JPH02151410A - 複製母型 - Google Patents
複製母型Info
- Publication number
- JPH02151410A JPH02151410A JP30611088A JP30611088A JPH02151410A JP H02151410 A JPH02151410 A JP H02151410A JP 30611088 A JP30611088 A JP 30611088A JP 30611088 A JP30611088 A JP 30611088A JP H02151410 A JPH02151410 A JP H02151410A
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- Japan
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- layer material
- surface layer
- silicon wafer
- fine pattern
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、情報記録媒体等の製造に用いられる複製母型
に関する。
に関する。
従来、光デイスク媒体などの製造において用いられてい
る複製母型は、ガラス板上にレジストパターンを形成し
た原盤から電鋳等により、原盤のパターンをスタンバ５
上に転写成形し、このスタンバ５を成形用金型鏡面板６
上に固定または接着することにより形成される（第２図
参照）。また、第３図に示すように、金属からなる母型
形成材料７の表面を直接エツチングすることによって得
られていた。
る複製母型は、ガラス板上にレジストパターンを形成し
た原盤から電鋳等により、原盤のパターンをスタンバ５
上に転写成形し、このスタンバ５を成形用金型鏡面板６
上に固定または接着することにより形成される（第２図
参照）。また、第３図に示すように、金属からなる母型
形成材料７の表面を直接エツチングすることによって得
られていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の複製母型においては、例えば、第
３図に示すようなものでは母型形成材料７の金属面を直
接研磨するために、ガラスのような面精度（平面性、粗
さ、欠陥率）を得ることは困難であった。また、第２図
に示すような例では、スタンバ５はレジストパターン転
写後、成形用金型鏡面板６上に接着させるために、スタ
ンバ表面にＪＪ２ Ｗを及ぼすことなく強固な接着は困
難であり、さらにスタンバ５を厚くして変形を抑える方
法もあるが、電鋳工程の負荷が大きくなってしまうため
に好ましくない。
３図に示すようなものでは母型形成材料７の金属面を直
接研磨するために、ガラスのような面精度（平面性、粗
さ、欠陥率）を得ることは困難であった。また、第２図
に示すような例では、スタンバ５はレジストパターン転
写後、成形用金型鏡面板６上に接着させるために、スタ
ンバ表面にＪＪ２ Ｗを及ぼすことなく強固な接着は困
難であり、さらにスタンバ５を厚くして変形を抑える方
法もあるが、電鋳工程の負荷が大きくなってしまうため
に好ましくない。
（課題を解決するための手段）
本発明は、情報記録媒体の成形型において、シリコンウ
ェハまたはガラスからなる表面層材料を、金属支持体上
に接着層を介して接着した後、該表面層材料表面に微細
パターンを形成したことを特徴とする複製母型である。
ェハまたはガラスからなる表面層材料を、金属支持体上
に接着層を介して接着した後、該表面層材料表面に微細
パターンを形成したことを特徴とする複製母型である。
以下、図面に基づき説明する。
第１図は、本発明の複製ＤＪ型を製造する工程を簡略に
示したものであるが、先ず金属支持体３上に接着層２を
介して表面層材料１を接着する。ここで、表面層材料ｌ
としては、シリコンウェハまたはガラスが使用され、好
ましくはシリコンウェハである。金属支持体３としては
、従来使用されている鋼、ステンレス、ＳＵＳ合金、超
硬合金等であり、またこれらの多層構造でもよい。好ま
しくは、インバー合金を使用する。接着層２としては、
表面層材料と金属支持体との中間の線膨張率を有するも
ので、表面層材料１と金属支持体３の接着方法として、
拡散接合、ろう付け、共晶接合、無機接合、焼結接合等
により行なうことができ、両者を強固に接着ものであれ
ば何でも使用できる。例えばモリブデン、無酸素鋼、ア
ルミ、チタン、ニッケル等の接合剤が使用でき、好まし
くはモリブデンを使用し、接着方法として拡散接合によ
り行なう。次に、微細パターンを表面層材料１表面に形
成する。上記のように接合した表面層材料１の表面を研
磨し、パターンニング、エツチングを行ない、微細パタ
ーンの形成を行なう。この微細パターンの形成工程は、
半導体製造プロセスと同一操作により行なうことができ
る。例えば表面層材料工の上にフォトレジストをスピン
コード等により塗布し、レーザー光等により露光し、フ
ォトレジストを現像しパターンニングを行なう。次に、
スパッタリング等によりエツチングを行ない、その後、
フォトレジストを除去することによって複製母型は得ら
れる。
示したものであるが、先ず金属支持体３上に接着層２を
介して表面層材料１を接着する。ここで、表面層材料ｌ
としては、シリコンウェハまたはガラスが使用され、好
ましくはシリコンウェハである。金属支持体３としては
、従来使用されている鋼、ステンレス、ＳＵＳ合金、超
硬合金等であり、またこれらの多層構造でもよい。好ま
しくは、インバー合金を使用する。接着層２としては、
表面層材料と金属支持体との中間の線膨張率を有するも
ので、表面層材料１と金属支持体３の接着方法として、
拡散接合、ろう付け、共晶接合、無機接合、焼結接合等
により行なうことができ、両者を強固に接着ものであれ
ば何でも使用できる。例えばモリブデン、無酸素鋼、ア
ルミ、チタン、ニッケル等の接合剤が使用でき、好まし
くはモリブデンを使用し、接着方法として拡散接合によ
り行なう。次に、微細パターンを表面層材料１表面に形
成する。上記のように接合した表面層材料１の表面を研
磨し、パターンニング、エツチングを行ない、微細パタ
ーンの形成を行なう。この微細パターンの形成工程は、
半導体製造プロセスと同一操作により行なうことができ
る。例えば表面層材料工の上にフォトレジストをスピン
コード等により塗布し、レーザー光等により露光し、フ
ォトレジストを現像しパターンニングを行なう。次に、
スパッタリング等によりエツチングを行ない、その後、
フォトレジストを除去することによって複製母型は得ら
れる。
このようにして製作された複製母型は、インジェクショ
ン成形、コンプレッション成形のための金型として固定
手段４により装置に固定し以後の成形を行なうために使
用される。
ン成形、コンプレッション成形のための金型として固定
手段４により装置に固定し以後の成形を行なうために使
用される。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
犬人側」
直径＋３０ｍｒｎ、厚さ１０ｎｏｎのインバー合金製金
属支持体にに、厚さ ｌ 、 Ｏｎ＋ｍの同直径のシリ
コンウェハをモリブデンを接着層として介して拡散接合
により接着した。次にシリコンウェハ面を研磨し、パタ
