JPH02146682A - Method and device for inspecting pattern defect - Google Patents

Method and device for inspecting pattern defect

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JPH02146682A
JPH02146682A JP63301898A JP30189888A JPH02146682A JP H02146682 A JPH02146682 A JP H02146682A JP 63301898 A JP63301898 A JP 63301898A JP 30189888 A JP30189888 A JP 30189888A JP H02146682 A JPH02146682 A JP H02146682A
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JP
Japan
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pattern
inspection
defect
comparison
circuit
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JP63301898A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Aoyama
青山 喜行
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NSK Ltd
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NSK Ltd
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Abstract

PURPOSE:To efficiently detect a true defect in an inspection pattern by setting an inspection object part and a non-inspection part according to the inspection pattern and forming a comparison pattern for masking the non-inspection part. CONSTITUTION:The inspection object part and the non-inspection part are set according to the inspection pattern, the first comparison pattern A for masking the non-inspection part is formed, the first comparison pattern is A is compared with the inspection pattern B, and the difference information obtained by the comparison is taken out as the first defect information C. Further, the second comparison pattern D for setting a defect allowable area to the first defect information is formed based on the first comparison pattern A, and the first defect information C existing in an area except the defect allowable area is detected as the defect. Thus, only the true defect in the inspection pattern can be efficiently detected.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、図形や配線パターンの欠陥を判定するパター
ン欠陥検査方法及び装置に関し、特に被検査パターンを
マスクパターンと比較することにより欠陥部を検出する
パターン欠陥検査方法及び装置に関する。
Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a pattern defect inspection method and apparatus for determining defects in figures and wiring patterns, and in particular to a pattern defect inspection method and apparatus for determining defects in figures and wiring patterns, and in particular, detecting defects by comparing a pattern to be inspected with a mask pattern. The present invention relates to a pattern defect inspection method and apparatus for detecting pattern defects.

(従来の技術) 配線パターンの欠け、突起等の欠陥を検出する欠陥検査
装置として、被検査物上の検査パターンと、欠陥のない
配線パターン(以下「マスタパターン」という)とを夫
々撮像装置により映像信Uに変換し、その映像信号を2
値化して江いに対応する各々の2値化信号を比較Jるこ
とにより欠陥を検出するようにしたものが従来より提案
されている(例えば特開昭62−272379号公報)
(Prior art) As a defect inspection device that detects defects such as chips and protrusions in wiring patterns, an inspection pattern on an object to be inspected and a wiring pattern without defects (hereinafter referred to as "master pattern") are each detected using an imaging device. Convert the video signal to 2
It has been proposed in the past to detect defects by converting into values and comparing the respective binarized signals corresponding to the values (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-272379).
.

この従来の検査装置によれば、検査パターン又はマスク
パターンのいずれか一方を第6図に示すように拡大及び
縮小して各々の輪郭線を抽出しく第6図の一点鎖線が拡
大したパターンの、破線が縮小したパターンの輪郭線を
示す)、拡大されたパターンの輪郭線1−に配線パター
ンがある(同図Pの部分)とき、及び縮小されたパター
ンの輪郭線」−に基オ」部(即ち、配線パターン以外の
部分)がある(同図Qの部分)とき、これら6月)、Q
のフォI・ブロック用データをマスタパターンデータと
して使用して検査パターンとの比較を行うのが効率的で
あるが、通常このフォトブロック用データには部品押入
用の穴が含まれていない。−・方CADによらずに段別
されたプリント基板作成用のマスクフィルムから読み込
まれたマスクパターンデータには部品押入用の穴が含ま
れている。また、被検査物の方も穴あり前のものである
場合と、穴あけ後のものである場合とがあるので、」1
記ケース■〜■の4通りの場合が発生ずるのである。
According to this conventional inspection apparatus, either the inspection pattern or the mask pattern is enlarged and reduced as shown in FIG. 6 to extract the respective outlines. (The broken line indicates the outline of the reduced pattern), when there is a wiring pattern on the outline 1- of the enlarged pattern (portion P in the same figure), and when there is a wiring pattern on the outline 1- of the enlarged pattern, and when there is a wiring pattern on the outline 1- of the reduced pattern, (i.e., parts other than the wiring pattern) (part Q in the same figure), these June), Q
It is efficient to use the photo block data as master pattern data for comparison with the inspection pattern, but normally this photo block data does not include holes for inserting parts. - Mask pattern data read from a mask film for producing a printed circuit board that is divided into stages without using CAD includes holes for inserting parts. In addition, there are cases where the object to be inspected is before the holes are made, and there are cases where it is after the holes are drilled.
Four cases (cases ① to ①) occur.

一方、上述の従来の欠陥検査装置は、検査パターンとマ
スクパターンとが欠陥部分以外は路間−・であることを
前提としているため、上記ケース11の場合には本来欠
陥でない部品挿入用の穴を欠陥と誤判定したり、ケース
I11の場合には穴あけ前の基板であって穴がないのが
正常であるのに、穴がないことを欠陥と誤判定するとい
う問題が発生ずる。
On the other hand, the above-mentioned conventional defect inspection apparatus assumes that the inspection pattern and the mask pattern have a gap between the parts other than the defective part. In case I11, the absence of holes is incorrectly determined to be a defect even though it is normal for the board to have no holes in the board before drilling.

本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
であり、配線パターンとしての機能を損部分を欠陥と判
定する。これにより、拡大又は縮小された輪郭線にかか
らないような小さな欠陥は検出されず、比較的大きな欠
陥のみ検出される。
The present invention has been made to solve such problems, and a portion that loses its function as a wiring pattern is determined to be a defect. As a result, small defects that do not fall within the enlarged or reduced contour line are not detected, and only relatively large defects are detected.

(発明が解決しようとする課題) 実際のパターン欠陥検査時には、検査パターン又はマス
クパターンに部品挿入用の穴が有る場合と無い場合があ
るため、それらの組合わゼによって以下の4通りのケー
スが発生ずる。
(Problem to be solved by the invention) During actual pattern defect inspection, the inspection pattern or mask pattern may or may not have a hole for inserting a component, so depending on the combination of these, the following four cases may occur. Occurs.

ケース■・検査パターン及びマスクパターンの双方に穴
がある場合 ケース■・検査パターンに穴があり.マスタパターンに
穴がない場合 ケースIJI・・・検査パターンに穴がなく.マスタパ
ターンに穴がある場合 ケース■・・検査パターン及びマスクパターンの双方に
穴がない場合 例えば、コンピュータエイデツドデザイン(以下r C
A、 D J という)によって段別されたパターンの
場合、股引時点でフ−Ai・ブロック用データ(2値化
されたデータ)が作成されるので、このなうことのない
小さな凹凸は検出しないようにすると共に、検査パター
ン又はマスクパターンにおりる部品挿入用穴の有無に拘
らず、検査パターンの真の欠陥のみを効率よく検出する
ことができるパターン欠陥検査方法及び装置を提供する
ことを目的とする。
Case ■: There is a hole in both the inspection pattern and the mask pattern Case ■: There is a hole in the inspection pattern. If there are no holes in the master pattern, Case IJI: There are no holes in the inspection pattern. When there is a hole in the master pattern Case ■: When there is no hole in both the inspection pattern and the mask pattern For example, when there is a hole in the master pattern
In the case of a pattern divided by steps (referred to as A, D J), data for the Fu-Ai block (binarized data) is created at the time of crotch pulling, so small irregularities that will never occur are not detected. It is an object of the present invention to provide a pattern defect inspection method and apparatus that can efficiently detect only true defects in an inspection pattern, regardless of the presence or absence of a component insertion hole in the inspection pattern or mask pattern. shall be.

