JPH04214526A - 導波路型光デバイス - Google Patents
導波路型光デバイスInfo
- Publication number
- JPH04214526A JPH04214526A JP40195690A JP40195690A JPH04214526A JP H04214526 A JPH04214526 A JP H04214526A JP 40195690 A JP40195690 A JP 40195690A JP 40195690 A JP40195690 A JP 40195690A JP H04214526 A JPH04214526 A JP H04214526A
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- Japan
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- conductive films
- crystal substrate
- waveguide
- optical device
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/21—Thermal instability, i.e. DC drift, of an optical modulator; Arrangements or methods for the reduction thereof
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は焦電効果を持つ強誘電
体結晶基板に光導波路と電極とを形成した導波路型光デ
バイスの温度特性を改良したものである。
体結晶基板に光導波路と電極とを形成した導波路型光デ
バイスの温度特性を改良したものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電気光
学的効果を利用した導波路型光デバイスには位相変調器
、強度変調器、光スイッチなどがある。しかしながら、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂｏ３） のような焦電効果
、すなわち温度変化に従い自発分極をともなうような効
果を持つ結晶の場合は、自発分極方向と交叉する表面に
電荷が発生し、不要な電場による動作不安定を引き起こ
す。
学的効果を利用した導波路型光デバイスには位相変調器
、強度変調器、光スイッチなどがある。しかしながら、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂｏ３） のような焦電効果
、すなわち温度変化に従い自発分極をともなうような効
果を持つ結晶の場合は、自発分極方向と交叉する表面に
電荷が発生し、不要な電場による動作不安定を引き起こ
す。
【０００３】図２は従来のニオブ酸リチウムの結晶基板
１を使った導波路型光デバイス１０の温度変化による不
安定動作を説明するための図である。光導波路２及び変
調用電極３，４は自発分極の方向５と平行な一面、ここ
ではＸ面６に製作している。光導波路２中を進む光は電
気光学効果を通して電極３，４からの外部電場により位
相変調される。
１を使った導波路型光デバイス１０の温度変化による不
安定動作を説明するための図である。光導波路２及び変
調用電極３，４は自発分極の方向５と平行な一面、ここ
ではＸ面６に製作している。光導波路２中を進む光は電
気光学効果を通して電極３，４からの外部電場により位
相変調される。
【０００４】ここで結晶基板１の温度が変化すると分極
の量が変わり、その結果Ｚ面７，８（一般的には分極方
向５と交叉する面）にそれぞれ正及び負の表面電荷があ
らわれ，これらの電荷によって電場が発生する。図には
これらの電場の電気力線９が示してあり、光導波路２に
対して直接的または電極３，４を通して間接的に電場が
加わる。これは、外部電場と同様に光の位相を変化させ
るので温度変動にともなう不安定動作の原因となってい
た。
の量が変わり、その結果Ｚ面７，８（一般的には分極方
向５と交叉する面）にそれぞれ正及び負の表面電荷があ
らわれ，これらの電荷によって電場が発生する。図には
これらの電場の電気力線９が示してあり、光導波路２に
対して直接的または電極３，４を通して間接的に電場が
加わる。これは、外部電場と同様に光の位相を変化させ
るので温度変動にともなう不安定動作の原因となってい
た。
【０００５】なお、温度が変動する前の定常状態ではＺ
面７，８の分極電荷は空気中の浮遊電荷で中和されてい
る。上述の光デバイスの焦電効果に起因する温度特性の
劣化を防止する目的を持って提案されたのが、特開昭６
２−７３２０７ 号公報「導波路光デバイス」である。 そこでは電極間に導電性を僅かに与えた膜体を形成する
ことにより、焦電効果により発生した電荷が、電極部に
滞留しないようにしている。しかしながら、この方法は
上記膜体の抵抗値が低すぎると電界を印加した際電極間
に大電流が流れてデバイスを破壊する恐れがある。一方
、抵抗が高すぎると焦電効果により生じた電荷を逃がし
きれず、当初の目的を達成できない。また膜体によって
電極間の絶縁が低下すると光導波路に有効な電界がかか
らなくなり、変調効率の低下を招く。一般に、膜体の抵
抗値のバラツキによって変調特性にバラツキの生ずる欠
点がある。
面７，８の分極電荷は空気中の浮遊電荷で中和されてい
る。上述の光デバイスの焦電効果に起因する温度特性の
劣化を防止する目的を持って提案されたのが、特開昭６
２−７３２０７ 号公報「導波路光デバイス」である。 そこでは電極間に導電性を僅かに与えた膜体を形成する
ことにより、焦電効果により発生した電荷が、電極部に
滞留しないようにしている。しかしながら、この方法は
上記膜体の抵抗値が低すぎると電界を印加した際電極間
に大電流が流れてデバイスを破壊する恐れがある。一方
、抵抗が高すぎると焦電効果により生じた電荷を逃がし
きれず、当初の目的を達成できない。また膜体によって
電極間の絶縁が低下すると光導波路に有効な電界がかか
らなくなり、変調効率の低下を招く。一般に、膜体の抵
抗値のバラツキによって変調特性にバラツキの生ずる欠
点がある。
【０００６】この発明の目的は、電極間の絶縁抵抗を低
下させる恐れのない方法で、導波路型光デバイスの焦電
効果に起因する温度特性の劣化を防止しようとするもの
である。
下させる恐れのない方法で、導波路型光デバイスの焦電
効果に起因する温度特性の劣化を防止しようとするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の導波路型光デ
バイスは、焦電効果を持つ強誘電体結晶基板の分極方向
と平行な一面に光導波路と、その光導波路の屈折率を変
化させる変調用電極とを形成し、上記結晶基板の分極方
向と交叉する複数の面に導電膜を形成し、それら導電膜
相互を電気的に接続するものである。
バイスは、焦電効果を持つ強誘電体結晶基板の分極方向
