JPH02152228A - 半導体放射線検出器の製造方法 - Google Patents
半導体放射線検出器の製造方法Info
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- JPH02152228A JPH02152228A JP63306453A JP30645388A JPH02152228A JP H02152228 A JPH02152228 A JP H02152228A JP 63306453 A JP63306453 A JP 63306453A JP 30645388 A JP30645388 A JP 30645388A JP H02152228 A JPH02152228 A JP H02152228A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は放射線線量計、医療用放射線診断装置。
工業用非破壊検査装置等に用いられる半導体放射線検出
器の製造方法に関するものである。
器の製造方法に関するものである。
従来の技術
周知のように半導体放射線検出器にはＳｉ、Ｇｅ等の元
素半導体より構成されるものとＣｄ Ｔ ｅ。
素半導体より構成されるものとＣｄ Ｔ ｅ。
ＧａＡｓ 、Ｈｇ１２．Ｃｄ５５ Ｃｄ５５ｅ１ 等
の化合物半導体より構成されるものがある。中でもＣｄ
Ｔｅは（テルル化カドミウム）実効原子番号が大きく、
かつ、室温でのエネルギーギャップが約１．５ｅＶと広
く、小容積で高感度かつ室温動作可能な放射線検出器と
して重要である。このＣｄＴｅ放射線検出器の性能を決
定する要因の一つは放射線のフォトンにより結晶中で発
生する電荷を収集するための電極である。この電極の形
成法としては、蒸着、合金化、無電界メッキなどがある
が、これらのうち無電界メッキが最も優れている。しか
し無電界メッキ法の欠点は均一な膜形成が困難な点であ
る。特にＣｄＴｅでは２５０ ’Ｃ以上の高温雰囲気下
ではＣｄ原子が表面より抜は出し、特性が劣化するので
、一般に行われる高温加熱によるメッキ膜の均一化、密
着強度の向上は不可能である。
の化合物半導体より構成されるものがある。中でもＣｄ
Ｔｅは（テルル化カドミウム）実効原子番号が大きく、
かつ、室温でのエネルギーギャップが約１．５ｅＶと広
く、小容積で高感度かつ室温動作可能な放射線検出器と
して重要である。このＣｄＴｅ放射線検出器の性能を決
定する要因の一つは放射線のフォトンにより結晶中で発
生する電荷を収集するための電極である。この電極の形
成法としては、蒸着、合金化、無電界メッキなどがある
が、これらのうち無電界メッキが最も優れている。しか
し無電界メッキ法の欠点は均一な膜形成が困難な点であ
る。特にＣｄＴｅでは２５０ ’Ｃ以上の高温雰囲気下
ではＣｄ原子が表面より抜は出し、特性が劣化するので
、一般に行われる高温加熱によるメッキ膜の均一化、密
着強度の向上は不可能である。
従ってＣｄＴｅ放射線検出器における電極からのリード
出しは、ワイヤーボンディング等の応力の加わる接続法
では検出器の信頼性の低下につながるので好ましくなく
、従来は銀ペーストなどの導電性接着剤でフィルムリー
ド等を接着しおこなってきた。
出しは、ワイヤーボンディング等の応力の加わる接続法
では検出器の信頼性の低下につながるので好ましくなく
、従来は銀ペーストなどの導電性接着剤でフィルムリー
ド等を接着しおこなってきた。
発明が解決しようとする課題
近年検出器の容積が微小化すると共に、複数個の検出器
を高密度に配列した多チヤンネル型の放射線検出器への
応用が注目されてきたが、導電性接着剤では微小な面積
へのリード接続や高密度で複数のリード接続は作業性及
