JPH02162352A - 1,2,3‐チアジアゾール基を有する重合体を含有するネガ作動性感放射線混合物およびそれを含有する記録材料 - Google Patents
1,2,3‐チアジアゾール基を有する重合体を含有するネガ作動性感放射線混合物およびそれを含有する記録材料Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、結合剤と1.2.3−チアジアゾール基を含
有する重合体とを含有するネガ作動性感放射線(neg
ative−working、 radiation−
sensitive)混合物に関する。
有する重合体とを含有するネガ作動性感放射線(neg
ative−working、 radiation−
sensitive)混合物に関する。
ネガ作動性(ネガ型)感放射線混合物は、文献に多く記
載されている。各種の態様にも拘らず、それらのすべて
においては、感放射線混合物の好適な現像剤への溶解度
は、光化学的に開始された反応によって減少されている
。
載されている。各種の態様にも拘らず、それらのすべて
においては、感放射線混合物の好適な現像剤への溶解度
は、光化学的に開始された反応によって減少されている
。
前記原理は、このような混合物中に光開始剤との組み合
わせで不飽和重合性化合物を含有する記録材料において
も観察されている。記録材料は、光開始剤の吸収領域に
おいて光線または放射線によって造像的に露光し、そし
て始まる重合反応は、所望ならば、温度を上げることに
よって促進している。
わせで不飽和重合性化合物を含有する記録材料において
も観察されている。記録材料は、光開始剤の吸収領域に
おいて光線または放射線によって造像的に露光し、そし
て始まる重合反応は、所望ならば、温度を上げることに
よって促進している。
次いで、記録材料の未露光部、即ち、未重合部は、好適
な現像剤によって除去している。EPA第0.053,
708号明細書は、このような系を代表している。
な現像剤によって除去している。EPA第0.053,
708号明細書は、このような系を代表している。
異なるバリエーションにおいては、光反応は、架橋性中
間体の生成をもたらし、次いで、この架橋性中間体は感
放射線混合物に存在する他の成分、例えば、結合剤の好
適な官能基で架橋している。
間体の生成をもたらし、次いで、この架橋性中間体は感
放射線混合物に存在する他の成分、例えば、結合剤の好
適な官能基で架橋している。
この種の感放射線混合物は、例えば、感放射線層分とし
て少なくとも三官能アジドを含有する。多くの可能な例
のうち、DE−A第1,572,067号明細書、第1
,572,068号明細書、第1,572,069号明
細書および第1,572.070号明細書を挙げれば十
分である。
て少なくとも三官能アジドを含有する。多くの可能な例
のうち、DE−A第1,572,067号明細書、第1
,572,068号明細書、第1,572,069号明
細書および第1,572.070号明細書を挙げれば十
分である。
また、親水性が露光時に変化する系がある。好適な結合
剤との組み合わせでジアゾニウム塩を含有する混合物は
、これらの系の部類に入る。露光は、窒素を開裂して、
爾後の反応の結果として造像的露光部において感放射線
混合物のアルカリ溶解度を激減する。これらの系は、E
P’−A第0152.819号明細書および第0.04
8,876号明細書に記載されている。
剤との組み合わせでジアゾニウム塩を含有する混合物は
、これらの系の部類に入る。露光は、窒素を開裂して、
爾後の反応の結果として造像的露光部において感放射線
混合物のアルカリ溶解度を激減する。これらの系は、E
P’−A第0152.819号明細書および第0.04
8,876号明細書に記載されている。
補強効果がラジカル誘導値機構によってそれらにおいて
生ずるので、最初に述べた光重合性系は、得ることがで
きる感度に関して利点を提供するが、最後に述べた2つ
の系は、複製する構造物の解像および品質における利点
を提供する。
生ずるので、最初に述べた光重合性系は、得ることがで
きる感度に関して利点を提供するが、最後に述べた2つ
の系は、複製する構造物の解像および品質における利点
を提供する。
詳細には、高エネルギーイオン化放射線(例えば、電子
およびX線)によって構造物を調製するためには、ポリ
アクリレートおよびポリクロロメチルスチレンをベース
とするネガ作動性感光性混合物が、使用されている。こ
れらの系においては、架橋性系であるが、架橋反応に対
するこれらの場合における量子収率は1よりもかなり大
きいので、補強効果も存在する。
およびX線)によって構造物を調製するためには、ポリ
アクリレートおよびポリクロロメチルスチレンをベース
とするネガ作動性感光性混合物が、使用されている。こ
