成された多結晶Si(ポリ−Si)層と、
前記ポリ−Si層上に堆積されるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上を横方向に延びるゲート電極と
を含み、
前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである。
【0024】
本発明によれば、前記金属−ドーパントは、Ni、Fe、Co、Pt、Mo、Ti、BおよびPからなる群から選択される元素を含む。
【0025】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである。
【0026】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、NiPであり、Pの濃度が0.5原子%〜10原子%の範囲である。
【0027】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、NiBであり、Bの濃度が0.25原子%〜2.0原子%の範囲である。
【0028】
本発明によれば、遮光層が、前記基板上に形成され、複数の前記TFTが、アクティブ・マトリックスを形成するように配置されており、前記トップ・ゲート形TFTが、アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイに含まれる。
【0029】
本発明によれば、複数の前記TFTが、アクティブ・マトリックスを形成するように配置されており、前記トップ・ゲート形TFTが、アクティブ・マトリックス・エレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイまたはイメージ・センサに含まれる。
【0030】
本発明によれば、トップ・ゲート形TFTの製造方法が提供される。前記方法は、
TFT構造を支持するための基板を与えるステップと、
前記基板上に絶縁層を堆積させるステップと、
前記絶縁層上に金属−ドーパント化合物を堆積させるステップと、
前記金属−ドーパント化合物をパターニングして、ソース電極とドレイン電極との間に前記絶縁層が露出するようにギャップを形成することにより、前記トップ・ゲート型TFTの内側横方向に向かう傾斜端部を有する前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層と前記金属−ドーパント化合物との上側にa−Si層を堆積させるステップと、
前記a−Si層上にゲート絶縁層を堆積させるステップと、
前記ゲート絶縁層上にゲート材料を堆積させるステップと、
前記層をパターニングし、前記ゲート材料が前記ソース電極と前記ドレイン電極との上を横方向に延びて形成されるように、前記基板上にトップ・ゲート形TFT構造を形成するステップと、
前記a−Si層をアニールして、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にその一部が配置され、かつ前記a−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行する、前記金属−ドーパント化合物中の金属誘起による横方向結晶化により、中央に自己整合した結晶境界が形成された多結晶Si(ポリ−Si)層を生成し、前記金属−ドーパント化合物と前記ポリ−Si層との間に、前記金属−ドーパント化合物からのドーパントのマイグレーションによって、前記金属−ドーパント化合物との間の均一な層境界を有するオーミック・コンタクト層を形成するステップとを含み、
前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである。
【0031】
本発明によれば、前記a−Si層の結晶化は、前記a−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行し、結晶境界が自己整合的に前記ポリ−Si層の略中央部分に形成される。
【0032】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、Ni、Fe、Co、Pt、Mo、Ti、BおよびPからなる群から選択される元素を含む。
【0033】
本発明によれば、前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである。
【0034】
本発明によれば、さらに、前記基板上に遮光層を堆積させるステップを含む。
【0035】
本発明によれば、トップ・ゲート形TFTの製造方法が提供される。前記方法は、
TFT構造を支持するための基板を与えるステップと、
前記基板上に絶縁層を堆積させるステップと、
前記絶縁層上に金属−ドーパント化合物を堆積させるステップと、
前記金属−ドーパント化合物をパターニングして、ソース電極とドレイン電極との間に前記絶縁層が露出するようにギャップを形成することにより、前記トップ・ゲート型TFTの内側横方向に向かう傾斜端部を有する前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層と前記金属−ドーパント化合物との上側にa−Si層を堆積させるステップと、
前記a−Si層をアニールして、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にその一部が配置され、かつ前記a−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行する、前記金属−ドーパント化合物中の金属誘起による横方向結晶化により、中央に自己整合した結晶境界が形成された多結晶Si(ポリ−Si)層を生成し、前記金属−ドーパント化合物と前記ポリ−Si層との間に、前記金属−ドーパント化合物からのドーパントのマイグレーションによって、前記金属−ドーパント化合物との間の均一な層境界を有するオーミック・コンタクト層を形成するステップと、