び信頼性に難点がある。信頼性向上にはワイヤーボンデ
ィングやフィルムボンディングでの接続を可能にする必
要がある。それにはリード接続のための別の電極をＣｄ
Ｔｅ基板上に絶縁膜を介して設け、接続時の応力がＣｄ
Ｔｅ基板及び電荷収集のための電極に直接加わらないよ
うにすればよい。このような絶縁膜の形成法としてはプ
ラズマＣＶＤ、？Ｉｔ子ビーム蒸着などがあるが、これ
らの絶縁膜形成法では良質な絶縁膜形成には真空チャン
バー内での基板加熱が必要である。ＣｄＴｅの熱的不安
定性は真空中では更に高まり、例えば２００°Ｃでも表
面の組成変化が生じる。またＣｄＴｅは化学的にも不安
定であり、酸やアルカリ下では浸食され易く絶縁膜を形
成した後、無電界メッキなどのウェットプロセスを導入
すると絶縁膜の密着度及び均一性に悪影響を及ぼすとい
う問題がある。
を高密度に配列した多チヤンネル型の放射線検出器への
応用が注目されてきたが、導電性接着剤では微小な面積
へのリード接続や高密度で複数のリード接続は作業性及
び信頼性に難点がある。信頼性向上にはワイヤーボンデ
ィングやフィルムボンディングでの接続を可能にする必
要がある。それにはリード接続のための別の電極をＣｄ
Ｔｅ基板上に絶縁膜を介して設け、接続時の応力がＣｄ
Ｔｅ基板及び電荷収集のための電極に直接加わらないよ
うにすればよい。このような絶縁膜の形成法としてはプ
ラズマＣＶＤ、？Ｉｔ子ビーム蒸着などがあるが、これ
らの絶縁膜形成法では良質な絶縁膜形成には真空チャン
バー内での基板加熱が必要である。ＣｄＴｅの熱的不安
定性は真空中では更に高まり、例えば２００°Ｃでも表
面の組成変化が生じる。またＣｄＴｅは化学的にも不安
定であり、酸やアルカリ下では浸食され易く絶縁膜を形
成した後、無電界メッキなどのウェットプロセスを導入
すると絶縁膜の密着度及び均一性に悪影響を及ぼすとい
う問題がある。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するため本発明は、Ｃｄ Ｔｅ基板の
少なくとも一方の面が電荷を収集するための電極と、パ
ターン窓を形成した絶縁膜と、前記パターン窓と絶縁膜
にまたがり形成された金属膜との積層構造により構成さ
れる半導体放射線検出器の製造方法において、前記絶縁
膜の形成前に無電界メッキによりＣｄ−Ｔｅａ！’板面
に所定の電極を形成することを特徴とし、望ましくは絶
縁膜をマイクロ波電子サイクロトロン共鳴吸収を利用し
たプラズマＣＶＤにより原料ガスとして、ＳｉＨ４とＮ
２０もしくは５ｉＨｎとＮ ２０とＮ２の混合ガスを使
用して室温で形成することを特徴とする。
少なくとも一方の面が電荷を収集するための電極と、パ
ターン窓を形成した絶縁膜と、前記パターン窓と絶縁膜
にまたがり形成された金属膜との積層構造により構成さ
れる半導体放射線検出器の製造方法において、前記絶縁
膜の形成前に無電界メッキによりＣｄ−Ｔｅａ！’板面
に所定の電極を形成することを特徴とし、望ましくは絶
縁膜をマイクロ波電子サイクロトロン共鳴吸収を利用し
たプラズマＣＶＤにより原料ガスとして、ＳｉＨ４とＮ
２０もしくは５ｉＨｎとＮ ２０とＮ２の混合ガスを使
用して室温で形成することを特徴とする。
作用
本発明によれば、ＣｄＴｅ基板表面が無電界メッキによ
って電極が形成されているので、絶縁膜の形成時に前記
ＣｄＴｅ基板表面御組成が変化することなく絶縁膜が形
成される。また無電界メッキプロセスの絶縁膜への悪影
響が除かれプロセスの安定化が図れる。したがって、Ｃ
ｄＴｅ基板を器が提供されることになる。
って電極が形成されているので、絶縁膜の形成時に前記
ＣｄＴｅ基板表面御組成が変化することなく絶縁膜が形
成される。また無電界メッキプロセスの絶縁膜への悪影
