JPH02153516A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02153516A JPH02153516A JP30737988A JP30737988A JPH02153516A JP H02153516 A JPH02153516 A JP H02153516A JP 30737988 A JP30737988 A JP 30737988A JP 30737988 A JP30737988 A JP 30737988A JP H02153516 A JPH02153516 A JP H02153516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- oxide film
- manganese dioxide
- valve metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 18
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 11
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 claims description 9
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 abstract description 9
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 abstract description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- -1 γ-butyl lactone Chemical class 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 3
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- DPNGAWRBXKSTKZ-UHFFFAOYSA-J tetrabutylazanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DPNGAWRBXKSTKZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性高分子を固体電解質とした固体電解コ
ンデンサおよびその製造方法に関するものである。
ンデンサおよびその製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、電子機器の電源回路の高周波化にともない、そこ
に用いられる電解コンデンサについても高周波特性の優
れたものが要求されている。そこで、高周波領域での低
インピーダンスを実現するために、高電導度の導電性高
分子を固体電解質として用いた固体電解コンデンサが提
案されている。
に用いられる電解コンデンサについても高周波特性の優
れたものが要求されている。そこで、高周波領域での低
インピーダンスを実現するために、高電導度の導電性高
分子を固体電解質として用いた固体電解コンデンサが提
案されている。
１、発明の名称
固体電解コンデンサおよびその製造方法２、特許請求の
範囲 （１）弁金属から成る陽極体の酸化皮膜を誘電体として
用い、ポリビニルスルホン酸もしくはスルホン化ポリビ
ニルアルコールをドーパントトシたポリピロール、ポリ
チオフェン、またはポリフランのいずれかの導電性高分
子を固体電解質 ３、として用いたことを特徴とする固
体電解コンデンサ。
範囲 （１）弁金属から成る陽極体の酸化皮膜を誘電体として
用い、ポリビニルスルホン酸もしくはスルホン化ポリビ
ニルアルコールをドーパントトシたポリピロール、ポリ
チオフェン、またはポリフランのいずれかの導電性高分
子を固体電解質 ３、として用いたことを特徴とする固
体電解コンデンサ。
（２）弁金属から成る陽極体としてアルミニウムを用い
た請求項１記載の固体電解コンデンサ。
た請求項１記載の固体電解コンデンサ。
（３） ビロール、チオフェン、フランのいずれかの
単量体と、ポリビニルスルホン酸もしくはスルホン化ポ
リビニルアルコールが陰イオンである支持電解質と、水
、アセトニトリル、プロピレンカーボネイト、もしくは
γ−ブチルラクトンのいずれかの溶媒とから成る重合液
中で、弁金属から成る陽極体表面の酸化皮膜上に形成さ
れた従来の固体電解コンデンサでは導電性高分子は、単
量体としてビロール、チオフェン、あるいはフランを用
い、それらの重合体に導電性を付加するために過塩素酸
、四フッ化はう素、トルエンスルホン酸などをドープし
ていた。（特開昭６０−３７１１４号公報、特開昭６３
−１５８８２９号公報参照） 発明が解決しようとする課題 しかし、ドーパントに、先の過塩素酸、四フッ化はう素
などのノ・ロゲン化物を用いると、陽極体弁金属として
アルミニウムを用いた場合、誘電体である陽極酸化皮膜
を腐食させ易く、劣化し易い。
単量体と、ポリビニルスルホン酸もしくはスルホン化ポ
リビニルアルコールが陰イオンである支持電解質と、水
、アセトニトリル、プロピレンカーボネイト、もしくは
γ−ブチルラクトンのいずれかの溶媒とから成る重合液
中で、弁金属から成る陽極体表面の酸化皮膜上に形成さ
れた従来の固体電解コンデンサでは導電性高分子は、単
量体としてビロール、チオフェン、あるいはフランを用
い、それらの重合体に導電性を付加するために過塩素酸
、四フッ化はう素、トルエンスルホン酸などをドープし
ていた。（特開昭６０−３７１１４号公報、特開昭６３
−１５８８２９号公報参照） 発明が解決しようとする課題 しかし、ドーパントに、先の過塩素酸、四フッ化はう素
などのノ・ロゲン化物を用いると、陽極体弁金属として