前記ポリ−Si層上にゲート絶縁層を堆積させるステップと、
前記層をパターニングし、前記ゲート絶縁層が前記ソース電極と前記ドレイン電極との上を横方向に延びて形成されるように、前記基板上に前記トップ・ゲート形TFT構造を形成するステップとを含み、
前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである。
【0036】
【発明の実施の形態】
本発明は、以下の詳細な説明により理解されるものであって、図に示す実施の形態に限られるものではない。本発明の好ましい実施の形態につき、例示的な目的でのみ示す添付の図面をもって詳細に説明する。
【0037】
図2は、液晶ディスプレイ・デバイスに好適に使用される本発明のトップ・ゲート形TFTの概略断面図を示す。図2に示されるトップ・ゲート形TFTは、基板1と、遮光層2と、絶縁層3とを含んでいる。基板1は、実質的にアルカリ元素を含まない非アルカリ・ガラスや石英ガラスの他にも、ソーダ石灰ガラス、ホウ素ケイ酸塩ガラス、アルミノ・ホウ素ケイ酸塩ガラスといったアルカリ・ガラスから選択することができる。遮光層2は、スパッタリングまたは真空蒸着といった好適な堆積法により基板1上に堆積され、基板1を通過する光を遮断している。本発明の半導体デバイスがエレクトロ・ルミネセンス・デバイスまたはCCDとして使用される場合には、基板1の透明性は必要ないため、基板1は、特定の用途に応じてガラス、金属、金属酸化物、セラミックス、単結晶シリコンなどから選択されるいかなる好適な基板から選択することができる。
【0038】
遮光層2は、GeSi:H、GeOx、GeNxといったゲルマニウム化合物、NbOxといったニオブ化合物、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)またはMoCrといったクロムとモリブデンとの合金から選択することができる。遮光層2の厚さは、約200nm〜約300nmの範囲とすることができる。SiOxからなる絶縁層3はまた、基板1および遮光層2の上側に堆積されていて、遮光層2を通したリーク電流を防止するとともに、液晶ディスプレイの性能を改善させている。絶縁層3は、許容される性能を得ることができる限り、SiOx以外にも、例えば、SiNxまたはSiOxNyといった絶縁材料から選択することができる。
【0039】
ソース電極4およびドレイン電極5は、絶縁層3上に形成されている。図2に示す実施の形態では、ソース電極4およびドレイン電極5は、約200nmの厚さのNiP合金から形成されている。本発明者らは、NiP合金がNiPによる金属誘起結晶化により充分な結晶サイズでa−Siからポリ−Siへの結晶化を生じさせると同時に、NiPからのPの同時的ドーピングにより、NiPとポリ−Siとの間にオーミック・コンタクトを生じさせることが可能であることを見出した。本発明において、Ni、Fe、Co、Pt、Mo、Ti、PおよびBからなる群から製造される他の合金も、ポリ−Siに対し、充分なオーミック・コンタクトと金属誘起による結晶化とを与えるために用いることができる。図2に示すTFT構造においては、ポリ−Si層6は、ソース電極4およびドレイン電極5上に形成されている。ポリ−Si層6は、アニーリングによりプラズマCVD法によって堆積されたa−Siの金属誘起による結晶化により形成されている。
【0040】
Siの本質的ドーパントとして金属中に含まれるPまたはBの濃度は、本発明においてPの濃度として0.25原子%〜10原子%の範囲とすることができ、Bの濃度として0.5原子%〜2.0原子%の範囲とすることができ、ドープされたポリ−Si層6の体積抵抗率を10−4Ω・m程度とし、電極4、5とポリ−Si層6との間にオーミック・コンタクトを与えるようにすることができる。
【0041】
図3は、ソース電極4およびドレイン電極5の周囲の拡大断面図を示す。図2に示された上部の層については、説明を簡潔にするため説明しない。図3に示すように、ポリ−Si層がアニーリングによって与えられる場合には、コンタクト層7は、ソース電極4およびドレイン電極5からのP原子のマイグレーションにより形成され、電極4、5とポリ−Si層6との間にオーミック・コンタクトが形成され、液晶パネルにデバイス化する際の不都合を防止させている。本発明者らは、上述したオーミック・コンタクトが、アニーリング中のNiPの結晶境界に偏析したP原子のマイグレーションにより得られることを見出した。図3に示す実施の形態では、結晶境界は、結晶境界8の他にも、電極4、5とポリ−Si層6との間にも存在するので、Pは、接触した面において効率的に、かつ均一に偏析することとなる。このため、金属誘起による結晶化のためのアニーリングの下でポリ−Siに変化しながら、同時に、NiPに隣接したa−Si層が偏析したP原子によって充分にドープされることになる。上述したように、本発明は、従来の製造プロセスに含まれるドーピング・ステップを排除することにより、TFT構造の製造プロセスを著しく簡略化させることで、本発明のTFT構造を含む半導体デバイスのコストを低減することができる。
【0042】