響が除かれプロセスの安定化が図れる。したがって、Ｃ
ｄＴｅ基板を器が提供されることになる。
実施例
第１図は本発明の第１実施例により得られる半導体放射
線検出器の断面図である。
線検出器の断面図である。
第１図において１はｐ型ＣｄＴｅ結晶、２はＰｔ電極、
３は５ｉＯＮ膜、 ４はＡｌ膜、 ５はリードである
。
３は５ｉＯＮ膜、 ４はＡｌ膜、 ５はリードである
。
第２図は本発明の第１実施例にかかる半導体放射線検出
器の製造工程を示す断面図であって、６はパターン窓で
ある。
器の製造工程を示す断面図であって、６はパターン窓で
ある。
以下第２図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ａ
）。
）。
（ｅ）に基づいて本発明の第１実施例を説明する。
ｐ型ＣｄＴｅ基板１の対向面に化学処理により加工変質
層を取り除いた後、第２図（ａ）に示すように無電界メ
ッキでＰｔ電極２を形成する。
層を取り除いた後、第２図（ａ）に示すように無電界メ
ッキでＰｔ電極２を形成する。
次に第２図（ｂ）に示すようにＰｔ電極２を形成した片
方の面に絶縁膜として５ｉＯＮ膜３をマイクロ波電子サ
イクロトロン共鳴吸収を利用したプラズマＣＶＤにより
原料ガスとして、５ｉＨａとＮ２０もしくは５ｉＨａと
Ｎ ２０とＮ２の混合ガスを使用して室温で形成せしめ
る。なお、５ｉＯＮ膜３の膜厚は例えば本実施例では５
０００Ａである。
方の面に絶縁膜として５ｉＯＮ膜３をマイクロ波電子サ
イクロトロン共鳴吸収を利用したプラズマＣＶＤにより
原料ガスとして、５ｉＨａとＮ２０もしくは５ｉＨａと
Ｎ ２０とＮ２の混合ガスを使用して室温で形成せしめ
る。なお、５ｉＯＮ膜３の膜厚は例えば本実施例では５
０００Ａである。
ついで、フォトリソグラフィーによりパターンマスクを
形成した後ＣＦ４によるプラズマドライエツチングで第
２図（Ｃ）に示すように５ｉＯＮ膜３の一部に所定のパ
ターン窓６を形成し、パターン窓部６のみＰｔ電極２を
露出させる。ここでバターン窓６の大きさはｐｔ電極２
以下である。
形成した後ＣＦ４によるプラズマドライエツチングで第
２図（Ｃ）に示すように５ｉＯＮ膜３の一部に所定のパ
ターン窓６を形成し、パターン窓部６のみＰｔ電極２を
露出させる。ここでバターン窓６の大きさはｐｔ電極２
以下である。
次に、第２図（ｄ）に示す用に５ｉＯＮ膜３を形成した
面上にさらに蒸着でＡＩ層４ａを形成せしめる。最後に
、フォトリソグラフィーによりパターンマスクを形成し
た後、燐酸系エツチング液で不要な部分のＡＩを取り除
き第２図（ｅ）に示すように所定のパターンのＡ１膜４
ｂを形成する。
面上にさらに蒸着でＡＩ層４ａを形成せしめる。最後に
、フォトリソグラフィーによりパターンマスクを形成し
た後、燐酸系エツチング液で不要な部分のＡＩを取り除
き第２図（ｅ）に示すように所定のパターンのＡ１膜４
ｂを形成する。
Ａｌ膜４ｂは５ｉＯＮ膜に形成したパターン窓６より大
きく、パターン窓６と５ｉＯＮ膜３の両方を被覆しなけ
ればならない。
きく、パターン窓６と５ｉＯＮ膜３の両方を被覆しなけ
ればならない。
以上の工程で第１実施例による半導体放射線検出器が製
造される。
造される。
上記の本実施例に於ける適用条件としてはｐ型ＣｄＴｅ
基板１の対向面に無電界メッキにより形成した電極をＰ
ｔ電極２としたが、これに限るものではなく、Ａｕｓ
Ｐｄ、Ｎｉなどの同様な接合を形成する他の金属であ
ってよい。５ｉＯＮ膜３の膜厚を５０００ としたがこ
れに限ったものではない。５ｆＯＮ膜３へのパターン窓
６の形成法としてＣＦ４のプラズマドライエツチングを
用いたがＨＦ系のエッチャントでのウエットエッチング
テモ良い。Ａ１層４のパターン形成をフォトエッチで行
