JPH0216047B2 - - Google Patents
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- JPH0216047B2 JPH0216047B2 JP57162603A JP16260382A JPH0216047B2 JP H0216047 B2 JPH0216047 B2 JP H0216047B2 JP 57162603 A JP57162603 A JP 57162603A JP 16260382 A JP16260382 A JP 16260382A JP H0216047 B2 JPH0216047 B2 JP H0216047B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- resistor
- emitter
- diode
- voltage
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープレコーダの低周波増幅器に係る
ものであり、電源オフ時の電源電圧変化に追従す
る直流バイアスを供給し、電源オフ時の過渡音を
容易に軽減できるようにしたものに関するもので
ある。
ものであり、電源オフ時の電源電圧変化に追従す
る直流バイアスを供給し、電源オフ時の過渡音を
容易に軽減できるようにしたものに関するもので
ある。
第１図に従来の低周波増幅器を示す。図におい
て、１は入力端子で、信号源Sigよりカツプリン
グ・コンデンサC1を介して信号が入力される。
５は出力信号が取り出される出力端子で、RLは
次段の出力インピーダンスと等価な値をもつ負荷
抵抗、C5はカツプリング・コンデンサである。
２は低周波増幅器の交流負帰還端子で、直流交流
分離用コンデンサC2と、低周波増幅器内の抵抗
R11と共に交流負帰還量を決定するための抵抗Re
とにより、増幅器の電圧利得を決定している。４
はリツプルフイルタ用端子で、コンデンサC4が
接続され、該コンデンサC4は抵抗R10と共に電源
端子３のリツプル成分を除去するために設けられ
ている。６は接地端子である。
て、１は入力端子で、信号源Sigよりカツプリン
グ・コンデンサC1を介して信号が入力される。
５は出力信号が取り出される出力端子で、RLは
次段の出力インピーダンスと等価な値をもつ負荷
抵抗、C5はカツプリング・コンデンサである。
２は低周波増幅器の交流負帰還端子で、直流交流
分離用コンデンサC2と、低周波増幅器内の抵抗
R11と共に交流負帰還量を決定するための抵抗Re
とにより、増幅器の電圧利得を決定している。４
はリツプルフイルタ用端子で、コンデンサC4が
接続され、該コンデンサC4は抵抗R10と共に電源
端子３のリツプル成分を除去するために設けられ
ている。６は接地端子である。
抵抗R1はトランジスタQ1のベースバイアスを
与えるためのものである。トランジスタQ1，Q2
はコンプリメンタリー差動増幅回路を構成し、ト
ランジスタQ1のコレクタは接地され、ベースは
入力端子１に接続されており、入力信号が印加さ
れる。そしてこのエミツタはトランジスタQ2の
エミツタに接続され、トランジスタQ2のベース
は、出力端子５の電圧が帰還抵抗R11を介して直
流帰還されていると共に交流帰還決定用端子２に
接続され、かつ出力直流バイアス設定用トランジ
スタQ4のコレクタに接続されている。
与えるためのものである。トランジスタQ1，Q2
はコンプリメンタリー差動増幅回路を構成し、ト
ランジスタQ1のコレクタは接地され、ベースは
入力端子１に接続されており、入力信号が印加さ
れる。そしてこのエミツタはトランジスタQ2の
エミツタに接続され、トランジスタQ2のベース
は、出力端子５の電圧が帰還抵抗R11を介して直
流帰還されていると共に交流帰還決定用端子２に
接続され、かつ出力直流バイアス設定用トランジ
スタQ4のコレクタに接続されている。
ダイオード接続されたトランジスタQ9と、エ
ミツタに抵抗R2が接続されたトランジスタQ3と
はカレントミラー回路を構成し、ミラー比は抵抗
R2により決定される。抵抗R2により決定された
トランジスタQ3のコレクタ電流は、トランジス
タQ1，Q2で構成されたコンプリメンタリー差動
増幅回路に供給され、トランジスタQ3のコレク
タは上記コンプリメンタリー差動増幅回路の能動
負荷となつている。