アルミニウムを用いた場合、誘電体である陽極酸化皮膜
を腐食させ易く、劣化し易い。
そのため製品の漏れ電流が大きい、高温中で静電容量の
経時変化が大きいといった問題があった。
経時変化が大きいといった問題があった。
一方、ドーパントにトルエンスルホン酸を用いた場合は
、ハロゲン化物に比べて陽極酸化皮膜に対する攻撃性は
小さいものの、高温下では、水分が存在すると脱ドープ
しやすく、高分子膜の導電性が低下するため、高温多湿
下における製品特性の劣化が大きい。以上のように、従
来提案されていたドーパントでは、信頼性の高い固体電
解コンデンサを得ることは困難であった。
、ハロゲン化物に比べて陽極酸化皮膜に対する攻撃性は
小さいものの、高温下では、水分が存在すると脱ドープ
しやすく、高分子膜の導電性が低下するため、高温多湿
下における製品特性の劣化が大きい。以上のように、従
来提案されていたドーパントでは、信頼性の高い固体電
解コンデンサを得ることは困難であった。
本発明はこのような課題を解決するもので、特性および
信頼性の優れた固体電解コンデンサを提供することを目
的とするものである。
信頼性の優れた固体電解コンデンサを提供することを目
的とするものである。
課題を解決するだめの手段
この課題を解決するために本発明は、弁金属から成る陽
極体の酸化皮膜を誘電体として用い、ポリビニルスルホ
ン酸もしくはスルホン化ポリビニルアルコールをドーパ
ントとしたポリピロール。
極体の酸化皮膜を誘電体として用い、ポリビニルスルホ
ン酸もしくはスルホン化ポリビニルアルコールをドーパ
ントとしたポリピロール。
ポリチオフェン、ポリフランのいずれかの導電性高分子
を固体電解質として用いるものである。またその製造方
法として、ビロール、チオフェン。
を固体電解質として用いるものである。またその製造方
法として、ビロール、チオフェン。
７ランのいずれかの単量体と、ポリビニルスルホン酸も
しくはスルホン化ポリビニルアルコールが陰イオンであ
る支持電解質と、および水、アセトニトリル、プロピレ
ンカーボネイト、もしくはγブチルラクトンのいずれか
の溶媒とから成る重合液中で、弁金属から成る陽極体表
面の酸化皮膜上に形成された二酸化マンガン層に接触し
て補助陽極を配置し、その補助陽極を介して前記二酸化
マンガン層に電圧を印加し、電解重合によって、固体電
解質として用いられる導電性高分子を形成するものであ
る。
しくはスルホン化ポリビニルアルコールが陰イオンであ
る支持電解質と、および水、アセトニトリル、プロピレ
ンカーボネイト、もしくはγブチルラクトンのいずれか
の溶媒とから成る重合液中で、弁金属から成る陽極体表
面の酸化皮膜上に形成された二酸化マンガン層に接触し
て補助陽極を配置し、その補助陽極を介して前記二酸化
マンガン層に電圧を印加し、電解重合によって、固体電
解質として用いられる導電性高分子を形成するものであ
る。
作用
本発明では、ポリビニルスルホン酸もシクハスルホン化
ポリビニルアルコールをドーバントトシたポリピロール
、ポリチオフヱン、ポリフランのいずれかの導電性高分
子を固体電解質として用いるので、ドーパントの陽極酸
化皮膜に対する攻撃性がなく、このため特性劣化の少な
い優れた固体電解コンデンサを実現できる。
ポリビニルアルコールをドーバントトシたポリピロール
、ポリチオフヱン、ポリフランのいずれかの導電性高分
子を固体電解質として用いるので、ドーパントの陽極酸
化皮膜に対する攻撃性がなく、このため特性劣化の少な
い優れた固体電解コンデンサを実現できる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面および表を用いて説明す
る。
る。
第１図は、本発明の導電性高分子を固体電解質として用
いた固体電解コンデンサの断面図である。
いた固体電解コンデンサの断面図である。
陽極体１はエツチング処理を施したアルミニウム板を用
いておシ、このアルミニウム板からなる陽極体１の表面
にはあらかじめ化成液中にて化成電圧３６ｖで陽極酸化
皮膜を形成している。なお、後で、電解重合にて導電性
高分子層３を形成するが、陽極体１の表面は酸化皮膜で
覆われていて電流が流れない。そこで導電性を有した二
酸化マンガン層２を陽極体１の表面に形成する。この二
酸化マンガン層２は比重１．３の硝酸マンガン溶液中に
陽極体１を浸漬含浸した後、２５０’Ｃの温度で熱分解
することにより陽極体１の陽極酸化皮膜上に形成される
。なお、この二酸化マンガン層２を形成した後再び化成
液中で修復化成を行う。さらに、導電性高分子層３は、
第２図に示すように、導電性高分子の単量体としてビロ
ール０．６モル／リットル、支持電解質０．１モル／リ
ットルの水溶液の重合液９中で、補助陰極１１を陰極と
し、かつ二酸化マンガン層２に接触して配置された補助
陽極１０を介して、二酸化マンガン層２に６ｖ定電圧を
１０分間印加し、電解重合することにより二酸化マンガ
ン層２上に形成される。支持電解質トシては、ポリビニ
ルスルホン酸ナトリウムを用いる。
いておシ、このアルミニウム板からなる陽極体１の表面
にはあらかじめ化成液中にて化成電圧３６ｖで陽極酸化
皮膜を形成している。なお、後で、電解重合にて導電性
高分子層３を形成するが、陽極体１の表面は酸化皮膜で
覆われていて電流が流れない。そこで導電性を有した二
酸化マンガン層２を陽極体１の表面に形成する。この二
酸化マンガン層２は比重１．３の硝酸マンガン溶液中に
陽極体１を浸漬含浸した後、２５０’Ｃの温度で熱分解
することにより陽極体１の陽極酸化皮膜上に形成される
。なお、この二酸化マンガン層２を形成した後再び化成
液中で修復化成を行う。さらに、導電性高分子層３は、
第２図に示すように、導電性高分子の単量体としてビロ
ール０．６モル／リットル、支持電解質０．１モル／リ
ットルの水溶液の重合液９中で、補助陰極１１を陰極と
し、かつ二酸化マンガン層２に接触して配置された補助