図3にはまた、結晶化されたポリ−Si層6の略中央部分に形成される結晶境界8が示されている。ポリ−Si層6は、a−Si層の側部側6a、6bから結晶化が開始され、この結晶化は、示された実施の形態においては、ポリ−Si層6の中央まで達し、ポリ−Si層の中央で自己整合的に結晶境界8を形成する(金属誘起による横方向結晶化)。結晶化はまた、ソース電極4およびドレイン電極5の表面から上部方向に向けても発生し、オフ電流およびオン電流の不均一性が、電極4、5とポリ−Si層6との間の良好に規定された多結晶構造および均一な層境界により低減されることとなる。本発明において結晶化はまた、a−Si層中のいかなる側部位置から開始させることができる。しかしながら、結晶境界は、a−Si層中の温度分布が均一である限り、ポリ−Si層6の略中央に形成されることになる。
【0043】
再度図2を参照すると、ゲート絶縁層9およびゲート電極10が、ポリ−Si層6上に形成されていて、トップ・ゲート形TFTデバイス構造が形成されている。ゲート絶縁層9は、絶縁層3より容易にエッチングされる材料から形成することができる。図2に示す実施の形態では、絶縁層3は、SiOxで形成されていて、ゲート絶縁層9は、例えば、SiH4+NH3を用いるプラズマCVDといった従来からよく知られた好適な方法により、SiNxから形成されている。
【0044】
ゲート電極10は、Al、Ta、Cr、Mo、MoTa、ITOを含む群から選択されるよく知られた金属または合金、これらから形成されるいかなる合金から形成することができる。ゲート材料の堆積は、例えば、ケミカル・ベーパ・デポジッション(CVD)や、スパッタリングまたは真空蒸着といったフィジカル・ベーパ・デポジッション(PVD)といったいかなる好適な方法によっても実施することができる。
【0045】
図4は、本発明のTFT構造の別の実施の形態を示した図である。図4に示されるTFT構造は、例えば、エレクトロ・ルミネセンス・ディスプレイ・デバイス中に含ませることができる。図4に示すエレクトロ・ルミネセンス・ディスプレイ・デバイスが不透明な基板1を用いて構成されるものとしているので、図4に示すTFT構造は、遮光層2を堆積させないことを除き、図3に示すTFT構造と同様の構造とされている。同様のTFT構造はまた、好適な基板の組合わせで電荷結合デバイス(CCD)といったイメージ・センサを構成させるために適用することができる。
【0046】
図5は、TFT構造を形成するための方法において各ステップにより基板1上に形成される構造を示す。図5に示す実施の形態では、TFTは、液晶ディスプレイ・デバイスに使用されるものとする。図5(a)に示すように、まず、遮光層2は、CVD、スパッタリング、蒸着といった好適な堆積法により基板1上に堆積され、その後、フォトリソグラフィーといったパターニング・ステップにより所望する形状へと実質的にパターニングされる。
【0047】
次いで、本発明のプロセスは、図5(b)に示す絶縁層3を堆積させるステップを行う。絶縁層3は、基板1および遮光層2を被覆するようにして堆積される。説明する実施の形態では、絶縁層3は、プラズマCVDを使用してSiOxを基板1上に堆積させることにより形成されている。
【0048】
次に、本発明に従い、プロセスは、図5(c)に示すNiPまたはNiB層11の堆積ステップを行う。上述したNiPまたはNiB層は、CVD、スパッタリング、蒸着、またはめっきといった好適な堆積法により堆積させることができる。本発明において有用な堆積法としては、スパッタリングおよびめっきを挙げることができる。NiP層11を堆積させるためにスパッタリング法を使用する場合には、純粋なPターゲットが容易に利用できない、すなわち実用的でないので、Niに好ましい濃度のPを予め含有させた好適な化合物ターゲットを使用する。
【0049】
NiB層を堆積させるためにスパッタリング法を使用する場合には、Bターゲットが容易に利用できるので、化合物ターゲット、または2つの別々のターゲットのいずれかを使用することができる。別々のターゲットを使用するのであれば、TFTデバイスの性能を最適化するようにNiをベースとした合金中でドーパントBの濃度を調節することができる。スパッタリング法は、これまで知られたいかなる方法からでも選択することができ、当業者であればスパッタリングの条件を容易に選択することができる。典型的な条件としては、例えば、ターゲット・エリアに応じて、Arが10mtorr〜200mtorr、RFまたはDC放電の出力範囲200J/s〜3kJ/sを挙げることができる。
【0050】
本発明の他の実施の形態では、NiPまたはNiB層11を無電解めっきにより効果的に得ることができる。NiPのめっき液は、次亜リン酸ナトリウム一水和物(還元剤)、クエン酸ナトリウム(錯化剤)、硫酸ニッケルを混合することにより調製することができる。この混合物は、界面活性剤および無電解めっき浴中の混合物を安定させるように設計される他の添加剤を含むことができる。無電解めっきがNiPまたはNiB層11を堆積させるために使用される場合には、無電解めっき液のpHを、典型的には4〜5(わずかに酸性)か、8〜10(塩基性)とすることができる。
【0051】
塩基性の溶液は、水酸化アンモニウムとホウ酸を添加することにより調製することができる。NiB層をめっきするために使用される浴は、シプレイ・カンパニー・L.L.C.(Shipley Company,L.L.C.)から市販されているDMAB(ジメチルアミン−ボラン)を還元剤として使用する。堆積されるNiPまたはNiB中のPまたはBの量は、無電解めっき浴のpHに関連して変化させることができる。本発明者らは、NiP中のPの量を5原子%〜10原子%の範囲とすることができ、NiB中のBの量をNiP中のPよりはるかに少なく、典型的に無電解めっきにおいては0.25原子%〜1原子%の範囲とすることができることを見出した。