(課題を解決するための手段) 」―記目的を達成するため本発明は.マスタパターンと
、撮像手段によって被検査物上にある検査パターンを2
値化した情報とを比較し、該比較結果に基づいて検査パ
ターンの欠陥判定を行うパターン欠陥検査方法において
、検査パターンに応じて検査対象部分と非検査部分とを
設定し、非検査部分をマスクするための第1の比較パタ
ーンを形成し、該第1の比較パターンと検査パターンと
を比較してその差分情報を第1の欠陥情報として取り出
すと共に、前記第1の比較パターンに基づいて前記第1
の欠陥情報に欠陥許容領域を設定するための第2の比較
パターンを形成し、該欠陥許容領域以外の領域にある前
記第1の欠陥情報を欠陥として検出するようにしたり.
マスタパターンと、撮像手段によって被検査物−ににあ
る検査パターンを2値化した情報とを比較し、該比較結
果に基づいて検査パターンの欠陥判定を行うパターン欠
陥検査装置において、検査パターンに応じて検査り・1
象部分と非検査部分とを設定し、非検査部分をマスクす
るための第1の比較パターンを形成する第1の比較パタ
ーン形成手段と、該第1の比較パターンと検査パターン
とを比較してその差分情報を第1の欠陥情報として取り
出す第1の欠陥情報発生手段と、前記第1の比較パター
ンに基づいて01j記第1の欠陥情報に欠陥許容領域を
設定するための第2の比較パターンを形成する第2の比
較パターン形成手段と、該欠陥許容領域以外の領域にあ
る前記第1の欠陥情報を欠陥として検出する第2の欠陥
情報発生手段とを殴りたりしたものである。
(Means for Solving the Problems)"--In order to achieve the above objects, the present invention. The master pattern and the inspection pattern on the object to be inspected are captured by the imaging means.
In a pattern defect inspection method that compares the converted information and determines the defect of the inspection pattern based on the comparison result, a portion to be inspected and a non-inspection portion are set according to the inspection pattern, and the non-inspection portion is masked. A first comparison pattern is formed to compare the first comparison pattern and the inspection pattern, and the difference information is extracted as first defect information. 1
A second comparison pattern is formed to set a defect tolerance area in the defect information of the defect information, and the first defect information located in an area other than the defect tolerance area is detected as a defect.
In a pattern defect inspection device that compares a master pattern with information obtained by binarizing an inspection pattern on an object to be inspected using an imaging means and determines defects in the inspection pattern based on the comparison results, Inspection 1
a first comparison pattern forming means for setting an image area and a non-inspection area and forming a first comparison pattern for masking the non-inspection area; and comparing the first comparison pattern and the inspection pattern. a first defect information generating means for extracting the difference information as first defect information; and a second comparison pattern for setting a defect tolerance area in the first defect information described in 01j based on the first comparison pattern. and the second defect information generating means that detects the first defect information in an area other than the defect tolerance area as a defect.

(作用) 第1の比較パターンによっ°C部品押入用の穴がマスク
され、第2の比較パターンによって設定される欠陥許容
領域以外の領域にある欠陥のみ検出データ(以下「穴デ
ータ」という)とが記憶されており、第1のCPUから
の指令によりマスクパターンデータはマスクパターン発
生回路5に、穴データはパッドパターン発生回路6に夫
々供給される。」1記マスタパターンデータとしては、
例えばCADによるフォトブロック用パターンデータ、
あるいは基板作成用のマスクフィルムから読み込んだパ
ターンデータが用いられる。なお、通常OA+)で作成
されたパターンデータにはl’fli品押入用の穴がデ
ータとして含まれていないのに対し、マスクフィルムか
ら読み込んだパターンデータには部品押入用の穴がデー
タとして含まれている。
(Function) The hole for pushing the °C component is masked by the first comparison pattern, and only defects detected in areas other than the defect tolerance area set by the second comparison pattern are detected (hereinafter referred to as "hole data") The mask pattern data is supplied to the mask pattern generation circuit 5, and the hole data is supplied to the pad pattern generation circuit 6 according to a command from the first CPU. ” 1. As master pattern data,
For example, CAD pattern data for photo blocks,
Alternatively, pattern data read from a mask film for substrate production is used. Note that the pattern data created with OA+ does not include holes for inserting l'fli products as data, whereas the pattern data read from the mask film includes holes for inserting parts as data. It is.

マスクパターン発生回路5は、前記外部記憶装置2に記
憶されているマスタパターンデータがメモリ容量節約の
ため圧縮されているので、これを復調する(圧縮されて
いない状態にもどす)ための回路であり、データが書き
込んだ順に読み出される第1のメモリ(いわゆるファー
ストインファーストアウ1〜メモリ、以下rF IFO
メモリjという)51と、第2のCP U 52と、圧
縮データされる。
The mask pattern generation circuit 5 is a circuit for demodulating (returning to an uncompressed state) the master pattern data stored in the external storage device 2, which is compressed to save memory capacity. , a first memory (so-called first-in-first-out memory, hereinafter referred to as rF IFO) from which data is read in the order in which it is written.
The compressed data is stored in the memory j) 51 and the second CPU 52.

(実施例) 以下本発明の一実施例を添イ」図面に基づいて説明する
(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below based on the accompanying drawings.

第1図は、本発明に係るパターン欠陥検査装置主要部の
ブロック構成図であり、同図中1は第1の中央演算装置
(以下r CP tJ Jという)であり、パスライン
4を介して外部記憶装置2と.マスタパターン発生回路
5と、パッドパターン発生回路6とに接続され、更に第
1と第2の同期遅延回路10.15及び被検査基板を搭
載するX、−Yテーブル(図示せず)の駆動装置3に接
続されている。
FIG. 1 is a block diagram of the main parts of the pattern defect inspection apparatus according to the present invention. In the figure, 1 is a first central processing unit (r CP tJ J), External storage device 2 and . A drive device for an X, -Y table (not shown) connected to the master pattern generation circuit 5 and the pad pattern generation circuit 6, and further mounting the first and second synchronous delay circuits 10.15 and the substrate to be inspected. Connected to 3.

第1のCPUは、外部記憶装置2に記憶されているパタ
ーンデータの.マスタパターン発生回路5及びパッドパ
ターン発生回路6への転送(書き込み)制御、同期遅延
回路10,1.5によるパターンデータのタイミング制
御、及びパターンデータに基づ<x−yテーブル位置制
御を行う。外部記憶装置2には、パターンデータとして
.マスタパターンデータと、部品挿入用の穴位置及び穴
径の復調用I C53と、第1の補助メモリ54と、第
2のFIFOメモリ55とにより構成される。ここで、
WRは書き込み指令、R1つは読み出し指令。
The first CPU stores the pattern data stored in the external storage device 2. Transfer (write) control to the master pattern generation circuit 5 and pad pattern generation circuit 6, timing control of pattern data by the synchronous delay circuits 10 and 1.5, and <xy table position control based on the pattern data are performed. The external storage device 2 stores pattern data. It is composed of master pattern data, an IC 53 for demodulating hole positions and hole diameters for component insertion, a first auxiliary memory 54, and a second FIFO memory 55. here,
WR is a write command, R1 is a read command.

IN丁は割込み信号を示しており、割込み信号■NTは
FIFOメモリにおけるデータ転送の遅れ、あるいはエ
ラーの発生を第1のCPUに知らせるための信号である
IN indicates an interrupt signal, and interrupt signal NT is a signal for notifying the first CPU of a delay in data transfer in the FIFO memory or the occurrence of an error.

