JPH0215245A - 光導波路型デバイス - Google Patents
光導波路型デバイスInfo
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- JPH0215245A JPH0215245A JP16489388A JP16489388A JPH0215245A JP H0215245 A JPH0215245 A JP H0215245A JP 16489388 A JP16489388 A JP 16489388A JP 16489388 A JP16489388 A JP 16489388A JP H0215245 A JPH0215245 A JP H0215245A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スイッチ、変調等の機能を有する誘電体光導
波型デバイスに関し、特に、誘電体基板ｒ １ ） 表面の帯電防止に関する。
波型デバイスに関し、特に、誘電体基板ｒ １ ） 表面の帯電防止に関する。
一般に、誘電体光導波路型デバイスは、誘電体基板の表
面にチタン等の金属を所望の形状にパターニングした後
、熱拡散して光導波路を形成し。
面にチタン等の金属を所望の形状にパターニングした後
、熱拡散して光導波路を形成し。
との光導波路の上部またはその近傍に電極を形成するこ
とによって構成される。この電極に電圧を印加すること
により光導波路に電界をかけ、誘電体基板のもつ電気光
学効果により、光導波路の屈折率を変化させて光の変調
及びスイッチングを行っている。
とによって構成される。この電極に電圧を印加すること
により光導波路に電界をかけ、誘電体基板のもつ電気光
学効果により、光導波路の屈折率を変化させて光の変調
及びスイッチングを行っている。
従来、この種の誘電体光導波路型デバイスは。
光導波路に電界を与えるため第３図に示すように光導波
路の上部または近傍に金属等の導電性膜が所望の形状に
形成され、電源供給やケースへの接地のために配線用・
ぐラドへの引出し・ぐターンが形成されている構造とな
っている。
路の上部または近傍に金属等の導電性膜が所望の形状に
形成され、電源供給やケースへの接地のために配線用・
ぐラドへの引出し・ぐターンが形成されている構造とな
っている。
なお、第３図において、１はＬ ＩＮｂ ０３基板、２
ばＴ１拡散光導波路、３ばＴｉ拡散光導波路、４及び５
は電極、８は５ＩＯ２バッファ層である。
ばＴ１拡散光導波路、３ばＴｉ拡散光導波路、４及び５
は電極、８は５ＩＯ２バッファ層である。
上述した従来の誘電体光導波路デバイスは、光導波路の
上部、または近傍及びパッドとこれを結ぶ限られた領域
のみに導電性パターンが形成されてお９．これらの部分
以外には基板表面に導電性パターンを有していない。誘
電体特に電気光学効果の大きいＬ ｉ Ｎｂ Ｏ３やＬ
ｉＴａＯ３等の強誘電体は、外部の温度変化等の影響に
より基板内に焦電効果による静電気を発生させ、これが
基板表面にチャージされ、上述の電極間に電界が生じて
しまう。このため１本来の変調特性やスイッチング特性
が得られなくなってしまうという問題がある。この理由
は２強誘電体のもつ焦電効果によって生じた電荷が基板
表面で一様に分布しないことに起因する。
上部、または近傍及びパッドとこれを結ぶ限られた領域
のみに導電性パターンが形成されてお９．これらの部分
以外には基板表面に導電性パターンを有していない。誘
電体特に電気光学効果の大きいＬ ｉ Ｎｂ Ｏ３やＬ
ｉＴａＯ３等の強誘電体は、外部の温度変化等の影響に
より基板内に焦電効果による静電気を発生させ、これが
基板表面にチャージされ、上述の電極間に電界が生じて
しまう。このため１本来の変調特性やスイッチング特性
が得られなくなってしまうという問題がある。この理由
は２強誘電体のもつ焦電効果によって生じた電荷が基板
表面で一様に分布しないことに起因する。
第３図は、 Ｔｉ拡散Ｌ ＩＮｂ Ｏｓ光導波路型スイ
ッチの横断面図であり、電極が十にＬ １Ｎｂ０３基板
表面が−に帯電しているため、電極に電圧が印加されな
いオフ（ＯＦＦ）状態でも、結合部の２本の光導波路の
両方共同じ方向に電界が生じている。このため。
ッチの横断面図であり、電極が十にＬ １Ｎｂ０３基板
表面が−に帯電しているため、電極に電圧が印加されな
いオフ（ＯＦＦ）状態でも、結合部の２本の光導波路の
両方共同じ方向に電界が生じている。このため。
スイッチング特性は第４図（、）に示されるように。
電圧に対してシフトシてしまい、かつ、このシフト量は
入射光の偏光状態によって変化し、安定なスイッチング
動作が得られないという問題点がある。
入射光の偏光状態によって変化し、安定なスイッチング
動作が得られないという問題点がある。