れらの系においては、架橋性系であるが、架橋反応に対
するこれらの場合における量子収率は1よりもかなり大
きいので、補強効果も存在する。
しかしながら、前記ネガ作動性感放射線系は、すべて選
ばれる放射線に関して非常に限定されている。かくて、
前記官能基が芳香族システムに直接結合しているので、
アジド基を有する成分を含有する感放射線混合物だけで
はなく、ジアゾニウム基を有する化合物を含有するもの
も、近紫外領域(〜365nm)に吸収極大を有する。
ばれる放射線に関して非常に限定されている。かくて、
前記官能基が芳香族システムに直接結合しているので、
アジド基を有する成分を含有する感放射線混合物だけで
はなく、ジアゾニウム基を有する化合物を含有するもの
も、近紫外領域(〜365nm)に吸収極大を有する。
しかしながら、この種の感放射線混合物は、追加成分と
して結合剤を必要とする。一方、ポリアクリレートおよ
びポリクロロメチルスチレンは、UV(■)領域で低い
感度を有するのみである。それゆえ、それらは、この領
域での適用範囲内に極めて限定される。
して結合剤を必要とする。一方、ポリアクリレートおよ
びポリクロロメチルスチレンは、UV(■)領域で低い
感度を有するのみである。それゆえ、それらは、この領
域での適用範囲内に極めて限定される。
従って、本発明の目的は、UV領域における石版印刷(
l ithography)に好適であるだけではなく
、X線および電子ビーム石版印刷にも好適である感放射
線混合物を提供することにある。
l ithography)に好適であるだけではなく
、X線および電子ビーム石版印刷にも好適である感放射
線混合物を提供することにある。
上記本発明の目的は、始めに記載の種類の感放射線混合
物であって、結合剤はその官能基かケテンと反応する多
官能化合物であり且つ混合物は重合体として一般式(I
) (式中、Rは重合性基である) の化合物の重合によって得られた化合物を含有すること
を特徴とする感放射線混合物を提供することによりて達
成される。Rがビニル、2−プロペニルまたはブタジェ
ニルである化合物が、特に好ましい。
物であって、結合剤はその官能基かケテンと反応する多
官能化合物であり且つ混合物は重合体として一般式(I
) (式中、Rは重合性基である) の化合物の重合によって得られた化合物を含有すること
を特徴とする感放射線混合物を提供することによりて達
成される。Rがビニル、2−プロペニルまたはブタジェ
ニルである化合物が、特に好ましい。
一般式Iの化合物は、単独重合体として存在できる。し
かしながら、不飽和基を含有する他の通例の化合物との
共重合体も、可能である。下記のものが挙げられる:ス
チレン、アクリル酸、メタクリル酸およびそれらの誘導
体、特にメタクリル酸2−ヒドロキシエチル、マレイン
酸、イタコン酸およびそれらの誘導体およびエステル、
ビニルフェノール、酢酸ビニル、ビニルアルコールおよ
びビニルアセクール。特に、遊離ヒドロキシル基を含有
するコモノマーが、−蔵人(I)の化合物との重合の場
合に好ましい。
かしながら、不飽和基を含有する他の通例の化合物との
共重合体も、可能である。下記のものが挙げられる:ス
チレン、アクリル酸、メタクリル酸およびそれらの誘導
体、特にメタクリル酸2−ヒドロキシエチル、マレイン
酸、イタコン酸およびそれらの誘導体およびエステル、
ビニルフェノール、酢酸ビニル、ビニルアルコールおよ
びビニルアセクール。特に、遊離ヒドロキシル基を含有
するコモノマーが、−蔵人(I)の化合物との重合の場
合に好ましい。
しかしながら、結合剤として共重合体(共重合体の若干
はケテンと反応する前記官能基のいずれも有していない
単量体からなる)を使用することも可能である。特に、
これらの成分対ケテンと反応する基を含有するものの比
率は、2成分があるならば、0.1:1から1:1であ
る。しかしながら、特定の例の場合の適当な比率は、ケ
テンと反応する官能基の数および共重合体中の各種のコ
モノマーの数にも依存する。
はケテンと反応する前記官能基のいずれも有していない
単量体からなる)を使用することも可能である。特に、
これらの成分対ケテンと反応する基を含有するものの比
率は、2成分があるならば、0.1:1から1:1であ
る。しかしながら、特定の例の場合の適当な比率は、ケ
テンと反応する官能基の数および共重合体中の各種のコ
モノマーの数にも依存する。
一般式Iの単量体を含有する共重合体の場合に、コモノ
マーが遊離ヒドロキシル基を担持するならば、ケテンと
反応する基を含有する結合剤は、省略できる。このよう
な共重合体が存在するならば、−蔵人Iの化合物対コモ
ノマーの比率は、0.1=1から1・0. 1、特に1
:1である。この場合には、共重合体の量は、混合物の
固形分に対して46重量%である一方、官能基がケテン
