JPH02150822A - Matrix device - Google Patents

Matrix device

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Publication number
JPH02150822A
JPH02150822A JP63304912A JP30491288A JPH02150822A JP H02150822 A JPH02150822 A JP H02150822A JP 63304912 A JP63304912 A JP 63304912A JP 30491288 A JP30491288 A JP 30491288A JP H02150822 A JPH02150822 A JP H02150822A
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JP
Japan
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wiring
wiring group
liquid crystal
matrix
group
Prior art date
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Pending
Application number
JP63304912A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiko Mino
美濃 美子
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02150822A publication Critical patent/JPH02150822A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent a line defect from occurring by employing double structure for signal transmission paths of 1st and 2nd wires in the device having a matrix operation part where the 1st wire group and 2nd wire group cross each other. CONSTITUTION:The double structure consists of a 3rd wire group 4 and a 4th wire group 9 provided with the 1st wire group 1 and 2nd wire group 2 across insulation films 7 respectively. Therefore, a signal can be transmitted from the 3rd and 4th wires 4 and 9 if a 1st wire 1 is broken or the 4th wire 9 if the 2nd wire is broken. Consequently, the occurrence of a line defect can be suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マ) IJフックス動型液晶表示装置等に好
適に利用できるマトリックス装置に関し、特に複数本の
第1の配線群と第2の配線群を互いに交差して配したマ
トリックス動作部ををするマトリックス型装置における
断線不良の救済手段に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a matrix device that can be suitably used for IJ Fuchs dynamic liquid crystal display devices, etc., and particularly relates to a matrix device that can be suitably used for IJ Fuchs dynamic liquid crystal display devices, etc. The present invention relates to means for relieving disconnection defects in a matrix type device having matrix operating portions arranged in a manner that crosses each other.

従来の技術 従来開発された液晶表示装置の配線の相関を第4図に示
す。破線A1 B1 CX Dで囲まれた部分は液晶を
駆動する液晶パネルユニット部であり、線E、  F、
  G、  Hで囲まれた部分は液晶が封入され画像表
示が行なわれるマトリックス動作部(以下TFT:薄膜
トランジスタとする)である。TFTは走査信号を伝達
する複数本の第1の配線1群と、表示信号を伝達する複
数本の第2の配線2群が絶縁膜を介して互いに交差しX
Yマトリックス状に配置されている。前記第1の配線1
群と前記第2の配線2群の交点に対応してスイッチング
素子を配し、これらの配線群は液晶パネルユニット部の
周辺部に設けられた駆動回路3に接続されている。
BACKGROUND OF THE INVENTION FIG. 4 shows the relationship of wiring in a conventionally developed liquid crystal display device. The area surrounded by broken lines A1, B1, CX, and D is the liquid crystal panel unit that drives the liquid crystal, and lines E, F,
The area surrounded by G and H is a matrix operation section (hereinafter referred to as TFT: thin film transistor) in which liquid crystal is sealed and image display is performed. In a TFT, a first group of multiple wires that transmit scanning signals and a second group of multiple wires that transmit display signals cross each other via an insulating film.
They are arranged in a Y matrix. Said first wiring 1
Switching elements are arranged corresponding to the intersections of the second group of wires and the second group of wires, and these wire groups are connected to a drive circuit 3 provided at the periphery of the liquid crystal panel unit section.

TPT周辺にはレスキュウ用として第3の配線14が設
けられている。レスキュー配線とはTPT形成工程にお
いて、ダストなどにより画素電極が欠陥となった場合に
は、例えば第1の配線1から順次伝達される走査信号が
前記欠陥箇所以降には伝達されないため画像に線欠陥と
して表示される。そこで前記第3の配線14と断線した
第1の配線1−aや1−bをワイヤボンディング15に
より接続することで信号の迂回路をつ(す、欠陥箇所以
降にも表示信号を伝達して画像修復するためのものであ
る。
A third wiring 14 for rescue is provided around the TPT. What is a rescue wiring? In the TPT forming process, if a pixel electrode becomes defective due to dust, for example, the scanning signal sequentially transmitted from the first wiring 1 will not be transmitted beyond the defective point, so a line defect will appear in the image. will be displayed as . Therefore, by connecting the third wiring 14 and the broken first wiring 1-a or 1-b by wire bonding 15, a detour for the signal is created (to transmit the display signal even after the defective point). It is for image restoration.

