JPH02140675A - 多値駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は例えばＩＣ試験装置°葛二利用することがで
きる多値駆動回路１：関する。

「従来の技術」 ＩＣの中にはＨ論理とＬ論理の池に例えば第３図に示す
ように第３の電圧ｖＴ丁を印加しなければならない種類
のものがある。

このような３値の波形を被試験ＩＣに与えるために従来
は第４図に示すような多値駆動回路が用いられている。

この従来から用いられている多値駆動回路は差動的にオ
ン、オフ動作するよう≦：接続された二対のトランジス
タＱｌ、Ｑ２及びＱ３　、Ｑ４と、一つの抵抗器Ｒと、
トランジスタＱｌ、Ｑ２及びＱ３　、Ｑ４を流れる電流
を１１とＩ２の値Ｃ二制限する定電流回路ｌ及び２と、
トランジスタＱ２とＱ４のペースじ一定のバイアス電圧
ＶＢを与えるバイアス電圧源３とによって構成される。

トランジスタＱ１とＱ３のベースＩ：は入力端子４と５
から制御信号Ｖｉ、、とＶｉｏ２を与える。

制御信号Ｖｉ、１．　Ｖｉｏ２とバイアス電圧ＶＢとの
関係がＶｉｎｔ　＞　ｖＢ、　Ｖｉ、２＞　ｖＢＯ）と
きはトランジスタＱ２とＱ４は共にオフとなり、抵抗器
Ｒｆ咀ま電流が流れないから出力端子６には電源の電圧
ｖｏが出力される。

制御信号Ｖｉｌｌ　＊　Ｖｉｎ２とバイアス電圧ＶＢと
の関係がＶｉｎｌ　＜　ｖＢｔ　Ｖｉｎｚ　＞　ｖＢ（
７）　トきハトランシスタＱ２がオン、トランジスタＱ
４がオフとなる。このとき抵抗器Ｒには゛定電流回路ｌ
の電流１１が流れ抵抗器ＲｃはＲＩ、の電圧降下が生じ
る。よってこのときの出力端子６の電圧はＶ１＝　Ｎ’
ＯＲＩ　Ｉとなる。

制御信号ＶＩｎｌ　ｅ　”Ｉｎ２とバイアス電圧ＶＢと
の関係がＶｌｎｌ　＞　ＶＢ　＊　Ｖｉ　１２　＜　Ｖ
Ｂ　テある場合ハトランジスタＱ２がオフ、トランジス
タＱ４がオンとなる。

このときは抵抗器Ｒには定電流回路２の電流１□が流れ
、抵抗器ＲＣ：はＲＩ２の電圧降下が生じる。よってこ
のとき出力端子６の電圧はｖ２＝ｖｏ−ＲＩ２となる。

定電流Ｉ、とＩ２が１１〈Ｉ２の関係に設定されている
とすると制御信号Ｖｉ、１とＶｉｏ２の論理によって第
５図に示すよう１：３値を持つ多値信号が出力され、こ
の多値信号が例えば被試験ＩＣ等（：与えられる。

「発明が解決しようとする課題」 第４図に示した従来の多値駆動回路は抵抗器Ｒの電圧降
下を利用して波形を生成するから消費電流が大きく効率
が悪い。

また大きい振幅を得るために抵抗器Ｒの抵抗値を大きく
すると出力端子６と共通電位との間に形成される浮遊容
はと、この抵抗器Ｒとによって形成される時定数が大き
くなり、多値波形の立上り時間が遅くなってしまう欠点
がある。

この発明の目的はこれらの欠点を一掃することができる
多値駆動回路を提供するにある。

「課題を解決するための手段」 この発明においては、多値波形に必要な電圧を出力する
複数の電圧源を設け、この複数の電圧源と出力端子との
間＋：Ｆ　ＥＴスイッチを接続し、このＦＥＴスイッチ
を選択的（ニオン、オフ操作して出力端子ｌ二多値波形
を生成するようＣ二構成したものである。

この発明の構成によれば別々の電圧源の電圧をＦＥＴス
イッチを通じて選択的に出力端子に収り出す構造とした
から電圧値の変更は他の電圧値Ｃ二影響を与えることな
く行なうことができる。