と反応することかできる化合物の量は、54重量%であ
る。
マーが遊離ヒドロキシル基を担持するならば、ケテンと
反応する基を含有する結合剤は、省略できる。このよう
な共重合体が存在するならば、−蔵人Iの化合物対コモ
ノマーの比率は、0.1=1から1・0. 1、特に1
:1である。この場合には、共重合体の量は、混合物の
固形分に対して46重量%である一方、官能基がケテン
と反応することかできる化合物の量は、54重量%であ
る。
コモノマーが遊離ヒドロキシル基を含有しないならば、
これらのコモノマーの単位を含有する共重合体の量は、
感放射線混合物の固形分に対して50重量%である。
これらのコモノマーの単位を含有する共重合体の量は、
感放射線混合物の固形分に対して50重量%である。
これらの場合には、官能基がケテンと反応することがで
きる化合物の量は、感放射線混合物の固形分に対して1
0〜40重量%、特に25重量%である。
きる化合物の量は、感放射線混合物の固形分に対して1
0〜40重量%、特に25重量%である。
ケテンと反応するこれらの官能基の化合物は、SR,−
NHR,−NH2、N R2、COCl、−COOH,
−CONH2、C0NHR,−C8NH2、−C5NH
R。
NHR,−NH2、N R2、COCl、−COOH,
−CONH2、C0NHR,−C8NH2、−C5NH
R。
NHNH2、−CONHNH2、
NH−N=CR2、−N=C=0およびCIOを含有す
る。官能基として一〇H。
る。官能基として一〇H。
SH,−NH2、−COClおよび
\ / \ /
−C
/ \
を含有する化合物が特に好ましく、−OH基を有する化
合物およびEPPO2152,819号明細書からの結
合剤が特に好ましい。前記官能基は、主鎖中または側鎖
中のいずれかに存在することができる。
合物およびEPPO2152,819号明細書からの結
合剤が特に好ましい。前記官能基は、主鎖中または側鎖
中のいずれかに存在することができる。
前記官能基を含有する化合物の例は、ノボラック型のフ
ェノール樹脂、例えば、フェノール/ホルムアルデヒド
樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒド樹脂、それらの混
合縮合物およびそれらの混合物、および他のアルデヒド
とのフェノールおよびクレゾール縮合物である。更に他
の例は、グリシジル(メタ)アクリレート、ポリビニル
フエノ−ル、ポリビニルアルコール、ヒドロキシアルキ
ルメタクリレート、即ち、重縮合または重付加によって
生成される合成化合物である。
ェノール樹脂、例えば、フェノール/ホルムアルデヒド
樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒド樹脂、それらの混
合縮合物およびそれらの混合物、および他のアルデヒド
とのフェノールおよびクレゾール縮合物である。更に他
の例は、グリシジル(メタ)アクリレート、ポリビニル
フエノ−ル、ポリビニルアルコール、ヒドロキシアルキ
ルメタクリレート、即ち、重縮合または重付加によって
生成される合成化合物である。
また、天然重合体、例えば、セルロース、デンプン、デ
キストリンなどおよびそれらのエステルおよびエーテル
は、依然として遊離ヒドロキシル基を担持するならば、
使用され得る。セルロースおよびデンプンの誘導体は、
例えば、ヒドロキシエチル化またはヒドロキシプロピル
化された化合物である。
キストリンなどおよびそれらのエステルおよびエーテル
は、依然として遊離ヒドロキシル基を担持するならば、
使用され得る。セルロースおよびデンプンの誘導体は、
例えば、ヒドロキシエチル化またはヒドロキシプロピル
化された化合物である。
前記化合物が本発明に係る感放射線混合物中で成分とし
て使用するために、そのままで官能基を有していなけれ
ばならないという事実に加えて、前記化合物は、更に混
合物中の残りの成分と相容性でなければならない。
て使用するために、そのままで官能基を有していなけれ
ばならないという事実に加えて、前記化合物は、更に混
合物中の残りの成分と相容性でなければならない。
1、 2. 3−チアジアゾールは、文献から光化学架
橋剤として既知である。米国特許第3,457.073
号明細書は、石版印刷記録材料における用途を記載して
いる。−蔵人(I)の化合物の重合によって生成される
重合体と対照的に、この米国特許明細書に記載の化合物
は、存在する重合体にカルボキシレートを介して結合さ
れている]2.3−チアジアゾール基を含有し、即ち、
チアジアゾール基は巨大分子に重合体類似反応を介して
組み込まれている。しかしながら、このプロセスは、対
応官能基の完全な反応がほとんど実行可能ではなく且つ
化学結合されていない出発物質は、完全には分離できな
いという不利を有する。それゆえ、米国特許第3,45