発明が解決しようとする課題 第1、第2の配線1.2はそれぞれ数百本を有し、高画
質を得るためには少面積にこれら配線を形成しなければ
ならない。従って微細加工工程において細心を注意を払
っていてもダスト等による欠陥は皆無とはならず画像上
点欠陥、線欠陥となって表示される。線欠陥は致命的欠
陥であり、従って信号の迂回路となる第3の配線14を
より多く設けることが必要となる。また、より多くの配
線数を有する数十インチの大型マトリ・ソクス装置の形
成においてはより一層のレスキュウ対策が必要となる。
Problems to be Solved by the Invention The first and second wires 1.2 each have several hundred wires, and in order to obtain high image quality, these wires must be formed in a small area. Therefore, even if extreme care is taken in the microfabrication process, defects due to dust etc. cannot be eliminated and are displayed as point defects or line defects on the image. A line defect is a fatal defect, and therefore it is necessary to provide a larger number of third wiring lines 14 that serve as signal detours. Further, when forming a large matrix/socket device of several tens of inches with a larger number of wiring lines, even more rescue measures are required.

  また、このような従来の方法では液晶表示パネルと
して仮の実装もしくはテスタセ・ソトし、欠陥場所をア
ドレスした後に前記パネルを取り出して該当配線を第3
の配線14とワイヤボンディング15により接続し、さ
らに実装するという工程のちとに行なわれていた。この
ため修復工程における作業工数がかかるうえパネル脱着
時に静電気などによる破壊という他の不良を併発してい
た。
In addition, in such conventional methods, a liquid crystal display panel is temporarily mounted or tested, and after addressing the defective location, the panel is taken out and the corresponding wiring is connected to the third
This was carried out after the process of connecting to the wiring 14 and wire bonding 15, and then mounting. This required many man-hours in the repair process, and also caused other defects such as destruction due to static electricity when the panels were attached and detached.

課題を解決するための手段 本発明はこれら問題点を解消するため、TPTを形成す
る際に第1の配線群と第2の配線群のそれぞれが絶縁膜
を介して設けられた第3の配線群と第4の配線群にて二
重構造に構成したものである。
Means for Solving the Problems In order to solve these problems, the present invention provides a third wiring in which each of the first wiring group and the second wiring group is provided through an insulating film when forming a TPT. It has a double structure consisting of a group of wires and a fourth group of wires.

作用 本発明は、上記手段により第1、第2の配線の信号伝達
経路をそれぞれ二重構造としているので線欠陥の発生を
抑制し製造歩留まりの向上を図ることができる。
Effect of the Invention In the present invention, the signal transmission paths of the first and second wirings each have a double structure by the above-mentioned means, so that generation of line defects can be suppressed and manufacturing yield can be improved.

実施例 本発明の一実施例を第1図〜第3図を参照して以下に説
明する。第1図(a)、(b)、(c)はレスキュー配
線を絶縁膜を介してX方向、X方向に三次元的に形成し
たものの平面図およびX方向とX方向の断面図である。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3. FIGS. 1(a), 1(b), and 1(c) are a plan view and a cross-sectional view in the X direction and the X direction of the rescue wiring formed three-dimensionally in the X direction and the X direction with an insulating film interposed therebetween.

各配線の先喘にはコンタクトウィンドウを設けることに
より、後に形成するTPTの走査および表示信号線との
接続が可能となっている。第2図、第3図はこれらレス
キュウおよびTPT形成工程を示すものである。
By providing a contact window at the tip of each wiring, it is possible to scan the TPT and connect it to the display signal line to be formed later. FIGS. 2 and 3 show these rescue and TPT forming steps.

まず、レスキュー配線のX方向の断面構成を工程を追っ
て第2図により説明する。基板θ上にまず第3の配線4
を形成し1層目の絶R膜7で覆う(第2図の(a))。
First, the cross-sectional structure of the rescue wiring in the X direction will be explained step by step with reference to FIG. First, the third wiring 4 is placed on the substrate θ.
is formed and covered with the first layer of the absolute R film 7 (FIG. 2(a)).

次に、エツチング等により前記第3の配線の端部にコン
タクトウィンドウ8を設ける(第2図の(b))。次に
、第4の配線9を形成しさらに2層目の絶縁膜7で覆う
(第2図の(C))。
Next, a contact window 8 is provided at the end of the third wiring by etching or the like (FIG. 2(b)). Next, a fourth wiring 9 is formed and further covered with a second layer of insulating film 7 ((C) in FIG. 2).