【0052】
図5(d)は、NiPまたはNiB層11をエッチングした後の本発明のTFT構造を示した図である。このプロセスは、NiPまたはNiB層11を堆積させた後、これまで知られた好適なフォトレジストを用いたパターンニング・プロセスを施して、図5(d)に示すソース電極4およびドレイン電極5が形成される。パターンニング・プロセス、例えば、図5(d)に示すフォト・エングレービング・プロセス(PEP)では、図5(d)に示す所望の微小パターンが得られる限り、ポジ型またはネガ型の、いかなるフォトレジストでも使用することができる。
【0053】
次いで、NiPまたはNiB層11は、H3PO4、HNO3およびCH3COOH(PAN)を含むエッチャントによりエッチングされる。NiP層は、ドーパントの濃度が高くなればなるほどエッチングが容易となる。ドーパント濃度がはるかに少ないNiB層のエッチングにおいては、PANによるエッチングではエッチング速度が非常に遅いので、より強力なHNO3を使用してNiB層をエッチングする。本発明においては、NiPまたはNiB層が適切にエッチングできる限り、他のエッチャントを使用することができる。
【0054】
上述したようにして、パターンニングされたソース電極4およびドレイン電極5は、さらにプラズマCVDを使用して堆積される約200nmの厚さを有するa−Si層12により被覆される。説明するプロセスでは、その後、SiNxを含むゲート絶縁層9と、例えば、Alを含むゲート電極材料13とを、a−Si層12上に堆積させて、TFT構造を形成する。図6(a)は、上述した堆積が行われた後の構造を示す。
【0055】
次にフォトレジスト層をゲート電極材料13上に塗布し、このフォトレジスト層をフォト・マスク(図示せず)を通してUV光により露光し、図6(b)に示すようにゲート電極材料13上にフォトレジスト・パターン14を形成する。
【0056】
次のステップでは、ゲート電極材料13、ゲート絶縁層9およびa−Si層12がエッチング除去されて、図7に示すように本発明のTFT構造が形成される。ゲート電極材料13のエッチングは、エッチャントとしてH3PO4、HNO3、CH3COOH、これらの混合物からなる群から選択される水溶液を使用して等方性エッチングにより実施される。本発明は、HClまたはBCl3をエッチャントとして使用するドライ・エッチング・プロセスを適用することもできる。図7(b)に示すようにゲート電極10の周囲にオフセット範囲を得るためにゲート電極材料13をオーバ・エッチングすることが好ましい。さらに、エッチング・プロセスは、エッチャントとしてCF4とO2との混合物を使用する反応性イオン・エッチング(RIE)といった異方性エッチングによるa−Si層12およびゲート絶縁層9のエッチングを行う。
【0057】
上述のようにして得られたTFT構造に対して、その後、数時間から数十時間、400℃から550℃の温度で金属誘起によるプロセスを適用してa−Si層12をポリ−Si層6へと結晶化するためのアニーリングを施す。アニーリング中、Pは、結晶境界の周囲に偏析し、この偏析したPは、効率的にSi内にマイグレートしてコンタクト層7を形成する。上記アニーリングは、a−Si層12の堆積直後の、より早いステップで適用することもできる。
【0058】
図8は、アクティブ・マトリックス形に形成される本発明のTFTが構成された半導体デバイスの平面図である。本発明の半導体デバイスは、TFTアレイ基板15上に構成され、複数の画素電極16が基板15上に配置されている。画素電極16は、特定の用途に応じていかなる好適な材料から形成することができる。例えば、半導体デバイスは、アクティブ・マトリックス形液晶ディスプレイ・デバイスとして使用される場合には、画素電極16は、ITO、IZO、ATOまたはSnO2といった透明導電性材料により形成することができる。ソース電極4は、画素電極16に接続され、ドレイン電極5は、信号ライン17a、17bに接続されている。ゲート電極10は、ソース電極4およびドレイン電極5上に形成され、ゲート・ライン18に接続されている。図8に示した実施の形態では、容量制御ライン19が与えられている。
【0059】
半導体デバイスが、アクティブ・マトリックス形エレクトロ・ルミネセンス・ディスプレイ・デバイスとして使用される場合には、同様の導電性材料を使用することができる。しかしながら、透明性に関係なく、充分な伝導性を有するいかなる導電性材料でも用いることができる。上述した半導体デバイスが、CCDといったセンサとして使用される場合には、画素電極16は、a−Si、単結晶Siまたは多結晶Siといった光キャリア発生材料で置き換えることができる。CCDへの適用においては、全体の構造を単結晶シリコン基板上に構成することも可能である。
【0060】
半導体デバイスに含まれるTFTは、金属誘起による横方向結晶化により形成されるポリ−Si層および均一に生成されるコンタクト層に起因して、スイッチング特性の改善された優れた電気的特性を示す。加えて、本発明のTFTは、ドーピング・ステップを排除し、かつPEPプロセスを簡略化することで、簡略化したプロセスにより製造することができ、本発明によれば、半導体デバイスの製造コストが著しく削減されることになる。
【0061】
これまで本発明につき、特に好ましい実施の形態について図示し、説明してきたが、当業者によれば、形態およびその詳細についての従来知られた変更および他の変更であっても、本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく行うことができることは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 トップ・ゲート形TFTの従来の構造および製造プロセスを示した図。