ったがこれに限ったものではなく、゛マスク蒸着などで
も良い。金属層４はＡＩに限らずＡｕ５Ｎｉ、 Ｃｕ
＋ Ｐｄ＋ Ｐｔ＋ Ａｇ＋ 等の導電性の良
い金属であればよい。
基板１の対向面に無電界メッキにより形成した電極をＰ
ｔ電極２としたが、これに限るものではなく、Ａｕｓ
Ｐｄ、Ｎｉなどの同様な接合を形成する他の金属であ
ってよい。５ｉＯＮ膜３の膜厚を５０００ としたがこ
れに限ったものではない。５ｆＯＮ膜３へのパターン窓
６の形成法としてＣＦ４のプラズマドライエツチングを
用いたがＨＦ系のエッチャントでのウエットエッチング
テモ良い。Ａ１層４のパターン形成をフォトエッチで行
ったがこれに限ったものではなく、゛マスク蒸着などで
も良い。金属層４はＡＩに限らずＡｕ５Ｎｉ、 Ｃｕ
＋ Ｐｄ＋ Ｐｔ＋ Ａｇ＋ 等の導電性の良
い金属であればよい。
また、上記本実施例ではｐ型ＣｄＴｅ基板１の両対向而
にオーミック接触するｐｔ電極２を形成したＭＳＭ型の
半導体放射線検出器について説明したが、これに限った
ものではなく、表面障壁型でもｐｎ型でも少なくとも電
荷収集電極側で同様に実施すれば良い。さらに、片側の
み絶縁膜、金属層を積層した場合を例示したが、両面で
実施しても良い。
にオーミック接触するｐｔ電極２を形成したＭＳＭ型の
半導体放射線検出器について説明したが、これに限った
ものではなく、表面障壁型でもｐｎ型でも少なくとも電
荷収集電極側で同様に実施すれば良い。さらに、片側の
み絶縁膜、金属層を積層した場合を例示したが、両面で
実施しても良い。
第３図は本発明の第２の実施例により得られるの半導体
放射線検出器の断面図である。
放射線検出器の断面図である。
この実施例は第１図の実施例を変形応用したものであり
、対応する部分には第１図と同様な符号を記した。ただ
し第３図において７はＰｔパターン電極である。第４図
は本発明の第２実施例にかかかる半導体放射線検出器の
製造工程を示す断面図であって、６はパターン窓である
。
、対応する部分には第１図と同様な符号を記した。ただ
し第３図において７はＰｔパターン電極である。第４図
は本発明の第２実施例にかかかる半導体放射線検出器の
製造工程を示す断面図であって、６はパターン窓である
。
以下第４図（’ａ ）（ｂ ） Ｃｃ ）（”ｄ ）（
ｅ ）を用いて本発明の２実施例を説明する。
ｅ ）を用いて本発明の２実施例を説明する。
ｐ型ＣｄＴｅ基板１の対向面に化学処理により加工変質
層を取り除いた後フォトリソグラフィーによりマスク形
成したのち、第４図（ａ）に示すように無電界メッキで
ｐｔパターン電極７と背面のｐｔ電極２を形成する。
層を取り除いた後フォトリソグラフィーによりマスク形
成したのち、第４図（ａ）に示すように無電界メッキで
ｐｔパターン電極７と背面のｐｔ電極２を形成する。
次に、Ｐｔパターン電極７を形成した片方の面に絶縁膜
として５ｉＯＮ膜３をマイクロ波電子サイクロトロン共
鳴吸収を利用したプラズマＣＶＤにより原料ガスとして
、ＳｉＨ４とＮ ａ Ｏもしくは５ｉＨａとＮ２０とＮ
２の混合ガスを使用して室温でけいせいする（第４図ｒ
ｂ）参照）。５ｉＯＮ膜３の膜厚は例えば本実施例では
５０００Ａである。
として５ｉＯＮ膜３をマイクロ波電子サイクロトロン共
鳴吸収を利用したプラズマＣＶＤにより原料ガスとして
、ＳｉＨ４とＮ ａ Ｏもしくは５ｉＨａとＮ２０とＮ
２の混合ガスを使用して室温でけいせいする（第４図ｒ
ｂ）参照）。５ｉＯＮ膜３の膜厚は例えば本実施例では
５０００Ａである。
ついで、フォトリソグラフィーによりパターンマスクを
形成した後ＣＦ４によるプラズマドライエツチングで第
４図（Ｃ）に示すように５ｉＯＮ膜３の一部に所定のパ
ターン窓６を形成し、パターン窓部６のみＰｔパターン