ミツタに抵抗R2が接続されたトランジスタQ3と
はカレントミラー回路を構成し、ミラー比は抵抗
R2により決定される。抵抗R2により決定された
トランジスタQ3のコレクタ電流は、トランジス
タQ1，Q2で構成されたコンプリメンタリー差動
増幅回路に供給され、トランジスタQ3のコレク
タは上記コンプリメンタリー差動増幅回路の能動
負荷となつている。
トランジスタQ4，Q5，Q6，Q8、ダイオード
D1、抵抗R3，R4，R5は、出力端子５の直流電圧
V0が電源電圧Vccの１／２、即ち１／２・Vccの
電圧になるような電流源を構成する。トランジス
タQ8のベースは上記電流源に電源端子３のリツ
プル成分が混入するのを防止するため、抵抗
R10、コンデンサC4で上記リツプル成分を除去し
た後、抵抗R10を介してベースバイアスされてい
る。トランジスタQ5のコレクタには相互に直列
に接続されたダイオードD1と抵抗R3の一端が接
続されており、上記電流源の電流を決定する。ト
ランジスタQ4，Q5，Q7のベースはトランジスタ
Q6のエミツタに接続され、各々のエミツタは抵
抗R4，R5，R7を介して接地されている。またト
ランジスタQ5のコレクタはトランジスタQ6のベ
ースに接続されている。そしてトランジスタQ5，
Q6，Q8、ダイオードD1および抵抗R3は該抵抗R3
に流れる直流バイアス電流を設定する直流バイア
ス電流設定回路１０を構成している。
D1、抵抗R3，R4，R5は、出力端子５の直流電圧
V0が電源電圧Vccの１／２、即ち１／２・Vccの
電圧になるような電流源を構成する。トランジス
タQ8のベースは上記電流源に電源端子３のリツ
プル成分が混入するのを防止するため、抵抗
R10、コンデンサC4で上記リツプル成分を除去し
た後、抵抗R10を介してベースバイアスされてい
る。トランジスタQ5のコレクタには相互に直列
に接続されたダイオードD1と抵抗R3の一端が接
続されており、上記電流源の電流を決定する。ト
ランジスタQ4，Q5，Q7のベースはトランジスタ
Q6のエミツタに接続され、各々のエミツタは抵
抗R4，R5，R7を介して接地されている。またト
ランジスタQ5のコレクタはトランジスタQ6のベ
ースに接続されている。そしてトランジスタQ5，
Q6，Q8、ダイオードD1および抵抗R3は該抵抗R3
に流れる直流バイアス電流を設定する直流バイア
ス電流設定回路１０を構成している。
次に動作について説明する。
今、上記の構成において、各トランジスタのベ
ース・エミツタ間の電圧VBEを一定とし、かつ各
トランジスタの電流増幅率βを非常に大きいと
し、各々のベース電流を無視すると、抵抗R3に
流れる電流は電源電圧VccからトランジスタQ8の
VBE、ダイオードD1のVBE（ダイオードD1の順方向
電圧はトランジスタをダイオード接続したものと
考えればVBEである）、トランジスタQ6，Q5のVBE
を差し引いた電圧を抵抗R3で割つたものである。
ここで、抵抗R5で発生する電圧はVccあるいは
VBEに比較して無視できるものとすると、（Vcc−
4VBE）／R3が抵抗R3に流れる電流となる。
ース・エミツタ間の電圧VBEを一定とし、かつ各
トランジスタの電流増幅率βを非常に大きいと
し、各々のベース電流を無視すると、抵抗R3に
流れる電流は電源電圧VccからトランジスタQ8の
VBE、ダイオードD1のVBE（ダイオードD1の順方向
電圧はトランジスタをダイオード接続したものと
考えればVBEである）、トランジスタQ6，Q5のVBE
を差し引いた電圧を抵抗R3で割つたものである。
ここで、抵抗R5で発生する電圧はVccあるいは
VBEに比較して無視できるものとすると、（Vcc−
4VBE）／R3が抵抗R3に流れる電流となる。
このバイアス電流より、出力端子電圧V0は
V0＝｛（Vcc−4VBE）／R3｝×R11＋2VBE
ここで、R3＝2R11となるよう設定すると、
V0≒１／２Vcc
となり、出力端子電圧V0は常に電源電圧Vccの
１／２、即ち１／２・Vccとなる。
１／２、即ち１／２・Vccとなる。
次に、トランジスタQ6のエミツタに接続され
ている抵抗R6は、VBEによつて電源電圧に関係な
く、トランジスタQ9，Q10，Q3の電流を定電流化
する。
ている抵抗R6は、VBEによつて電源電圧に関係な
く、トランジスタQ9，Q10，Q3の電流を定電流化
する。
端子１に印加された入力信号はトランジスタ