【図2】 本発明のTFTを示した図。
【図3】 本発明のTFT構造の拡大した層構造を示した図。
【図4】 本発明のTFT構造の他の実施の形態を示した図。
【図5】 液晶ディスプレイ・デバイスに使用される本発明のTFT構造を形成する方法において各ステップにより基板上に形成される構造を示した図。
【図6】 液晶ディスプレイ・デバイスに使用される本発明のTFT構造を形成する方法において各ステップにより基板上に形成される構造を示した図。
【図7】 NiPまたはNiB層をエッチングする前後の本発明のTFT構造を示した図。
【図8】 アクティブ・マトリックス形に形成される本発明のTFTが構成された半導体デバイスの平面図。
【符号の説明】
1…基板
2…遮光層
3…絶縁層
4…ソース電極
5…ドレイン電極
6…ポリ−Si層
6a、6b…側部側
7…コンタクト層
8…結晶境界
9…ゲート絶縁層
10…ゲート電極
11…NiP層
12…a−Si層
13…ゲート電極材料
14…フォトレジスト・パターン
15…基板
16…画素電極
17a、17b…信号ライン
18…ゲート・ライン
19…容量制御ライン
101…基板
102…a−Si層
103…Ni層
104…ポリ−Si層
104a、104b…結晶境界
105…ゲート絶縁層
106…ゲート電極
Claims (13)
- トップ・ゲート形薄膜トランジスタ(TFT)を含む半導体デバイスであって、前記トップ・ゲート形TFTは、基板上に形成されており、前記トップ・ゲート形TFTは、
前記基板上に堆積される絶縁層と、
前記絶縁層上に堆積され、前記トップ・ゲート形TFTの内側横方向に向かう傾斜端部を有する金属−ドーパント化合物から成るソース電極およびドレイン電極と、
前記絶縁層と前記ソース電極と前記ドレイン電極との上側において、前記金属−ドーパント化合物からのドーパントのマイグレーションによって、前記金属−ドーパント化合物との間に均一な層境界を有するオーミック・コンタクト層を与えながら、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にその一部が配置され、かつa−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行する、前記金属−ドーパント化合物中の金属誘起による横方向結晶化により、中央に自己整合した結晶境界が形成された多結晶Si(ポリ−Si)層と、
前記ポリ−Si層上に堆積されるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上を横方向に延びるゲート電極と
を含み、
前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである
半導体デバイス。 - 前記金属−ドーパント化合物は、NiPであり、Pの濃度が0.25原子%〜10原子%の範囲である、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記金属−ドーパント化合物は、NiBであり、Bの濃度が0.5原子%〜2.0原子%の範囲である、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 遮光層が、前記基板上に形成され、複数の前記TFTが、前記半導体デバイスにアクティブ・マトリックスを形成するように配置されており、前記半導体デバイスが、アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイとして使用される、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 複数の前記TFTが、前記半導体デバイスにアクティブ・マトリックスを形成するように配置されており、前記半導体デバイスが、アクティブ・マトリックス・エレクトロ・ルミネセンス・ディスプレイまたはイメージ・センサとして使用される、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 基板上に形成されるトップ・ゲート形薄膜トランジスタ(TFT)であって、前記トップ・ゲート形TFTは、
前記基板上に堆積される絶縁層と、
前記絶縁層上に堆積され、前記トップ・ゲート形TFTの内側横方向に向かう傾斜端部を有する金属−ドーパント化合物から成るソース電極およびドレイン電極と、
前記絶縁層と前記ソース電極と前記ドレイン電極との上側において、前記金属−ドーパント化合物からのドーパントのマイグレーションによって、前記金属−ドーパント化合物との間に均一な層境界を有するオーミック・コンタクト層を与えながら、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にその一部が配置され、かつa−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行する、前記金属−ドーパント化合物中の金属誘起による横方向結晶化により、中央に自己整合した結晶境界が形成された多結晶Si(ポリ−Si)層と、
前記ポリ−Si層上に堆積されるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上を横方向に延びるゲート電極と
を含み、
前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである、
