JPH07218559A - ピーク検出回路及び電流シンク回路 - Google Patents

ピーク検出回路及び電流シンク回路

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JPH07218559A
JPH07218559A JP6270182A JP27018294A JPH07218559A JP H07218559 A JPH07218559 A JP H07218559A JP 6270182 A JP6270182 A JP 6270182A JP 27018294 A JP27018294 A JP 27018294A JP H07218559 A JPH07218559 A JP H07218559A
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K5/153Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
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Abstract

(57)【要約】 【目的】閉ループのピーク検出回路を提供する。 【構成】本発明は、スイッチ手段、比較手段、制御手
段、2つの電流源及び保持キャパシタを備えた閉ループ
のピーク検出回路である。スイッチ手段は、複数の入力
信号の1つを選択的に比較手段に与える。制御手段は、
比較手段に結合している。制御手段は、第1及び第2の
制御信号を受信し、リセット、ピーク検出及び保持のう
ち1つのモードを選択する。第1及び第2の電流源は、
制御手段に結合している。キャパシタは第1及び第2の
電流源に結合し、出力信号を生成する。出力信号は、比
較手段にフィードバック結合される。比較手段は、複数
の入力信号のうちの1つが出力電圧を上まわるときを判
定する。制御手段は、比較手段及び第1、第2の制御信
号に応答して電流源を動作可能及び動作不能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はピーク検出の分野に関す
る。
【0002】
【従来の技術】ピーク検出器は、入力信号の最大(ピー
ク)振幅を判定する装置である。このような回路は一般
に入力信号から電荷を蓄積するための保持キャパシタ及
び保持キャパシタに対する入力信号の適用を管理する制
御回路を備えている。従って制御回路は、保持キャパシ
タの充電及び放電を制御する。制御回路に関連して、保
持キャパシタは充電され、入力信号のピーク値に向かっ
て上昇する電圧を蓄積する。
【0003】図1は、NPNトランジスタQ102及び
保持キャパシタC102を備えた従来技術のピーク検出
器を示す図である。電源電圧VCCはトランジスタQ10
2のコレクタに与えられている。入力信号100はトラ
ンジスタQ102のベースに結合されている。トランジ
スタQ102のエミッタは入力パッドIP102を通し
て外部保持(メモリ)キャパシタC102に結合されて
いる。キャパシタC102の第2の端子は接地電位に結
合されている。出力電圧VOUT はキャパシタC102の
両端で接地電位との間に取り出される。図1に示す回路
は、開ループのピーク検出器である。
【0004】図1において、入力信号100がキャパシ
タC102の両端の電圧である出力電圧VOUT とトラン
ジスタQ102のベース・エミッタ間電圧VBEとの合計
より高くなると、トランジスタQ102のエミッタは引
き上げられる。トランジスタQ102は保持キャパシタ
C102に電流を供給する。この電流は、入力信号10
0が出力電圧VOUT とトランジスタQ102のベース・
エミッタ間電圧VBEの合計の瞬時値より下に減少するま
でキャパシタC102を充電する。トランジスタQ10
2のベースに与えられた入力信号100がこのレベルよ
り下に落ちると、トランジスタQ102のエミッタ・ベ
ース接合は逆バイアスされる。この状態では、電流はト
ランジスタQ102を通してキャパシタC102へ流れ
ない。従って、キャパシタC102は、キャパシタC1
02が充電した電圧である入力信号100の最大値から
トランジスタQ102のVBEを差し引いた値を保持す
る。
【0005】この従来技術の回路の欠点は、出力電圧が
入力信号のピーク振幅に到達し得ないことである。キャ
パシタC102に蓄積された出力電圧VOUT は、ピーク
入力信号100よりもベース・エミッタ間電圧降下分だ
け低い最大電圧レベルを有する。更にまた、トランジス
タQ102のベース・エミッタ間電圧降下は、従来技術
のピーク検出器を出力信号VOUT の瞬時電圧レベルより
上約0.6ボルトより低い入力信号100のピークに対
して鈍感にしている。
【0006】この従来技術の回路の他の欠点は、トラン
ジスタのベース・エミッタ電圧の変動による出力電圧の
不正確さである。トランジスタQ102のベース・エミ
ッタ電圧の変動は温度と電流の変動に起因する。従っ
て、トランジスタQ102のベース・エミッタ電圧によ
るキャパシタC102の両端のピーク電圧に対するオフ
セットは、温度とデバイスのベータによって変動する。
【0007】図2は他の従来技術のピーク検出器を示す
図である。この閉ループのピーク検出器は、演算増幅器
OP202、ダイオードD202及び保持キャパシタC
102を備えている。入力信号10は演算増幅器OP2
02の非反転入力に結合されている。演算増幅器OP2
02の出力は、ダイオードD202の第1の端子に結合
されている。ダイオードD202の第2端子はキャパシ
タC102の第1の端子及び演算増幅器OP202の反
転端子に結合されている。キャパシタC102の第2の
端子は接地電位に結合されている。出力電圧VOUT はキ
ャパシタC102の両端で与えられる。
【0008】入力信号100は演算増幅器OP202を
駆動する。一方、演算増幅器OP202は、ダイオード
D202を通して保持(メモリ)キャパシタC102を
制御する。出力電圧VOUT を閉ループで演算増幅器へフ
ィードバックすることによって、演算増幅器OP202
はその出力に出力電圧VOUT よりも1ダイオード降下分
高い電圧を与える。演算増幅器OP202は、ダイオー
ドD202によってのみ電流を供給できるユニティ・ゲ
イン・バッファとして動作する。入力信号100が出力
電圧VOUT より下に下がると、ダイオードD202は逆
バイアスされ、キャパシタC102への充電電流は流れ
ない。
【0009】入力信号100が出力電圧VOUT を超える
と、演算増幅器は電圧を生成してダイオードD202を
順方向にバイアスする。ダイオードD202が順方向に
バイアスされることによって、演算増幅器OP202は
電流を供給してキャパシタC102を充電する。この充
電電流は、キャパシタC102の両端の電圧を入力信号
100と一致するまで上昇させる。この従来技術回路の
閉ループは、瞬時出力電圧VOUT が入力信号100と等
しくなるとダイオードD202を流れる充電電流をさえ
ぎる。この従来技術の回路においては、ダイオードD2
02のオフセット電圧の効果は少ない。しかし、この従
来技術のピーク検出器はいくつかの欠点を有する。
【0010】この従来技術の1つの欠点は、ピーク検出
器における演算増幅器の有限のスルー・レート(slew-r
ate)によるものである。入力信号が出力電圧VOUTより
も低いと、演算増幅器OP202の電圧出力は負の飽和
領域に入る。入力信号100が出力電圧VOUT より高く
なると、有限のスルー・レートによって、演算増幅器O
P202によって生成される電圧が高周波の入力信号1
00に正確に追従できなくなる。
【0011】この従来技術の他の欠点は、バイアス及び
漏洩電流による出力電圧の「だれ」(droop) である。演
算増幅器OP202のバイアス電流はキャパシタC10
2を放電させて出力電流VOUT を降下させる。同様に、
ダイオードD202の漏洩電流もまた出力電圧VOUT
「だれ」を生ずる。
【0012】また、この従来技術の別の欠点は、ダイオ
ードに起因して雑音排除が拙劣であるということであ
る。出力電圧VOUT の瞬時値を超える入力信号100の
過渡現象でもダイオードD202を導通させてしまう。
このことは、演算増幅器OP202から供給される充電
電流が出力電圧VOUTを上昇させるため、出力電圧に誤
りを生ずる。従って、この従来技術は雑音排除能力が拙
劣である。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の欠点を取り除くことである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明はピーク検出の分
野に関するものである。この閉ループ回路は、スイッチ
手段、比較手段、制御手段、2つの電流源及び保持キャ
パシタを備えている。スイッチ手段は複数の入力信号を
受信する。スイッチ手段は複数の入力信号のうちから選
択的に1つの入力信号を比較手段に与える。制御手段
は、リセット、ピーク検出及び保持の3つのモードの1
つを選択するための第1及び第2の制御信号を受信す
る。第1及び第2の電流源は制御手段に結合されてい
る。キャパシタは第1及び第2の電流源に結合され、出
力信号を生成する。出力信号は比較手段にフォードバッ
ク結合されている。比較手段は複数の入力信号のうちの
1つが出力信号を超えるときを判定する。比較手段及び
第1及び第2の制御信号に応答して、制御手段は第1及
び第2の電流源を動作可能及び動作不能にする。
【0015】リセット・モードにおいて第2の電流源
は、ピーク検出器の出力電圧が基準電圧VREF に放電す
るまでキャパシタから電流を引き出す。本発明は、出力
電圧をVREF の一定レベルに維持する。ピーク検出モー
ドにおいて、第1の電流源は電流を供給し、出力電圧が
入力信号の瞬時値に等しくなるまでキャパシタを充電す
る。本発明は入力信号を利用して出力電圧を入力電圧の
最大値に押し上げる。本発明の保持モードにおいて、第
1及び第2の電流源は動作不能にされる。電流はキャパ
シタに供給されることもなくまたキャパシタから排出さ
れることもない。キャパシタは、ほぼ一定の電荷量を維
持する。従って、出力電圧はキャパシタに蓄積された入
力信号のピーク電圧に等しい。
【0016】本発明の比較手段は接地電位近傍に追従す
る電流シンク(sink)を有する。接地電位近傍に追従す
るように電流を排出する回路は、ダイオード、2つのト
ランジスタ及びノートン(norton)増幅器を備えてい
る。ダイオードは電源電圧に結合している。第1のトラ
ンジスタは接地電位に結合している。差動ペアはダイオ
ードと第1のトランジスタの間に結合している。第2の
トランジスタは差動ペアとダイオードに結合され、第1
のトランジスタから供給される第1の電流を検出する。
第2のトランジスタは第1の電流に応答して第2の電流
を供給する。ノートン増幅手段は第1のトランジスタに
結合され、第2の電流と基準電流を受信する。ノートン
増幅手段は第2の電流及び基準電流に応答して第1のト
ランジスタを通して第1の電流を制御する。
【0017】
【実施例】閉ループのピーク検出器について説明する。
以下の説明において、本発明の十分な説明を行うために
数値や外部信号、トランジスタ等の性質のような多くの
特定の詳細が記述されている。しかし当業者にはこれら
の特定の詳細がなくても本発明が実施され得ることは明
らかであろう。また、本発明を不必要に解りにくくしな
いため、良く知られている機構については詳しい説明を
省略した。
【0018】閉ループのピーク検出器 図3(A)は本発明の望ましい実施例を示す図であり、
スイッチ302、比較器304、ANDゲート306−
308、電流源I310−312及び保持キャパシタC
102を備えている。力信号100はスイッチ302の
第1の端子に与えられる。基準定電圧VREF はスイッチ
302の第2の端子に与えられる。スイッチ302の出
力は比較器304の非反転入力に結合している。比較器
304の出力は、ANDゲート306の入力及びAND
ゲート308の反転入力に結合している。ピーク検出制
御信号PKDETはANDゲート306の第2の入力に
与えられる。リセット制御信号RESETは、ANDゲ
ート308の第2の入力に与えられる。ANDゲート3
06の出力は電流源I310に与えられる。ANDゲー
ト308の出力は電流源I312に与えられる。電流源
I310の第1の端子は電圧源VCCに結合している。電
流源I310の第2の端子は、電流源I312の第1の
端子、比較器304の反転端子及びキャパシタC102
の第1の端子に結合している。電流源I312及びキャ
パシタC102の第2の端子は接地電位に結合してい
る。出力電圧VOUT は電流源I310とI312の間の
ノードから与えられる。
【0019】図3に示すように、PKDET及びRES
ET信号は本発明のピーク検出回路に与えられる。この
回路はリセット、ピーク検出及び保持の3つのモードで
動作する。ピーク検出器は非反転入力をスイッチ302
を通して入力信号100(全波整流信号でも可)及び基
準電圧VREF に結合する比較器304を備えている。比
較器304の出力はANDゲート306及び308に与
えられる。上側のANDゲートは入力としてPKDET
信号を有し、その出力は電流源I310(IPK DET)を
制御する。同様に、RESET信号は電流源I312
(IRESET)を制御するANDゲート308に与えられ
る。出力電圧VOUTは2つの電流源I310及びI31
2の間のノードから取り出され、フィードバック・ルー
プで比較器304の反転入力に結合している。制御ブロ
ック320はANDゲート306及び308を備えてい
る。
【0020】図3(A)はリセット・モードにおける本
発明を示す。リセット・モードにおいては、PKDET
信号は論理ロー(0)でRESET信号は論理ハイ
(1)である。このモードにおいて、スイッチ302は
比較器304の非反転入力を基準電圧VREF に結合す
る。ピーク検出信号PKDETがローなので、ANDゲ
ート306は動作不能になっている。従って電流源I3
10(IPKDET )は動作不能である。
【0021】初期において、キャパシタC102が完全
に放電したとき比較器304の出力はハイである。比較
器304のハイの出力はANDゲート308に与えられ
る。ANDゲート308の入力は「否定」になっている
ので、その出力はローであり、従って電流源I312は
オフにされる。これはキャパシタC102を放電された
状態に保ち、出力電圧VOUT は接地電位に近い。
【0022】出力電圧VOUTが基準電圧VREFよりも高い
とき、比較器304は論理ローを出力する。比較器30
4のロー出力に応答して、ANDゲート308はハイ出
力を生成する。ANDゲート308のハイ出力は電流源
I312(IRESET )を動作可能にする。電流源I31
2はキャパシタC102からの電流を、ピーク検出器の
出力電圧VOUTがスイッチ302に与えられた基準電圧
REFに放電するまで引き出す。これが起こると、比較
器304の出力がハイになり、電流源I312は動作不
能にされる。これによって出力電圧VOUTは基準電圧レ
ベルVREFに維持される。
【0023】図3(B)は本発明のピーク検出モードを
示す図である。このモードにおいては、PKDET信号
がハイでRESET信号はローである。また、入力信号
100がスイッチ302によって比較器304に与えら
れる。従ってANDゲート308は動作不能にされ、電
流源I312は動作不能になる。入力信号100がキャ
パシタC102の両端に蓄積された出力電圧VOUT より
も低いとき、比較器304の出力はローである。AND
ゲート306の出力は、キャパシタC102を充電する
電流源I310を動作不能にする。
【0024】入力信号が出力電圧VOUT より高いとき、
比較器304の出力はハイとなる。これによって電流源
I310は動作可能になる。電流源I310は、入力信
号100が出力電圧VOUT の瞬時レベルより下になるま
でキャパシタC102を充電する。比較器304はバイ
アス電流を有しないMOSFET入力比較器である。比
較器304は入力信号100を閉ループのフィードバッ
クを用いて電圧VOUTと比較する。
【0025】比較器304の出力がハイのとき、電流源
I310(IPKDET )は電流を与えて、出力電圧VOUT
が入力信号100の瞬時値と等しくなるまでキャパシタ
C102を充電する。キャパシタC102の両端の出力
電圧VOUT はスルー・レート(slew-rate)が限定され
る。従って、本発明は、電圧VOUTを入力信号の最大値
へ押し上げるために入力信号の連続した上向きのローブ
(lobe)を必要とすることになる。従って、ピーク検出
器モードにおいて、電流源I310は入力信号100が
電圧VOUTより高いとき、継続してキャパシタC102
を充電し、電圧VO UTを上昇させる。
【0026】図3(C)は、本発明の保持モードを示
す。PKDET及びRESET信号は両方共ローであ
る。このモードにおいて、スイッチ302は基準電圧V
REF を比較器304の非反転入力に結合する。PKDE
T及びRESET信号がローであることによって、電流
源I310及びI312は動作不能となる。従って、電
流はキャパシタC102へ供給されることもキャパシタ
C102から排出されることもなく、キャパシタC10
2はほぼ一定の電荷量を維持する。従って、出力電圧V
OUTはキャパシタC102に蓄積された入力信号のピー
ク電圧に等しい。
【0027】当業者には上述の回路で第4のモードが存
在することが明らかであろう。すなわちPKDET=
1、及びRESET=1の場合である。このモードにお
いては、電流源I310及びI312は両方共動作可能
にされる。スイッチ302が電圧VREF を比較器304
の非反転入力に与えると、キャパシタC102に対する
双方向電流駆動を行う第2のリセット・モードが活性化
される。このモードはキャパシタのリセット・レベルを
REF に一層近くし、ある種の応用にはより望ましい。
【0028】3つのモードを示すタイミング・ダイヤグ
ラム:図4は比較器304の非反転入力に与えられた入
力電圧及び対応する出力電圧VOUT を示すタイミング・
ダイヤグラムである。比較器304の非反転入力におけ
る入力電圧は点線で示されている。時間OからT1の間
では、PKDET信号がローでRESET信号はハイで
ある。初期において、キャパシタC102は放電されて
おり、従って出力信号VOUT はOボルト(実線で示され
ている)のレベルである。スイッチ302が比較器30
4の非反転入力に基準電圧VREF を与えるので、入力電
圧はVREF に等しい。図4に示すように、電流源I31
0及びI312は動作不能になっている。出力電圧V
OUT は接地電位近くに維持される。
【0029】時間T1とT3の間では、本発明はピーク
検出モードで動作する。図3(B)に示すように、PK
DET信号はハイでRESET信号はローである。この
モードでは、比較器304の非反転入力は入力信号10
0に結合される。図4において、入力信号100(破線
で示す)は全波整流電圧信号である。図はこの時間間隔
において入力信号100に6つのローブがあることを示
している。
【0030】時間T1では、出力電圧VOUTは0ボルト
に等しい。時間T1とT2の間では、比較器304の非
反転入力に与えられた入力信号100は出力信号VOUT
より大きい。従って比較器304のハイ出力は電流源I
310を動作可能にする。電流源I310は、キャパシ
タC102を充電する。図4において、時間T1とT2
の間では、出力電圧VOUT は入力信号100の3つのロ
ーブに応答して直線的に上昇する。
【0031】時間T2において瞬時電圧VOUT は入力信
号100の最低レベルに上昇する。これに応答して、比
較器304の出力はローになる。比較器304のロー出
力は電流源I310を動作不能にする。電流源I310
とI312が動作不能になると、ピーク検出器の出力電
圧VOUTは、一定レベルに保持される。出力電圧V
OUTは、比較器304に与えられた電圧が出力電圧を超
えるまで一定に維持される。時間T2とT3の間では、
出力電圧VOUT は電流源I310を用いてキャパシタC
102を充電することにより交互に上昇する。
【0032】時間T3では、ピーク検出器はPKDET
及びRESET信号をローにセットすることによって保
持モードに切り替わる。両電流源I310及びI312
(IPKDET及びIRESET)は動作不能にされる。保持モー
ド中、スイッチ302は、一定レベル(点線で示す)で
示される基準定電圧VREF に結合される。図4におい
て、時間T3とT4の間では、出力電圧VOUTは一定レ
ベルV1(0≦V1≦VMAX)に維持される。
【0033】時間T4では、本発明のピーク検出器はリ
セット・モードで動作する。PKDET信号はローでR
ESET信号はハイである。PKDET信号をゼロにセ
ットすることによって電流源I310は動作不能とな
る。スイッチ302は、比較器304の非反転入力を基
準定電圧VREF に結合する。図4に示すように、出力電
圧VOUT(実線)はV1の値を有する。出力電圧VOUT
REFと等しい比較器304の入力電圧(点線で示す)
よりも高い。比較器304は論理ローを出力する。従っ
てキャパシタC102を放電させる電流源I312(I
RESET )を動作可能にする。出力電圧VOUTはV1 のレ
ベルからVREFへ直線的に下降する。
【0034】時間T5で、VOUT は比較器304に結合
された基準電圧VREFに到達する。一方、比較器304
の出力はハイに上昇し、従って電流源I312を動作不
能にする。時間T5とT6の間では、出力電圧VOUT
一定レベルVREFを有する。
【0035】時間T6において、本発明は図3(B)に
示すように、ピーク検出器モードで動作する。時間T6
とT7の間では、入力信号100は比較器304の非反
転入力に結合される。図4において、この期間に入力信
号100の6つのローブが存在する。入力信号100が
出力電圧VOUT より高いとき、比較器304の出力はハ
イになる。このことは、ピーク検出電流源I310を動
作可能にする。電流源I310は、入力信号100が出
力電圧VOUT の瞬時値より下に下降するまでキャパシタ
C102を充電する。時間T7より前に、電流源I31
0は、出力電圧VOUT を入力信号100のピーク値まで
充電する(図4に示す)。
【0036】時間T7で、本発明はPKDET及びRE
SET信号がローである保持モードで動作する。このこ
とは、電流源I310及びI312を動作不能にし、保
持キャパシタC102への電流供給も電流排出もしな
い。従って図4において、出力電圧VOUTは時間T7後
ではVMAXのピーク値に止まる。
【0037】本発明は低オフセット電圧で、増幅器スル
ー・レート制限のない且つ雑音排除能力に優れた閉ルー
プのピーク検出を提供する。保持キャパシタC102に
蓄積されたピーク電圧は、ANDゲート306に適用さ
れたピーク検出信号のタイミングによって影響されな
い。ピーク検出器はまた自分自身をオフにする。従っ
て、外部の論理タイミングは重要ではない。更に本発明
の利点は、電流源駆動によって優れた雑音排除能力を提
供することである。別の利点は、ピーク検出器の正確さ
が比較器のオフセット電圧によって決定されることであ
る。チャネル間に整合用時定数は必要ない。本発明の更
に別の利点は、MOSFET入力比較器が最小の入力バ
イアス電流を有することである。従って、比較器304
の反転入力によって保持キャパシタC102から殆ど電
荷が排出されない。更に本発明の別の利点は、演算増幅
器のスルー・レート/クランプの問題がないことであ
る。またリセット電圧が常にVREF電圧と等しいか又は
それ以下であることも利点である。
【0038】図5は、本発明によるピーク検出を示すタ
イミング・ダイアグラムである。時間ゼロとT1の間で
は、本発明は保持モードで動作し、出力電圧は実線で示
す2.7ボルト近くの一定レベル(実線)である。時間
T1において、入力信号100は比較器304の非反転
入力に結合される。入力信号は点線で示されている。図
5に示すように、出力電圧VOUT (実線)は、入力信号
100の瞬時値が出力電圧VOUT より下に降下するまで
直線的に上昇する。従って時間T5において、入力信号
は出力電圧VOUTを最大値VMAX(入力信号のピーク電
圧)に到達せしめる。
【0039】接地電位付近の追従範囲の電流シンク:
発明は差動トランジスタに関する向上した電圧追従電流
源を提供する。この回路はピーク検出器で用いられる。
この技術分野でよく知られているように、集積回路(I
C)は一般に差動対のトランジスタに対して動作電流を
供給するために電流源を必要とする。
【0040】図6は、差動対に対する従来技術の電流源
を示す図である。抵抗R102及びR104の第1の端
子は電源電圧VCCに結合している。抵抗R102及びR
104の第2の端子は、それぞれNPNトランジスタQ
102及びQ104のコレクタに結合している。トラン
ジスタQ102及びQ104のベースは入力信号を受信
する。トランジスタQ102及びQ104のエミッタは
共に電流源I102の第1の端子に結合している。電流
源I102の第2の端子は接地電位に結合されている。
電流源I102は一定の電流IS を流す。
【0041】図6に示す電流源I102は、図7に示す
従来技術で実施されている。電流源I102は、NPN
トランジスタQ202、抵抗R202及び電圧源206
から成る。トランジスタQ202のコレクタは、トラン
ジスタQ102及びQ104のエミッタに結合してい
る。トランジスタQ202のベースは、VBIASの値を有
する電圧源206に結合している。トランジスタQ20
2は、エミッタを抵抗R202を通して接地電位に結合
している。
【0042】図7に示す従来技術機構の欠点は、電流源
I102に対して、低電圧域における電圧追従に制約が
あることである。抵抗R202の両端の電圧降下VRES
はおおよそトランジスタQ202のベース・エミッタ電
圧の半分である。公称ベース・エミッタ電圧VBE0.6
ボルトに関して、抵抗R202の両端の電圧VRES はお
よそ0.3ボルトである。従って、トランジスタQ20
2のコレクタにおける電圧追従の下限はおよそ0.4ボ
ルト(VRES +0.1ボルト)である。このことは、ト
ランジスタQ102及びQ104のベースにおいてコモ
ン・モード電圧に制約を生ずる。コモン・モード電圧の
下限は、0.4ボルトとトランジスタQ102又はQ1
04のVBEの合計よりも低いことが望ましい。
【0043】図8は、本発明による差動対と共に使用さ
れる改良された電流シンクを示す。差動対は本発明の比
較回路で用いられる。本発明の電流シンクは、図7に示
す従来技術のエミッタ抵抗電圧降下がなく、接地電位近
くの追従域を達成している。
【0044】図8において、ダイオードD302の第1
の端子は電源電圧VCCに結合している。ダイオードD3
02の第2の端子は、抵抗R102及びR104の第1
の端子に結合しており、更にPNPトランジスタQ30
2のベースに結合している。抵抗R102及びR104
の第2の端子は、それぞれトランジスタQ102及びQ
104のコレクタに結合している。入力信号はトランジ
スタQ102及びQ104のベースに与えられる。トラ
ンジスタQ102及びQ104のエミッタは共にトラン
ジスタQ202のコレクタに結合している。トランジス
タQ202のエミッタは接地電位に結合している。トラ
ンジスタQ302のエミッタはVCCに結合している。ト
ランジスタQ302のコレクタはノートン(Norton)増
幅器U306の非反転入力に結合している。一定値I
REF を有する基準電流I302は、ノートン増幅器U3
06の反転入力に与えられる。ノートン増幅器U306
の出力は、トランジスタQ202のベースに与えられ
る。
【0045】トランジスタQ202のコレクタ電流の値
は差動対(トランジスタQ102及びQ104から成
る)上でサンプリングされ、トランジスタQ302のコ
レクタにミラー(mirror)される。トランジスタQ30
2のコレクタはノートン増幅器U306の非反転入力に
結合している。ノートン増幅器の反転入力は、基準電流
I302に結合している。当技術分野で良く知られてい
るように、ノートン増幅器は、2つの電流を入力とする
電流差増幅器であり、入力電流の差に対応する電圧出力
を供給する。
【0046】トランジスタQ302のコレクタ電流が基
準電流I302より大きいとき、ノートン増幅器U30
6は負の誤差電圧を生成する。この誤差電圧は、トラン
ジスタQ302の電流が基準電流I302と一致するま
でトランジスタQ202のベース電圧を減少させる。ト
ランジスタQ302の電流が基準電流I302より小さ
いとき、ノートン増幅器U306の出力電圧は上昇す
る。このことは、トランジスタQ202によって流され
る電流I302と一致するまで増加させる。接地電位付
近の追従は、図7に見られる抵抗R202を取り除くこ
とによって達成され、フィードバック・ループを用いる
ことによって高出力インピーダンスが実現される。従っ
て、本発明は、従来技術の直列フィードバック抵抗をノ
ートン増幅器のフィードバック・ループで置き換え、接
地電位付近の追従を達成している。
【0047】本発明の望ましい実施例:図9は本発明の
望ましい実施例を示す詳細図である。この回路は接地電
位付近の電圧追従を有する電流シンクを備えた閉ループ
のピーク検出器である。この装置は、スイッチ・ブロッ
ク302、制御ブロック320、差動増幅器980、レ
ベル・シフト段984、第2の増幅段986、バイアス
回路982、電流源972及び974及びキャパシタC
102を備えている。接地電位付近の電圧追従を有する
電流シンクはノートン増幅器306及び電流ミラー97
0を備えている。差動増幅器980及びレベル・シフト
段984は図3(A)の比較器304に対応する。同様
に、電流源974及び電流シンク972は、第2の増幅
段986と共に、それぞれ図3(A)の電流源I310
及びI312に対応している。
【0048】制御ブロック320は、インバータI90
2及びI904、NANDゲートA902及びFET
M906、M908、M910を有する。RESET信
号はインバータI902の入力に結合している。インバ
ータI902の出力は、NANDゲートA902の第1
入力及びFET M908及びM910のゲート電極に
結合している。電流シンク972はFET M908及
びM910を含む。PKDET信号は、制御ブロック3
20のNANDゲートA902の第2の入力に与えられ
る。NANDゲートA902の出力は、インバータI9
04の入力とスイッチ・ブロック302に結合してい
る。具体的には、NANDゲートA902の出力は、伝
送ゲートT904,T908の非反転制御入力及び伝送
ゲートT902とT906の反転制御入力に結合してい
る。インバータI904の出力は、PMOS FET
M906のゲート及びスイッチ・ブロック302に結合
している。具体的には、インバータI904の出力は、
伝送ゲートT902,T906の非反転制御入力及び伝
送ゲートT904とT908の反転制御入力に結合して
いる。制御ブロック320のPMOS FET M90
6は電流源974に含まれている。
【0049】スイッチ・ブロック302は、アナログ伝
送ゲートT902−T908を有する。伝送ゲートT9
04の入力は接地電位に接続されている。入力信号10
0は伝送ゲートT902の入力に与えられる。伝送ゲー
トT902の出力は、伝送ゲートT904の出力及び伝
送ゲートT906の入力に結合している。基準電圧V
REF は、伝送ゲートT908の入力に与えられる。伝送
ゲートT906及びT908の出力は、差動増幅器98
0のFET M902のゲート電極に結合している。
【0050】差動増幅器980は差動増幅器980に対
する入力であるFET M902及びM904を含む。
FET M902及びM904のドレインは電源電圧V
CCに結合している。FET M902のソースは、トラ
ンジスタQ908のベース及びトランジスタQ912の
コレクタに結合している。同様に、FET M904の
ソースは、トランジスタQ910のベース及びトランジ
スタQ914のコレクタに結合している。トランジスタ
Q908及びQ910は共通エミッタを有する差動対で
ある。抵抗R920及びR922はそれぞれ接地電位と
トランジスタQ912及びQ914のエミッタとの間に
結合している。トランジスタQ912及びQ914のベ
ースは、トランジスタQ916−Q922のベースに結
合している。
【0051】トランジスタQ908及びQ910のコレ
クタは、それぞれトランジスタQ904及びQ906の
エミッタに結合している。カスコード(cascode )接続
されたトランジスタQ904及びQ906のベースは、
バイアス回路982のトランジスタQ932のエミッタ
に結合している。トランジスタQ904及びQ906の
コレクタは、それぞれ抵抗R902及びQ904の第1
端子に結合している。トランジスタQ904及びQ90
6のコレクタは、それぞれ差動増幅器980の電圧出力
を提供し、レベル・シフト段984のトランジスタQ9
38及びQ940のベースに結合している。抵抗R90
2及びR904の第2端子は、共に結合され、ダイオー
ド接続されたPNPトランジスタQ902を通して電源
電圧VCCに結合している。
【0052】ダイオード接続されたトランジスタQ90
2は図8のダイオードD302に対応する。トランジス
タQ902のベースは、トランジスタQ902のコレク
タ及びPNPトランジスタQ934のベースに結合して
いる。トランジスタQ902のコレクタは、差動増幅器
980の抵抗R902及びR904の第2端子に結合し
ている。トランジスタQ902のエミッタは、電源電圧
CCに結合している。差動増幅器980を流れる電流I
AMP は、ダイオード接続されたトランジスタQ902の
コレクタでPNPトランジスタQ934によってミラー
(mirror)される。PNPトランジスタQ934はその
コレクタから電流IINをノートン増幅器306(以下に
説明する)に供給する。トランジスタQ934のエミッ
タは電源電圧VCCに結合している。PNPトランジスタ
Q934は図8のトランジスタQ302に対応する。
【0053】図9において、バイアス回路982は破線
内に示されている。トランジスタQ932のコレクタは
電源電圧VCCに結合している。トランジスタQ932の
ベースはトランジスタQ936のベースに結合してい
る。トランジスタQ936はダイオード接続されてい
る。トランジスタQ936のベースは、トランジスタQ
936のコレクタに結合している。抵抗R914は電源
電圧VCCとトランジスタQ936のコレクタの間に結合
している。トランジスタQ936のエミッタは抵抗R9
10の第1端子に結合している。抵抗R910の第2端
子は、NPNトランジスタQ924のベースとNPNト
ランジスタQ918のコレクタに結合している。トラン
ジスタQ924のコレクタは、電源電圧VCCに結合して
いる。トランジスタQ924のエミッタは、トランジス
タQ912ないしトランジスタQ922のベースに結合
している。トランジスタQ916及びQ918は電流ミ
ラーを形成する。抵抗R924及びR926は、それぞ
れ接地電位とトランジスタQ916及びQ918のエミ
ッタとの間に結合している。トランジスタQ916のコ
レクタはトランジスタQ928のコレクタに結合してい
る。
【0054】PNPトランジスタQ928はダイオード
接続されている。トランジスタQ928のベースは、そ
のコレクタに結合している。PNPトランジスタQ92
8のベースは、PNPトランジスタQ926及びQ93
0のベースに結合している。PNPトランジスタQ92
6はバイアス電流IBIASをそのコレクタから電流ミラー
976(以下に説明する)に供給する。抵抗R906
は、NPNトランジスタQ932のエミッタとPNPト
ランジスタQ926のエミッタの間に結合している。同
様に、抵抗R908及びR912は、それぞれトランジ
スタQ932のエミッタとPNPトランジスタQ928
及びQ930のエミッタとの間に結合している。PNP
トランジスタQ930のコレクタは、基準電流IREF
ノートン増幅器306(以下に説明)に供給する。バイ
アス回路982は、差動増幅器980のカスコード接続
されたトランジスタQ904及びQ906にバイアス電
圧を与える。またバイアス回路982はまた、別のバイ
アス電圧をレベル・シフト段984のトランジスタQ9
20及びQ922に与える。更にバイアス回路982
は、基準電流IREF及びバイアス電流IBIAS をノートン
増幅器306及び電流ミラー970に与える。
【0055】レベル・シフト段984は差動増幅器98
0から出力信号を受信する。具体的には、トランジスタ
Q938及びQ940のベースは、それぞれカスコード
接続されたトランジスタQ904及びQ906のコレク
タに結合している。NPNトランジスタQ938及びQ
940のコレクタは電源電圧VCCに結合している。トラ
ンジスタQ938及びQ940のエミッタは、それぞれ
ダイオード接続されたトランジスタQ942及びQ94
4に結合している。トランジスタQ942及びQ944
のベースは、それぞれ各トランジスタQ942及びQ9
44のコレクタに接続している。トランジスタQ942
及びQ944のエミッタは、それぞれトランジスタQ9
20及びQ922のコレクタに結合している。抵抗R9
28及びR930は、それぞれ接地電位とトランジスタ
Q920及びQ922のエミッタとの間に結合してい
る。レベル・シフト段984のダイオード接続されたト
ランジスタQ942及びQ944のエミッタは、それぞ
れ第2の増幅段986のトランジスタQ952及びQ9
50のベースに結合している。従って、レベル・シフト
段984のトランジスタQ942及びQ944のエミッ
タは、第2の増幅段986に対して出力信号を供給す
る。
【0056】第2の増幅段986は差動対Q950及び
Q952を備えている。トランジスタQ950及びQ9
52のエミッタは、共にトランジスタQ954のコレク
タに結合している。抵抗R932は、トランジスタQ9
54のエミッタと接地電位の間に結合している。トラン
ジスタQ954は、トランジスタQ954のベースに結
合している電圧VPKBIASによってバイアスされる。トラ
ンジスタQ954及び抵抗R932は従来技術の電流源
である。第2の増幅段986のトランジスタQ952の
コレクタ電流は、電流シンク972の電流ISINKを制御
する。同様に、第2の増幅段986のトランジスタQ9
50のコレクタ電流は、電流源974の電流ISOURCE
制御する。
【0057】電流シンク972は、第2の増幅段986
のトランジスタQ952のコレクタに結合している。具
体的には、NPNトランジスタQ946のコレクタは、
第2の増幅段986のNPNトランジスタQ952のコ
レクタに結合している。抵抗R938は、電源電圧VCC
とトランジスタQ946のエミッタとの間に結合してい
る。抵抗R942の第1端子は、トランジスタQ946
のベースに結合している。抵抗R942の第2端子は、
トランジスタQ946のコレクタ及びトランジスタQ9
48のベースに結合している。抵抗R940は、電源電
圧VCCとトランジスタQ948のエミッタとの間に結合
している。従って、第2の増幅段986のトランジスタ
Q952によって流される電流に比例する電流がトラン
ジスタQ948のコレクタから供給される。トランジス
タQ948のコレクタは、トランジスタQ956のコレ
クタ及びトランジスタQ958のベースに結合してい
る。トランジスタQ958のコレクタは、電源電圧VCC
に結合している。抵抗R934は、トランジスタQ95
6のエミッタと接地電位との間に結合している。トラン
ジスタQ958のエミッタは、トランジスタQ956及
びQ960のベースに結合している。抵抗R936は、
接地電位とトランジスタQ960のエミッタとの間に結
合している。トランジスタQ956及びQ960は電流
ミラーを形成する。従って、トランジスタQ960は、
トランジスタQ946のコレクタから供給される電流に
比例する電流ISINKを流す。電流シンク972のトラン
ジスタQ960のコレクタは、差動増幅器980のFE
T入力M904(ゲート)、電流源974及びキャパシ
タC102に結合している。
【0058】電流シンク972は、更に制御ブロック3
20のFET M908及びM910を含む。FET
M908のドレインは、トランジスタQ958のベース
に結合している。FET M908及びM910のゲー
トは、共にインバータI902の出力に結合している。
FET M910のドレインは、トランジスタQ958
のエミッタ及びトランジスタQ956とQ960のベー
スに結合している。FET M908及びM910のソ
ースは、接地電位に結合している。
【0059】電流源974のPNPトランジスタQ96
2のコレクタは、第2の増幅段986のNPNトランジ
スタQ950のコレクタに結合している。抵抗R940
は、電源電圧VCCとPNPトランジスタQ962のエミ
ッタとの間に結合している。抵抗R948の第1端子
は、トランジスタQ962のベースに結合している。抵
抗R948の第2端子は、トランジスタQ962のコレ
クタ及びPNPトランジスタQ964のベースに結合し
ている。抵抗R946は、電源電圧VCCとトランジスタ
Q964のエミッタとの間に結合している。電流源97
4のトランジスタQ962及びQ964は、電流ミラー
を形成する。
【0060】電流源974は、制御ブロック320のF
ET M906を含む。制御ブロック320のインバー
タI904の出力は、FET M906のゲートに結合
している。FET M906のドレインは、トランジス
タQ964のベースに結合している。FET M906
のソースは、電源電圧VCCに結合している。
【0061】キャパシタC102は、トランジスタQ9
64のコレクタと接地電位との間に結合している。電流
源974のトランジスタQ964は、第2の増幅段98
6のトランジスタQ950によって流される電流に比例
する出力電流ISOURCEを供給する。
【0062】バイアス回路982のPNPトランジスタ
Q930のコレクタは、電流IREFをノートン増幅器3
06に供給する。具体的には、トランジスタQ930の
コレクタは、NPNトランジスタQ976のコレクタに
結合している。トランジスタQ976はダイオード接続
されている。トランジスタQ976のベースは、トラン
ジスタQ976のコレクタ及びトランジスタQ974の
ベースに結合している。トランジスタQ974及びQ9
76のエミッタは、接地電位に結合している。キャパシ
タC902の第1端子は、トランジスタQ974及びQ
976のベースに結合している。キャパシタC902の
第2端子は、トランジスタQ974のコレクタ及びトラ
ンジスタQ972のベースに結合している。抵抗R91
8は、トランジスタQ972のエミッタと接地電位との
間に結合している。トランジスタQ934のコレクタ
は、電流IINをトランジスタQ974のコレクタ、トラ
ンジスタQ972のベース及びキャパシタC902の第
2端子に供給する。電流IINは差動増幅器980を流れ
る電流に比例する。ノートン増幅器は、入力電流IIN
トランジスタQ934から受信し、基準電流IREF をバ
イアス回路982のトランジスタQ930から受信す
る。
【0063】トランジスタQ972のコレクタは、電流
ミラー976のトランジスタQ970のコレクタに結合
しているノートン増幅器306の出力を提供する。バイ
アス回路982のトランジスタQ926はバイアス電流
BIASを電流ミラー976及びノートン増幅器306の
出力に供給する。バイアス回路982のトランジスタQ
926のコレクタは、トランジスタQ972のコレク
タ、トランジスタQ966のベース及びトランジスタQ
970のコレクタに結合している。電流ミラー976の
トランジスタQ966のコレクタは、電源電圧VCCに結
合している。トランジスタQ966のエミッタは、トラ
ンジスタQ968とQ970のベース及び抵抗R916
の第1端子に結合している。トランジスタQ968とQ
970のエミッタ及び抵抗R916の第2端子は、接地
電位に結合している。電流ミラー976のトランジスタ
Q968のコレクタは、差動増幅器980のトランジス
タQ908及びQ910のエミッタに結合している。ト
ランジスタQ968は、定電流IAMPを流す。電流ミラ
ー976は、図8のトランジスタQ202を置き換えた
ものである。
【0064】図9に示すように、PKDET及びRES
ET信号は、本発明の制御ブロック320に与えられ
る。閉ループのピーク検出器は、リセット、ピーク検出
及び保持の3つのモードで動作する。ピーク検出器は、
スイッチ・ブロック302を通して入力信号100(全
波整流信号で良い)又は基準電圧VREF に結合する非反
転入力(FET M902)を有する差動増幅器980
を備えている。キャパシタC102の両端の出力電圧V
OUT は、フィードバック・ループで差動増幅器980の
反転入力(FET M904)に結合している。差動増
幅器980のトランジスタQ904及び906は、バイ
アス回路982のトランジスタQ932のエミッタの電
圧でバイアスされている。差動対Q908及びQ910
を有するトランジスタQ904及びQ906のカスコー
ド構成は、トランジスタQ904及びQ906のコレク
タにおいて高出力インピーダンスを提供する。このこと
はまた、トランジスタQ908及びQ910における好
ましくない高周波フィードバックを防止する。
【0065】電流ミラー976は、トランジスタQ90
8及びQ910に定電流IAMP を流す。FET M90
2及びM904のゲートに与えられる電圧の間のアンバ
ランスによって、トランジスタQ908及びQ910を
流れる電流が支配される。このことは、レベル・シフト
段984に対する出力であるカスコード・トランジスタ
Q904及びQ906のコレクタ電圧の間に電位差を生
ずる。FET M902及びM904のゲート電圧が等
しいとき、電流IAMP は、トランジスタQ908及びQ
910に等しく(IAMP /2)分かれる。このことは、
レベル・シフト段984のトランジスタQ938及びQ
940のベースに等しい電圧を与える。
【0066】バイアス回路982は、差動増幅器980
及びレベル・シフト段984に対してバイアス電圧を与
える。バイアス回路982はまた、電流IREF 及びI
BIASをノートン増幅器306及び電流ミラー976に与
える。ダイオード接続されたトランジスタQ936及び
Q918及び抵抗R910,R914及びR926は、
バイアス回路982における安定した動作電流を確立す
る。トランジスタQ918のベース電圧は、釣り合った
電流を差動増幅器980のトランジスタQ912及びQ
914、レベル・シフト段984のトランジスタQ92
0及びQ922及びバイアス回路982のトランジスタ
Q916にバイアスする。トランジスタQ932は、差
動増幅器980のカスコード接続されたトランジスタQ
904及びQ906をバイアスするエミッタ電圧を生成
する。トランジスタQ932のエミッタ電圧はまた、バ
イアス回路982における他の電流源のための既知の電
圧を設定する。
【0067】バイアス回路982はトランジスタQ92
8を含む別の電流ミラー回路を備えている。トランジス
タQ916は、トランジスタQ928及び抵抗R908
に既知の電流を生成し、従って、トランジスタQ930
及びQ926に既知に電流IREF及びIBIASを生成す
る。電流IREF及びIBIASは、トランジスタQ926及
びQ930のベースに適用されるトランジスタQ928
のベース電圧に応答して生成される。トランジスタQ9
30のコレクタは、電流IREF をノートン増幅器306
に供給する。同様に、トランジスタQ926のコレクタ
は、電流IBIASを電流ミラー976に供給する。
【0068】トランジスタQ934、ノートン増幅器3
06及び定電流IBIASは、接地電位付近の電圧追従を有
する電流ミラー976によって流される定電流IAMP
維持するために用いられるフィードバック・ループを形
成する。ダイオード接続されたトランジスタQ902
は、差動増幅器980における電流IAMP をサンプリン
グする。一方、トランジスタQ934は、IAMP に比例
する電流IINをノートン増幅器306に供給する。ノー
トン増幅器306は、基準電流IREF をバイアス回路9
82から受信する。ノートン増幅器306は、電流I
REF を(トランジスタQ976を通して)トランジスタ
Q974にミラーする。キャパシタC902は、ノート
ン増幅器306が本発明における接地電位付近の電圧追
従を有する電流シンクのフィードバック・ループ内に含
まれるので、周波数の安定性を提供する。電流IIN(ト
ランジスタQ934から供給される)とトランジスタQ
974を流れる固定電流IREF との差がトランジスタQ
972をバイアスする。トランジスタQ972は、エミ
ッタ変形構成(R918)である。
【0069】電流IN とIREFとの差は、電流ミラー9
76によって流される電流IAMPを変調する。トランジ
スタQ972に対するバイアス電流の変化は、トランジ
スタQ972のコレクタ電流を変動させ、PNPトラン
ジスタQ934によって供給される固定電流IBIASから
電流ΔIを引き出す(一般に、電流IBIASは、ノートン
増幅器が電流ミラー976に接続されていないとき、電
流IREF より20%大きい)。トランジスタQ966
は、トランジスタQ968及びQ970のベースをバイ
アスする。トランジスタQ970を流れる電流(IBIAS
ーΔI)は、トランジスタQ968によって流される電
流IAPM を決定する。従って、ノートン増幅器306の
出力は、電流IINとIREF1の差に応答して電流ミラー9
76によって流される電流IAMP を変調する。電流IIN
は、トランジスタQ902によってサンプリングされた
差動増幅器980を流れる電流IAMP に応答して供給さ
れる。
【0070】トランジスタQ918のベース電圧は、レ
ベル・シフト段984のトランジスタQ920及びQ9
22をバイアスして、固定した等しい電流をトランジス
タQ920及びQ922に生成する。トランジスタQ9
04及びQ906のコレクタ電圧は、トランジスタQ9
38及びQ940のベースに適用される。レベル・シフ
ト段984は、トランジスタQ904及びQ906のコ
レクタ電圧を、ダイオード接続されたトランジスタQ9
42及びQ944のエミッタで、2つのベース・エミッ
タ電圧降下分(2VBE)だけ下へ移動させる。レベル・
シフト段984のトランジスタQ942及びQ944の
エミッタ電圧は、それぞれ第2の増幅段986の差動対
トランジスタQ952及びQ950のベースをバイアス
する。トランジスタQ954は、バイアス電圧VPKBIAS
によってバイアスされ、トランジスタQ954によって
流される定コレクタ電流を生成する。バイアス電流V
PKBI ASは、トランジスタQ954のコレクタ電流をセッ
トするためのディジタル−アナログ変換器(DAC)か
ら受信した電圧で良い。
【0071】トランジスタQ954の定コレクタ電流
は、トランジスタQ942及びQ944のエミッタ電圧
の差に従ってそれぞれトランジスタQ952及びQ95
0のエミッタから流される。トランジスタQ952のコ
レクタ電流に比例する電流は、PNPトランジスタQ9
46及びQ948を有する電流ミラーのトランジスタQ
