JPH02162618A - 酸化物超電導導体の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導導体の製造方法

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JPH02162618A
JPH02162618A JP63317133A JP31713388A JPH02162618A JP H02162618 A JPH02162618 A JP H02162618A JP 63317133 A JP63317133 A JP 63317133A JP 31713388 A JP31713388 A JP 31713388A JP H02162618 A JPH02162618 A JP H02162618A
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groove
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conductor
filled
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JP63317133A
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English (en)
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Shoji Shiga
志賀 章二
Naoki Uno
直樹 宇野
Sukeyuki Kikuchi
菊地 祐行
Kenji Enomoto
憲嗣 榎本
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、配線回路基板、マグネット、磁気シールド、
磁気浮上環に適用し得る酸化物超電導導体の製造方法に
関する。
〔従来の技術〕
Cu、AI!等の金属導体は、電気抵抗を有する為、許
容電流密度が低く、又必ず発熱を伴うものである。この
為大電流を流したり超小型化された機器等の導体に用い
る場合、その適用範囲には限界がある。
これに対し超電導体は、電気抵抗がゼロの為、上記のよ
うな技術的制約は、大巾に解消される上、永久電流や完
全反磁性等の従来の導体では考えられない性能を有する
ので、機器の大巾な小型化、大容量送電、磁気シールド
、磁気浮上等が効率よく実現できるものである。
しかしながら、従来のNi、Pb、Nb−Ti、Nb 
 Zr、Nb  Ti  Hf、、Nb5Al、Nbz
sn等の金属系超電導体は、高価な液体Heでの冷却を
必要とする為、コスト的に実用化が制約されている。こ
れに対し近年見出されたCa5r−Cu−0系、Y−B
a−Cu−0系、B1−Ca−5r−Cu−0系、Tj
!−Ba−CaCu−0系等のCuを含有する層状構造
の複合酸化物は、従来の金属系超電導体よりも高い温度
まで超電導を示し安価な液体Ntを冷却媒体に使用し得
るので多大の関心を集めている。
ところで上記のような酸化物超電導体は、主に粉末焼結
法による製造方法が検討されているが、上記複合酸化物
は、層状構造のため電気的異方性が強く、粉末焼結法で
は結晶を所定方位に配向させるのが困難な上、組織の均
質性及び緻密性に欠け、実用上必要な臨界電流密度(J
、)が得られないという問題があった。
他方スパッタリングや真空蒸着法等の気相析出法により
結晶配向した薄膜が得られ、高いJ、が実測されている
が、この方法では析出速度が極端に遅い為実用性に欠は
又厚さが−オーダーのものしか得られず、電流容量を大
きくとることが不可能であった。
〔課題を解決する為の手段〕
本発明は、かかる状況に鑑みなされたものでその目的と
するところは、J、が高く且つ大電流の流せるバルク状
の酸化物超電導導体の製造方法を提供することにある。
即ち請求項1の発明は、非反応性、耐熱性基体面上に溝
を回路状に設け、この溝内に酸化物超電導体又は上記超
電導体前駆物質のいずれかの原料物質を充填し固着せし
めたのち、この溝内に充填した原料物質を基体面に対し
垂直方向から10kg/c4以上の圧力をかけて加圧し
つつ加熱焼結することを特徴とするものである。
以下に本請求項1の発明の実施態様を図を参照して具体
的に説明する。第1図イル二は本発明方法の一実施例を
示す製造工程説明図である。図において、lは基体、2
は溝、3は上記溝2に充填された原料物質である。
先ず基体lの所望個所に所望数の溝2を設け(図イ)、