本発明では、誘電体基板上に形成された光導波路に電界
を印加するための電圧印加用電極と接地用電極が基板表
面にパターニングされた光導波路デバイスにおいて、基
板表面の電極パターン近傍を除き基板表面全体に電圧印
加用電極と電気的に接続しないように形成された導電性
膜を有していることを特徴とする導波路型光デバイスが
得られる。
を印加するための電圧印加用電極と接地用電極が基板表
面にパターニングされた光導波路デバイスにおいて、基
板表面の電極パターン近傍を除き基板表面全体に電圧印
加用電極と電気的に接続しないように形成された導電性
膜を有していることを特徴とする導波路型光デバイスが
得られる。
さらに、上述の構成をもつ誘電体基板の光導波路が形成
されていない裏面全面に導電性膜が形成してもよい。ま
た２表面の導電性膜と裏面の導電性膜とを電気的に接続
してもよい。
されていない裏面全面に導電性膜が形成してもよい。ま
た２表面の導電性膜と裏面の導電性膜とを電気的に接続
してもよい。
次に２本発明について図面を参照して説明する。
第１図は５本発明の一実施例のＴｉ拡散Ｌ ＩＮｂ Ｏ
３導波路型光スイッチの斜視図、第２図は、第１図のＡ
−Ａ’部での横断面図である。Ｚ ＆ＬｔＮｂＯｓ基
板１の表面にＴｉ膜の光導波路パターンを形成し、温度
１０５０℃で８時間の間Ｔｉを熱拡散して、光導波路２
，３が形成されている。光導波路２，３が形成されたＬ
ｉ Ｎｂ ０３基板１の表面には光導波路２を伝播す
る光の電極による吸収損失を防ぐために５ｌｏ２バッフ
ァ層８が形成されている。２本の光導波路２．３の近接
した結合部の上部にはバッファ層８を介して、 Ｃｒ−
Ａｕ電極４，５がそれぞれ形成されている。この光スィ
ッチは電極４，５に電圧を印加し、２本の近接した光導
波路２，３に電界を生じさせｒ ＬｘＮｂ０３基板１の
もつ電気光学効果にょる光導波路２，３の屈折率変化を
利用して、スイッチングを行うものである。
３導波路型光スイッチの斜視図、第２図は、第１図のＡ
−Ａ’部での横断面図である。Ｚ ＆ＬｔＮｂＯｓ基
板１の表面にＴｉ膜の光導波路パターンを形成し、温度
１０５０℃で８時間の間Ｔｉを熱拡散して、光導波路２
，３が形成されている。光導波路２，３が形成されたＬ
ｉ Ｎｂ ０３基板１の表面には光導波路２を伝播す
る光の電極による吸収損失を防ぐために５ｌｏ２バッフ
ァ層８が形成されている。２本の光導波路２．３の近接
した結合部の上部にはバッファ層８を介して、 Ｃｒ−
Ａｕ電極４，５がそれぞれ形成されている。この光スィ
ッチは電極４，５に電圧を印加し、２本の近接した光導
波路２，３に電界を生じさせｒ ＬｘＮｂ０３基板１の
もつ電気光学効果にょる光導波路２，３の屈折率変化を
利用して、スイッチングを行うものである。
６．７は電極４，５の外部端子への接続用・フッドであ
る。この電極４，５及び・やラド６．フ以外の基板１の
表面には電極４，５．及びパッド６゜７と電気的に接触
しないように一面にＣｒ−Ａｕの導電性膜８が形成され
ている。また、第２図に示すようにＬ ｌＮｂ０３基板
１の裏面全面にもＣｒ−Ａｕの導電性膜９が成膜されて
いる。
る。この電極４，５及び・やラド６．フ以外の基板１の
表面には電極４，５．及びパッド６゜７と電気的に接触
しないように一面にＣｒ−Ａｕの導電性膜８が形成され
ている。また、第２図に示すようにＬ ｌＮｂ０３基板
１の裏面全面にもＣｒ−Ａｕの導電性膜９が成膜されて
いる。
上述のように構成することによｔ） Ｌ ｔ Ｎｂ ０
３基板１の表面の電荷は一様に分布し、電極４，５と基
板ｌの電位差はなくなシ、電圧を印加しないＯＦＦ状態
では光導波路２，３に電界は生じなくなシ、第４図（ｂ
）に示すように電圧に対するシフトが々くなシ、安定し
たスイッチング動作が実現できる。
３基板１の表面の電荷は一様に分布し、電極４，５と基
板ｌの電位差はなくなシ、電圧を印加しないＯＦＦ状態
では光導波路２，３に電界は生じなくなシ、第４図（ｂ
）に示すように電圧に対するシフトが々くなシ、安定し
たスイッチング動作が実現できる。
以上説明したように本発明では、導波路型光デバイスの
光導波路基板表面の光導波路に電界を印加するための電
極以外の部分に導電性膜を形成することにより、基板表
面と電極間の電位差をなくし、電圧ＯＦＦ状態での光導
波路へ電界が生じなくなり、スイッチング電圧のシフト
のない安定したスイッチング特性が得られるという効果
がある。
光導波路基板表面の光導波路に電界を印加するための電
極以外の部分に導電性膜を形成することにより、基板表
面と電極間の電位差をなくし、電圧ＯＦＦ状態での光導
波路へ電界が生じなくなり、スイッチング電圧のシフト
のない安定したスイッチング特性が得られるという効果
がある。
これは、光導波路基板の裏面全体にさらに導電性膜を形