また抵抗器（−おける電圧降下を利用して出力電圧を得
る構造でないため、出力端子に浮遊容量が存在していて
も時定数回路が構成されることはない。この結果立上り
及び立下りの速い多値波形を生成することができる。

「実施例」 弗１図にこの発明の一実施例を示す。図中１０゜１１．
１２はそれぞれ多値波形の各部の電圧値を出力する電圧
源を示す。この例では３値波形を得る例を示す。従って
３個の電圧源１０．１１．１２はそれぞれ異なる電圧ｖ
１〉ｖ２〉ｖ３を出力するものとする。

電圧源１０，１１．１２にはそれぞれＣ二ＦＥＴスイッ
チ１３，１４．１５を接続する。ＦＥＴスイッチ１３，
１４．１５の他方の電極は共通接続し、必要に応じてバ
ッファ増幅器１６を通じて出力端子６に接続する。

ＦＥＴスイッチ１３，１４．ｌ・５の各ゲート電極には
電流スイッチ１７．１８．１９を接続する。

電流スイッチ１７．１８．１９はトランジスタを用いる
ことができる。この例ではＮＰＮ型トランジスタを用い
た場合を示す。各電流スイッチ１７゜１８．１９を構成
するトランジスタのエミツタを共通接続し、電流源２１
に接続する。この電流源２１は２Ｈの電流を出力するも
のとする。

電流スイッチ１７，１８．１９を構成するトランジスタ
のコレクタをＦＥＴスイッチ１３　、１４゜１５の各ゲ
ートに接続し、ベースを入力端子２２゜２３　Ｈ２４１
＝接続する。

更（：各ＦＥＴスイッチ１３．１４．１５のゲートには
クランプダイオード２５ＡＩ２５ＢＴ２５０及び２６Ａ
、２６Ｂ、２６Ｃと電流源２７．２８゜２９を接続する
。クランプダイオード２５Ａ〜２５Ｃはその方ソードを
ＦＥＴスイッチ１３，１４゜１５をオンにさせるための
電圧ＶＯＮを与えるクランプ電圧源３１　に接続する。

また他方のクランプダイオード２６Ａ〜２６Ｃはそのア
ノードをＦＥＴスイッチｌ　３　、１４．１５をオフに
するための電圧ＶＯＦＦを与えるクランプ電圧源３２（
＝接続する。

クランプ電圧＃３１の電圧ＶＯＮは電圧源１０゜１１．
１２（７）電圧ｖ１．ｖ２．■３ノ最大値ヨ）Ｊ　ｉ　
Ｖ高い電圧り二設定する。またクランプ電圧源３２の電
圧ｖ。ＦＦハ電圧源１（１，１１，１２＆Ｊ電圧Ｖ、、
Ｖ２゜ｖ３の最小値より数Ｖ低い電圧に設定する。

このような構成（＝おいて、入力端子２２〜２４に第２
図Ａ、Ｂ、Ｃに示すように負論理の矩形波ＰＶ、　ｌ　
Ｐ　Ｖ２１　ＰＶ３を与えることにより、電流スイッチ
１７，１８．１９が選択的Ｃ：オンに制御され、オンに
なりだ電流スイッチが接続されているＦＥＴスイッチが
オンとなり、これに接続されている電圧源の電圧が出力
端子６に出力される。

例えば入力端子２２にり論理が与えられると。

電流スイッチ１７がオンとなり、電流源２１から電流ス
イッチ１７に２工の電流を流し込む。

２■の電流の中のＩは電流源２７に流れ込み。

クランプ用電圧源３２からクランプダイオード２６Ａを
通じて流れていた電流°工を遮断する。この結果クラン
プダイオード２６Ａはカットオフとなる。

ここでＦＥＴスイッチ１３のゲートと共通電位点との間
に浮遊容ＩｔＣが存在したとすると、この浮遊容＠Ｃに
残りの■なる電流で充電が行なわれる。

この充電によってＦＥＴスイッチ１３のゲート電位が上
昇し、ＦＥＴスイッチ１３がオンに操作される。つまり
浮遊容量Ｃの充電電圧がクランプ用電圧［３１の電圧Ｖ
ＯＮに達するとクランプダイオード２５Ａもオンとなり
電流工がクランプダイオード２５Ａを通じてクランプ用
電圧源３１に流れ始める。クランプダイオード２５Ａが
オンになることＣ二よってＦＥＴスイッチ１３のゲート
電圧をクランプ用電圧源３１の電圧ＶＯＮＩニクランブ
しＦＥＴスイッチ１３をオンの状態ζ二維持する。