第1のFIFOメモリ51には、前記外部記憶装置2か
らのマスタパターンデータが第1のCPUの書き込み指
令に基づいて入力され、該マスクパターンデ・−夕は圧
縮データ復調用IC53からの読み出し指令に応じて該
IC53に入力される。
Master pattern data from the external storage device 2 is input to the first FIFO memory 51 based on a write command from the first CPU, and the mask pattern data is input to the first FIFO memory 51 based on a read command from the compressed data demodulation IC 53. The signal is input to the IC 53 according to the following.

圧縮データ復調用IC53は、第2のCPU52及び第
1の補助メモリ54に接続されており、第2のC))U
52の指令に基づいて、第1の補助メモリ54を用いて
入力された圧縮パターンデータを復調し、該復調したパ
ターンデータを第2のFIFOメモリ55に入力する。
The compressed data demodulation IC 53 is connected to the second CPU 52 and the first auxiliary memory 54, and the second C)) U
52, the input compressed pattern data is demodulated using the first auxiliary memory 54, and the demodulated pattern data is input to the second FIFO memory 55.

この第2のFIFOメモリ55の出力がマスクパターン
発生回路5の出力、即ちマスクパターンデータとして、
第1のυ1他曲論理和回路(以下r IE X −OR
回路」という)に入力される。
The output of this second FIFO memory 55 is the output of the mask pattern generation circuit 5, that is, as mask pattern data.
The first υ1 other music OR circuit (hereinafter r IE
circuit).

パッドパターン発生回路6は、前記穴データに基づいて
部品挿入用の穴位置を中心とした所定領域に対応するパ
ッドパターン(後述する第3図(a)の(ロ)参照)を
発生ずる回路であり、第3のFIFOメモリ61と、第
3のCI)U62ど、グラフィックデイスプレィコンI
・ローラ63と、第2の補助メモリ64と、第4のF■
Foメモリ65とにより構成される。
The pad pattern generation circuit 6 is a circuit that generates a pad pattern (see (b) of FIG. 3(a) to be described later) corresponding to a predetermined area centered on the hole position for inserting the component based on the hole data. Yes, there is a third FIFO memory 61, a third CI) U62, etc., a graphic display controller I
・Roller 63, second auxiliary memory 64, and fourth F■
FO memory 65.

第3のFIFOメモリ61には、0;I配性部記憶装置
2からの穴データが第1のCPUの書き込み指令に基づ
いて入力され、該穴データは第3のCPU62の読み出
し指令ににリグラフイックデイスプレィコントローラ6
3に入力される。第3のCPU62は、第3のFIFO
メモリ61から出力される穴データを千二りして該穴デ
ータの読み出し及びグラフィックデイスプレィコントロ
ーラ63への書き込みを制御する。グラフィックデイス
プレィコントローラ63は、穴データとグラフ小処理等
を行ってパターンの欠陥検出を行わない領域(欠陥許容
領域、以下「マスク領域」という)のパターンを発生ず
る回路であり、拡大/縮小の度合に応じた数Noのライ
ンメモリ91と、マスク領域決定回路92とにより構成
される。第1番目のラインメモリ9]の入力側には、前
記ウィンドウ処理回路8の出力側が接続され、第1番目
のラインメモリ91の入力側には第(i−1)番1」の
ラインメモリ91の出力側が接続され(ただし、1−2
〜No)、すべてのラインメモリ91の出力側はマスク
領域決定回路92に接続されている。
The hole data from the 0; Graphic display controller 6
3 is input. The third CPU 62 uses a third FIFO
The hole data outputted from the memory 61 is divided into 1,200, and reading and writing of the hole data to the graphic display controller 63 is controlled. The graphic display controller 63 is a circuit that generates a pattern in an area where pattern defects are not detected (defect tolerance area, hereinafter referred to as "mask area") by performing hole data and graph minor processing, etc. It is constituted by a number of line memories 91 according to the degree and a mask area determination circuit 92. The output side of the window processing circuit 8 is connected to the input side of the first line memory 9, and the (i-1)th line memory 91 is connected to the input side of the first line memory 91. The output side of is connected (however, 1-2
~No), the output sides of all line memories 91 are connected to a mask area determining circuit 92.

マクス領域決定回路92は、ラインメ干り91からの入
力データに基づいてマスク領域を決定し、マスクパター
ンデータ(第2の比較パターンデータ)としてマスク回
路16に入力する。
The mask area determining circuit 92 determines a mask area based on input data from the line meter 91, and inputs the determined mask area to the mask circuit 16 as mask pattern data (second comparison pattern data).

0(J記第1の同期遅延回路10は、前記ウィンドウ処
理回路8の出力データと、後述する被検査基板」二の検
査パターンデータとの同期をとるための遅延回路であり
、前記第1のCPIJにより制御される。この第1の同
期遅延回路1.0の出力データイックデイスプレィ」−
に設定されるパッド形状(オペレータが前記ケースI〜
IVに応じて設定する)と基づいて、第2の補助メモリ
64を用いてパッドパターンデータを作成し、該作成デ
ータを第4のFl、FOメモリに入力する。第4のFT
FOメ干りの出力が、パットパターン発生回路6の出力
、即ちパッドパターンデータとして前記EXOR回路7
に入力される。
0 (J) The first synchronization delay circuit 10 is a delay circuit for synchronizing the output data of the window processing circuit 8 and the inspection pattern data of the board to be inspected, which will be described later. The output data display of this first synchronous delay circuit 1.0 is controlled by CPIJ.
(The operator can set the pad shape to
(set according to IV), pad pattern data is created using the second auxiliary memory 64, and the created data is input into the fourth Fl, FO memory. 4th FT
The output of the FO key is output from the pad pattern generation circuit 6, that is, the EXOR circuit 7 as pad pattern data.
is input.

E X −OR回路7は、2つの入力データ、即ちマス
クパターンデータとパッドパターンデータとの4J1他
的論理和演算を行い、該演算結果をウィンドウ切換装置
Sを介してウィンドウ処]’!ljN路8に入力する。
The E ljN path 8.

ウィンドウ切換装置Sは第1のCPU]からの指令によ
り、パターンデータをウィンドウ処理回路8に入力せず
に、バイパス回路S′側に切換える装置である。ウィン
ドウ処理回路8は、後述するウィンドウ処理を行い、そ
の出力データをマスクパターン発生回路9及び第1の同
期遅延回路10に入力する。
The window switching device S is a device that switches pattern data to the bypass circuit S' side without inputting the pattern data to the window processing circuit 8 in response to a command from the first CPU. The window processing circuit 8 performs window processing, which will be described later, and inputs its output data to the mask pattern generation circuit 9 and the first synchronous delay circuit 10.

マスクパターン発生回路9は、後述の拡大/縮は、第1
の比較パターンデータとして第2のEX○R回路14に
入力される。
The mask pattern generation circuit 9 performs the expansion/reduction described later in the first
The data is input to the second EX○R circuit 14 as comparison pattern data.

CCI)カメラ11は、X−Yテーブル」二の被検査基
板」二のパターンを光学信号として検出して電気信号に
変換し、検査パターンデータとして感度補正回路12に
入力する。感度補正回路12は検査パターンデータ(ア
ナログ信号)の1ノベル補正を行い、該補正した検査パ
ターンデータを2値化回路13に入力する。2値化回路
13は、入力された検査パターンデータを2値化信号(
本実施例では被検査基板の配線パターン部を値O1基月
部を値1とする信号)に変換し、該2値化された検査パ
ターンデータを前記第2のEX−OR回路I4に入力す
る。
The CCI) camera 11 detects the second pattern of the X-Y table "substrate to be inspected" 2 as an optical signal, converts it into an electrical signal, and inputs it to the sensitivity correction circuit 12 as inspection pattern data. The sensitivity correction circuit 12 performs one-novel correction on the test pattern data (analog signal) and inputs the corrected test pattern data to the binarization circuit 13 . The binarization circuit 13 converts the input inspection pattern data into a binarization signal (
In this embodiment, the wiring pattern portion of the board to be inspected is converted into a signal whose value is O1 (signal whose base portion is set to value 1), and the binarized inspection pattern data is input to the second EX-OR circuit I4. .

第2 (7) IE X−OR回路14は、2つの入力
データ、即ち前記第1の比較パターンデータと検査パタ
ーンデータとの刊他的論理和演算を行い、該演算結果を
第1の欠陥情報として第2の同期遅延回路j5を介して
マスク回路1Gに人力する。第2の同期遅延回路15は
、前記マスクパターン発生回路9からのマスクパターン
データと、第1の欠陥情報、即ち第2のEX−OR回路
I4の出力データとの同期をとるための遅延回路であり
、前記第1のCI) Uにより制御される。マスク回路
16は、2つの入力データ、即ちマスクパターンデータ
と第1の欠陥情報との論理積演算を行い、該演算結果を
最終的な欠陥情報(第2の欠陥情報)として出力する。
The second (7) IE The signal is input manually to the mask circuit 1G via the second synchronous delay circuit j5. The second synchronization delay circuit 15 is a delay circuit for synchronizing the mask pattern data from the mask pattern generation circuit 9 and the first defect information, that is, the output data of the second EX-OR circuit I4. Yes, and controlled by the first CI) U. The mask circuit 16 performs an AND operation on two input data, that is, mask pattern data and first defect information, and outputs the result of the operation as final defect information (second defect information).

本実施例においては、CCDカメラ11.感度補正回路
12.及び2値化回路13により撮像手段が構成され、
第1のCI” U ] 、外部記憶装置2゜マスクパタ
ーン発生回路5.パッドパターン発生回路6.第1のE
X−OR回路7.及びウィンドウ処理回路8により第1
の比較パターン形成手段が構成され、第jのCPUI、
第1の同期遅延回路10.及び第2のE X、 −01
丈回路1/lにより第1の欠陥情報発生手段が構成され
.マスタパターン発生回路9により第2の比較パターン
形J戊手段が構成され、第1のcpu、第2の同期遅延
回路15、及びマスク回路1Gにより第2の欠陥情報−
ンを示す図であり、第3図中の(イ)〜(ル)は第1図
、第2図において同じ符号をイ」シた箇所に対応する。
In this embodiment, the CCD camera 11. Sensitivity correction circuit 12. and the binarization circuit 13 constitute an imaging means,
1st CI”U], external storage device 2° mask pattern generation circuit 5. pad pattern generation circuit 6. 1st E
X-OR circuit 7. and the window processing circuit 8
The comparison pattern forming means is configured, and the j-th CPUI,
First synchronous delay circuit 10. and the second EX, -01
The length circuit 1/l constitutes a first defect information generating means. The master pattern generating circuit 9 constitutes a second comparison pattern forming means, and the first CPU, the second synchronization delay circuit 15, and the mask circuit 1G generate the second defect information.
(A) to (R) in FIG. 3 correspond to the same reference numerals in FIGS. 1 and 2. FIG.

尚、第3図中クロスハツチで示した部分(以下「黒の部
分」という)が2値データの値1に、それ以外の部分(
以下「白の部分」という)が値Oに夫々対応する。
In addition, the part indicated by the cross hatch in Fig. 3 (hereinafter referred to as the "black part") has the value 1 of the binary data, and the other part (
(hereinafter referred to as "white parts") correspond to the value O, respectively.

第3図(a)は、前述のケース■、即ちマスクパターン
及び検査パターンの双方に部品押入用の穴がある場合の
例を示している。この場合、パッドパターンとして同図
(ロ)に示ずような白黒市松模様のパターンが前記穴デ
ータに基づいて作成され(パッドパターン発生回路6)
、該パッドパターン(ロ)と.マスタパターン発生回路
5からのマスクパターン(イ)との排他的論理和41(
算(以下rEX−OR演算」という)が行われる(第1
のEX−OR回路7)、、Z(7)EX−OR演算は、
(1,])又は(0,0)の入力に対しては値Oを、(
L、O)又は(0,l)の入力に対しては値1を出力す
る演算、即ら2つの入カバターンの異なる部分を値1と
して出力する演算であ発生手段が構成される。
FIG. 3(a) shows an example of the above-mentioned case (2), that is, a case where both the mask pattern and the inspection pattern have holes for inserting parts. In this case, a black and white checkered pattern as shown in the same figure (b) is created as a pad pattern based on the hole data (pad pattern generation circuit 6).
, the pad pattern (b) and . Exclusive OR 41 (
(hereinafter referred to as rEX-OR operation) is performed (first
The EX-OR circuit 7), Z(7) EX-OR operation is
For inputs of (1,]) or (0,0), set the value O to (
The generating means is constituted by an operation that outputs a value 1 for inputs of L, O) or (0, l), that is, an operation that outputs different parts of two input patterns as a value 1.

尚第1図中の符号(イ)〜(ニ)、(チ)〜(ル)は、
後述する第2図及び第3図中の同じ符号に対応するもの
である。
In addition, the symbols (a) to (d) and (ch) to (l) in Figure 1 are as follows:
These correspond to the same reference numerals in FIGS. 2 and 3, which will be described later.

次に第2図及び第3図を参照して、第1図のパターン欠
陥検査装置の作用を説明する。第2図は第1図のパター
ン欠陥検査装置におしづるデータ処理内容を示すブロッ
ク図であり、各ブロックには第1図中の対応する符号を
イ」シである。マスクパターン発生回路9の拡大処理回
路901及び縮小処理回路902は、ラインメモリ91
とマスク領域決定回路92の一部により構成され、第3
のIEXOR回路903と反転回路90/Iとはマスク
領域決定回路92に含まれている。拡大処理回路901
及び縮小処理回路902の出力データは、第3のEX−
OR回路903に入力され、該第3のEX−OI史回路
903の出力データか反転回路904により反転されて
マスクパターンデータとして出力される。第3図は、部
品挿入用の穴を含む典型的な配線パターン例の欠陥を検
出する場合の、第2図各部におけるパタる。本実施例に
おいては、黒の部分を値1に、白の部分を値Oに夫々対
応させているので、このEX=OR演算の結果、(黒、
黒)又は(白、白)の部分は白、(白、黒)の部分は黒
となって同図(ハ)のパターンが得られる。
Next, the operation of the pattern defect inspection apparatus shown in FIG. 1 will be explained with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a block diagram showing the contents of data processing sent to the pattern defect inspection apparatus of FIG. 1, and each block is indicated by the corresponding reference numeral in FIG. 1. The enlargement processing circuit 901 and the reduction processing circuit 902 of the mask pattern generation circuit 9 are connected to the line memory 91.
and a part of the mask area determination circuit 92, and the third
The IEXOR circuit 903 and the inversion circuit 90/I are included in the mask area determination circuit 92. Enlargement processing circuit 901
The output data of the reduction processing circuit 902 is
The data is input to an OR circuit 903, and the output data of the third EX-OI history circuit 903 is inverted by an inversion circuit 904 and output as mask pattern data. FIG. 3 shows the patterns in each part of FIG. 2 when detecting a defect in a typical example wiring pattern including a hole for inserting a component. In this example, since the black part corresponds to the value 1 and the white part corresponds to the value O, the result of this EX=OR operation is (black,
The pattern (c) in the same figure is obtained, with the part (black) or (white, white) being white, and the part (white, black) being black.

