JPH02142118A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH02142118A JPH02142118A JP29530988A JP29530988A JPH02142118A JP H02142118 A JPH02142118 A JP H02142118A JP 29530988 A JP29530988 A JP 29530988A JP 29530988 A JP29530988 A JP 29530988A JP H02142118 A JPH02142118 A JP H02142118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma cvd
- dust
- electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮も水用
本発明はプラズマＣＶＤ装置に関する。
従来技術
半導体薄膜を作成するに当り、従来のプラズマＣＶＤ法
を用いた場合、基板電極内に埋込まれた加熱ヒータの輻
射熱にて反応室や基板、ホルダ等を加熱し、原料となる
反応ガス（例えば、ＳｉＨ，等）を反応室に導入し、プ
ラズマにて分解して基板に膜を堆積させる。反応室には
ガス導入口と排気口があり、ガス導入口の形状や位置、
排気口の形状や位置によってガスの流れが乱流となり、
滞留状態となる。ガス接触面の加熱温度が高い箇所では
付着力の強い膜が堆積されるが、ガス接触面の加熱温度
が低い箇所では付着力の弱い微粉末（ダス１へ）が堆積
する。ダストが堆積することにより排気やガス導入時の
圧力変化などにより、ダストが反応室内に浮遊し、堆積
する膜中に成膜され、ピンホール等の原因となる。成膜
条件を調節することにより、例えば、圧力を低く、ガス
流量を少なくすることによりダストの発生址は少なくで
きるが、成膜速度も遅くなり、生産効率が低下する欠点
がある。
を用いた場合、基板電極内に埋込まれた加熱ヒータの輻
射熱にて反応室や基板、ホルダ等を加熱し、原料となる
反応ガス（例えば、ＳｉＨ，等）を反応室に導入し、プ
ラズマにて分解して基板に膜を堆積させる。反応室には
ガス導入口と排気口があり、ガス導入口の形状や位置、
排気口の形状や位置によってガスの流れが乱流となり、
滞留状態となる。ガス接触面の加熱温度が高い箇所では
付着力の強い膜が堆積されるが、ガス接触面の加熱温度
が低い箇所では付着力の弱い微粉末（ダス１へ）が堆積
する。ダストが堆積することにより排気やガス導入時の
圧力変化などにより、ダストが反応室内に浮遊し、堆積
する膜中に成膜され、ピンホール等の原因となる。成膜
条件を調節することにより、例えば、圧力を低く、ガス
流量を少なくすることによりダストの発生址は少なくで
きるが、成膜速度も遅くなり、生産効率が低下する欠点
がある。
第１図は従来の一般的なプラズマＣＶＤ装置の構造を示
す。従来の一般的半導体膜の製法は、反応室１内におい
て、基板８がＲＦ電極４と基板加熱ヒータ５を備えた基
板電極２との間の基板ホルダ３にセットされ、反応室ｌ
を加熱しなからＲＦ電極４の内部もしくは画電極２及び
４の間より原料ガスＧが反応室１内に供給され、グロー
放電にて原料ガスＧを分解して基板８上に半導体膜を形
成する。基板８は支持体６によって支持された基板ホル
ダ３によって支えられている。使用済みガスは排気ロア
より排気される。生産率を上げるため、成膜条件（例え
ば、ガス流量。
す。従来の一般的半導体膜の製法は、反応室１内におい
て、基板８がＲＦ電極４と基板加熱ヒータ５を備えた基
板電極２との間の基板ホルダ３にセットされ、反応室ｌ
を加熱しなからＲＦ電極４の内部もしくは画電極２及び
４の間より原料ガスＧが反応室１内に供給され、グロー
放電にて原料ガスＧを分解して基板８上に半導体膜を形
成する。基板８は支持体６によって支持された基板ホル
ダ３によって支えられている。使用済みガスは排気ロア
より排気される。生産率を上げるため、成膜条件（例え
ば、ガス流量。
電力、圧力等）を高めるに従って微粉末（ダスト）Ｐが
多く発生する。逆に、成膜条件（例えば、ガス流量、電
力、圧力等）を低めると、粉塵（ダスト）Ｐの発生量は
低減できるが、成膜速度が遅くなり、生産効率が低下す
る。第１図に示した従来の構造の反応室１では原料ガス
Ｇの導入口１０や排気ロアの形状や位置の関係から原料
ガスは乱流となり、滞留状態となり、ダストＰが発生し
易い。ダストＰはＲＦ電極のガス吹き出し口や、ホルダ
３等の加熱温度の比較的高い箇所には堆積せず、金属光
沢の硬い膜が生成し、遊離することが少ない膜となる。
多く発生する。逆に、成膜条件（例えば、ガス流量、電
力、圧力等）を低めると、粉塵（ダスト）Ｐの発生量は
低減できるが、成膜速度が遅くなり、生産効率が低下す
る。第１図に示した従来の構造の反応室１では原料ガス
Ｇの導入口１０や排気ロアの形状や位置の関係から原料
ガスは乱流となり、滞留状態となり、ダストＰが発生し
易い。ダストＰはＲＦ電極のガス吹き出し口や、ホルダ
３等の加熱温度の比較的高い箇所には堆積せず、金属光
沢の硬い膜が生成し、遊離することが少ない膜となる。
ダストＰの付着部はガスの流れ方向にあり、ＲＦ電極４
の廻りや排気ロアの廻りの低温である面にダストは多量
に付着する。これらのダストは基板上に成膜され、半導
体膜に欠陥をもたらす。すなわち。
の廻りや排気ロアの廻りの低温である面にダストは多量
に付着する。これらのダストは基板上に成膜され、半導
体膜に欠陥をもたらす。すなわち。