948のコレクタによって供給される。トランジスタQ
952のコレクタ電流は、トランジスタQ956及びQ
960を有する電流ミラーに与えられる。トランジスタ
Q958のエミッタは、トランジスタQ956及びQ9
60をバイアスする。電流シンク972のトランジスタ
Q960のコレクタは、キャパシタC102に結合して
いる。トランジスタQ948のコレクタ電流は、トラン
ジスタQ956及びQ960によってミラーされ、電流
SINKを生成する。
【0072】FET M908のドレインは、トランジ
スタQ958のベースに結合している。同様に、FET
M910のドレインは、トランジスタQ956及びQ
960のベースに結合している。RESET信号がロー
のとき、制御ブロック320のインバータI902の出
力はハイである。インバータI902のハイ出力は、F
ET M908及びM910を動作可能にし、従ってト
ランジスタQ956、Q958及びQ960のベースを
接地電位に引き込む。これは、トランジスタQ956及
びQ960を有する出力電流ミラーを動作不能にする。
電流シンク972の出力(トランジスタQ960のコレ
クタ)は、低漏洩電流状態に置かれる。RESET信号
がハイのとき、電流シンク972は上述のように動作す
る。トランジスタQ960は、ISINKを第2の増幅段9
86のトランジスタQ952及びQ950のベース電圧
の差に応答して流す。
【0073】トランジスタQ950のコレクタ電流に比
例する電流は、PNPトランジスタQ962及びQ96
4を有する電流ミラーのトランジスタQ964のコレク
タによって供給される。電流源974のトランジスタQ
964のコレクタは、キャパシタC102に結合してい
る。トランジスタQ964のコレクタは、電流ISOUR CE
をキャパシタC102に供給する。トランジスタQ96
4は、ISOURCEを第2の増幅段986のトランジスタQ
952及びQ950のベース電圧の差に応答して供給す
る。
【0074】PMOS FET M906のドレイン
は、トランジスタQ964のベースに結合している。R
ESET信号がハイ及び/或いはPKDET信号がロー
のとき、制御ブロック320のインバータI904の出
力はローである。インバータI904のロー出力は、F
ET M906を動作可能にし、トランジスタQ964
のベースを電源電圧VCCに引き上げる。これはトランジ
スタQ964を動作不能にする。電流源974の出力
(トランジスタQ964のコレクタ)は、低漏洩電流状
態に置かれる。RESET信号がローで、PKDET信
号がハイのとき、電流シンク974は上述のように動作
する。
【0075】図9に示すように、PKDET及びRES
ET信号は、本発明のピーク検出回路に与えられる。こ
の回路は、リセット、ピーク検出及び保持の3つのモー
ドで動作する。PKDET及びRESET信号は、スイ
ッチ・ブロック302及び電流シンク972と電流源9
74を制御する。表1は、差動増幅器980の入力電圧
IN(FET M902のゲート)及びPKDET及び
RESET信号に応答した電流シンク972と電流源9
74の状態を表したものである。
【0076】 表1 モード PKDET RESET IN 電流シンク972 電流源974 保持 0 0 VREF 動作不能 動作不能 ピーク検出 1 0 入力信号100 動作不能 動作可能 リセット 0 1 VREF 動作可能 動作不能 任意モード 1 1 VREF 動作可能 動作不能
【0077】表1に示すように、RESET信号は、P
KDET信号を無効にする。従って、両方の信号が論理
ハイのとき、図9の閉ループ・ピーク検出器は、リセッ
ト・モードに保たれる。
【0078】図9を参照すると、リセット・モードにあ
るとき、スイッチ・ブロック302は、差動増幅器98
0のFET M902のゲートを基準電圧VREF に結合
している。電流源974は動作不能にされ、電流シンク
972は動作可能にされる。出力電圧VOUTが基準電圧
REFより高いとき、正の電位差がトランジスタQ90
4及びQ906のコレクタ間に生成される。このコレク
タ間の電位差は、トランジスタQ950よりもトランジ
スタQ952に多くの電流を流す。しかし、リセット・
モードでは、電流源974は、低漏洩電流状態で動作不
能である。従って、釣り合った電流ISINKが電流シンク
972によって流され、キャパシタC102を放電させ
る。インバータI902のロー出力は、電流シンク97
2を動作可能にする。電流シンク972は、ピーク検出
器の出力電圧VOUT がFET M902のゲートに与え
られた基準電圧VREF よりやや低い値に放電されるまで
キャパシタC102から電荷を引き出し続ける。これが
起こると、差動増幅器980によって出力されるトラン
ジスタQ904及びQ906のコレクタの電位差は負に
なる。これは、出力電圧VOUTを一定の基準電圧レベル
REFに維持する。
【0079】ピーク検出モードにあるとき、PKDET
信号はハイでRESET信号はローである。入力信号1
00は、スイッチ・ブロック302によってFET M
902に与えられる。制御ブロック320のインバータ
I902の出力はハイであり、電流シンク972を動作
不能にする。入力信号100がキャパシタC102に蓄
積された電圧VOUT よりも低いとき、トランジスタQ9
04及びQ906のコレクタの正の電位差は、第2の増
幅段986のトランジスタを流れる電流をゼロに減少さ
せる。一方、トランジスタQ964によってミラーされ
る電流はゼロになり、キャパシタC102の充電を防止
する。入力信号100が出力電圧VOUTを超えると、ト
ランジスタQ904及びQ906のコレクタの負の電位
差は、第2の増幅段986のトランジスタQ950を流
れる電流をオンに切り替える。電流源974は、キャパ
シタC102を、入力信号100が出力電圧VOUT の瞬
時レベルより下に減少するまで充電する。差動増幅器9
80は、バイアス電流を必要としないMOSFET入力
比較器を有する。差動増幅器980は、入力信号100
を閉ループ・フィードバックを用いて電圧VOUT と比較
する。
【0080】トランジスタQ904及びQ906のコレ
クタの電位差が負の時、電流源974は、電流ISOURCE
を与えて、出力電圧VOUTが入力信号100の瞬時値と
等しくなるまでキャパシタC102を充電する。キャパ
シタC102の両端の出力電圧VOUT は、スルー・レー
ト制限がある。従って、本発明は、出力電圧を入力信号
100の最大値へ押し上げるのに入力信号100の連続
した正のローブを必要とする。従って、ピーク検出モー
ドでは、電流源974は、入力信号100が電圧VOUT
を上まわるとき、キャパシタC102を継続して充電
し、電圧VOUTを上昇させる。
【0081】本発明の保持モードでは、PKDET及び
RESET信号は両方ともローである。このモードに置
いて、スイッチ・ブロック302は、基準電圧VREF
差動増幅器980のFET M902に結合する。PK
DET及びRESET信号がローであることによって、
電流シンク972及び電流源974は動作不能となる。
従って、電流は、キャパシタC102に供給されない
し、またキャパシタC102から排出されず、キャパシ
タC102はほぼ一定量の電荷を維持する。従って、出
力電圧VOUT は、キャパシタC102に蓄積された入力
信号100のピーク電圧に等しい。
【0082】3つのモードを示すタイミング・ダイヤグ
ラム:図4は、差動増幅器980のFET M902に
適用された入力電圧及び対応する出力電圧信号VOUT
示すタイミング・ダイヤグラムである。FET M90
2での入力電圧は点線で示されている。時間0からT1
の間では、PKDET信号はローでRESET信号はハ
イである。初期に置いて、キャパシタC102は放電さ
れており、従って出力電圧VOUT は0ボルトのレベルを
有する(実線で示す)。スイッチ・ブロック302がF
ET M902に電圧VREF を与えるので、入力電圧V
INはVREF に等しい。図4に示すように、電流源974
は動作不能である。電流シンク972は、電流IAMP
第2の増幅段986のトランジスタQ950を通して支
配されるので電流を流さない。出力電圧VOUT は接地電
位付近に維持される。
【0083】時間T1とT3の間では、本発明はピーク
検出モードで動作する。図3(B)に示すように、PK
DET信号はハイでRESET信号はローである。この
モードでは、FET M902は、入力信号100に結
合している。図4において、入力信号100(破線で示
す)は、全波整流電圧信号である。図はこの時間間隔に