次に、第1図のウィンドウ切換装置Sを第1のCPUI
の指令によりウィンドウ処理回路8側に連結し、同図(
ハ)のB部、即ちパッドパターン部のみウィンドウ処理
を行い、第1の比較パターン(ニ)を得る。第4図はこ
のウィンドウ処理の原理を示す図であり、ウィンドウ処
理回路8は例えば3つのラインメモリ401と、3×3
画素分の2次元メモリ402と、論理和回路403とに
より構成される。ラインメモリ401は、パターンデー
タ信号の横方向(即ち、CC])カメラ11の走査方向
)の画素数と同数の記憶素子からなり、所定の同期信号
に同期してパターンデータが入力側(左端)から出力側
(右端)に順次移動していく。各ラインメモリ401か
ら出力されるパターンデータはその段の2次元メモリ4
02及び次の段のラインメモリ401に入力される。2
次元メモリ402は、3×3画素の2次元パターンを記
憶するもので、ラインメモリ401からの画素毎のパタ
ーンデータを、前記同期漬けに同期して左から右へ順次
移動していくことにより、2次元パターンを3×3画素
の大きさで順次格納する。論理和演算回路403は、2
次元メモ1月02の全画素データの論理和演算を行い、
全画素白(値O)のときのみ白を出力し、1つでも黒(
値J)の画素があるときには黒を出力する。従って、3
×3画素の範囲内で白と黒の画素が混在する場合、3×
3画素すべて黒となる。
Next, the window switching device S of FIG. 1 is connected to the first CPU
It is connected to the window processing circuit 8 side by the command of (
Window processing is performed only on part B of c), that is, the pad pattern part, to obtain the first comparison pattern (d). FIG. 4 is a diagram showing the principle of this window processing, and the window processing circuit 8 includes, for example, three line memories 401 and a 3×3
It is composed of a two-dimensional memory 402 for pixels and an OR circuit 403. The line memory 401 is composed of the same number of storage elements as the number of pixels in the horizontal direction (i.e., CC]) (scanning direction of the camera 11) of the pattern data signal, and the pattern data is input to the input side (left end) in synchronization with a predetermined synchronization signal. It sequentially moves from there to the output side (right end). The pattern data output from each line memory 401 is stored in the two-dimensional memory 4 of that stage.
02 and the line memory 401 of the next stage. 2
The dimensional memory 402 stores a two-dimensional pattern of 3×3 pixels, and by sequentially moving the pattern data for each pixel from the line memory 401 from left to right in synchronization with the synchronization process, Two-dimensional patterns are sequentially stored in a size of 3×3 pixels. The OR operation circuit 403 has 2
Perform a logical sum operation on all pixel data of Dimensional Memo January 02,
Outputs white only when all pixels are white (value O), and outputs white only when all pixels are black (value O).
When there is a pixel with value J), black is output. Therefore, 3
If white and black pixels coexist within the range of ×3 pixels, 3 ×
All three pixels become black.

」一連の例は3×3画素の場合であるが、ラインメモリ
の数及び2次元メモリのメモリ容重を増加さセれば任意
のNXN画素の範囲を対象としたウィンドウ処理を行う
ことができる。
The series of examples are for 3×3 pixels, but by increasing the number of line memories and the memory capacity of the two-dimensional memory, window processing can be performed for an arbitrary N×N pixel range.

再び第2図と第3図(a)とを併ゼで参照して、前記第
1の比較パターン(ニ)は、第2のEXOR回路14に
入力され、パターン(す)に示す検査パターンとのEX
−OR演算が行われて、第1の欠陥情報(ヌ)が得られ
る。ここに、検査パ場合には3×3画素の範囲内に1つ
でも黒の画素があれば、3×3画素すべて黒どして出力
されるので、黒の部分が拡大されるのに対し、縮小処理
の場合には3×3画素の範囲内に1つでも白の画素があ
れば、3×3画素すべて自として出力されるので、黒の
部分が縮小される。この拡大/縮小処理も、前記ウィン
ドウ処理と同様に任意のNXN画素を対象とすることが
でき、Nに応じて拡大/縮小の度合が変化するので、検
出したい欠陥の程度(大きさ)に応じてNが設定される
Referring again to FIG. 2 and FIG. 3(a), the first comparison pattern (d) is input to the second EXOR circuit 14, and is combined with the test pattern shown in pattern (su). EX of
-OR operation is performed to obtain first defect information (nu). Here, in the case of inspection, if there is even one black pixel within the 3 x 3 pixel range, all 3 x 3 pixels are output as black, so the black part is enlarged. In the case of reduction processing, if there is even one white pixel within the 3×3 pixel range, all 3×3 pixels are output as self, so the black portion is reduced. This enlarging/reducing process can also target any NXN pixels like the window processing described above, and the degree of enlarging/reducing changes depending on N, so it depends on the degree (size) of the defect you want to detect. N is set.

第3図(a)にもどり、拡大されたパターン(ホ)と縮
小されたパターン(へ)とのEX−OR演算を行う(第
3のEX−OR回路903)ことにより、パターン(I
・)が得られ、更にこれを反転する(反転回路904)
ことによりマスクパターン(第2の比較パターン)(ヂ
)が得られる。
Returning to FIG. 3(a), by performing an EX-OR operation on the enlarged pattern (e) and the reduced pattern (e) (third EX-OR circuit 903),
) is obtained, and this is further inverted (inversion circuit 904)
As a result, a mask pattern (second comparison pattern) (d) is obtained.

次いで、前記第1の比較パターンと検査パターンとの+
?、X、−OR演算により得られた第1の欠陥情報(ヌ
)と、マスフタパターン(チ)との論理積演算が行われ
、最終的な欠陥情報どして第2のターン(す)には、検
出する必要のない(即ち、被検査基板の品質に影響しな
い程度の)比較的小さな欠陥x1〜X4と、検出ずべき
比較的大きな欠陥y1〜y1とがある例を示している。
Next, the + of the first comparison pattern and the test pattern is
? , shows an example in which there are relatively small defects x1 to X4 that do not need to be detected (that is, they do not affect the quality of the substrate to be inspected) and relatively large defects y1 to y1 that should not be detected.

また、第1の欠陥情報(ヌ)の−点鎖線は検査パターン
(す)の輪郭を参考のために示したものであって、実際
には黒部分のみ値lとして出力され、他の部分は値O(
白)として出力される。
In addition, the - dotted chain line of the first defect information (nu) shows the outline of the inspection pattern (su) for reference, and in reality only the black part is output as the value l, and the other parts are Value O(
white).

一方、第1の比較パターン(ニ)は拡大処理回路901
により拡大処理されてパターン(ホ)が得られ、同時に
縮小処理回路902により縮小処理されてパターン(へ
)が得られる。ここで、拡大/縮小とは黒(値1)の部
分を拡大/縮小するという意味であり、第5図にその拡
大/縮小処理回路の原理を示す。
On the other hand, the first comparison pattern (d) is the enlargement processing circuit 901
A pattern (E) is obtained by enlarging the pattern (E), and a pattern (E) is obtained by a reduction processing circuit 902 at the same time. Here, enlarging/reducing means enlarging/reducing the black (value 1) portion, and FIG. 5 shows the principle of the enlargement/reduction processing circuit.