ダストの発生は膜にピンホール生じさせる危険性がある
。
。
目 ＣＬ
本発明は、半導体薄膜作成における成膜時の反応室内で
の粉塵（ダスト）の発生の低減を計り、従来の欠点を克
服するためのプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的
とする。
の粉塵（ダスト）の発生の低減を計り、従来の欠点を克
服するためのプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的
とする。
璽−一双
本発明者等は前記目的を達成すべく、鋭意研究した結果
、反応室内に、基板電極とＲＦ電極との間に基板及び基
板ホルダを設置し、基板ホルダは支持体によって支えら
れているプラズマＣＶＤ装置において、前記基板ホルダ
の支持体が加熱ヒータを備えていることを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置を提供することによって前記目的が達
成できることを見出した。
、反応室内に、基板電極とＲＦ電極との間に基板及び基
板ホルダを設置し、基板ホルダは支持体によって支えら
れているプラズマＣＶＤ装置において、前記基板ホルダ
の支持体が加熱ヒータを備えていることを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置を提供することによって前記目的が達
成できることを見出した。
以下、本発明のプラズマＣＶＤ装置を第２図に従って詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、基板８を支持する基板
ホルダ３を支えるホルダ支持体６に特徴があり、ホルダ
支持体６以外の部材の構造は、第１図に示した従来のプ
ラズマＣＶＤ装置と実質的に同一である。すなわち５本
発明で使用するホルダ支持体６は加熱ヒータ９を備えて
いるのが特徴であり、好ましくは第２図に示すように、
加熱ヒータ９はホルダ支持体６にＪ！！設されている。
ホルダ３を支えるホルダ支持体６に特徴があり、ホルダ
支持体６以外の部材の構造は、第１図に示した従来のプ
ラズマＣＶＤ装置と実質的に同一である。すなわち５本
発明で使用するホルダ支持体６は加熱ヒータ９を備えて
いるのが特徴であり、好ましくは第２図に示すように、
加熱ヒータ９はホルダ支持体６にＪ！！設されている。
コノヨウに、加熱ヒータ９を具備させることによってホ
ルダ支持体６を加熱することによってＲＦ電極４内、も
しくは画電極２及び４の間に設けたガス導入口ＩＯを通
じて導入された原料ガス（例えば、５ｉｌ１４と１１□
）混合ガス、 ５ｉ２）１６． Ｃ１１，、Ｃ２■２等
）は基板８（例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等
）に到達し、一部は改として基板８や基板ホルダ３に堆
積するが、それ以外の原料ガスは基板８面や基板ホルダ
３面に沿って流れ、他の部材に付着することなく、排気
ロア方向に導かれる。ホルダ支持体６は加熱ヒータ９に
よって加熱（例えば、約２００〜３００℃）することに
よって常に高温に保たれている。従って、ＲＦ’電極４
面は、従来法に較へて、基板加熱ヒータ５及びホルダ支
持体加熱ヒータ９の両方によって加熱されているので、
十分な高温に保たれており、また、ＲＦ電極４の下部の
排気ロア付近も従来法に較べて、輻射熱等によって加熱
されているので、高温に保たれている。このように、本
発明のプラズマＣＶＤ装置においては、ｒ＜ Ｆ１極４
付近及びＲＦ電極４の下部の排気１］７付近も十分に高
温に保たれるので、従来の装置のように、これらの付近
で、原料ガスのダストが発生したり、ダストがこれらの
部材に付着したりして、形成された膜にピンホールを発
生させたりする欠陥がない。なお、ホルダ支持体加熱ヒ
ータ９としては、好ましくは、約４００°Ｃ程度まで加
熱できるヒータが使用される。
ルダ支持体６を加熱することによってＲＦ電極４内、も
しくは画電極２及び４の間に設けたガス導入口ＩＯを通
じて導入された原料ガス（例えば、５ｉｌ１４と１１□
）混合ガス、 ５ｉ２）１６． Ｃ１１，、Ｃ２■２等
）は基板８（例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等
）に到達し、一部は改として基板８や基板ホルダ３に堆
積するが、それ以外の原料ガスは基板８面や基板ホルダ
３面に沿って流れ、他の部材に付着することなく、排気
ロア方向に導かれる。ホルダ支持体６は加熱ヒータ９に
よって加熱（例えば、約２００〜３００℃）することに
よって常に高温に保たれている。従って、ＲＦ’電極４
面は、従来法に較へて、基板加熱ヒータ５及びホルダ支
持体加熱ヒータ９の両方によって加熱されているので、
十分な高温に保たれており、また、ＲＦ電極４の下部の
排気ロア付近も従来法に較べて、輻射熱等によって加熱
されているので、高温に保たれている。このように、本
発明のプラズマＣＶＤ装置においては、ｒ＜ Ｆ１極４
付近及びＲＦ電極４の下部の排気１］７付近も十分に高
温に保たれるので、従来の装置のように、これらの付近
で、原料ガスのダストが発生したり、ダストがこれらの
部材に付着したりして、形成された膜にピンホールを発
生させたりする欠陥がない。なお、ホルダ支持体加熱ヒ
ータ９としては、好ましくは、約４００°Ｃ程度まで加
熱できるヒータが使用される。
本発明を下記の実施例によってさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