と平行な一面に光導波路と、その光導波路の屈折率を変
化させる変調用電極とを形成し、上記結晶基板の分極方
向と交叉する複数の面に導電膜を形成し、それら導電膜
相互を電気的に接続するものである。
【０００８】上述において、複数の導電膜を接地しても
よい。
よい。
【０００９】
【作 用】導電膜相互を電気的に接続することによっ
て、温度変化による自発分極で生ずる表面電荷を中和し
てやることができるので、従来に比べ格段に温度安定性
が良くなる。
て、温度変化による自発分極で生ずる表面電荷を中和し
てやることができるので、従来に比べ格段に温度安定性
が良くなる。
【００１０】
【実施例】この発明の実施例を図１に、図２と対応する
部分に同じ符号を付し重複説明を省略する。この発明で
は図１Ａに示すように、焦電効果を持つ強誘電体（例え
ばニオブ酸リチウム）の結晶基板１の分極方向５と平行
なＸ面６に光導波路２と、その光導波路２の屈折率を変
化させる変調用電極３，４とを形成し、結晶基板１のＺ
面７，８（一般的には分極方向５と交叉する複数の面）
に導電膜１１，１２をそれぞれ形成し、導電膜１１，１
２間を、結晶基板１の底面に形成した短絡用導体１３に
より電気的に接続する。このようにすると、温度変化に
よってＺ面７及び８に正、負の電荷が発生したとしても
、それらの電荷は短絡用導体１３を通じて互いに中和さ
れ、電界を発生しないので光導波路２の屈折率に影響を
与えることは無い。
部分に同じ符号を付し重複説明を省略する。この発明で
は図１Ａに示すように、焦電効果を持つ強誘電体（例え
ばニオブ酸リチウム）の結晶基板１の分極方向５と平行
なＸ面６に光導波路２と、その光導波路２の屈折率を変
化させる変調用電極３，４とを形成し、結晶基板１のＺ
面７，８（一般的には分極方向５と交叉する複数の面）
に導電膜１１，１２をそれぞれ形成し、導電膜１１，１
２間を、結晶基板１の底面に形成した短絡用導体１３に
より電気的に接続する。このようにすると、温度変化に
よってＺ面７及び８に正、負の電荷が発生したとしても
、それらの電荷は短絡用導体１３を通じて互いに中和さ
れ、電界を発生しないので光導波路２の屈折率に影響を
与えることは無い。
【００１１】図１Ｂに示すのは、導電膜１１，１２をそ
れぞれ接地する、つまり共通電位点に接続することによ
って、相互を電気的に接続した場合である。なお、図１
Ａの導電膜１１，１２及び短絡用導体１３の任意の点を
必要に応じ接地してもよいことは明らかである。図１Ｃ
は導電膜１１の一点を接地した場合を示している。
れぞれ接地する、つまり共通電位点に接続することによ
って、相互を電気的に接続した場合である。なお、図１
Ａの導電膜１１，１２及び短絡用導体１３の任意の点を
必要に応じ接地してもよいことは明らかである。図１Ｃ
は導電膜１１の一点を接地した場合を示している。
【００１２】導電膜１１，１２の材料としては、電荷の
移動が可能であればよく、半導電性のものでもよく、そ
の導電率はクリティカルなものではない。例えば導電性
接着剤を塗布したり、或いは金属膜を蒸着するなどの方
法で導電膜１１，１２を容易に形成できる。短絡用導体
１３についても同様に形成できるが、導電性ワイヤで接
続してもよい。
移動が可能であればよく、半導電性のものでもよく、そ
の導電率はクリティカルなものではない。例えば導電性
接着剤を塗布したり、或いは金属膜を蒸着するなどの方
法で導電膜１１，１２を容易に形成できる。短絡用導体
１３についても同様に形成できるが、導電性ワイヤで接
続してもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は焦電効果
を持つ強誘電体結晶基板の自発分極と平行な一面に光導
波路とそれを変調するための電極とを持った光デバイス
に対し、自発分極によって帯電する複数の面に導電膜を
形成し、それら導電膜相互間を電気的に接続することに
よって、複数の面に帯電した電荷を互いに中和させるこ
とができるので、これら帯電によって発生する電界は無
く、光導波路の屈折率が帯電によって影響を受けること
がなくなり、焦電効果に起因する温度特性の劣化を防止
できる。
を持つ強誘電体結晶基板の自発分極と平行な一面に光導
波路とそれを変調するための電極とを持った光デバイス
に対し、自発分極によって帯電する複数の面に導電膜を
形成し、それら導電膜相互間を電気的に接続することに
よって、複数の面に帯電した電荷を互いに中和させるこ
とができるので、これら帯電によって発生する電界は無
く、光導波路の屈折率が帯電によって影響を受けること
がなくなり、焦電効果に起因する温度特性の劣化を防止
できる。
【００１４】また、この発明によれば従来のように変調
用電極間の絶縁抵抗を低下させ、変調特性を劣化させる
恐れは全くない。
用電極間の絶縁抵抗を低下させ、変調特性を劣化させる
恐れは全くない。
Claims (2)
- 【請求項１】 焦電効果を持つ強誘電体結晶基板の分
極方向と平行な一面に光導波路と、その光導波路の屈折
率を変化させる変調用電極とを形成し、上記結晶基板の
分極方向と交叉する複数の面に導電膜を形成し、それら
導電膜相互を電気的に接続することを特徴とする、導波
路型光デバイス。 - 【請求項２】 請求項１において、上記複数の導電膜
を接地することを特徴とする導波路型光デバイス。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401956A JPH0734049B2 (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 導波路型光デバイス |
| US07/804,062 US5185823A (en) | 1990-12-13 | 1991-12-09 | Waveguide type optical device |
| DE69118127T DE69118127T2 (de) | 1990-12-13 | 1991-12-12 | Optische Vorrichtung vom Wellenleitertyp |
| EP91121373A EP0490387B1 (en) | 1990-12-13 | 1991-12-12 | Waveguide type optical device |
| CA002057596A CA2057596C (en) | 1990-12-13 | 1991-12-13 | Waveguide type optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401956A JPH0734049B2 (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 導波路型光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214526A true JPH04214526A (ja) | 1992-08-05 |