第5図の501.502は夫々第4図の401.402
と同じラインメモリ、2次元メモリであり、拡大出力は
前記ウィンドウ処理と同様に全画素データの論理和演算
によりえられ、縮小出力は全画素データの論理積演算に
より得られる。即ち、拡大処理の欠陥情報(ル)が得ら
れる。この第2の欠陥情報(ル)において、破線はマス
クパターン(チ)の輪郭を、−点鎖線は検査パターン(
す)の輪郭を、また斜線部は欠陥検出領域(マスク領域
以外の領域)を夫々参考のために示すものであって、実
際の欠陥情報としては前記比較的大きな欠陥y1〜y4
と斜線部の重複する領域のパターンが黒(値1)として
出力され、他の領域は白(値O)として出力される。
501 and 502 in Figure 5 are respectively 401 and 402 in Figure 4.
This is the same line memory and two-dimensional memory as in the window processing, and the enlarged output is obtained by a logical sum operation of all pixel data, and the reduced output is obtained by a logical AND operation of all pixel data. That is, defect information (ru) for the enlargement process is obtained. In this second defect information (L), the dashed line represents the outline of the mask pattern (H), and the dashed line represents the inspection pattern (H).
The hatched area shows the defect detection area (area other than the mask area) for reference, and the actual defect information includes the comparatively large defects y1 to y4.
The pattern in the overlapping area of the hatched area is output as black (value 1), and the other areas are output as white (value O).

これにより、被検査基板の品質には影響しない程度の比
較的小さな欠陥x1〜x4はマスクパターン(チ)によ
ってマスクされ、該基板の品質劣化を招く比較的大きな
欠陥y1〜y4は確実に検出しつるので、無用の再検査
時間と労力を軽減し、真の欠陥のみを正確に把握するこ
とができる。
As a result, relatively small defects x1 to x4 that do not affect the quality of the board to be inspected are masked by the mask pattern (h), and relatively large defects y1 to y4 that cause quality deterioration of the board are reliably detected. This allows you to reduce unnecessary re-inspection time and labor and accurately identify only true defects.

以上は第3図(a)において、パッドパターン(ロ)に
ウィンドウ処理を行い、パターン(ニ)を第1の欠陥情
報を得るための第1の比較パターンとした例について述
べたが、次にパッドパターンをそのまま用いる他の実施
例について第7図を用いて以下説明する。
The above has described an example in which the pad pattern (b) in FIG. 3(a) is subjected to window processing and the pattern (d) is used as the first comparison pattern to obtain the first defect information. Another embodiment in which the pad pattern is used as it is will be described below with reference to FIG.

第7図は第3図(a)と同様ケース■、即ぢマスタパタ
ーン及び検査パターンの両方に部品挿入用の穴がある場
合において、第1図のウィンドウ切換装置Sを第1のC
I) U ]の指令によりバイパス回路S′側に連結し
たときの処理内容を示している。第7図の(ハ)の状態
までの処理は第3図(a)の(ハ)までの処理と同様で
あるが、第7図において(J、パターン(ハ)を第1の
欠陥情報を得るための第1の比較パターンとして、検査
パターン(す)どのEX−OR演算が行われる。その結
果、第1の欠陥情報としてパターン(ヌ)が得られる。
Figure 7 shows the same case as Figure 3(a) in Case 2, where both the master pattern and the inspection pattern have holes for inserting parts, and the window switching device S in Figure 1 is moved to the first C.
I) U] shows the processing contents when connected to the bypass circuit S' side. The processing up to the state (c) in FIG. 7 is the same as the processing up to (c) in FIG. 3(a), but in FIG. EX-OR operation is performed on the inspection pattern (su) as the first comparison pattern to obtain the defect information.As a result, the pattern (nu) is obtained as the first defect information.

一方、パターン(ハ)は拡大処理回路901により拡大
されパターン(ホ)が得られ、同時に縮小回路902よ
り縮小処理されパターン(へ)カリ)られる。
On the other hand, the pattern (C) is enlarged by the enlargement processing circuit 901 to obtain the pattern (E), and at the same time, the pattern (C) is subjected to reduction processing by the reduction circuit 902 and the pattern (E) is obtained.

次に拡大されたパターン(ホ)と縮小されたパターン(
へ)とのE X −OR演算を行う(第3のEX−01
又回路903)ことによりパターン(1・)が得られ、
更にこれを反転する(反転回路904)こと径が拡大し
、縮小パターン(へ)ではすべて自となり、その直径が
縮小する。このようにパッドパターンに市松状の縞模様
パターンを用いれば、穴部周辺の欠陥のマスクIJ法を
、任意に選ぶことができる。
Next, the enlarged pattern (E) and the reduced pattern (
Perform EX-OR operation with (3rd EX-01
In addition, pattern (1.) is obtained by circuit 903),
Furthermore, by inverting this (inversion circuit 904), the diameter is expanded, and in the reduced pattern (to), all the patterns become self, and the diameter is reduced. If a checkered striped pattern is used as the pad pattern in this way, the mask IJ method for defects around the hole can be arbitrarily selected.

第3図(b)は、前記ケースIJ、即ら、部品挿入用の
穴がマスクパターンにはなく、被検査基板にはある場合
の一例を示している。この場合は、同図(ロ)に示すパ
ッドパターンを用いてマスクパターン(イ)とのE X
 ”= OR演算が行われ、該演算結果(ハ)のB部を
ウィンドウ処理することにより、第1の比較パターン(
ニ)が得られる。
FIG. 3(b) shows an example of the case IJ, that is, a case where the mask pattern does not have a hole for inserting a component, but the board to be inspected has one. In this case, use the pad pattern shown in FIG.
”= An OR operation is performed, and by window processing the B part of the operation result (c), the first comparison pattern (
D) is obtained.

この第]の比較パターン(ニ)は、第3図(a)の(ニ
)と同じになる。
This comparison pattern (d) is the same as (d) in FIG. 3(a).

一方、被検査基板には部品挿入用の穴があるので、被検
査パターンも例えば第3図<a)の(す)と同じとなる
。従って、ケースIIにおけるパターン(ニ)〜(ル)
はケース■と同じになり(パターン(ホ)〜(ル)は図
示省略)、ケース■と同様にして最終的な欠陥情報(ル
)が得られる。
On the other hand, since the board to be inspected has holes for inserting components, the pattern to be inspected is also the same as that shown in (a) of FIG. 3, for example. Therefore, patterns (d) to (l) in case II
is the same as case (2) (patterns (E) to (R) are not shown), and the final defect information (R) is obtained in the same way as case (2).

によりマスクパターン(第2の比較パターン)(ヂ)か
得られる。
Thus, a mask pattern (second comparison pattern) (d) is obtained.

次いで、0(」記第1の比較パターン(ハ)と検査パタ
ーン(す)との1式]−OR演算により得られた中央部
に白黒縞状の第1の欠陥情報(ヌ)とマスクパターン(
ヂ)との論理積演算が行われ、最終的な欠陥情報として
第2の欠陥情報(ル)が得られる。第2の欠陥情報(ル
)の斜線部以外の領域は欠陥をマスクする領域(非検査
領域)である。
Next, the mask pattern and the first defect information (nu) in the form of black and white stripes in the center obtained by 0 (a set of the first comparison pattern (c) and the inspection pattern (su)) -OR operation are obtained. (
A logical product operation with (d) is performed, and second defect information (l) is obtained as the final defect information. The area other than the shaded area of the second defect information (R) is an area where defects are masked (non-inspection area).