7,073号明細書に記載の物質は、再現可能な形態で
得ることは非常に困難である。
橋剤として既知である。米国特許第3,457.073
号明細書は、石版印刷記録材料における用途を記載して
いる。−蔵人(I)の化合物の重合によって生成される
重合体と対照的に、この米国特許明細書に記載の化合物
は、存在する重合体にカルボキシレートを介して結合さ
れている]2.3−チアジアゾール基を含有し、即ち、
チアジアゾール基は巨大分子に重合体類似反応を介して
組み込まれている。しかしながら、このプロセスは、対
応官能基の完全な反応がほとんど実行可能ではなく且つ
化学結合されていない出発物質は、完全には分離できな
いという不利を有する。それゆえ、米国特許第3,45
7,073号明細書に記載の物質は、再現可能な形態で
得ることは非常に困難である。
一方、4−または5−アルケニルチアジアゾルの重合に
よって生成される重合体も、既知である。M、ビニパー
およびH,マイアーは、Liebigs Ann、 C
hem、 1986. 13531359で光反応を
記載してさえいる:露光時に、1.2.3−チアジアゾ
ールからの窒素の光化学脱離(I,3−ジラジカル(I
)形成)が生ずる。
よって生成される重合体も、既知である。M、ビニパー
およびH,マイアーは、Liebigs Ann、 C
hem、 1986. 13531359で光反応を
記載してさえいる:露光時に、1.2.3−チアジアゾ
ールからの窒素の光化学脱離(I,3−ジラジカル(I
)形成)が生ずる。
この1,3−ジラジカル(I)は各種の方法で安定化で
きる。二量体化をもたらす爾後反応、即ち、光化学的に
誘導された架橋反応を説明する反応型が、特に興味があ
る。
きる。二量体化をもたらす爾後反応、即ち、光化学的に
誘導された架橋反応を説明する反応型が、特に興味があ
る。
光化学的に形成されるラジカルおよび生成物は、次の通
りである: 二量体化生成物(架橋基準)は、次の通りであ換言すれ
ば、一般原則として、これらの系は、リングラフイー層
における示差(differentiaLion)に使
用できる。しかしながら、得ることができる感度は、米
国特許第3,457,073号明細書に記載の系の場合
よりも一層悪いと判明することが見出された。それゆえ
、この種の1.2.3チアジアゾールおよびケテンと反
応することができる官能基を含有する化合物の使用によ
って、改良された画像示差が達成できることは特に驚異
的であった。
りである: 二量体化生成物(架橋基準)は、次の通りであ換言すれ
ば、一般原則として、これらの系は、リングラフイー層
における示差(differentiaLion)に使
用できる。しかしながら、得ることができる感度は、米
国特許第3,457,073号明細書に記載の系の場合
よりも一層悪いと判明することが見出された。それゆえ
、この種の1.2.3チアジアゾールおよびケテンと反
応することができる官能基を含有する化合物の使用によ
って、改良された画像示差が達成できることは特に驚異
的であった。
所望ならば、着色剤、顔料、可塑剤、湿潤剤および流れ
改良剤並びにポリグリコール、セルロスエーテル、例え
ば、エチルセルロースは、可撓性、接着性、光沢などの
特殊な要件を改良するために本発明に係る感放射線混合
物に添加できる。
改良剤並びにポリグリコール、セルロスエーテル、例え
ば、エチルセルロースは、可撓性、接着性、光沢などの
特殊な要件を改良するために本発明に係る感放射線混合
物に添加できる。
好ましくは、本発明に係る感放射線混合物は、溶媒、例
えば、エチレングリコール、グリコールエーテル(例え
ば、グリコールモノメチルエーテル、グリコールジメチ
ルエーテル、グリコールモノエチルエーテルまたはプロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル、特にプロピレ
ングリコールメチルエーテル)、脂肪族エステル(例え
ば、酢酸エチル、酢酸ヒドロキシエチル、酢酸アルコキ
シルエチル、酢酸n−ブチル、プロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート、特にプロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテートまたは酢酸アミル)、エ
ーテル(例えば、ジオキサン)、ケトン(例えば、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペン
タノンおよびシクロヘキサノン)、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸アミド
、Nメチルピロリドン、ブチロラクトン、テトラヒドロ
フランおよびそれらの混合物に溶解する。ゲルコールエ