| JPH0734049B2 JPH0734049B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=18511770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2401956A Expired - Lifetime JPH0734049B2 (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 導波路型光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734049B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07159743A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 光導波路素子 |
| JP2002182173A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子及び光導波路素子の製造方法 |
| JP2003075791A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| US6633428B2 (en) | 2000-10-04 | 2003-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical module |
| JP2007079249A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2007264063A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Mitsubishi Precision Co Ltd | 光導波路変調器及び光ファイバジャイロ |
| JP2008026921A (ja) * | 1998-07-28 | 2008-02-07 | Litton Syst Inc | Ｍｉｏｃ（多機能集積光素子）のための二用途入力電極 |
| JP2009258766A (ja) * | 1998-07-28 | 2009-11-05 | Northrop Grumman Guidance & Electronics Co Inc | ピロ電気効果による熱エラーを低減する集積光素子 |
| JP2010139992A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Ntt Electornics Corp | 波長変換素子及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168246A (ja) * | 1974-12-10 | 1976-06-12 | Nippon Telegraph & Telephone | Dohagatadenkikogakuhenchososhi |
| JPS6014222A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子 |
| JPS62173428A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Fujitsu Ltd | 導波路光デバイス |
-
1990
- 1990-12-13 JP JP2401956A patent/JPH0734049B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168246A (ja) * | 1974-12-10 | 1976-06-12 | Nippon Telegraph & Telephone | Dohagatadenkikogakuhenchososhi |
| JPS6014222A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子 |
| JPS62173428A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Fujitsu Ltd | 導波路光デバイス |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07159743A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 光導波路素子 |
| JP2008026921A (ja) * | 1998-07-28 | 2008-02-07 | Litton Syst Inc | Ｍｉｏｃ（多機能集積光素子）のための二用途入力電極 |
| JP2009258766A (ja) * | 1998-07-28 | 2009-11-05 | Northrop Grumman Guidance & Electronics Co Inc | ピロ電気効果による熱エラーを低減する集積光素子 |
| JP4625491B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2011-02-02 | ノースロップ グラマン ガイダンス アンド エレクトロニクス カンパニー インコーポレイテッド | Ｍｉｏｃ（多機能集積光素子）のための二用途入力電極 |
| US6633428B2 (en) | 2000-10-04 | 2003-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical module |
| JP2002182173A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子及び光導波路素子の製造方法 |
| JP2003075791A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光変調器 |
| JP2007079249A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2007264063A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Mitsubishi Precision Co Ltd | 光導波路変調器及び光ファイバジャイロ |
| JP2010139992A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Ntt Electornics Corp | 波長変換素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734049B2 (ja) | 1995-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970225 |