電極７を露出させる。ここでパターン窓６の大きさはＰ
ｔパターン電極７以下でなければならない。
形成した後ＣＦ４によるプラズマドライエツチングで第
４図（Ｃ）に示すように５ｉＯＮ膜３の一部に所定のパ
ターン窓６を形成し、パターン窓部６のみＰｔパターン
電極７を露出させる。ここでパターン窓６の大きさはＰ
ｔパターン電極７以下でなければならない。
次に、第４図ｃｄ）に示すように５ｉＯＮ膜３を形成し
た面に蒸着でＡ１層４ａを形成する。
た面に蒸着でＡ１層４ａを形成する。
更に、フォトリソグラフィーによりパターンマスクを形
成した後、燐酸系エツチング液で不要な部分のＡｌを取
り除き第４図（ｅ）に示すように所定のパターンのＡＩ
膜４ｂを形成する。このＡＩ膜４ｂは５ｉＯＮ膜３に形
成したパターン窓６より大きく、パターン窓６とＳｉＯ
２膜３の両方を被覆しなければならない。
成した後、燐酸系エツチング液で不要な部分のＡｌを取
り除き第４図（ｅ）に示すように所定のパターンのＡＩ
膜４ｂを形成する。このＡＩ膜４ｂは５ｉＯＮ膜３に形
成したパターン窓６より大きく、パターン窓６とＳｉＯ
２膜３の両方を被覆しなければならない。
以上の工程で本発明の第２実施例による半導体放射線検
出器が製造される。尚、第１実施例における適用条件は
この第２実施例に適用される。
出器が製造される。尚、第１実施例における適用条件は
この第２実施例に適用される。
第５図に本発明の第３の実施例により得られる多チヤン
ネル型の半導体放射線検出器の断面図を示す。この実施
例は第１図、第３図の実施例を変形応用したものであり
対応する部分には第１図第３図と同様な符号を記した。
ネル型の半導体放射線検出器の断面図を示す。この実施
例は第１図、第３図の実施例を変形応用したものであり
対応する部分には第１図第３図と同様な符号を記した。
第６図（ａ）〜（ｅ ）は本発明の第３実施例にかかる
半導体放射線検出器の製造工程を示す断面図である。以
下第６図（ａ）〜（ｅ）を用いて第３実施例を説明する
。ｐ型ＣｄＴｅ基板１の対向面に化学処理により加工変
質層を取り除いた後フォトリソグラフィーによりマスク
形成したのち、第４図（ａ）に示すように無電界メッキ
で片方の而に複数個アレイ状に配列したＰｔパターン電
極７と背面のｐｔ電極２を形成する。
半導体放射線検出器の製造工程を示す断面図である。以
下第６図（ａ）〜（ｅ）を用いて第３実施例を説明する
。ｐ型ＣｄＴｅ基板１の対向面に化学処理により加工変
質層を取り除いた後フォトリソグラフィーによりマスク
形成したのち、第４図（ａ）に示すように無電界メッキ
で片方の而に複数個アレイ状に配列したＰｔパターン電
極７と背面のｐｔ電極２を形成する。
ここでｐｔパターン電極は検出器を複数の単位検出素子
に電気的に分割して多チヤンネル型にするものである。
に電気的に分割して多チヤンネル型にするものである。
次に第６図（ｂ）に示すようにＰｔパターン電極７を形
成した片方の面に絶縁膜として５ｉＯＮ膜３をマイクロ
波電子サイクロトロン共鳴吸収を利用したプラズマＣＶ
Ｄにより原料ガスとして、ＳｉＨ４とＮ ２０もしくは
５ｉＨａとＮ ２０とＮ２の混合ガスを使用して室温で
形成せしめる。
成した片方の面に絶縁膜として５ｉＯＮ膜３をマイクロ
波電子サイクロトロン共鳴吸収を利用したプラズマＣＶ
Ｄにより原料ガスとして、ＳｉＨ４とＮ ２０もしくは
５ｉＨａとＮ ２０とＮ２の混合ガスを使用して室温で
形成せしめる。
５ｉＯＮ膜の膜厚は例えば本実施例では５０００Ａであ
る。次に、フォトリソグラフィーによりパターンマスク
を形成した後ＣＦ４によるプラズマドライエツチングで
第６図（Ｃ）に示すようニ５ｉＯＮ膜３の一部に個々の
パターン電極７に対応する複数個のパターン窓６を形成