ーテル、脂肪族エステルおよびケトンが、特に好ましい
。
えば、エチレングリコール、グリコールエーテル(例え
ば、グリコールモノメチルエーテル、グリコールジメチ
ルエーテル、グリコールモノエチルエーテルまたはプロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル、特にプロピレ
ングリコールメチルエーテル)、脂肪族エステル(例え
ば、酢酸エチル、酢酸ヒドロキシエチル、酢酸アルコキ
シルエチル、酢酸n−ブチル、プロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート、特にプロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテートまたは酢酸アミル)、エ
ーテル(例えば、ジオキサン)、ケトン(例えば、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペン
タノンおよびシクロヘキサノン)、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸アミド
、Nメチルピロリドン、ブチロラクトン、テトラヒドロ
フランおよびそれらの混合物に溶解する。ゲルコールエ
ーテル、脂肪族エステルおよびケトンが、特に好ましい
。
感放射線混合物の成分によって調製される溶液は、通常
、固形分5〜60重量%、好ましくは50重量%までを
有する。
、固形分5〜60重量%、好ましくは50重量%までを
有する。
更に、本発明によれば、本質上基材およびそれに適用さ
れた感放射線混合物からなる感放射線記録材料が提供さ
れる。
れた感放射線混合物からなる感放射線記録材料が提供さ
れる。
好適な基材は、コンデンサー、半導体、多層プリント回
路または集積回路を構成できるか原料であることができ
るすべての材料である。半導体テクノロジーで通例のす
べての他の支持体および基材、例えば、窒化ケイ素、ヒ
化ガリウム、リン化インジウムを含めて、ドーピングし
てもドーピングしなくともよい純粋な熱酸化および/ま
たはアルミニウム被覆シリコンからなる表面が、特に好
適である。更に他の好適な基材は、液晶デイスプレィ製
作から既知のもの、例えば、ガラス、酸化インジウム/
スズ;更に他の金属プレートおよびシート(例えば、ア
ルミニウム、銅、亜鉛から作られる)、バイメタルおよ
びトリメタルシート並びに蒸着によって金属化されてい
る非導電性シート、例えば、アルミニウム被覆S IO
2材料および紙である。これらの基材は、加熱によって
前処理に付し、表面上で粗面化し、化学薬品でエツチン
グまたは処理して望ましい性質、例えば、増大された親
水性を改良することができる。
路または集積回路を構成できるか原料であることができ
るすべての材料である。半導体テクノロジーで通例のす
べての他の支持体および基材、例えば、窒化ケイ素、ヒ
化ガリウム、リン化インジウムを含めて、ドーピングし
てもドーピングしなくともよい純粋な熱酸化および/ま
たはアルミニウム被覆シリコンからなる表面が、特に好
適である。更に他の好適な基材は、液晶デイスプレィ製
作から既知のもの、例えば、ガラス、酸化インジウム/
スズ;更に他の金属プレートおよびシート(例えば、ア
ルミニウム、銅、亜鉛から作られる)、バイメタルおよ
びトリメタルシート並びに蒸着によって金属化されてい
る非導電性シート、例えば、アルミニウム被覆S IO
2材料および紙である。これらの基材は、加熱によって
前処理に付し、表面上で粗面化し、化学薬品でエツチン
グまたは処理して望ましい性質、例えば、増大された親
水性を改良することができる。
特定の態様においては、感放射線混合物は、レジストに
おいて、またはレジストと支持体または基材との間のよ
り良い接着のための接着促進剤を含有できる。シリコン
または二酸化ケイ素基材の場合には、好適な接着促進剤
は、アミノシラン型を有し、例えば、3−アミノプロピ
ルトリエトキシシランまたはへキサメチルジシラザンで
ある。
おいて、またはレジストと支持体または基材との間のよ
り良い接着のための接着促進剤を含有できる。シリコン
または二酸化ケイ素基材の場合には、好適な接着促進剤
は、アミノシラン型を有し、例えば、3−アミノプロピ
ルトリエトキシシランまたはへキサメチルジシラザンで
ある。
本発明に係る記録材料は、高エネルギー線源によって造
像的照射に付す。電子またはX線か、好ましい。十分に
透明な結合剤を使用するならば、短波紫外線(深UV)
による造像的照射も、可能である。
像的照射に付す。電子またはX線か、好ましい。十分に
透明な結合剤を使用するならば、短波紫外線(深UV)
による造像的照射も、可能である。
層厚は、特定の用途に応じて変化する。層厚は、約0.