Q1，Q2で構成されるコンプリメンタリー差動増
幅回路でトランジスタQ3を負荷として増幅され、
トランジスタQ11のベースに印加される。トラン
ジスタQ11のコレクタは電源に接続され、エミツ
タはその電流源となる定電流源トランジスタQ7
のコレクタに接続されている。信号はトランジス
タQ11のエミツタに出力され、トランジスタQ12
のベースに印加される。トランジスタQ12、抵抗
R9，R8は反転増幅器を構成する。トランジスタ
Q12のコレクタに接続されている抵抗R8によつて
そのエミツタ電流が決定され、抵抗R8，R9によ
りその段での利得が決定されている。次にその信
号はトランジスタQ13のベースに印加され、トラ
ンジスタQ10のコレクタ抵抗、ダイオードQ14，
Q15を負荷としてトランジスタQ13のコレクタに
出力される。トランジスタQ10のベースはトラン
ジスタQ9と共にカレントミラー回路を構成して
おり、トランジスタQ13，Q14，Q15をバイアスし
ている。トランジスタQ13のコレクタは、トラン
ジスタQ17とQ18を図のように組合せた複合トラ
ンジスタのうち、トランジスタQ17のベースに接
続されている。トランジスタQ10のコレクタはト
ランジスタQ16のベースに接続され、その各々に
トランジスタQ13により増幅された信号が印加さ
れ、その信号はトランジスタQ16のエミツタ及び
トランジスタQ17のエミツタとトランジスタQ18
のコレクタの接続点、つまり出力端子５に出力さ
れ、負荷抵抗RLに交流信号として取り出せる。
Q1，Q2で構成されるコンプリメンタリー差動増
幅回路でトランジスタQ3を負荷として増幅され、
トランジスタQ11のベースに印加される。トラン
ジスタQ11のコレクタは電源に接続され、エミツ
タはその電流源となる定電流源トランジスタQ7
のコレクタに接続されている。信号はトランジス
タQ11のエミツタに出力され、トランジスタQ12
のベースに印加される。トランジスタQ12、抵抗
R9，R8は反転増幅器を構成する。トランジスタ
Q12のコレクタに接続されている抵抗R8によつて
そのエミツタ電流が決定され、抵抗R8，R9によ
りその段での利得が決定されている。次にその信
号はトランジスタQ13のベースに印加され、トラ
ンジスタQ10のコレクタ抵抗、ダイオードQ14，
Q15を負荷としてトランジスタQ13のコレクタに
出力される。トランジスタQ10のベースはトラン
ジスタQ9と共にカレントミラー回路を構成して
おり、トランジスタQ13，Q14，Q15をバイアスし
ている。トランジスタQ13のコレクタは、トラン
ジスタQ17とQ18を図のように組合せた複合トラ
ンジスタのうち、トランジスタQ17のベースに接
続されている。トランジスタQ10のコレクタはト
ランジスタQ16のベースに接続され、その各々に
トランジスタQ13により増幅された信号が印加さ
れ、その信号はトランジスタQ16のエミツタ及び
トランジスタQ17のエミツタとトランジスタQ18
のコレクタの接続点、つまり出力端子５に出力さ
れ、負荷抵抗RLに交流信号として取り出せる。
以上のような低周波増幅器において、電源オフ
時の立下り特性は第２図のようになる。第２図ａ
は電源をオフしたときで、増幅器の出力直流電圧
は１／２・Vccから電源デカツプリングコンデン
サC3とリツプル用コンデンサC4の時定数で立下
り特性が決まる。ｂは電源がオフされてトランジ
スタQ5，Q6，Q8、ダイオードD1、抵抗R3で構成
される直流バイアス電流設定回路１０に電流が供
給されなくなる電源電圧になるときである。
時の立下り特性は第２図のようになる。第２図ａ
は電源をオフしたときで、増幅器の出力直流電圧
は１／２・Vccから電源デカツプリングコンデン
サC3とリツプル用コンデンサC4の時定数で立下
り特性が決まる。ｂは電源がオフされてトランジ
スタQ5，Q6，Q8、ダイオードD1、抵抗R3で構成
される直流バイアス電流設定回路１０に電流が供
給されなくなる電源電圧になるときである。
トランジスタQ6に電流が供給されなくなると、
トランジスタQ3，Q9，Q10のカレントミラー回路
にもバイアス電流が流れない。
トランジスタQ3，Q9，Q10のカレントミラー回路
にもバイアス電流が流れない。
この状態のとき、出力端子電圧は、先に説明し
たように電源電圧の１／２になるような電圧に設
定されているが、この出力１／2Vccに保つ回路