特にCで示した1411分は、パターン(チ)の白い部
分のCに一致し、穴ff++の欠陥のマスクとして働き
、これはパッドパターン(ロ)の外径」法で選ばれる。
In particular, 1411 minutes indicated by C corresponds to the white portion C of the pattern (H) and serves as a mask for the defect of the hole ff++, which is selected by the "outer diameter of the pad pattern (B)" method.

従って、パッドパターン(ロ)の外径月決を任意に設定
することにより、穴部の欠陥マスクが設定でき、第2の
欠陥情報(ル)の穴まわりの欠陥を選択することができ
る。
Therefore, by arbitrarily setting the outer diameter of the pad pattern (B), a defect mask for the hole can be set, and defects around the hole in the second defect information (R) can be selected.

パターン(ハ)から拡大/縮小して得られるパターン(
ホ)及び(へ)は拡大/縮小処理によりパッドパターン
(ロ)の市松状の縞模様は拡大パターン(ホ)において
はすべて黒になり、その直このように.マスタパターン
に穴がなく、検査パターンに穴がある場合であっても、
検査パターンの穴を欠陥として検出することなく、真の
欠陥のみ正確に把握することができる。
Pattern (c) obtained by enlarging/reducing pattern (c)
In E) and (F), due to the enlargement/reduction process, the checkered striped pattern of the pad pattern (B) becomes completely black in the enlarged pattern (E), just like this. Even if there are no holes in the master pattern and holes in the inspection pattern,
Only true defects can be accurately identified without detecting holes in the inspection pattern as defects.

なおこのケースHの場合も、ウィンドウ処理8をバイパ
スすることにより、第3図(b)のパターン(ハ)を第
1の比較パターンとして用いても、第7図(ホ)〜(ル
)と同じパターンが得られ、第7図の例と同様に最終的
な欠陥情報を得ることができる。
In this case H, even if the window processing 8 is bypassed and pattern (c) in FIG. 3(b) is used as the first comparison pattern, the results shown in FIGS. The same pattern is obtained, and final defect information can be obtained in the same manner as the example of FIG.

第3図(c)は、前記ケースIII、即ら部品挿入用の
穴かマスクパターンにはあり、検査パターンにはない場
合の一例を示している。この場合は、同図(ロ)に示す
パッドパターンを用いてマスクパターン(イ)とのEx
−OR演算が行われ、パターン(ハ)が得られる。次に
パターン(ハ)の13部がウィンドウ処理されるが、該
B部はほとんど変化せず、パターン(ハ)と略同様の第
1の比較パターン(ニ)が得られる。この第1の比較パ
ターン(ニ)を拡大してパターン(ホ)、縮小してパタ
ーン(へ)(縮小処理により、第1の比較パターン(ニ
)の中心イ」近の黒部分は消滅する)が得られる。更に
、パターン(ホ)と(ニ)のEXOR演算、及び該演算
結果(1・)の反転処理が行われ、第2の比較パターン
(チ)が得られる。
FIG. 3(c) shows an example of case III, that is, a case where a hole for inserting a component exists in the mask pattern but not in the inspection pattern. In this case, use the pad pattern shown in the same figure (b) to create an Ex
-OR operation is performed and pattern (c) is obtained. Next, 13 parts of the pattern (C) are subjected to window processing, but the B part remains almost unchanged, resulting in a first comparison pattern (D) that is substantially the same as the pattern (C). This first comparison pattern (D) is enlarged to form a pattern (E), and reduced to pattern (to) (Due to the reduction process, the black part near the center of the first comparison pattern (D) disappears) is obtained. Furthermore, the EXOR operation of patterns (E) and (D) and the inversion process of the result (1.) of the operation are performed, and a second comparison pattern (H) is obtained.

一方、検査パターンには穴がないので例えば(す)に示
すようになり、この検査パターン(1月と第1の比較パ
ターン(ニ)とのE X−O11演算により第1の欠陥
情報(ヌ)が得られ、更にこの第1の欠陥情報と第2の
比較パターン(チ)との論理積演算により最終的な欠陥
情報(ル)が得られる。
On the other hand, since there is no hole in the inspection pattern, it becomes as shown in (S), for example, and the first defect information (Nu ) is obtained, and the final defect information (ru) is obtained by performing an AND operation between the first defect information and the second comparison pattern (ch).

ケースTelの場合は、検査パターンに穴が無いことを
欠陥として検出することがなく、真の欠陥のみを正確に
把握することができる。
In case Tel, the absence of holes in the inspection pattern is not detected as a defect, and only true defects can be accurately identified.

第3図(d)は、前記ケース■、即ちマスクパターン及
び検査パターンの双方に穴がない場合の一例を示す。こ
の場合、パッドパターンは発生させないようにして、前
述と同様の処理が行われ、最終的な欠陥情報(ル)が得
られる。
FIG. 3(d) shows an example of the case (2), that is, a case where there are no holes in both the mask pattern and the inspection pattern. In this case, the same process as described above is performed without generating a pad pattern, and final defect information is obtained.

上述のように、ケース■〜■に応じて適当なパッドパタ
ーンを発生させ、あるいは発生させないことにより.マ
スタパターン又は検査パターンにおりる部品押入用の穴
の有無に拘らず、適切な欠陥検出を行うことができる。
As mentioned above, by generating or not generating an appropriate pad pattern depending on cases ■ to ■. Appropriate defect detection can be performed regardless of the presence or absence of holes for inserting parts in the master pattern or inspection pattern.

尚、上述した実施例のケースI、Hにおいては、パッド
パターンとして白黒市松模様のバク・−ンを用いたが、
これに限ることなく黒一色のパターン(ケースIllの
パッドパターンと同じパターン)を用いても、同様に六
B[1周辺のマスクをすることができるが、その場合、
前記ウィンドウ処理は不要となる。
Incidentally, in Cases I and H of the above-mentioned embodiment, a black and white checkered pattern was used as the pad pattern.
Without being limited to this, even if a solid black pattern (the same pattern as the pad pattern of case Ill) is used, the area around 6B[1 can be masked in the same way, but in that case,
The window processing described above becomes unnecessary.