陽極１０を介して、二酸化マンガン層２に６ｖ定電圧を
１０分間印加し、電解重合することにより二酸化マンガ
ン層２上に形成される。支持電解質トシては、ポリビニ
ルスルホン酸ナトリウムを用いる。
なお、この支持電解質としては、前記ポリビニルスルホ
ン酸ナトリウムを用いる代わりに、スルホン化ポリビニ
ルアルコールのナトリウム塩を用いてもよい。
ン酸ナトリウムを用いる代わりに、スルホン化ポリビニ
ルアルコールのナトリウム塩を用いてもよい。
また、導電性高分子層３の表面にはカーボン塗料層４．
銀塗料層６を塗布によシ形成し、半田付けにより陰極リ
ード６を引き出している。また、陽極体１には、陽極リ
ード８を接続している。
銀塗料層６を塗布によシ形成し、半田付けにより陰極リ
ード６を引き出している。また、陽極体１には、陽極リ
ード８を接続している。
このようにして構成されたコンデンサ素子は、エポキシ
樹脂による外装材７により被覆される。
樹脂による外装材７により被覆される。
表１に、本発明と従来例とのコンデンサについて、静電
容量（Ｃ）、損失角の正接（ｔａｎδ）、漏れ電流（Ｌ
Ｃ）（１ｏＶ印加、２分値）の初期特性、および高温多
湿雰囲気中での特性経時変化（８５°Ｃ９０％相対湿度
、５００時間無負荷放置）、すなわち静電容量経時変化
率（ΔＣ）、損失角の正接（ｔａｎδ）、漏れ電流（Ｌ
Ｃ）を比較して示す。
容量（Ｃ）、損失角の正接（ｔａｎδ）、漏れ電流（Ｌ
Ｃ）（１ｏＶ印加、２分値）の初期特性、および高温多
湿雰囲気中での特性経時変化（８５°Ｃ９０％相対湿度
、５００時間無負荷放置）、すなわち静電容量経時変化
率（ΔＣ）、損失角の正接（ｔａｎδ）、漏れ電流（Ｌ
Ｃ）を比較して示す。
本発明としては、支持電解質に、ポリビニルスルホン酸
ナトリウムを用いたもの（本発明品１）、スルホン化ポ
リビニルアルコールのナトリウム塩を用いたもの（本発
明品２）を掲げ、従来例としては、支持電解質に、過塩
素酸リチウムを用いたもの（従来例１）、四フッ化はう
素テトラブチルアンモニウムを用いたもの（従来例２）
、およびｐ−）ルエンスルフォン酸テトラエチルアンモ
ニウムを用いたもの（従来例３）を掲げる。
ナトリウムを用いたもの（本発明品１）、スルホン化ポ
リビニルアルコールのナトリウム塩を用いたもの（本発
明品２）を掲げ、従来例としては、支持電解質に、過塩
素酸リチウムを用いたもの（従来例１）、四フッ化はう
素テトラブチルアンモニウムを用いたもの（従来例２）
、およびｐ−）ルエンスルフォン酸テトラエチルアンモ
ニウムを用いたもの（従来例３）を掲げる。
表１から明らかなように本発明では、従来例に比べて漏
れ電流（ＬＣ）が小さい。高温多湿雰囲気中における静
電容量経時変化率（ΔＧ）もかなり小さい。また従来例
では高温多湿雰囲気中に放置すると、損失角の正接（ｔ
ａｎδ）や漏れ電流（ＬＣ）が相当増えているが、本発
明ではいずれも、損失角の正接（ｔａｎδ）、漏れ電流
（ＬＣ）共に殆んど変化がなく、製品特性の劣化がみら
れない。
れ電流（ＬＣ）が小さい。高温多湿雰囲気中における静
電容量経時変化率（ΔＧ）もかなり小さい。また従来例
では高温多湿雰囲気中に放置すると、損失角の正接（ｔ
ａｎδ）や漏れ電流（ＬＣ）が相当増えているが、本発
明ではいずれも、損失角の正接（ｔａｎδ）、漏れ電流
（ＬＣ）共に殆んど変化がなく、製品特性の劣化がみら
れない。
以上のように、本発明によれば、漏れ電流が小さく、高
温多湿中でも特性劣化の小さい、優れた信頼性を有する
固体電解コンデンサを提供することができる。
温多湿中でも特性劣化の小さい、優れた信頼性を有する
固体電解コンデンサを提供することができる。
以上の実施例では、導電性高分子単量体としてビロール
を用いた場合を挙げたが、チオフェン。
を用いた場合を挙げたが、チオフェン。
フランおよびそれらの誘導体でも同様に実施できる。ま
た支持電解質として、ポリビニルスルホン酸ナトリウム
及びスルホン化ポリビニルアルコールのナトリウム塩に
ついての実施例を示したが、陽イオンがリチウム、カリ
ウムなどのアルカリ金属カチオン、あるいは４級アンモ
ニウムカチオンであってもよい。支持電解質溶液の溶媒
も、水だけでなく、アセトニトリル、プロピレンカーボ
ネイト、γ−ブチルラクトンのいずれかを用いてもよい
。
た支持電解質として、ポリビニルスルホン酸ナトリウム
及びスルホン化ポリビニルアルコールのナトリウム塩に
ついての実施例を示したが、陽イオンがリチウム、カリ
ウムなどのアルカリ金属カチオン、あるいは４級アンモ
ニウムカチオンであってもよい。支持電解質溶液の溶媒
も、水だけでなく、アセトニトリル、プロピレンカーボ
ネイト、γ−ブチルラクトンのいずれかを用いてもよい
。
（以下余白）
発明の効果
以上のように本発明によれば、ポリビニルスルホン酸モ
しくハスルホン化ポリビニルアルコールをドーパントと
した、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフランのい
ずれかの導電性高分子を固体電解質として用いることに
より、漏れ電流が小さく、高温多湿中でも特性劣化の小
さい信頼性の優れた固体電解コンデンサを得ることがで
きる。
しくハスルホン化ポリビニルアルコールをドーパントと
した、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフランのい
ずれかの導電性高分子を固体電解質として用いることに
より、漏れ電流が小さく、高温多湿中でも特性劣化の小
さい信頼性の優れた固体電解コンデンサを得ることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例におけるアルミ固体電解コン
デンサを示す断面図、第２図は導電性高分子層を形成す
る電解重合槽の構成を示す模式図である。 １・・・・・・陽極体、２・・・・・・二酸化マンガン
層、３・・・・・・導電性高分子層、４・・・・・・カ