1〜1000、特に1〜10μmである。
1〜1000、特に1〜10μmである。
感放射線混合物は、噴霧、流れ塗、ロール塗、スピン塗
および浸漬被覆によって基材1ご適用できる。次いで、
溶媒は、感放射線層が基材の表面上に残るように蒸発に
よって除去する。溶媒の除去は、必要ならば、層を15
0℃までの温度に加熱することによって促進できる。し
かしながら、混合物を前記方法で先ず中間基材に適用し
、この中間基材から加圧下で高温において最終基材に移
すことも可能である。使用できる中間基材は、可撓性で
ある限り、一般原則として好適な基材と記載されたすべ
ての材料である。次いで、層は、造像的放射線に付す。
および浸漬被覆によって基材1ご適用できる。次いで、
溶媒は、感放射線層が基材の表面上に残るように蒸発に
よって除去する。溶媒の除去は、必要ならば、層を15
0℃までの温度に加熱することによって促進できる。し
かしながら、混合物を前記方法で先ず中間基材に適用し
、この中間基材から加圧下で高温において最終基材に移
すことも可能である。使用できる中間基材は、可撓性で
ある限り、一般原則として好適な基材と記載されたすべ
ての材料である。次いで、層は、造像的放射線に付す。
好ましくは、高エネルギー放射線、例えば、X線または
電子線が、使用される。
電子線が、使用される。
線量20〜200 m J / cJを有する高エネル
ギシンクロトロン放射線または電子ビーム書込機の放射
線が、特に好ましい。実際の示差反応(架橋)は、個々
の場合に室温で生ずることかできる。しかしながら、一
般に、約1〜30分継続でき且つ好ましくは約90〜約
150°Cの温度で生ずる追加の加熱(後露光焼付け)
が、好都合である。感放射線層においては、次いで、画
像パターンは、層を、材料の未露光部を溶解するか除去
する現像液で処理することによる現像によって露光する
。
ギシンクロトロン放射線または電子ビーム書込機の放射
線が、特に好ましい。実際の示差反応(架橋)は、個々
の場合に室温で生ずることかできる。しかしながら、一
般に、約1〜30分継続でき且つ好ましくは約90〜約
150°Cの温度で生ずる追加の加熱(後露光焼付け)
が、好都合である。感放射線層においては、次いで、画
像パターンは、層を、材料の未露光部を溶解するか除去
する現像液で処理することによる現像によって露光する
。
使用する現像剤は、ケイ酸塩、メタケイ酸塩、水酸化物
、リン酸水素酸塩、リン酸二水素酸塩、炭酸塩、重炭酸
塩などのアルカリ試薬の溶液、特にアルカリ金属または
アンモニウムイオンだけではなく、アンモニアまたは有
機アンモニウム塩基などのものである。現像液中のこれ
らの物質の割合は、一般に、現像液の重量に対して0.
1〜15重量%、好ましくは0.5〜5重量%である
。
、リン酸水素酸塩、リン酸二水素酸塩、炭酸塩、重炭酸
塩などのアルカリ試薬の溶液、特にアルカリ金属または
アンモニウムイオンだけではなく、アンモニアまたは有
機アンモニウム塩基などのものである。現像液中のこれ
らの物質の割合は、一般に、現像液の重量に対して0.
1〜15重量%、好ましくは0.5〜5重量%である
。
本発明に係る感放射線混合物に含有される共重合体の製
法は、下記例によって例示するであろう。
法は、下記例によって例示するであろう。
例1
a)4−ビニル−1,2,3−チアジアゾールとメタク
リル酸2−ヒドロキシエチルとの共重合4−ビニル−1
,,2,3−チアジアゾール2.00g (I7,8ミ
リモル)およびメタクリル酸2−ヒドロキシエチル2.
32g (I7,8ミリモル)をアゾビスイソブチロ
ニトリル59mgと一緒に乾燥テトラヒドロフラン20
m1に溶解する。乾燥窒素流を20℃で溶液に1時間通
過させる。混合物を65℃に加熱し、6時間還流する。
リル酸2−ヒドロキシエチルとの共重合4−ビニル−1
,,2,3−チアジアゾール2.00g (I7,8ミ
リモル)およびメタクリル酸2−ヒドロキシエチル2.
32g (I7,8ミリモル)をアゾビスイソブチロ
ニトリル59mgと一緒に乾燥テトラヒドロフラン20
m1に溶解する。乾燥窒素流を20℃で溶液に1時間通
過させる。混合物を65℃に加熱し、6時間還流する。
反応完了後、得られた重合体をヘキサン400m1で沈
殿し、吸引で濾別し、室温において真空中で乾燥する。
殿し、吸引で濾別し、室温において真空中で乾燥する。
このことは、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリ
ドンおよびTHFに溶けるわずかに黄色のガラス状固体
0,6gを与える。
ドンおよびTHFに溶けるわずかに黄色のガラス状固体
0,6gを与える。
ゲル浸透クロマトグラフィーによる分子量の測定は、M
8000およびM 3300を与えたW
n(ポリスチレン校
正)。元素分析(C50,6%、H6,4%、N10.
0%および811.6%)は、メタクリル酸2−ヒドロ
キシエチル1.4部に対して1部の4−ビニル−1,2
゜3−チアジアゾールの共重合体組成を示す。
8000およびM 3300を与えたW
n(ポリスチレン校
正)。元素分析(C50,6%、H6,4%、N10.
0%および811.6%)は、メタクリル酸2−ヒドロ
キシエチル1.4部に対して1部の4−ビニル−1,2
゜3−チアジアゾールの共重合体組成を示す。
b)電子ビームによる共重合体の構造化シリコンウェー
ハ(酸化されていない)をエタノールによって洗浄し、
スピンコーターによってテトラヒドロフラン中の(a)
に記載の共重合体の3%溶液で被覆した(I000rp
mで5秒)。
ハ(酸化されていない)をエタノールによって洗浄し、
スピンコーターによってテトラヒドロフラン中の(a)
に記載の共重合体の3%溶液で被覆した(I000rp
mで5秒)。
層厚0.4μmが、得られた。
縞パターンをパターンジェネレーターを含む走査電子顕
微鏡によって5〜200μC/ caの各種のエネルギ
ー線量において層に書き込んだ。パターンを10秒間テ
トラヒドロフランへの浸漬によって現像した。結果は、
20μC/dの線量においてさえ構造物が現像剤に完全
に抵抗性であり且つ良好なエツジシャープネス(edg
esharpness)(0,1μmよりも良好)を有
することであった。
微鏡によって5〜200μC/ caの各種のエネルギ
ー線量において層に書き込んだ。パターンを10秒間テ
トラヒドロフランへの浸漬によって現像した。結果は、
20μC/dの線量においてさえ構造物が現像剤に完全
に抵抗性であり且つ良好なエツジシャープネス(edg
esharpness)(0,1μmよりも良好)を有
することであった。
例2(比較例)
a)4−ビニル−1,2,3−チアジアゾール5−カル
ボン酸の重合 プロセスの手順は、例1(a)と同様であった。
ボン酸の重合 プロセスの手順は、例1(a)と同様であった。
b)ポリ(4−ビニル−1,2,3−チアジアゾール)
−5−カルボン酸の構造化 シリコンウェーハ(酸化されていない)を例](b)と
同様に洗浄し、ポリ(4−ビニル−1゜2.3−チアジ
アゾール)−5−カルボン酸の0.4μm厚の層で被覆
した。
−5−カルボン酸の構造化 シリコンウェーハ(酸化されていない)を例](b)と
同様に洗浄し、ポリ(4−ビニル−1゜2.3−チアジ
アゾール)−5−カルボン酸の0.4μm厚の層で被覆
した。
縞パターンをパターンジェネレーターを含む走査電子顕
微鏡によって10〜350μC/c♂の各種のエネルギ
ー線量において層に書き込んだ。パターンを30秒間テ
トラヒドロフランへの浸漬によって現像した。150μ
C/ aIII以上の線量においてのみ、構造物の部分
が現像剤に溶解しなかった。しかしながら、パターンの
示差は、不十分であった。より長い現像時間(>1分)
は、結局、照射層を完全に溶解し去り、それゆえ少しの
画像も得ることができなかった。
微鏡によって10〜350μC/c♂の各種のエネルギ
ー線量において層に書き込んだ。パターンを30秒間テ
トラヒドロフランへの浸漬によって現像した。150μ
C/ aIII以上の線量においてのみ、構造物の部分
が現像剤に溶解しなかった。しかしながら、パターンの
示差は、不十分であった。より長い現像時間(>1分)
は、結局、照射層を完全に溶解し去り、それゆえ少しの
画像も得ることができなかった。
例3
メタクリル酸メチルとメタクリル酸グリシジルと(I:
1)からなる共重合体との混合物中のポリ(4−ビニ
ル−1,2,3−チアジアゾール)の構造化 シリコンウェーハ(酸化されていない)を例1(b)と
同様に洗浄し、ポリ(4−ビニル−1゜2,3−チアジ
アゾール)50重量%およびメタクリル酸メチルとメタ
クリル酸グリシジルと(I:1)からなる共重合体50
重量%からなる0、 4μm厚の層で被覆した。
1)からなる共重合体との混合物中のポリ(4−ビニ
ル−1,2,3−チアジアゾール)の構造化 シリコンウェーハ(酸化されていない)を例1(b)と
同様に洗浄し、ポリ(4−ビニル−1゜2,3−チアジ
アゾール)50重量%およびメタクリル酸メチルとメタ
クリル酸グリシジルと(I:1)からなる共重合体50
重量%からなる0、 4μm厚の層で被覆した。
縞パターンをパターンジェネレーターを含む走査電子顕
微鏡によって5〜200μC/c♂の各種のエネルギー
線量において層に書き込んだ。パタンを60秒間アセト
ンへの浸漬によって現像した。5μC/c♂以上の線量
においてのみ、高いエツジシャープネスを有する完全に
良く解像された構造物を得ることか可能であった。
微鏡によって5〜200μC/c♂の各種のエネルギー
線量において層に書き込んだ。パタンを60秒間アセト
ンへの浸漬によって現像した。5μC/c♂以上の線量
においてのみ、高いエツジシャープネスを有する完全に
良く解像された構造物を得ることか可能であった。
例4
m−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラックとの混合
物中のポリ(4−ビニル−1,2,3チアジアゾール)
の構造化 シリコンウェーハ(酸化されていない)を例1(b)と
同様に洗浄し、ポリ (4−ビニル−1゜2.3−チア
ジアゾール)50重量%および105〜120℃の軟化
範囲のm−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック5
0重量%からなる0、4μm厚の層で被覆した。
物中のポリ(4−ビニル−1,2,3チアジアゾール)
の構造化 シリコンウェーハ(酸化されていない)を例1(b)と
同様に洗浄し、ポリ (4−ビニル−1゜2.3−チア
ジアゾール)50重量%および105〜120℃の軟化
範囲のm−クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック5
0重量%からなる0、4μm厚の層で被覆した。
縞パターンをパターンジェネレーターを含む走査電子顕
微鏡によって5〜200μC/ ctMの各種のエネル
ギー線量において層に書き込んだ。パターンを60秒間
アセトンへの浸漬によって現像した。10μC/ ct
l程度の線量において、高いエツジシャープネスを有す
る完全に良く解像された構造物を得ることかできた。
微鏡によって5〜200μC/ ctMの各種のエネル
ギー線量において層に書き込んだ。パターンを60秒間
アセトンへの浸漬によって現像した。10μC/ ct
l程度の線量において、高いエツジシャープネスを有す
る完全に良く解像された構造物を得ることかできた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、結合剤および1,2,3−チアジアゾール基を含有
する重合体を含有するネガ作動性感放射線混合物であっ
て、結合剤はその官能基がケテンと反応する多官能化合
物であり且つ混合物は重合体として一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは重合性基である) の化合物の重合によって得られた化合物を含有すること