次に入力端子２２がＨ論理となり、入力端子２３にＬ論
理が与えられたとすると、先ず電流スイッチ１７がオフ
となって電流源２１から流し込んでいた電ｍ　２　Ｉが
遮断される。このためにクランプダイオード２５Ａを流
れる電流Ｉがゼロとなり、クランプダイオード２５Ａは
オフとなる。

更に電流源２７に流れ込む電流Ｉもゼロになろうとする
が、このとき浮遊容量Ｃから放電電流が流れ浮遊容ｌが
急速に放電される、浮遊容量Ｃの充電が進むとクランプ
ダイオード２６Ａがオンとなって電圧源３２から電流■
が電流源２７　に流れ込む。

よってＦＥＴスイッチ１３のゲート電圧はクランプ用電
源３２の電圧ＣニクランブされＦＥＴスイッチ１３はオ
フの状態Ｃ二戻される。

これに代って電流スイッチ１８がオンとなり。

この電流スイッチ１８がオン≦二なることＣ：よってＦ
ＥＴスイッチ１４がオンの状態に側副される。

このようにして入力信号に応じて電流スイッチ１７．１
８．１９をオン、オフ制御し、ＦＥＴスイッチ１３，１
４．１５を選択的にオン、オフ制画することによって出
力端子６に電圧源１０，１１゜１２の電圧ｖＩ、ｖ２．
Ｖ３を取出すことができる。

電圧■１．■２．ｖ３がｖｌ〉ｖ２〉ｖ３であるものと
すると、第２図１）Ｃ二重すようにｖｌ、Ｖ２．ｖ３と
変化する多値波形を出力することができる。

「変形実施例」 上述では３値を持つ多値波形を生成する場合について説
明したが、ＦＥＴスイッチと電流スイッチ及びクランプ
回路を付は加えることによって３値以七の多値波形を生
成できることは容易に理解できよう。

また定常的な電力消費を抑えるために出力電圧を変化さ
せるときのみ、立上り及び立下りの速度を速めるために
大きな充放電電流を流し、後は小さな保持電流のみを流
しておけばよい。従ってこの上うＣ二制御するには電流
スイッチを二重（−し、片方を入力信号の微分信号でコ
ントロールすることにより実現することができる。

「発明の効果」 はと説明したようにこの発明（：よれば予め電圧値を定
めた複数の電圧源から、ＦＥＴスイッチを通じて選択的
に電圧を収り出して多値波形を生成する構造としたから
、従来技術のようＣ二抵抗器における電圧降下によって
多値波形を生成する構造でないため電流消費量を小さく
することができる。

また抵抗器を用いて多値電圧を発生させる構造でないた
め浮遊容量が存在しても時定数回路が構成されることが
ない。よって波形の立上り立下りの速度を速めることが
できる。

更に複数の電圧源１０，１１．１２の電圧によって多値
波形の電圧値を規定するから、各電圧値相互に干渉がな
い。よって各電圧値を単独で自由に設定することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す接続図、第２図はこ
の発明の詳細な説明するための波形図、第３図は多値波
形の一例を示す波形図、第４図は従来の技術を説明する
ための接続図、第５図は従来の技術の動作を説明するた
めの波形図である。 １０．１１．１２：電圧源、１３，１４．１５：　ＦＥ
Ｔスイッチ、１７．１８，１９：電流スイッチ、２５Ａ
〜２５Ｃ，２ＦｉＡ〜２６Ｃ：クランプダイオード。 特許出願人　　　株式会社　アトパンテスト代 理 人 草 野 卓 第 図 木 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ａ、互に異なる電圧を出力する複数の電圧源と、
   Ｂ、この複数の電圧源のそれぞれの電圧を選択的に出力
   端子に取り出す複数のＦＥＴスイッチ素子と、 Ｃ、この複数のＦＥＴスイッチ素子のそれぞれをオン、
   オフ制御する電流スイッチと、 から成る多値駆動回路。