ーボン塗料層、５・・・・・・銀塗料層、９・・・・・
・重合液、１ｏ・・・・・・補助陽極。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１
図 第２図 ／−−一腸極イネ ２−二酸化マンカン１ ３・−ｉ電性１分子層 ４− カーホン寛料肩
デンサを示す断面図、第２図は導電性高分子層を形成す
る電解重合槽の構成を示す模式図である。 １・・・・・・陽極体、２・・・・・・二酸化マンガン
層、３・・・・・・導電性高分子層、４・・・・・・カ
ーボン塗料層、５・・・・・・銀塗料層、９・・・・・
・重合液、１ｏ・・・・・・補助陽極。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１
図 第２図 ／−−一腸極イネ ２−二酸化マンカン１ ３・−ｉ電性１分子層 ４− カーホン寛料肩
Claims (4)
- （１）弁金属から成る陽極体の酸化皮膜を誘電体として
用い、ポリビニルスルホン酸もしくはスルホン化ポリビ
ニルアルコールをドーパントとしたポリピロール，ポリ
チオフェン，またはポリフランのいずれかの導電性高分
子を固体電解質として用いたことを特徴とする固体電解
コンデンサ。 - （２）弁金属から成る陽極体としてアルミニウムを用い
た請求項１記載の固体電解コンデンサ。 - （３）ピロール，チオフェン，フランのいずれかの単量
体と、ポリビニルスルホン酸もしくはスルホン化ポリビ
ニルアルコールが陰イオンである支持電解質と、水，ア
セトニトリル，プロピレンカーボネイト，もしくはγ−
ブチルラクトンのいずれかの溶媒とから成る重合液中で
、弁金属から成る陽極体表面の酸化皮膜上に形成された
二酸化マンガン層に補助陽極を配置し、その補助陽極を
介して前記二酸化マンガン層に電圧を印加し、電解重合
によって、固体電解質として用いられる導電性高分子を
形成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方
法。 - （４）弁金属から成る陽極体としてアルミニウムを用い
た請求項３記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63307379A JP2814502B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63307379A JP2814502B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02153516A true JPH02153516A (ja) | 1990-06-13 |
| JP2814502B2 JP2814502B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=17968348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63307379A Expired - Fee Related JP2814502B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814502B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2696271A1 (fr) * | 1992-09-29 | 1994-04-01 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication de condensateurs électrolytiques à précathode en polymère conducteur et à faible courant de fuite. |
| JP2007131682A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 導電性高分子膜及び回路基板 |
| JP2010041992A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-02-25 | Honda Motor Co Ltd | エタノール製造方法 |
| JP2010240564A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Honda Motor Co Ltd | 水分離膜 |
| JP2011147851A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Honda Motor Co Ltd | 水分離膜 |
| WO2012147872A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 旭化成ファインケム株式会社 | 新規なポリビニルスルホン酸、その製造方法及びその用途 |
| CN117013058A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-07 | 广东工业大学 | 基于金属-有机框架的固态电解质及其制备方法与应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63314824A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-22 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP63307379A patent/JP2814502B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63314824A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-22 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2696271A1 (fr) * | 1992-09-29 | 1994-04-01 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication de condensateurs électrolytiques à précathode en polymère conducteur et à faible courant de fuite. |