その後のTPT形成工程において第1の配線群1を形成
する際には前記第3の配線群と個々に接続する(第2図
の(d))。
When forming the first wiring group 1 in the subsequent TPT forming process, they are individually connected to the third wiring group ((d) in FIG. 2).

次に、レスキュー配線及びTFTのX方向の断面構成を
工程を追って第3図により説明する。基板θ上にまず第
3の配線4を形成し1層目の絶縁膜7で覆う(第3図の
(a’))。次に、エツチング等により前記第3の配線
4の端部にコンタクト部8を設けるがX方向の断面構造
に変化はみられない(第3図の(b’))。次に、第4
の配線9を形成しさらに2層目の絶縁膜7で覆う(第3
図の(C″))。次に、第1の配線を形成しく第3図の
(d’))さらに3層目の絶縁膜で覆う(第3図の(e
’))。次に、前記2.3層目の絶縁膜7を例えばドラ
イエツチング等によりエンチングして前記第4の配線端
部にコンタクトウィンドウ8を設ける(第3図の(f’
)−f )。その後のTPT形成工程において第2の配
置12群を形成する際には第4の配線と個々に接続する
(第3図の(g’))。
Next, the cross-sectional structure of the rescue wiring and TFT in the X direction will be explained step by step with reference to FIG. First, a third wiring 4 is formed on the substrate θ and covered with a first layer insulating film 7 ((a') in FIG. 3). Next, a contact portion 8 is provided at the end of the third wiring 4 by etching or the like, but no change is observed in the cross-sectional structure in the X direction ((b') in FIG. 3). Next, the fourth
wiring 9 is formed and then covered with a second layer of insulating film 7 (third layer).
(C") in the figure). Next, the first wiring is formed and covered with a third layer of insulating film ((d') in Figure 3).
')). Next, the second and third layers of the insulating film 7 are etched by, for example, dry etching to form a contact window 8 at the end of the fourth wiring ((f' in FIG. 3).
)-f). When forming the second group of 12 arrangements in the subsequent TPT forming process, they are individually connected to the fourth wiring ((g' in FIG. 3)).

このようにして第1の配線1は第3の配線4と、第2の
配線2は第4の配線9と接続され信号伝達経路はそれぞ
れ二重構造となる。TPT形成工程では、上記の時に第
2の配線2群を形成した後、絶縁膜を介してスイッチン
グ素子を形成し、液晶を介して対向基板を実装して液晶
表示装置が製造される。スイッチング素子としては、非
晶質シリコンを半導体層として用いた薄膜トランジスタ
が用いられる。
In this way, the first wiring 1 is connected to the third wiring 4, and the second wiring 2 is connected to the fourth wiring 9, so that each signal transmission path has a double structure. In the TPT forming step, after forming the second group of wirings at the time described above, a switching element is formed via an insulating film, and a counter substrate is mounted via a liquid crystal to manufacture a liquid crystal display device. As the switching element, a thin film transistor using amorphous silicon as a semiconductor layer is used.

次に、別の実施例を説明する。上記実施例と同様にして
第3、第4の配線4.9を形成し絶縁膜7で覆った後T
PTを形成するが絶縁膜7にコンタクトウィンドウ8を
形成した後筒1と第3の配線1.4、第2と第4の配線
2.9は接続させない。従って第3、第4の配線4.9
は従来の第3の配線と同様レスキュウ用として用いる。
Next, another example will be described. After forming the third and fourth wirings 4.9 and covering them with the insulating film 7 in the same manner as in the above embodiment, T
Although the PT is formed, the third wiring 1.4 and the second and fourth wirings 2.9 are not connected to the rear cylinder 1 after the contact window 8 is formed in the insulating film 7. Therefore, the third and fourth wiring 4.9
is used for rescue like the conventional third wiring.

即ち、液晶表示装置として実装した後の画像評価にて発
生したる線欠陥部は第3もしくは第4の配線の該当する
コンタクトウィンドウと接続するものである。
That is, the line defect portion that occurs during image evaluation after being mounted as a liquid crystal display device is connected to the corresponding contact window of the third or fourth wiring.

なお前記第3.4の配線を形成するにあたり、アライメ
ント精度を考慮して第1.2の配線幅よりも細く設計し
ておけば個々の画素開口面積に影響はなく従って実用上
問題はない。
When forming the 3.4 wiring, if it is designed to be narrower than the 1.2 wiring in consideration of alignment accuracy, it will not affect the area of each pixel aperture and therefore there will be no practical problem.

発明の効果 本発明によれば、従来法のように第3の配線を二次元的
に配置するのではなく、第3、第4の配線を三次元的に
設けることによって従来の第3の配線占有面積分が不要
となることから液晶表示装置の小型化をはかることがで
きる。さらに、第1の第2の配線群と第3、第4の配線
群をTPT基板きして完成した時点で互いに接続してお
くと、第1、第3の配線はともに走査信号を伝達する配
線となりまた、第2、第4の配線はともに表示信号を伝
達する配線となる。従って、万一 第1の配線が断線し
たとしても第3、第4の配線から、また第2の配線が断
線したとしても第4の配線からそれぞれの信号を伝達す
ることができるので線欠陥の発生を抑制することができ
る。また、信号の迂回路となる第3、第4の配線を多く
設けることができることから、より多くの配線数を有す
る数十インチ大型マトリックス装置の製造に仔望である
。さらに、線欠陥の修復工程が省かれ静電気破壊という
不良も抑制することができる。
Effects of the Invention According to the present invention, instead of arranging the third wiring two-dimensionally as in the conventional method, the third and fourth wirings are provided three-dimensionally. Since the occupied area becomes unnecessary, the size of the liquid crystal display device can be reduced. Furthermore, if the first and second wiring groups and the third and fourth wiring groups are connected to each other when completed using a TPT substrate, both the first and third wirings transmit scanning signals. Both the second and fourth wirings serve as wirings for transmitting display signals. Therefore, even if the first wiring is disconnected, signals can be transmitted from the third and fourth wirings, and even if the second wiring is disconnected, signals can be transmitted from the fourth wiring, so line defects can be transmitted. The occurrence can be suppressed. Further, since it is possible to provide a large number of third and fourth wiring lines that serve as detours for signals, it is possible to manufacture large matrix devices of several tens of inches with a larger number of wiring lines. Furthermore, the process of repairing line defects is omitted, and defects such as electrostatic damage can be suppressed.

叉第1、第2の配線群と第3、第4の配線群を接続しな
い場合には、第3配線間、第4配線間での接続もできる
ことから、これまで不良品として扱われていた複数本の
線欠陥を有する液晶表示装置も良品とすることができ、
製品歩留まりの向上をはかることができる。
If the first and second wiring groups are not connected to the third and fourth wiring groups, connections can also be made between the third and fourth wirings, which was previously treated as a defective product. A liquid crystal display device with multiple line defects can also be made into a good product.
Product yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(A)、(B)、(C)は本発明の一実施例にお
ける液晶表示装置の三次元レスキュウ形成における平面
図およびX方向とX方向の断面図、第2図は同実施例の
X方向の断面構造で見た工程図、第3図は同実施例のX
方向の断面構造で見た工程図、第4図は従来例における
液晶表示装置の二次レスキュウ形成における平面図であ
る。 ■・・・・走査信号を伝達する第1の配線、2・・・・
表示信号を伝達する第2の配線、3・・・・駆動回路4
・・・・レスキュウ用第3の配線、5・・・・ボンディ
ングワイヤ、6・・・・基板、7・・パ・絶縁膜、8・
・・・コンタクトウィンドウ、9・・・・レスキュウ用
第4の配線。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか1名第 図 第 図 (a−ラ Y1禽 (り 第 図 X方言 Y方向 手続類1正書(方式) 平成元年7月77日 第 図 ノ5 事件の表示 昭和63年特許願第30491、 発明の名称 マトリックス装置 補正をする者 代 理 人 〒571 [連絡先電話(東京)437−皿+215 補正命令の
日付 東京特許分室] 7、補正の内容 (1)明細書の第6頁第11行目〜第7頁第6行目の全
部を次の通り補正致します(内容に変更なし)。 [次に、レスキュー配線及びTPTのY方向の断面構成
を工程を追って第3図により説明する。 基板6上にまず第3の配線4を形成し1層目の絶縁膜7
で覆う(第3図の(a))。次に、エツチング等により
前記第3の配線4の端部にコンタクト部8を設けるがY
方向の断面構造に変化はみられない(第3図の(b))
。次に、第4の配線9を形成しさらに2層目の絶縁膜7
で覆う(第3図の(C))。 次に、第1の配線を形成しく第3図の(d))さらに3
層目の絶縁膜で覆う(第3図の(e))。次に、前記2
.3層目の絶縁膜7を例えばドライエツチング等により
エツチングして前記第4の配線端部にフンタクトウィン
ドウ8を設ける(第3図の(f)−f)。その後のTP
T形成工程において第2の配線2群を形成する際には第
4の配線と個々に接続する(第3図の(g))。」 (2)図面の第3図を別紙の通り補正致します。 第 図 Y1禽 第 図 Y左向
FIGS. 1(A), (B), and (C) are a plan view and a cross-sectional view in the X direction and the X direction of the three-dimensional rescue formation of a liquid crystal display device in an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is the same embodiment. Figure 3 is a process diagram showing the cross-sectional structure in the X direction of the same example.
FIG. 4 is a plan view of secondary rescue formation of a liquid crystal display device in a conventional example. ■...First wiring for transmitting scanning signals, 2...
Second wiring for transmitting display signals, 3...drive circuit 4
....Third wiring for rescue, 5..Bonding wire, 6..Substrate, 7..Pa insulating film, 8..
... Contact window, 9... Fourth wiring for rescue. Name of agent: Patent attorney Shigetaka Kurino (1 figure) Indication of 1988 Patent Application No. 30491 Name of the invention Matrix device Agent for the person making the amendment 571 [Contact number (Tokyo) 437-Plate +215 Date of amendment order Tokyo Patent Office] 7. Contents of amendment (1) We will correct everything from page 6, line 11 to page 7, line 6 of the specification as follows (no change in content). [Next, the cross-sectional configuration of the rescue wiring and TPT in the Y direction This will be explained with reference to FIG. 3. First, the third wiring 4 is formed on the substrate 6, and then the first layer of insulating film 7 is formed.
((a) in Figure 3). Next, a contact portion 8 is provided at the end of the third wiring 4 by etching or the like.
There is no change in the cross-sectional structure in the direction ((b) in Figure 3).
. Next, a fourth wiring 9 is formed and a second insulating film 7 is formed.
((C) in Figure 3). Next, the first wiring is formed (Fig. 3(d)).
It is covered with a second insulating film ((e) in FIG. 3). Next, the above 2
.. The third layer insulating film 7 is etched, for example, by dry etching to provide a touch window 8 at the end of the fourth wiring ((f)-f in FIG. 3). Later TP
When forming the second two groups of wirings in the T formation process, they are individually connected to the fourth wirings ((g) in FIG. 3). (2) Figure 3 of the drawing will be corrected as shown in the attached sheet. Figure Y1 Bird Figure Y Leftward

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数本の第1の配線群と複数本の第2の配線群が
互いに交差して成るマトリックス動作部を有する装置に
おいて、前記第1の配線群と前記第2の配線群のそれぞ
れが、絶縁膜を介して設けられた第3の配線群と第4の
配線群にて二重構造に構成されていることを特徴とする
マトリックス装置。
(1) In a device having a matrix operation section in which a plurality of first wiring groups and a plurality of second wiring groups cross each other, each of the first wiring group and the second wiring group A matrix device characterized in that it has a double structure with a third wiring group and a fourth wiring group provided through an insulating film.
(2)第1の配線群と第2の配線群をあらかじめ第3、
第4の配線群と接続して信号の迂回を可能としたことを
特徴とする請求項1記載マトリックス装置。
(2) The first wiring group and the second wiring group are connected to the third wiring group in advance.
2. The matrix device according to claim 1, wherein the matrix device is connected to the fourth wiring group to enable signal detour.
(3)走査信号を伝達する第1の配線群と、表示信号を
伝達する第2の配線群がXYマトリックス状に配置され
、前記第1の配線群と前記第2の配線群の交点に対応し
てスイッチング素子を配した第1の基板と、これと対向
する第2の基板との間に液晶を挟持して成ることを特徴
とする請求項1叉は2記載のマトリックス装置を用いた
液晶表示装置。
(3) A first wiring group for transmitting scanning signals and a second wiring group for transmitting display signals are arranged in an XY matrix, and correspond to the intersections of the first wiring group and the second wiring group. A liquid crystal using a matrix device according to claim 1 or 2, characterized in that the liquid crystal is sandwiched between a first substrate on which a switching element is disposed and a second substrate opposing the first substrate. Display device.
(4)スイッチング素子が非晶質シリコンを半導体層と
して用いた薄膜トランジスタであることを特徴とする請
求項3記載の液晶表示装置。
(4) The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the switching element is a thin film transistor using amorphous silicon as a semiconductor layer.
JP63304912A 1988-12-01 1988-12-01 Matrix device Pending JPH02150822A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04280226A (en) * 1991-03-08 1992-10-06 Nec Corp Thin film transistor element array and driving method thereof

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