トップ・ゲート形TFT。 - 前記金属−ドーパント化合物は、NiPであり、Pの濃度が0.25原子%〜10原子%の範囲である、請求項6に記載のトップ・ゲート形TFT。
- 前記金属−ドーパント化合物は、NiBであり、Bの濃度が0.5原子%〜2.0原子%の範囲である、請求項6に記載のトップ・ゲート形TFT。
- 遮光層が、前記基板上に形成され、複数の前記TFTが、アクティブ・マトリックスを形成するように配置されており、前記トップ・ゲート形TFTが、アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイに含まれる、請求項6に記載のトップ・ゲート形TFT。
- 複数の前記トップ・ゲート形TFTが、アクティブ・マトリックスを形成するように配置されており、前記トップ・ゲート形TFTが、アクティブ・マトリックス・エレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイまたはイメージ・センサに含まれる、請求項6に記載のトップ・ゲート形TFT。
- トップ・ゲート形TFTの製造方法であって、
TFT構造を支持するための基板を与えるステップと、
前記基板上に絶縁層を堆積させるステップと、
前記絶縁層上に金属−ドーパント化合物を堆積させるステップと、
前記金属−ドーパント化合物をパターニングして、ソース電極とドレイン電極との間に前記絶縁層が露出するようにギャップを形成することにより、前記トップ・ゲート型TFTの内側横方向に向かう傾斜端部を有する前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層と前記金属−ドーパント化合物との上側にa−Si層を堆積させるステップと、
前記a−Si層上にゲート絶縁層を堆積させるステップと、
前記ゲート絶縁層上にゲート材料を堆積させるステップと、
前記層をパターニングし、前記ゲート材料が前記ソース電極と前記ドレイン電極との上を横方向に延びて形成されるように、前記基板上にトップ・ゲート形TFT構造を形成するステップと、
前記a−Si層をアニールして、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にその一部が配置され、かつ前記a−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行する、前記金属−ドーパント化合物中の金属誘起による横方向結晶化により、中央に自己整合した結晶境界が形成された多結晶Si(ポリ−Si)層を生成し、前記金属−ドーパント化合物と前記ポリ−Si層との間に、前記金属−ドーパント化合物からのドーパントのマイグレーションによって、前記金属−ドーパント化合物との間の均一な層境界を有するオーミック・コンタクト層を形成するステップとを含み、
前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである、
トップ・ゲート形TFTの製造方法。 - さらに、前記基板上に遮光層を堆積させるステップを含む、請求項11に記載のトップ・ゲート形TFTの製造方法。
- トップ・ゲート形TFTの製造方法であって、
TFT構造を支持するための基板を与えるステップと、
前記基板上に絶縁層を堆積させるステップと、
前記絶縁層上に金属−ドーパント化合物を堆積させるステップと、
前記金属−ドーパント化合物をパターニングして、ソース電極とドレイン電極との間に前記絶縁層が露出するようにギャップを形成することにより、前記トップ・ゲート型TFTの内側横方向に向かう傾斜端部を有する前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層と前記金属−ドーパント化合物との上側にa−Si層を堆積させるステップと、
前記a−Si層をアニールして、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にその一部が配置され、かつ前記a−Si層の外側の側部位置から開始し、前記a−Si層の内側に向けて進行する、前記金属−ドーパント化合物中の金属誘起による横方向結晶化により、中央に自己整合した結晶境界が形成された多結晶Si(ポリ−Si)層を生成し、前記金属−ドーパント化合物と前記ポリ−Si層との間に、前記金属−ドーパント化合物からのドーパントのマイグレーションによって、前記金属−ドーパント化合物との間の均一な層境界を有するオーミック・コンタクト層を形成するステップと、
前記ポリ−Si層上にゲート絶縁層を堆積させるステップと、
前記層をパターニングし、前記ゲート絶縁層が前記ソース電極と前記ドレイン電極との上を横方向に延びて形成されるように、前記基板上に前記トップ・ゲート形TFT構造を形成するステップとを含み、
前記金属−ドーパント化合物は、NiPまたはNiBである、
トップ・ゲート形TFTの製造方法。
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WO2004063805A1 (en) * | 2002-12-03 | 2004-07-29 | Quanta Display Inc. | Pixel structure and thin film transistor array |
GB2404082A (en) * | 2003-07-12 | 2005-01-19 | Hewlett Packard Development Co | Semiconductor device with metallic electrodes and method of forming a device |