次いで溝2に原料物質3を充填しく同口)、シかるのち
原料物質3が充填された基体1面上にAg箔等の被覆材
4を被覆しく図へ)、次いでこの基体をブレス5により
加圧しつつ加熱焼結して酸化物超電導導体6を製造する
ものである(同二)。
この発明において、基体1には原料物質3と加熱接触し
て実質的に有害とならない程度に非反応性であり、且つ
耐熱性に富む材料、例えばAg、Au、、pt等の貴金
属又はMgO,Zr0z 、Ba Al!Boa 、B
 a Z r 03等のセラミックス、或いはAg等の
金属、MgO等のセラミックスを被覆したFe、Ni、
Coやこれらの合金例えばステンレススチール(SUS
)、Fe−Ni系、Ni−Cu系、Ni−Cr−Fe系
の合金、又はAj!!Os 、ガラス、八〇N%BN、
S ic、、C等の材料が用いられる。
上記基体1には原料物質3を充填するための溝2が設け
られるが、この溝2を存する基体lは、機械加工、エツ
チング、放電加工、粉末冶金、鋳物鋳造、レーザー加工
等の方法により成形される。
この溝2の形状は、予め設計された導体サイズに基づい
て決められるものである。
上記溝2に充填する原料物質3のうち酸化物超電導体の
前駆物質は、超電導体合成過程で生成する任意の物質で
あり、YBa、Cu、O?を例にとると出発原料である
Y!01、Bad、CuOの混合体、例えばBaCuO
*とY2O3、YBaCuOlとBaOとCuO等であ
る。
上記のような原料物質3を溝2に充填する方法としては
、原料物質3の粉末をバインダと混練してペースト状に
して充填する方法がある。この方法では充填後予備焼成
等の加熱処理を施し体積減少した分補足充填しこの操作
を繰り返すことより、より高密度に充填することができ
る。
高密度に充填する最も好都合な実用的方法は、原料物質
3を溶融し、この融液を溝2に直接注入し凝固させる方
法である。この方法によれば粉末を充填する方法では不
可能な充填密度100%が可能である。この方法の欠点
は、相分離と分離相の粗大化を起こし易いことであるが
、冷却凝固を100°(/sec以上、特に好ましくは
500〜106°(:/secの高速度で行うと均質な
相の微細な組織が形成される。このような均質相の微細
組織は、後の加圧・加熱工程において、超電導体への反
応が迅速になされ好ましいものである。溝2内に充填さ
れた原料物質3上には、電磁気的安定性を付与する為、
通常被覆材4が被覆される。この被覆材4には原料物質
3と実質上非反応性の物質であれば任意の物質が適用さ
れるが、基体1と同じ材質が好ましい。
この発明において溝2内に原料物質3が充填された基体
1は、必要に応じ被覆材4を被覆したのち、基体1面に
垂直方向から加圧プレス5により加圧しつつ焼結温度以
上に加熱される。加圧方法としては、機械的に1軸方向
からプレスする方法の他に、HIP等のガス圧による方
法も利用することができる。
上記の加圧しつつ加熱焼結する工程において、原料物質
3が超電導体の場合は、上記超電導体を構成する各々の
結晶粒が層状構造の超電導電流が流れ易いCu−0面を
含む面が導体の軸方向に平行に配位するつまりC軸が導
体軸に垂直に配位するC軸配向をとり、又原料物質3が
前駆物質の場合は、前駆物質が超電導体に反応するとと
もに結晶がC軸配向をとって、酸化物超電導導体6が製
造される。
上記の加圧・加熱焼結工程に引き続き、超電導体には必
要に応じ酸素含有雰囲気中で加熱焼成処理が施され、こ
の処理により酸素供給が十分なされてJ、が−段と向上
する。
前記の被覆材は、上記の加圧・加熱焼結又は加熱焼成が
施されたのち、被覆してもよい。
本請求項2の発明は、請求項1記載の原料物質を溝内に
充填した基体を、所望数各々の原料物質を相互に超電導
接続して積層し、該積層体を加圧しつつ加熱焼結するこ
とを特徴とするものであり、又本請求項3の発明は、請
求項1記載の方法により製造した酸化物超電導導体を、
所望数各々の導体を相互に超電導接続して積層すること
を特徴とするものである。
上記の2発明は、いずれも酸化物超電導体を多層に積層
する方法に関するもので、生産性から考えると前者の方
法がより好ましいものである。
本請求項4の発明は、基体が非反応性、耐熱性且つ電気
絶縁性の材料からなる請求項1記載の酸化物超電導導体
上に非反応性、耐熱性且つ電気絶縁性材料の中間体を設
け、この中間体上に請求項1と同じ方法で超電導導体を
形成し、この操作を所望回繰り返し、各々の層の導体を
相互に超電導接続することを特徴とするものである。
本請求項4の発明の実施態様を図を参照して具体的に説
明する。第2図イル二は、本請求項4の発明方法の一実