し、パターン窓部６のみＰｔパターン電極７の一部分を
露出させる。
る。次に、フォトリソグラフィーによりパターンマスク
を形成した後ＣＦ４によるプラズマドライエツチングで
第６図（Ｃ）に示すようニ５ｉＯＮ膜３の一部に個々の
パターン電極７に対応する複数個のパターン窓６を形成
し、パターン窓部６のみＰｔパターン電極７の一部分を
露出させる。
ここでパターン窓６の大きさはＰｔ電極２以下でなけれ
ばならない。
ばならない。
次に、第６図（ｄ ）に示すように５ｉＯＮ膜３を形成
した面に蒸普でＡＪ層４を形成する。
した面に蒸普でＡＪ層４を形成する。
次に、フォトリソグラフィーによりパターンマスクを形
成した後、燐酸系エツチング液で不要な部分のＡＩを取
り除き第６図（ｅ）に示すように複数個のＡＩＩｎ２形
成する。ここで個々のＡ１膜４は各々Ｐｔパターン電極
７と対応しており、ＳｉＯ２膜３に形成したパターン窓
６上に積層されている。大きさはパターン窓θより大き
くかつ個々は電気的に独立している。
成した後、燐酸系エツチング液で不要な部分のＡＩを取
り除き第６図（ｅ）に示すように複数個のＡＩＩｎ２形
成する。ここで個々のＡ１膜４は各々Ｐｔパターン電極
７と対応しており、ＳｉＯ２膜３に形成したパターン窓
６上に積層されている。大きさはパターン窓θより大き
くかつ個々は電気的に独立している。
以上の工程で本発明の第３実施例による多チヤンネル型
の半導体放射線検出器が製造される。尚、第１実施例に
おける適用条件はこの第３実施例に適用され、また、こ
の第３実施例では、本実施例ではＰｔパターン電極７を
アレイ状に配列したリニアタイプの多チヤンネル型半導
体放射線検出器について説明したがｐｔパターンＮ極７
を面状に配列した２次元タイプであっても良い。
の半導体放射線検出器が製造される。尚、第１実施例に
おける適用条件はこの第３実施例に適用され、また、こ
の第３実施例では、本実施例ではＰｔパターン電極７を
アレイ状に配列したリニアタイプの多チヤンネル型半導
体放射線検出器について説明したがｐｔパターンＮ極７
を面状に配列した２次元タイプであっても良い。
発明の効果
本発明によれば、ＣｄＴｅ基板を悪化させることなく絶
縁膜及びリード電極の形成が可能となる。
縁膜及びリード電極の形成が可能となる。
従ってワイヤーボンディングやフィルムボンディングで
のリード出しができ、信顆性の高いＣｄＴｅ放射線検出
器が提−供される。
のリード出しができ、信顆性の高いＣｄＴｅ放射線検出
器が提−供される。
第１図は本発明の半導体放射線検出器の断面図、第２図
（ａ）〜（ｅ）は第１図の半導体放射線検出器の製造工
程を示す断面図、第３図は本発明の半導体放射線検出器
の断面図、第４図（ａ）〜（ｅ）は第３図の半導体放射
線検出器の製造工程を示す断面図、第５図は本発明の半
導体放射線検出器の断面図、第６図（ａ ）〜（ｅ ）
は第５図の半導体放射線検出器の製造工程を示す断面図
である。 １−・・Ｉ）型ＣｄＴｅ基板、 ２− ・Ｐｔ？！！
極、 ３・・・５ｉＯＮ膜、 ４・・・ＡＩ膜、 ５・
・・リード、 ６・・・パターン窓、７・・・ｐｔパタ
ーン電極。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名１−・＝ ５−゛ Ｐ型ＣｄＴｅ纂抜 Ｐｔｔ 優 １ＯＮ ＡＪ’ｌ！！ リ − ド 第 ２ 図 ！ −−− ？− ４４，４ｂ−゛ Ｐ堅Ｃｄ Ｔｅ結轟 Ｐｔｔ＄！！ Ｓ ｊ ＯＮ府 ２ＷＩ ノでターン１ 第５図 第６図
（ａ）〜（ｅ）は第１図の半導体放射線検出器の製造工
程を示す断面図、第３図は本発明の半導体放射線検出器
の断面図、第４図（ａ）〜（ｅ）は第３図の半導体放射
線検出器の製造工程を示す断面図、第５図は本発明の半