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US7018468B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-03-28 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Process for long crystal lateral growth in silicon films by UV and IR pulse sequencing |
US20060210837A1 (en) * | 2004-04-16 | 2006-09-21 | Fuji Electric Device | Method of plating on a glass base plate, a method of manufacturing a disk substrate for a perpendicular magnetic recording medium, a disk substrate for a perpendicular magnetic recording medium, and a perpendicular magnetic recording medium |
JP4479528B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2010-06-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | ガラス基体へのめっき方法、そのめっき方法を用いる磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
JP4479571B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2010-06-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
CN100397661C (zh) * | 2005-07-12 | 2008-06-25 | 南开大学 | 金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管器件及其制备方法 |
KR101293566B1 (ko) * | 2007-01-11 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101108178B1 (ko) * | 2010-07-27 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 센서 및 박막 트랜지스터 제조 방법 |
EP2646978A1 (en) * | 2010-12-01 | 2013-10-09 | BrainLAB AG | Longitudinal monitoring of pathology |
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CN110299405B (zh) | 2016-07-04 | 2021-05-04 | 华为技术有限公司 | 一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法 |
CN107785461B (zh) * | 2016-08-25 | 2019-06-07 | 西安电子科技大学 | 一种激光辅助再晶化Ge/Si虚衬底上直接带隙Ge及其制备方法 |
US10679847B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-06-09 | International Business Machines Corporation | Self-aligned spacerless thin film transistor |
CN109212854B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-06-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种ltps阵列基板的制造方法 |
JP7516736B2 (ja) | 2019-10-18 | 2024-07-17 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02163971A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH07321333A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2852853B2 (ja) | 1993-07-27 | 1999-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
TW226478B (en) | 1992-12-04 | 1994-07-11 | Semiconductor Energy Res Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US5604360A (en) | 1992-12-04 | 1997-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including a plurality of thin film transistors at least some of which have a crystalline silicon film crystal-grown substantially in parallel to the surface of a substrate for the transistor |