がバイアス電流がなくなるため、出力端子電圧は
電源オフ時の電源電圧減衰カーブに依存するよう
になる。即ち、トランジスタQ3，Q7，Q9，Q10に
バイアス電流が供給されないため、増幅器の内部
動作はリニア動作からトランジスタのオン、オフ
動作となり、電源電圧減衰過程において、トラン
ジスタQ11，Q12，Q13がオフ、トランジスタQ16
が導通という状態が生じる。この時点で、出力端
子電圧は１／2Vccから第２図のｂ点で上昇する
ような症状を発生し、このとき異音を発生する。
たように電源電圧の１／２になるような電圧に設
定されているが、この出力１／2Vccに保つ回路
がバイアス電流がなくなるため、出力端子電圧は
電源オフ時の電源電圧減衰カーブに依存するよう
になる。即ち、トランジスタQ3，Q7，Q9，Q10に
バイアス電流が供給されないため、増幅器の内部
動作はリニア動作からトランジスタのオン、オフ
動作となり、電源電圧減衰過程において、トラン
ジスタQ11，Q12，Q13がオフ、トランジスタQ16
が導通という状態が生じる。この時点で、出力端
子電圧は１／2Vccから第２図のｂ点で上昇する
ような症状を発生し、このとき異音を発生する。
本発明は上記のような従来のものの電源オフ時
の欠点を改善するためになされたもので、低周波
増幅器の直流バイアス電流設定回路において、そ
のトランジスタのベース・エミツタ間とそのダイ
オードのアノード・カソード間とにわたつて並列
に抵抗を接続することにより、電源オフ時の過渡
音を軽減、除去できる低周波増幅器を提供するこ
とを目的としている。
の欠点を改善するためになされたもので、低周波
増幅器の直流バイアス電流設定回路において、そ
のトランジスタのベース・エミツタ間とそのダイ
オードのアノード・カソード間とにわたつて並列
に抵抗を接続することにより、電源オフ時の過渡
音を軽減、除去できる低周波増幅器を提供するこ
とを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第３図は本発明の一実施例による低周波増幅器
であり、図において、第１図と同一符号は同一の
ものを示す。Ｒは直流バイアス電流設定回路１０
のトランジスタQ8のベース・エミツタ間とその
ダイオードD1のアノード・カソード間とにわた
つて並列に接続された抵抗である。
であり、図において、第１図と同一符号は同一の
ものを示す。Ｒは直流バイアス電流設定回路１０
のトランジスタQ8のベース・エミツタ間とその
ダイオードD1のアノード・カソード間とにわた
つて並列に接続された抵抗である。
次に動作について説明する。
定常動作状態において、本発明の抵抗は従来の
基本動作に何ら支障を与えない。
基本動作に何ら支障を与えない。
それはトランジスタQ8、ダイオードD1のベー
ス・エミツタ間電圧がほぼ2VBEにクランプされ
ているため、本発明の抵抗が接続されても、先に
示した出力直流電圧V0には大きな影響を与えな
いからである。
ス・エミツタ間電圧がほぼ2VBEにクランプされ
ているため、本発明の抵抗が接続されても、先に
示した出力直流電圧V0には大きな影響を与えな
いからである。
定常状態における本発明の抵抗Ｒは以上のよう
に直流バイアスには影響が少ないが、電源オフ時
においてはトランジスタQ8、ダイオードD1の残
り電圧2VBE（ベース・エミツタ間電圧）を、本発
明の抵抗接続によつてバイパスして、直流バイア
スを得、より低い電圧まで低周波増幅器を動作さ
せようとするものである。
に直流バイアスには影響が少ないが、電源オフ時
においてはトランジスタQ8、ダイオードD1の残
り電圧2VBE（ベース・エミツタ間電圧）を、本発
明の抵抗接続によつてバイパスして、直流バイア
スを得、より低い電圧まで低周波増幅器を動作さ
せようとするものである。
すなわち、従来の直流バイアス電流はいかなる
条件においても ｉ＝（Vcc−4VBE）／R3 となるが、本発明の直流バイアス電流は先の説明
より、低電圧では ｉ＝（Vcc−2VBE）／（R3＋Ｒ） となつてより低い電圧（従来より2VBE低い電圧）
まで直流バイアスが与えられ、第２図に示したｂ
の波形は第４図のb′の様に過渡音が軽減あるいは
除去される方向に改善される。
条件においても ｉ＝（Vcc−4VBE）／R3 となるが、本発明の直流バイアス電流は先の説明