導体放射線検出器の断面図、第６図（ａ ）〜（ｅ ）
は第５図の半導体放射線検出器の製造工程を示す断面図
である。 １−・・Ｉ）型ＣｄＴｅ基板、 ２− ・Ｐｔ？！！
極、 ３・・・５ｉＯＮ膜、 ４・・・ＡＩ膜、 ５・
・・リード、 ６・・・パターン窓、７・・・ｐｔパタ
ーン電極。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名１−・＝ ５−゛ Ｐ型ＣｄＴｅ纂抜 Ｐｔｔ 優 １ＯＮ ＡＪ’ｌ！！ リ − ド 第 ２ 図 ！ −−− ？− ４４，４ｂ−゛ Ｐ堅Ｃｄ Ｔｅ結轟 Ｐｔｔ＄！！ Ｓ ｊ ＯＮ府 ２ＷＩ ノでターン１ 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）ＣｄＴｅ結晶基板の少なくとも一方の面に電荷を
収集するための電極と、パターン窓を形成した絶縁膜と
、前記パターン窓と絶縁膜にまたがり形成された金属膜
と積層構造より構成される半導体放射線検出器の製造方
法において、前記絶縁膜の形成前に無電界メッキにより
ＣｄＴｅ基板面に所定の電極を形成することを特徴とす
る半導体放射線検出器の製造方法。 - （２）絶縁膜をマイクロ波電子サイクロトロン共鳴吸収
を利用したプラズマＣＶＤにより原料ガスとして、Ｓｉ
Ｈ＿４とＮ＿２ＯもしくはＳｉＨ＿４とＮ＿２ＯとＮ＿
２の混合ガスを使用して室温で形成する請求項１記載の
半導体放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63306453A JPH02152228A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63306453A JPH02152228A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152228A true JPH02152228A (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=17957186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63306453A Pending JPH02152228A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02152228A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8158507B2 (en) | 2010-02-08 | 2012-04-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012527759A (ja) * | 2009-05-19 | 2012-11-08 | クロメック リミテッド | 半導体素子接点 |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP63306453A patent/JPH02152228A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012527759A (ja) * | 2009-05-19 | 2012-11-08 | クロメック リミテッド | 半導体素子接点 |
| US8158507B2 (en) | 2010-02-08 | 2012-04-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
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