入力信号100の6つのローブを示している。
【0084】時間T1で、出力電圧VOUT は0ボルトに
等しい。時間T1とT2の間では、FET M902に
与えられる入力信号100は、FET M904に与え
られる出力信号VOUT よりも大きい。このことは、差動
増幅器980のトランジスタQ904よりもトランジス
タQ906のコレクタで大きな電圧を生成する。電流源
974は、トランジスタQ950によって流される電流
に応答してキャパシタC102を充電する。図4におい
て、出力電圧VOUT は、時間T1とT2の間では入力信
号100に応答して上昇する。
【0085】時間T2で、瞬時電圧VOUT は、入力信号
100の最小レベルに上昇する。差動増幅器980は、
トランジスタQ904及びQ906のコレクタで正の電
位差を生ずる。これは電流源974をオフにする(電流
シンク972はインバータI902によって動作不能に
されている)。電流シンク972及び電流源974が動
作不能であるので、ピーク検出器の出力電圧VOUT は、
一定レベルに保持される。出力電圧VOUT は、差動増幅
器に与えられた入力信号100の電圧が出力電圧VOUT
を上まわるまで一定のままである。時間T2とT3の間
では、キャパシタC102が電流源974によって充電
されるのにつれて、出力電圧VOUT は周期的に上昇す
る。
【0086】時間T3では、PKDET及びRESET
信号をローにセットすることによって、ピーク検出器は
保持モードに切り替えられる。電流シンク972及び電
流源974の両方(ISINK及びISOURCE)共動作不能に
なる。保持モードの間、スイッチ・ブロック302は、
一定レベル(点線で示す)で示す一定基準電圧VREF
結合している。図4において、時間T3とT4の間で
は、出力電圧VOUT は、一定レベルV1に保持される
(電圧0≦V1≦VMAX )。
【0087】時間T4において、本発明のピーク検出器
は、リセット・モードで動作する。PKDET信号はロ
ーでRESET信号はハイである。PKDET信号をゼ
ロにセットすることにとって、電流源974は動作不能
になる。スイッチ・ブロック302は、差動増幅器98
0のFET M902を基準電圧VREF に結合する。図
4に示すように、出力電圧VOUT(実線)はV1の値を有
する。V1はVREFに等しい差動増幅器980の入力電圧
IN(点線で示す)より大きい。差動増幅器980は、
トランジスタQ904及びQ906において負のコレク
タ電位差を生成し、キャパシタC102を放電させる電
流ISINKを生成する。出力電圧VOUT はV1のレベルか
らVREFに降下する。
【0088】時間T5でVOUTは差動増幅器980に供
給した基準電圧VREFに到達する。一方、差動増幅器9
80の出力は、電流源974を動作不能にする。時間T
5とT6の間では、出力電圧VOUTは一定レベルVREF
有する。
【0089】時間T6において本発明はピーク検出モー
ドで動作する。時間T6とT7の間では、入力信号10
0は差動増幅器980のFET M902に結合してい
る。図4において、この時間間隔に入力信号100の6
つのローブが存在する。入力信号100が出力信号V
OUT を上まわるとき、差動増幅器980はトランジスタ
Q904及びQ906に関して負のコレクタ電位差を生
成する。これに応答して、電流源974は、入力信号1
00が出力電圧VOUT の瞬時値を下まわるまでキャパシ
タC102を充電する。時間T7になる前に、電流源9
74は、保持キャパシタC102を入力信号100のピ
ーク値へ充電する(図4に示すように)。
【0090】時間T7で、本発明は、PKDET及びR
ESET信号がローである保持モードで動作する。これ
は、電流源974及び電流シンク972を動作不能に
し、保持キャパシタC102への電流の供給及び排出を
防止する。従って、図4において、出力電圧VOUTは、
時間T7後はそのピーク値に保持される。
【0091】
【発明の効果】本発明は、低オフセット電圧で、増幅器
スルー・レート制限のない、雑音排除能力に優れた閉ル
ープのピーク検出器を提供する。保持キャパシタC10
2に蓄積されたピーク電圧は、制御ブロック320に適
用されたピーク検出信号のタイミングによって影響され
ない。ピーク検出器は、また自身をオフにする。従っ
て、外部論理タイミングは重要でない。更に本発明の利
点は、電流源駆動であることによって、雑音排除能力が
優れていることである。別の利点は、ピーク検出器の正
確さが比較器のオフセット電圧で決まることである。チ
ャネル間に整合時定数を必要としない。また、本発明の
更に別の利点は、MOSFET入力比較器が最小入力バ
イアス電流を有することである。従って差動増幅器98
0のFETM904入力によって、保持キャパシタC1
02から殆ど電流が排出されない。また、本発明の更に
別の利点は、演算増幅器のスルー・レート/クランプの
問題がないことである。更に別の利点は、リセット電圧
が常にVREF 電圧に等しいかそれ以下であることであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術(開ループ)のピーク検出器を示す
図である。
【図2】 別の従来技術(閉ループ)のピーク検出器を
示す図である。
【図3】 本発明の3つのモードにおける動作を示す図
である。
【図4】 本発明の3つのモードのタイミングを示す図
である。
【図5】 本発明によるピーク検出のタイミングを示す
図である。
【図6】 理想的電流シンクを有する差動増幅器を示す
図である。
【図7】 実際的電流シンクの従来技術の具現化を示す
図である。
【図8】 本発明による接地電位近傍で追従する電流シ
ンクを示す図である。
【図9】 本発明の代替実施例を示す図である。
【符号の説明】
100 入力信号 302 スイッチ・ブロック 306 ノートン増幅器 320 制御ブロック 972 電流シンク 974 電流源 976 電流ミラー 980 差動増幅器 982 バイアス回路 984 レベル・シフト段(第1の増幅段) 986 第2の増幅段

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の入力信号を受信するスイッチ手段
    と、 上記スイッチ手段に結合し、上記スイッチ手段が上記複
    数の入力信号の1つを選択的に与える比較手段と、 上記比較手段に結合し、第1及び第2の制御信号を受信
    する制御手段と、 上記制御手段に結合した第1及び第2の電流源と、 上記第1及び第2の電流源に結合し、出力信号を生成す
    るキャパシタと、を備え、上記出力信号は上記比較手段
    にフィードバック結合され、上記比較手段は上記複数の
    入力信号の1つが上記出力信号より大きくなるときを判
    定し、上記制御手段は上記比較手段及び上記第1及び第
    2の制御信号に応答して上記第1及び第2の電流源を動
    作可能及び動作不能にするピーク検出回路。
  2. 【請求項2】 複数の入力信号を受信するスイッチ手段
    と、 上記スイッチ手段に結合し、上記スイッチ手段が上記複
    数の入力信号の1つを選択的に与える比較手段と、 上記スイッチ手段に結合し、第1及び第2の制御信号を
    受信する制御手段と、 上記制御手段に結合した第1及び第2の電流源と、 上記第1及び第2の電流源に結合し、出力信号を生成す
    るキャパシタと、を備え、上記出力信号は上記比較手段
    にフィードバック結合され、上記比較手段は上記複数の
    入力信号の1つが上記出力信号より大きくなるときを判
    定し、上記制御手段は上記比較手段及び上記第1及び第
    2の制御信号に応答して上記第1及び第2の電流源を動
    作可能及び動作不能にするピーク検出回路。
  3. 【請求項3】 電源電圧に結合したダイオードと、 接地電位に結合した電流シンク手段と、 上記ダイオードと上記電流シンク手段との間に結合した
    差動対と、 上記差動対及び上記ダイオードに結合し、上記電流シン
    ク手段に与えられた第1の電流を検出し、上記第1の電
    流に応答して第2の電流を与える第2のトランジスタ
    と、 上記電流シンク手段に結合して、上記第2の電流及び基
    準電流を受信し、上記第2の電流及び基準電流に応答し
    て上記電流シンク手段を通して上記第1の電流を制御す
    るノートン増幅器と、を備えた接地電位付近の電圧に追
    従する電流シンク回路。
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