(発明の効果) 以−1−詳述したように本発明は.マスタパターンと、
撮像手段によって被検査物上にある検査パターンを2値
化した情報とを比較し、該比較結果に基づいて検査パタ
ーンの欠陥判定を行うパターン欠陥検査方法において、
検査パターンに応じて検査対象部分と非検査部分とを設
定し、非検査部分をマスクするための第1の比較パター
ンを形成し、=28 該第1の比較パターンと検査パターンとを比較してその
差分情報を第1の欠陥情報として取り出すと共に、前記
第1の比較パターンに基づいて0;j記第1の欠陥情報
に欠陥許容領域を設定するための第2の比較パターンを
形成し、該欠陥許容領域以外の領域にある前記第1の欠
陥情報を欠陥として検出するようにしたり.マスタパタ
ーンと、撮像手段によって被検査物上にある検査パター
ンを2値化した情報とを比較し、該比較結果に基づいて
検査パターンの欠陥判定を行うパターン欠陥検査装置に
おいて、検査パターンに応じて検査対象fjlt分と非
検査部分とを設定し、非検査部分をマスクするための第
1の比較パターンを形成する第1の比較パターン形成手
段と、該第1の比較パターンと検査パターンとを比較し
てその差分情報を第1の欠陥情報として取り出す第1の
欠陥情報発生手段と、前記第1の比較パターンに基づい
て前記第1の欠陥情報に欠陥許容領域を設定するための
第2の比較パターンを形成する第2の比較パターン形成
手段と、該欠陥許容領域以外の領域にある前記第1の欠
陥情報を欠陥として検出する第2の欠陥情報発生手段と
を設けたりしたので、配線パターンとしての機能を損な
うことのない小さな凹凸は検出しないようにすることか
できるのみならず、検査パターン又はマスクパターンに
おける部品押入穴の有無に拘らず検査パターンの真の欠
陥のみを効率良く検出することができるという効果を奏
する。
(Effects of the Invention) As described below in detail in 1-1, the present invention has the following advantages. master pattern and
In a pattern defect inspection method in which an inspection pattern on an object to be inspected is compared with binarized information using an imaging means, and a defect in the inspection pattern is determined based on the comparison result,
A portion to be inspected and a non-inspection portion are set according to the inspection pattern, a first comparison pattern for masking the non-inspection portion is formed, and =28 the first comparison pattern and the inspection pattern are compared. The difference information is taken out as first defect information, and a second comparison pattern for setting a defect tolerance area in the first defect information of 0;j is formed based on the first comparison pattern. The first defect information located in an area other than the defect tolerance area may be detected as a defect. In a pattern defect inspection apparatus that compares a master pattern with information obtained by binarizing an inspection pattern on an object to be inspected using an imaging means, and determines defects in the inspection pattern based on the comparison result, a first comparison pattern forming means for setting an inspection target fjlt and a non-inspection portion and forming a first comparison pattern for masking the non-inspection portion; and comparing the first comparison pattern and the inspection pattern. a first defect information generation means for extracting the difference information as first defect information; and a second comparison for setting a defect tolerance area in the first defect information based on the first comparison pattern. Since the second comparison pattern forming means for forming a pattern and the second defect information generating means for detecting the first defect information in an area other than the defect tolerance area as a defect are provided, Not only can small irregularities that do not impair the function of the inspection pattern not be detected, but also only true defects in the inspection pattern can be efficiently detected, regardless of the presence or absence of component insertion holes in the inspection pattern or mask pattern. It has the effect of being able to do it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は木ll!明のパターン欠陥検査装置主要部のブ
ロック構成図、第2図は第1図のパターン欠陥検査装置
におけるデータ処理内容を示すブロック図、第3図は部
品挿入用の穴を含む典型的な配線パターン例の欠陥を検
出する場合の、第2図番部におけるパターンを示す図、
第4図はウィンドウ処理の原理を示す図、第5図は拡大
処理及び縮小処理の原理を示す図、第6図は従来の欠陥
検出力法の一例を示す図、第7図は第2図各fatにお
けるパターンを示す図である。 1・・第1の中央演算装置(CPU)、2  外部記憶
装置、5 ・マスクパターン発生回路、6・パッドパタ
ーン発生回路、7・・第1のυ1他画論理和回路(IE
X−OR回路)、8・・ウィンドウ処理回路、9 ・マ
スクパターン発生回路、10・・・第1Q)同期遅延回
路、11 CCDカメラ、12 感度補正回路、13・
・2値化回路、14 第2の1111他的論理和回路(
EX−017回路)、15 第2の同期遅延回路、16
・マスク回路。
Figure 1 is a tree! Fig. 2 is a block diagram showing the data processing contents of the pattern defect inspection apparatus shown in Fig. 1, and Fig. 3 shows a typical wiring pattern including holes for inserting parts. A diagram showing a pattern in the second figure number part when detecting an example defect,
Fig. 4 is a diagram showing the principle of window processing, Fig. 5 is a diagram showing the principle of enlargement processing and reduction processing, Fig. 6 is a diagram showing an example of the conventional defect detection method, and Fig. 7 is a diagram showing the principle of It is a figure which shows the pattern in each fat. 1. First central processing unit (CPU), 2 External storage device, 5. Mask pattern generation circuit, 6. Pad pattern generation circuit, 7.. First υ1 other image OR circuit (IE
X-OR circuit), 8... window processing circuit, 9 - mask pattern generation circuit, 10... 1st Q) synchronization delay circuit, 11 CCD camera, 12 sensitivity correction circuit, 13...
・Binarization circuit, 14 Second 1111 Alternative OR circuit (
EX-017 circuit), 15 Second synchronous delay circuit, 16
・Mask circuit.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.マスタパターンと、撮像手段によって被検査物上に
ある検査パターンを2値化した情報とを比較し、該比較
結果に基づいて検査パターンの欠陥判定を行うパターン
欠陥検査方法において、検査パターンに応じて検査対象
部分と非検査部分とを設定し、非検査部分をマスクする
ための第1の比較パターンを形成し、該第1の比較パタ
ーンと検査パターンとを比較してその差分情報を第1の
欠陥情報として取り出すと共に、前記第1の比較パター
ンに基づいて前記第1の欠陥情報に欠陥許容領域を設定
するための第2の比較パターンを形成し、該欠陥許容領
域以外の領域にある前記第1の欠陥情報を欠陥として検
出することを特徴とするパターン欠陥検査方法。
1. In a pattern defect inspection method in which a master pattern is compared with information obtained by binarizing an inspection pattern on an object to be inspected using an imaging means, and defects in the inspection pattern are determined based on the comparison results, A portion to be inspected and a non-inspection portion are set, a first comparison pattern for masking the non-inspection portion is formed, the first comparison pattern and the inspection pattern are compared, and the difference information is transmitted to the first comparison pattern. At the same time as extracting defect information, a second comparison pattern is formed for setting a defect tolerance area in the first defect information based on the first comparison pattern; 1. A pattern defect inspection method characterized by detecting defect information of No. 1 as a defect.
2.マスタパターンと、撮像手段によって被検査物上に
ある検査パターンを2値化した情報とを比較し、該比較
結果に基づいて検査パターンの欠陥判定を行うパターン
欠陥検査装置において、検査パターンに応じて検査対象
部分と非検査部分とを設定し、非検査部分をマスクする
ための第1の比較パターンを形成する第1の比較パター
ン形成手段と、該第1の比較パターンと検査パターンと
を比較してその差分情報を第1の欠陥情報として取り出
す第1の欠陥情報発生手段と、前記第1の比較パターン
に基づいて前記第1の欠陥情報に欠陥許容領域を設定す
るための第2の比較パターンを形成する第2の比較パタ
ーン形成手段と、該欠陥許容領域以外の領域にある前記
第1の欠陥情報を欠陥として検出する第2の欠陥情報発
生手段とを設けたことを特徴とするパターン欠陥検査装
置。
2. In a pattern defect inspection apparatus that compares a master pattern with information obtained by binarizing an inspection pattern on an object to be inspected using an imaging means, and determines defects in the inspection pattern based on the comparison result, a first comparison pattern forming means for setting an inspection target portion and a non-inspection portion and forming a first comparison pattern for masking the non-inspection portion; and comparing the first comparison pattern and the inspection pattern. and a second comparison pattern for setting a defect tolerance area in the first defect information based on the first comparison pattern. a second comparison pattern forming means for forming a pattern, and a second defect information generating means for detecting the first defect information in an area other than the defect tolerance area as a defect. Inspection equipment.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7133550B2 (en) 2000-11-09 2006-11-07 Hitachi, Ltd. Pattern inspection method and apparatus
US7269280B2 (en) 2001-07-09 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Method and its apparatus for inspecting a pattern

Cited By (6)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7957579B2 (en) 1998-11-30 2011-06-07 Hitachi, Ltd. Pattern inspection method and apparatus
US7133550B2 (en) 2000-11-09 2006-11-07 Hitachi, Ltd. Pattern inspection method and apparatus
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US7457453B2 (en) 2000-11-09 2008-11-25 Hitachi, Ltd. Pattern inspection method and apparatus
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US7269280B2 (en) 2001-07-09 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Method and its apparatus for inspecting a pattern

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