成することにより、上述の効果が大きくなる。
成することにより、上述の効果が大きくなる。
このように２本発明の導波路型光デバイスは。
安定な動作を実現する上で非常に有用である。
第１図ばＴ１拡散ＬＩＮｂ０３導波路型光スイッチに本
発明を適用した導波路型光スイッチの斜視図。 第２図は第１図のＡ −Ａ’線断面図、第３図は従来の
導波路型光デバイスの電極構造の横断面図で基板表面に
帯電した電荷によシ光導波路に電界が発生している様子
を示す図、第４図（ａ）は、従来の電極構造をもつ導波
路型光スイッチのスイッチング特性曲線を示す図、第４
図（ｂ）は２本発明の電極構造をもつ導波路型スイッチ
のスイッチング特性曲線を示す図である。 １・・・Ｌ ｉ ＮｂＯ５基板、２・・・Ｔｉ拡散光導
波路、３・・・Ｔｉ拡散光導波路、４・・・電極、５・
・・電極、６・・・端子接続用バンド、７・・・端子接
続用バンド、８・・・導電性膜、９・・・導電性膜。
発明を適用した導波路型光スイッチの斜視図。 第２図は第１図のＡ −Ａ’線断面図、第３図は従来の
導波路型光デバイスの電極構造の横断面図で基板表面に
帯電した電荷によシ光導波路に電界が発生している様子
を示す図、第４図（ａ）は、従来の電極構造をもつ導波
路型光スイッチのスイッチング特性曲線を示す図、第４
図（ｂ）は２本発明の電極構造をもつ導波路型スイッチ
のスイッチング特性曲線を示す図である。 １・・・Ｌ ｉ ＮｂＯ５基板、２・・・Ｔｉ拡散光導
波路、３・・・Ｔｉ拡散光導波路、４・・・電極、５・
・・電極、６・・・端子接続用バンド、７・・・端子接
続用バンド、８・・・導電性膜、９・・・導電性膜。
Claims (1)
- １、第１及び第２の主面を有する誘電体基板の前記第１
の主面に形成された光導波路と、該光導波路に電界を印
加するための電圧印加用電極及び接地用電極とを有し、
該電圧印加用及び接地用電極が前記第１の主面にパター
ニングされた光導波路型デバイスにおいて、少なくとも
前記第１の主面には前記電圧印加用電極と電気的に非接
続の状態にある導電性膜が形成されていることを特徴と
する光導波路型デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16489388A JPH0731333B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光導波路型デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16489388A JPH0731333B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光導波路型デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215245A true JPH0215245A (ja) | 1990-01-18 |
| JPH0731333B2 JPH0731333B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15801876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16489388A Expired - Lifetime JPH0731333B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 光導波路型デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731333B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012078407A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子および光導波路素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP16489388A patent/JPH0731333B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012078407A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子および光導波路素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0731333B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
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