施例を示す製造工程説明図である。
非反応性、耐熱性且つ電気絶縁性の材料からなる基体1
上に設けた溝2に原料物質3を充填し、これに図示しな
いプレスを直接押しあてて加圧・加熱焼結を施して第1
層の導体16を形成する(同図イ)、次いでこの導体1
6上に基体1と同じ形状、材質の中間体7を溝12を上
方にして固着しく同口)、シかるのちこの中間体7の溝
12内に前記と同じように原料物質3を充填しく同ハ)
、次いでこの中間体7にプレス5を押しあてて加圧・加
熱焼結処理を施して、第2層の導体26を形成する(同
二)。この操作を繰り返し、各層の導体同士を超電導接
続することにより所望層数が積層した導体が製造される
。この積層した導体は、多層回路基板に適用し得るもの
である。
上記の各層の導体同士を超電導接続する方法は、例えば
第3図に示したように中間体7の一部8を切欠いておい
て上下層の原料物質3を直接接触させて行う方法等があ
る。
請求項4の発明方法において、基体及び中間体に、非反
応性、耐熱性且つ導電性材料を用いて、電磁気的に特に
安定なマグネットとして利用することも可能である。形
状的には、用途に応じレーストラック、くら型等の複雑
構造、或いは多くの用途でソレノイド型が使用できる。
これは円筒状基体の外表面に螺旋状に溝を形成し、これ
に原料物質を充填し、請求項4と同じ方法で加圧・加熱
焼結等を施して製造し得るものである。
尚、本発明方法は、層状構造を有する酸化物超電導体又
はその前駆物質を原料物質に用いて特にその効果を発揮
するものである。
〔作用〕
本発明においては、超電導体又は超電導体となる前駆物
質のいずれかの原料物質を基体上に設けた回路状溝に充
填し、これを加圧しながら加熱焼結するので、形成され
る超電導体は、C軸配向した結晶からなる均質で緻密な
欠陥のない組織のものとなり、Jc値の高い酸化物超電
導導体が得られる。
又超電導体を基体上の回路状溝内に形成するので得られ
る超電導導体は、機械的強度に優れたものとなる。
又基体に絶縁性材料を用い、これを積層すれば高密度多
層回路基板として使用でき、又基体に導電性材料を用い
、これを積層すれば電磁気的に安定な超電導マグネット
が得られる。
〔実施例〕
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1 第1図に示した工程に従ってHo−Ba−Cu−〇系超
電導導体を製造した。3511’、厚さ3閣のNi板l
の中央部分に、断面0.5X2.Oan。
長さ30m+の溝2を回路状に切削加工により設け、こ
の溝2内部にAgを10tnaメツキして基体1となし
た。
他方出発原料としてHot03 、BaCO5、CuO
を用い、これらを所定の割合になるように秤量し均一に
混合したのち、混合物を900°Cで6時間仮焼成し、
この仮焼成体を粉砕分級して平均粒径6μのHoBa*
Cu)Oxの仮焼成粉となし、次いでこの仮焼成粉にポ
リビニルアルコール3%、ブチルセロソルブ15%を加
えて混練してペースト状物となし、このペースト状物を
原料物質3として、前記基体lの溝2内にドクターブレ
ードを用いてすり込んで充填したのち700 ’C1時
間予備焼成し、上記予備焼成により体積収縮した分、前
記原料物質3を補充して再度700℃1時間予備焼成し
た。しかるのち上記の原料物質3が充填された基体1面
上に厚さ0.05+m++のAg箔4を被覆し、次いで
この基体1をプレス5にかけ3トン(240kg/cd
)の圧力をかけつつ945℃2時間加熱焼結したのち、
加圧したままの状態で800℃まで冷却し、次いで雰囲
気を0□気流にかえて2°C/winの速度で徐冷して
HoBazCu30.組成の酸化物超電導導体6を製造
した。
実施例2 実施例1において、基体1を図示しない内部水冷したC
uブロック上に固設して冷却し、この基体1の溝2内に
、HoBaxCuaO+の仮焼成粉をPtルツボに入れ
て1250℃に加熱溶融した融液を注入し、200°C
/seeの速度で冷却凝固させた他は、実施例1と同じ
方法により酸化物超電導導体を製造した。尚、上記にお
いて融液を溝2内に注入するにあたって、溝2からはみ
出した凝固体部分は、切削除去してからAg箔4を被覆
した。
実施例3 実施例2において、Cuブロックの冷却を強め、冷却速
度を約2500°(/secとした他は実施例2と同じ
方法により酸化物超電導導体を製造した。
比較例1〜3 実施例1〜3において、それぞれ加圧・加熱焼結工程で
加圧を行わず加熱焼結だけを行った。
比較例4 実施例2において、加圧・加熱焼結工程での加圧を0.
1トン(8kg/C4)とした他は実施例2と同じ方法
により酸化物超電導導体を製造した。
比較例5 実施例2において、基体を石綿上に設置し、仮焼粉融液
の冷却速度を10″(/secとした他は実施例2と同
じ方法により酸化物超電導導体を製造した。
比較例6 実施例1において、Ni板1に溝2を設けず、このNi
板板上上AgをIO−メツキしてから、ペースト状の原
料物質を0.5tX2mm’にペースト印刷した他は実
施例1と同じ方法により酸化物超電導導体を製造した。
比較例7 実施例2において、Ni板1に溝2を設けず、このN 
i lHl上にAgをIonメツキしてから、融液状の
原料物質3を帯状に滴下して凝固せしめ、コノ帯状凝固
体を0.5m’ X2g’ (7)回路状ニナイフにて
加工した他は実施例2と同じ方法により酸化物超電導導
体を製造した。
斯くの如くして得られた各々の酸化物超電導導体につい
て、Jcを68Kに冷却したタラゼオスタット中で基体
に平行に100ガウスの磁場をかけ、4端子法により測
定した。JCは、電圧端子間隔を3.5 txaとし、
5μV / cmを基準として電流を流しこの時の電流
値を、顕微鏡で実測した断面積で除して求めた。結果は
主な製造条件を併記して第1表に示した。
第1表より明らかなように、本発明方法品(実施例1〜
3)は、比較方法品(比較例1〜7)に較べてJcが著
しく高い値を示している。この理由は、本発明方法品は
、原料物質を基体上の溝内に充填し拘束した状態で加圧
しつつ加熱焼結したので、超電導導体の結晶がC軸配向
となり、且つ緻密で均質な欠陥のない組織が形成された
為である。これに対し比較例1〜4は、加熱焼結を加圧
せずに又は限定値を下回る加圧力で加圧したので結晶が
ランダム配向となった為、又No5は、原料物質融液の
冷却凝固速度が遅く偏析を生じた為、又No6.7は基
板に溝を設けず原料物質を基板上にそのまま配置して無
拘束状態で加圧・加熱焼結したので超電導導体にクラッ
クが生じで、いずれの導体もJcが低い値のものとなっ
た。
、尚、比較例5で溝からあふれた凝固部分を削り取りX
線回折した結果、Ho z B a Cu O? 、H
oBaxcuso−r 、CuO等の種々の分離相が検
出された。これに対し、冷却凝固速度の速い実施例2.
3の凝固部分からは、HoBa、Cu5Otの他には少
量のHo、O,が検出されただけであった。
実施例4 第2図に示した工程に準じて2層からなるB1−3r−
Ca−Cu−0系超電導導体を製造した。
Bi、5rzCaCu、OIIの仮焼成粉をPtルツボ
に入れて1020℃に加熱溶融し、この融液を実施例2
と同じ方法により基体1の溝2に注入し、600℃/s
ecの速度で冷却させ、溝2からはみ出した凝固体は、
切削除去したのち、この基体1をプレスにかけ2.2ト
ン(180kg/cd)の圧力をかけつつ820°C4
時間加熱処理した。しかるのち大気中で835℃45時
間加熱焼成し、835℃から2℃/+linの速度で徐
冷してBizSrtCaCutO*i成の第1層の超電
導導体16を製造した。
次に上記第1層導体16の面上に0.5 m厚さのAg
層を中間体として電気メツキにより形成し、このAg層
の中央部分に°前記第1眉導体16の超電導体に達する
2層2mの穴をあけ、次いでこの穴を通り前記導体16
の溝2と直角に交わる0、5L×2fmwの溝を上記A
g層上に設け、この溝に前記と同じ方法によりB i、
s rtca CutOllの超電導体を形成して第2
層の導体となして、2層からなる酸化物超電導導体を製
造した。尚、第12層の導体同士は、前記のAg層にあ
けた大部分で、第3図に示したような接続がなされてい
る。
比較例日 実施例4において加圧・加熱焼結工程で加圧を行わず加
熱焼結だけを行った。
斯くの如くして得られた各々の超電導体について、Jc
を68Kに冷却したクライオスタット中で基体に垂直に
80ガウスの磁場をかけて4端子法により測定した。
JCの測定は、電流端子を第1層と第2層の回路の端部
にとり電圧端子をその内側にとって電圧端子間隔を30
m長さとした。比較のため第2Nの回路導体だけのJ、
を実施例1〜3の場合と同じ方法により測定した。結果
は第2表に示した。
第2表 第2表より明らかなように本発明方法品(実施例4)は
、比較方法品(比較例8)に較べてJ。
が著しく高い値を示している。この理由は、本発明方法
品は、加圧しながら加熱焼結した為結晶が完全なC軸配
向をとっているのに対し、比較方法品は圧力をかけずに
加熱焼結したのでランダム配向となった為である。
第1.2層を含む導体のJ、が第2Nのみの導体のJ、
に較べて低い値を示しているのは、前者は後者より電圧
端子間隔が長く、その分端子間に含まれる欠陥数が多く
なったことが原因と考えられる。しかし両者の差は小さ
く製造条件や工法の改善により更に特性向上が期待でき
る。
〔効果〕
以上述べたように本発明方法によればZJc及び機械的
強度に優れたバルク状の酸化物超電導導体が得られるの
で、大電流又は大電流密度を必要とする配線回路基板や
マグネット又は完全反磁性を利用した磁気浮上によるベ
アリングやアクチュエータ或いは磁気シールド等の製造
に適用して顕著な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1.2図イ〜二は、本発明方法の実施例を示す製造工
程説明図、第3図は超電導導体間の接続方法の一実施例
説明図である。 1・・・基体、 2,12・・・溝、 3・・・原料物
質、4・・・被覆材、 5・・・プレス、 6,16.
26・・・酸化物超電導導体、 7・・・中間体。 第1図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非反応性、耐熱性基体面上に溝を回路状に設け、
    この溝内に酸化物超電導体又は上記超電導体前駆物質の
    いずれかの原料物質を充填し、固着せしめたのち、この
    溝内に充填した原料物質を基体面に対し垂直方向から1
    0kg/cm^2以上の圧力をかけて加圧しつつ加熱焼
    結することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
  2. (2)請求項1記載の原料物質を溝内に充填した基体を
    、所望数各々の原料物質を相互に超電導接続して積層し
    、該積層体を加圧しつつ加熱焼結することを特徴とする
    酸化物超電導導体の製造方法。
  3. (3)請求項1記載の方法により製造した酸化物超電導
    導体を、所望数各々の導体を相互に超電導接続して積層
    することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
  4. (4)基体が非反応性、耐熱性且つ電気絶縁性の材料か
    らなる請求項1記載の酸化物超電導導体上に非反応性、
    耐熱性且つ電気絶縁性材料の中間体を設け、この中間体
    上に請求項1と同じ方法で超電導導体を形成し、この操
    作を所望回繰り返し、各々の層の導体を相互に超電導接
    続することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20100323899A1 (en) * 2009-06-18 2010-12-23 Edison S.P.A. Superconductive element and relative preparation process

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