を特徴とするネガ作動性感放射線混合物。 2、Rが、ビニル、2−プロペニルおよびブタジエニル
である、請求項1に記載の感放射線混合物。 3、ケテンと完全に反応する化合物が、多官能アルコー
ルである、請求項1または2に記載の感放射線混合物。 4、重合体が、共重合体である、請求項1ないし3のい
ずれか1項に記載の感放射線混合物。 5、ケテンと反応することができる官能基を含有する化
合物をコモノマーとして使用する、請求項4に記載の感
放射線混合物。 6、1,2,3−チアジアゾール基を含有する重合体を
含有するネガ作動性感放射線混合物であって、使用する
重合体は、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは重合性基である) の化合物とコモノマーとの重合によって得られた化合物
であり;この化合物はケテンと反応することができる官
能基を含有することを特徴とするネガ作動性感放射線混
合物。 7、使用するコモノマーが、アルコール性ヒドロキシル
基を含有する単量体である、請求項6に記載の感放射線
混合物。 8、本質上基材および感放射線層からなるネガ作動性感
放射線記録材料であって、請求項1ないし7のいずれか
1項に記載の感放射線混合物を使用することを特徴とす
るネガ作動性感放射線記録材料。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883835039 DE3835039A1 (de) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend ein polymeres mit 1,2,3-thiadiazolgruppen sowie dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial |
DE3835039.4 | 1988-10-14 | ||
DE3840910.0 | 1988-12-05 | ||
DE19883840910 DE3840910A1 (de) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend ein polymeres mit 1,2,3-thiadiazolgruppen sowie dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02162352A true JPH02162352A (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=25873245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1266095A Pending JPH02162352A (ja) | 1988-10-14 | 1989-10-12 | 1,2,3‐チアジアゾール基を有する重合体を含有するネガ作動性感放射線混合物およびそれを含有する記録材料 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4988606A (ja) |
EP (1) | EP0363817A3 (ja) |
JP (1) | JPH02162352A (ja) |
AU (1) | AU617880B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1129907A (en) * | 1965-10-11 | 1968-10-09 | Agfa Gevaert Nv | Photochemically cross-linkable polymers and compositions containing thiadiazole groups |
DE1572070C3 (de) * | 1966-03-12 | 1979-03-22 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches Kopiermaterial |
DE1572067C3 (de) * | 1966-03-12 | 1979-02-08 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches Kopiermaterial |
DE3036077A1 (de) * | 1980-09-25 | 1982-05-06 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichthaertbares gemisch und damit hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial |
DE3404366A1 (de) * | 1984-02-08 | 1985-08-14 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch auf basis eines diazoniumsalz-polykondensationsprodukts und daraus hergestelltes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial |
JPS6462375A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Arakawa Chem Ind | Liquid photosolder resist ink composition of alkali development type |
-
1989
- 1989-10-05 EP EP19890118468 patent/EP0363817A3/de not_active Withdrawn
- 1989-10-12 JP JP1266095A patent/JPH02162352A/ja active Pending
- 1989-10-12 US US07/420,527 patent/US4988606A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-12 AU AU42860/89A patent/AU617880B2/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU617880B2 (en) | 1991-12-05 |
EP0363817A3 (de) | 1990-09-26 |
US4988606A (en) | 1991-01-29 |
EP0363817A2 (de) | 1990-04-18 |
AU4286089A (en) | 1990-04-26 |
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