ーンニング、エツチングを行なった。得られた複製ｌす
型のシリコンウェハ面じは０．６μラインアントスペー
スのパターンが形成されており、表面粗さｔ）５０人以
内であった。この複製母型を用いてインジェクション成
形により光デイスク基板の成形を行なった。樹脂どの離
型性は従来の金属製スタンバを用いた場αよりも良好で
あった。また再研磨を施こすことによって、表面の面積
度を再現１−ることかできた。
属支持体にに、厚さ ｌ 、 Ｏｎ＋ｍの同直径のシリ
コンウェハをモリブデンを接着層として介して拡散接合
により接着した。次にシリコンウェハ面を研磨し、パタ
ーンニング、エツチングを行なった。得られた複製ｌす
型のシリコンウェハ面じは０．６μラインアントスペー
スのパターンが形成されており、表面粗さｔ）５０人以
内であった。この複製母型を用いてインジェクション成
形により光デイスク基板の成形を行なった。樹脂どの離
型性は従来の金属製スタンバを用いた場αよりも良好で
あった。また再研磨を施こすことによって、表面の面積
度を再現１−ることかできた。
実ｆｆｉ
金属支持体どしてチタンを用いて、厚さ ！、Ｏｎｍの
低アルカリガラスを金属支持体上に共牧接合およびろう
付けＩノだ。次に実施例１と同様にしてシリコヌエハ面
ヲ研磨し、パターンニング、エツチングを行なった。複
製ｆ？Ｊ型のシリコンウェハ面には０．６騨ラインアン
ドスペースのパターンが形成されており、表面粗さも５
０人以内であった。この複５ｕＨＪ型を用いてインジェ
クション成形により光デイスク基板の成形を行なった。
低アルカリガラスを金属支持体上に共牧接合およびろう
付けＩノだ。次に実施例１と同様にしてシリコヌエハ面
ヲ研磨し、パターンニング、エツチングを行なった。複
製ｆ？Ｊ型のシリコンウェハ面には０．６騨ラインアン
ドスペースのパターンが形成されており、表面粗さも５
０人以内であった。この複５ｕＨＪ型を用いてインジェ
クション成形により光デイスク基板の成形を行なった。
樹脂との離型性は従来の金属製スタンバを用いた場合よ
りも良好であった。また再研磨を施こすことによって、
表面の面精度を再現することができた。
りも良好であった。また再研磨を施こすことによって、
表面の面精度を再現することができた。
（９，明の効果）
以上説明したように、本発明により面精度が良く５高密
度のパターンが形成でき、かつ耐久性の良好であり、ま
た樹脂とのｔｌ、型性に優れた複製ｆす型を提供するこ
とかできた。
度のパターンが形成でき、かつ耐久性の良好であり、ま
た樹脂とのｔｌ、型性に優れた複製ｆす型を提供するこ
とかできた。
第１図は本発明の複製母型の製作工程の概略図であり、
第２図および第３図は従来例を示す。 １・・・表面層材料 ２・・・接着層３・・・金属支
持体 ４・・・固定手段５・・・スタンバ ６・
・・成形用金型鏡面板７・・・母型形成材料
第２図および第３図は従来例を示す。 １・・・表面層材料 ２・・・接着層３・・・金属支
持体 ４・・・固定手段５・・・スタンバ ６・
・・成形用金型鏡面板７・・・母型形成材料
Claims (1)
- 情報記録媒体の成形型において、シリコンウェハまたは
ガラスからなる表面層材料を、金属支持体上に接着層を
介して接着した後、該表面層材料表面に微細パターンを
形成したことを特徴とする複製母型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30611088A JPH02151410A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 複製母型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30611088A JPH02151410A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 複製母型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151410A true JPH02151410A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17953161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30611088A Pending JPH02151410A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 複製母型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02151410A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158031A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-06-12 | Becton Dickinson & Co | 部品の製造方法及びその装置 |
| WO2012038244A1 (en) * | 2010-09-23 | 2012-03-29 | Paul Scherrer Institut | Injection molded micro-cantilever and membrane sensor devices and process for their fabrication |
| US8609009B2 (en) | 2003-12-19 | 2013-12-17 | Richell Co., Ltd. | Method of producing a microproduct |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP30611088A patent/JPH02151410A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158031A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-06-12 | Becton Dickinson & Co | 部品の製造方法及びその装置 |
| JP4709363B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2011-06-22 | ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー | 部品の製造方法及びその装置 |
| US8609009B2 (en) | 2003-12-19 | 2013-12-17 | Richell Co., Ltd. | Method of producing a microproduct |
| WO2012038244A1 (en) * | 2010-09-23 | 2012-03-29 | Paul Scherrer Institut | Injection molded micro-cantilever and membrane sensor devices and process for their fabrication |
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