JPH06275835A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Kawasaki Steel Corp | 薄膜トランジスタ |
FR2732781B1 (fr) * | 1995-04-07 | 1997-06-20 | Thomson Lcd | Procede de fabrication de matrice active tft pour ecran de systeme de projection |
JP2776411B2 (ja) * | 1995-10-23 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | 順スタガ型薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH09213966A (ja) | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2757850B2 (ja) * | 1996-04-18 | 1998-05-25 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
GB9617885D0 (en) * | 1996-08-28 | 1996-10-09 | Philips Electronics Nv | Electronic device manufacture |
KR100225097B1 (ko) * | 1996-10-29 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP4401448B2 (ja) | 1997-02-24 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100537882B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
GB9726511D0 (en) * | 1997-12-13 | 1998-02-11 | Philips Electronics Nv | Thin film transistors and electronic devices comprising such |
KR100482460B1 (ko) * | 1998-10-28 | 2005-09-02 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시 장치의 폴리실리콘-박막 트랜지스터 형성방법 |
US6579749B2 (en) * | 1998-11-17 | 2003-06-17 | Nec Corporation | Fabrication method and fabrication apparatus for thin film transistor |
KR100317641B1 (ko) * | 1999-05-21 | 2001-12-22 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US6245602B1 (en) * | 1999-11-18 | 2001-06-12 | Xerox Corporation | Top gate self-aligned polysilicon TFT and a method for its production |
US6136702A (en) * | 1999-11-29 | 2000-10-24 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
JP2002050764A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機el表示装置およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-01-18 US US09/765,134 patent/US6566687B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-28 TW TW090132809A patent/TW522572B/zh not_active IP Right Cessation
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-
2002
- 2002-01-11 KR KR10-2002-0001685A patent/KR100462508B1/ko active IP Right Grant
- 2002-01-17 JP JP2002008478A patent/JP4663202B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02163971A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH07321333A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
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