より、低電圧では ｉ＝（Vcc−2VBE）／（R3＋Ｒ） となつてより低い電圧（従来より2VBE低い電圧）
まで直流バイアスが与えられ、第２図に示したｂ
の波形は第４図のb′の様に過渡音が軽減あるいは
除去される方向に改善される。
以上のように、この発明の係る低周波増幅器に
よれば、従来の低周波増幅器の直流バイアス電流
設定回路に抵抗を接続するだけで、本来の基本性
能に与える影響はほとんどなく、２次的な電源オ
フ時の過渡音の軽減あるいは除去を達成できる効
果がある。
よれば、従来の低周波増幅器の直流バイアス電流
設定回路に抵抗を接続するだけで、本来の基本性
能に与える影響はほとんどなく、２次的な電源オ
フ時の過渡音の軽減あるいは除去を達成できる効
果がある。
第１図は従来の低周波増幅器を示す回路図、第
２図は従来の低周波増幅器の出力端子電圧の電源
オフ時の立下り特性図、第３図は本発明の一実施
例による低周波増幅器の回路図、第４図は本発明
装置の出力端子電圧の電源オフ時の立下り特性図
である。 １０…直流バイアス電流設定回路、Q8…トラ
ンジスタ、D1…ダイオード、Ｒ…抵抗。
２図は従来の低周波増幅器の出力端子電圧の電源
オフ時の立下り特性図、第３図は本発明の一実施
例による低周波増幅器の回路図、第４図は本発明
装置の出力端子電圧の電源オフ時の立下り特性図
である。 １０…直流バイアス電流設定回路、Q8…トラ
ンジスタ、D1…ダイオード、Ｒ…抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の電源電位にコレクタが接続された第１
のトランジスタと、該第１のトランジスタのエミ
ツタにアノードが接続されたダイオードと、該ダ
イオードのカソードに抵抗を介してベースが接続
された第２のトランジスタと、該ダイオードのカ
ソードに抵抗を介してコレクタが接続された第３
のトランジスタとを有し、上記第２のトランジス
タのエミツタが増幅器入力段を構成するミラー回
路の共通ベースに接続され、かつ出力段のトラン
ジスタに直流バイアスを供給するように構成され
た直流バイアス電流設定回路を有する低周波増幅
器であつて、 上記直流バイアス電流設定回路は、上記第１の
トランジスタのベース・エミツタ間と上記ダイオ
ードのアノード・カソード間とにわたつて並列に
接続された抵抗を備え、電源オフ時の電源電圧の
立下り変化に早く追従するよう構成されているこ
とを特徴とする低周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162603A JPS5951611A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 低周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162603A JPS5951611A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 低周波増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951611A JPS5951611A (ja) | 1984-03-26 |
| JPH0216047B2 true JPH0216047B2 (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=15757724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162603A Granted JPS5951611A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 低周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951611A (ja) |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57162603A patent/JPS5951611A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5951611A (ja) | 1984-03-26 |
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