第２図に示す装置に於て、基板としてパイレックス基板
を用い、アモルファスシリコンの膜を１．２μｍ形成し
た。
を用い、アモルファスシリコンの膜を１．２μｍ形成し
た。
その時の形成条件と作成された膜のピンホールとの関係
は下表の通りであった。なおここでピンホール密度は暗
視野顕微鏡を用いて３０μｍ以上のピンホールがｍｍ”
に何個あったかの数を示す。
は下表の通りであった。なおここでピンホール密度は暗
視野顕微鏡を用いて３０μｍ以上のピンホールがｍｍ”
に何個あったかの数を示す。
ラスを用い、アモルファスカーボン膜を形成した。この
時の形成条件と、ダストが付着する度合を示したのが下
表である。
時の形成条件と、ダストが付着する度合を示したのが下
表である。
アモルファスシリコン膜よりやや低温からその効果が見
られる。
られる。
なお、他の条件は一定で行った。基板加熱温度２５０℃
、ＲＦパワー６０Ｗ、５ｉｎ４流量３０ＳＣＣＭ、■２
流量１１００５ＣＣである。この表より圧力範囲として
０．１ｔｏｒｒ〜０．６ｔｏｒｒ、支持体加熱温度範囲
として２００℃以上が好ましいことがわかる。
、ＲＦパワー６０Ｗ、５ｉｎ４流量３０ＳＣＣＭ、■２
流量１１００５ＣＣである。この表より圧力範囲として
０．１ｔｏｒｒ〜０．６ｔｏｒｒ、支持体加熱温度範囲
として２００℃以上が好ましいことがわかる。
実施例２
第２図に示す装置に於て、基板として石英ガなお、他の
条件は一定で行った。基板加熱温度３００℃、ＲＦパワ
ー３００Ｗ、圧力１ 、２ｔｏｒｒ、メタンガス流量（
ＣＨ４）１２０ Ｓ ＣＣＭである。表より支持体温度
は１００℃以上が好ましいことがわかる。
条件は一定で行った。基板加熱温度３００℃、ＲＦパワ
ー３００Ｗ、圧力１ 、２ｔｏｒｒ、メタンガス流量（
ＣＨ４）１２０ Ｓ ＣＣＭである。表より支持体温度
は１００℃以上が好ましいことがわかる。
効ニーー屡
本発明のように、基板ホルダの支持体を加熱することに
よりＲＦ電極面廻り及び排気口廻りは従来に較べて高熱
となり、硬い金属膜が堆積され、膜の遊離がなく、ダス
ト発生の低減が図られ、従来のＣＶＤ装置で発生してい
たダストも低減できるようになった。
よりＲＦ電極面廻り及び排気口廻りは従来に較べて高熱
となり、硬い金属膜が堆積され、膜の遊離がなく、ダス
ト発生の低減が図られ、従来のＣＶＤ装置で発生してい
たダストも低減できるようになった。
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置の説明図である。
第２図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の説明図である。
第１図
１０００反応室 ２０６．基板電極３１１．基
板ホルダ ４．、、 ＲＦ電極５００．加熱ヒータ
６．０．ホルダ支持体７００．排気口
８００．基板９１１．ホルダ支持体の加熱ヒータ １０、、、ガス導入口 Ｐｏｏ、ダスト Ｇ１１．原料ガス第２図
板ホルダ ４．、、 ＲＦ電極５００．加熱ヒータ
６．０．ホルダ支持体７００．排気口
８００．基板９１１．ホルダ支持体の加熱ヒータ １０、、、ガス導入口 Ｐｏｏ、ダスト Ｇ１１．原料ガス第２図
Claims (1)
- １、反応室内に、基板電極とＲＦ電極との間に基板及び
基板ホルダを設置し、基板ホルダは支持体によって支え
られているプラズマＣＶＤ装置において、前記基板ホル
ダの支持体が加熱ヒータを備えていることを特徴とする
プラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29530988A JPH02142118A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29530988A JPH02142118A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142118A true JPH02142118A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17818939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29530988A Pending JPH02142118A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02142118A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020195485A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェンの異常成長を検出する方法および装置 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29530988A patent/JPH02142118A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020195485A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェンの異常成長を検出する方法および装置 |
| JP2020158315A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェンの異常成長を検出する方法および装置 |
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