| EP0591035A1 (fr) * | 1992-09-29 | 1994-04-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de fabrication de condensateurs électrolytiques à couche en polymer conducteur et à faible courant de fuite |
| JP2007131682A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 導電性高分子膜及び回路基板 |
| JP2010041992A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-02-25 | Honda Motor Co Ltd | エタノール製造方法 |
| JP2010240564A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Honda Motor Co Ltd | 水分離膜 |
| JP2011147851A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Honda Motor Co Ltd | 水分離膜 |
| WO2012147872A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 旭化成ファインケム株式会社 | 新規なポリビニルスルホン酸、その製造方法及びその用途 |
| JP5758990B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-08-05 | 旭化成ファインケム株式会社 | 新規なポリビニルスルホン酸、その製造方法及びその用途 |
| US9321863B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-04-26 | Asahi Kasei Finechem Co., Ltd. | Polyvinyl sulfonic acid, production method thereof, and use thereof |
| CN117013058A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-07 | 广东工业大学 | 基于金属-有机框架的固态电解质及其制备方法与应用 |
| CN117013058B (zh) * | 2023-09-28 | 2024-01-12 | 广东工业大学 | 基于金属-有机框架的固态电解质及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2814502B2 (ja) | 1998-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9959981B2 (en) | Process for the production of electrolyte capacitors of high nominal voltage | |
| KR100334918B1 (ko) | 도전성폴리머를이용한고체전해커패시터및그제조방법 | |
| US6987663B2 (en) | Electrolytic capacitors with a polymeric outer layer | |
| JP4833583B2 (ja) | 電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| US8699208B2 (en) | Process for the production of electrolyte capacitors | |
| KR101305900B1 (ko) | 중합체 외층을 갖는 전해 커패시터 및 이의 제조 방법 | |
| US7377947B2 (en) | Electrolyte capacitors having a polymeric outer layer and process for their production | |
| US8696768B2 (en) | Method for producing solid electrolyte capacitors | |
| JPH02153516A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2001148330A (ja) | 金属酸化物電極上に伝導性高分子被膜を形成する方法およびこれを利用した固体電解コンデンサーの製造方法 | |
| JPH03291909A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| WO2023054099A1 (ja) | 固体電解質、固体電解コンデンサ、導電性高分子分散液、固体電解質の製造方法及び導電性高分子分散液の製造方法 | |
| JP4164911B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |