JPH0214000B2 - - Google Patents

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JPH0214000B2
JPH0214000B2 JP58115420A JP11542083A JPH0214000B2 JP H0214000 B2 JPH0214000 B2 JP H0214000B2 JP 58115420 A JP58115420 A JP 58115420A JP 11542083 A JP11542083 A JP 11542083A JP H0214000 B2 JPH0214000 B2 JP H0214000B2
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JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
point
polyhedron
edge portion
voice coil
Prior art date
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Application number
JP58115420A
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English (en)
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JPS607299A (ja
Inventor
Atsuo Terada
Yoshio Akiba
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Audio Technica KK
Original Assignee
Audio Technica KK
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Publication date
Application filed by Audio Technica KK filed Critical Audio Technica KK
Priority to JP11542083A priority Critical patent/JPS607299A/ja
Publication of JPS607299A publication Critical patent/JPS607299A/ja
Publication of JPH0214000B2 publication Critical patent/JPH0214000B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/16Mounting or tensioning of diaphragms or cones
    • H04R7/18Mounting or tensioning of diaphragms or cones at the periphery
    • H04R7/20Securing diaphragm or cone resiliently to support by flexible material, springs, cords, or strands
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2307/00Details of diaphragms or cones for electromechanical transducers, their suspension or their manufacture covered by H04R7/00 or H04R31/003, not provided for in any of its subgroups
    • H04R2307/207Shape aspects of the outer suspension of loudspeaker diaphragms

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、マイクロホンやヘツドホン等の音
響変換器に用いられるダイヤフラムに関するもの
である。
第1図および第2図に示すように、一般にこの
種のダイヤフラム1は、中央部のドーム部2と、
その外周部であつて裏面にボイスコイル3が付着
されるボイスコイル付着部4と、ボイスコイル付
着部4の外周部に凸状に形成されたエツジ部5
と、エツジ部5の外周部のエツジ固定部6とから
同心円状に形成され、これらの各部材は例えばポ
リエチレン、ポリエステル等の合成樹脂材料によ
り一体的に製造されている。この場合、大体にお
いてエツジ部5には、その内周部の円弧に対して
接線方向に延びるタンジエンシヤルと呼ばれる線
状の凹部7が設けられ、これにより、エツジ部5
がボイスコイル3等を支持した状態で音あるいは
電気信号に対してリニアに動作するようにしてい
る。
ところで、このようなダイヤフラムにおいて
は、通常9μ、12μ、16μ程度の厚さの薄膜が用い
られるが、膜厚を薄くしないと低域が伸びないこ
とが知られている。しかし、低域をのばすために
膜厚の薄いものを用いると、作業性が悪く、組み
立てにくいため不良率が高くなるとい欠点があつ
た。ここで、膜厚が薄い方が低域がのびる理由
は、低音共振周波数fpを示す式 (Smは振動系のステイフネス、Mpは振動系の質
量)により説明される。低域をのばす、つまりfp
を下げるためには、振動系の質量Mpを一定と仮
定すると、振動系のステイフネスSmを下げなけ
ればならない。振動系のステイフネスSmを下げ
るためには、ステイフネスSmが下がるような形
状を選択するか、振動板の厚さを薄くするかのど
ちらかであるが、従来ではもつぱら振動板の膜厚
を薄くする方向での検討がなされていた。
この発明は、上記の点に鑑み、振動系のステイ
フネスSmの低下を形状の面から検討してなされ
たもので、その目的とするところは、作業性の良
い厚い膜厚のままで、低域特性を改善し得るダイ
ヤフラムを提供するところにある。
すなわち、この発明は、従来凸状であつて表面
にダンジエンシヤルと呼ばれる線状の凹部を設け
たダイヤフラムのエツジ部を多面環状形に形成す
ることによりステイフネスSmを低下させ、従来
の膜厚のまま低域特性を著しく改善したことを特
徴としている。
以下、この発明を添付図面に示した実施例を参
照しながら詳細に説明する。
第3図には、この発明に係るダイヤフラムの正
面が示されている。このダイヤフラム11は、中
央部のドーム部12と、ドーム部12の外周部で
あつて裏面にボイスコイル3(第2図参照)が付
着されるボイスコイル付着部14と、ボイスコイ
ル付着部14の外周部のエツジ部15と、エツジ
部15の外周部のエツジ固定部16とから同心円
状に一体的に形成されている。ドーム部12は、
従来と同様に表側(第3図手前側)に球面状に突
出して形成されており、その外周部に環状の平坦
なボイスコイル付着部14が形成されている。エ
ツジ部15は、このボイスコイル付着部14のま
わりにおいて、表側に突出する彎曲面からなる
が、この発明においては、エツジ部15は、回転
対称に形成された多面体17を一単位として多面
環状形に形成されている。この多面体17は、エ
ツジ部15の内接円18、すなわちボイスコイル
付着部14の外周部との境界線上を等分した多数
の点のうち、ある点aを選択し、この点aに隣接
する点b、点cと、これらの点b,cから内接円
18に外接する接平面b′,c′(接平面b′,c′は、接
点b,cに接し、ボイスコイル付着部14の表面
に対し垂直である)と、接平面b′,c′がエツジ部
15の外接円19を切る点b″,c″とがなす区画
bcc″b″を一単位としている。第4図に当該部分の
拡大図を示す。この第4図において、多面体17
の頂点の一つである点dは、点bと点cの真中に
位置する点aの接平面であつて、ボイスコイル付
着部14やエツジ取付部16より若干高い点に位
置している。また、頂点の一つである点eは接平
面b′上であつて、上記頂点dと同じ高さの点に位
置し、他の頂点である点fは接平面c′上であつ
て、上記頂点d,eと同じ高さの点に位置してい
る。頂点eと点fは、ダイヤフラム11の中心O
に関し同一の同心円上に位置し、この円心円の半
径は、エツジ部15の外接円19の半径よりも小
さく、内接円18の半径より大きい。また、頂点
dは、該外接円19より内側であつて頂点e,f
が位置する円心円より外側に位置している。この
ような関係にあつて同一の高さに位置する頂点
d,e,fと区画を規定する点b,c,c″,
b″と、点b,cの中央部の点aとによつて形成さ
れる多面体17は、辺ad,eb″,fc″の3辺が谷線
に、辺be,ed,cf,fd,db″,dc″の6辺が陵線に
なり、内接円18の円弧b,cと外接円19の円
弧c″,d″の間に形成される。この形態は、第5図
に示す多面体17の接平面b′に沿つた断面概略
図、第6図に示す多面体17の接平面a′に沿つた
断面概略図によつて明確に表わされている。これ
らの図面からもわかるように、多面体17は5面
体になつている。
エツジ部15は、この多面体17を、接平面
b′と接平面c′のなす角だけ回転して集積されたも
ので、いいかえると、回転対称に形成した多面体
17を対称となる回転角だけ回転させ、エツジ部
15の内接面18に沿つて、その全面にわたつて
配置して、多面環状形に形成されている。したが
つて、隣接する多面体20は、多面体17の点f
を点eに、あるいは点c″を点b″等にそれぞれ置き
換えれば、多面体17を全く同じになる。
次に、他の実施例として頂点の数を増して一単
位をなす多面体を7面体に形成した例を第7図お
よび第8図に示す。なお、前例と重複する説明は
省略し、異る点について主に説明する。この実施
例においては、接平面b′と接平面c′とエツジ部1
5の内接円18の弧BCとエツジ部15の外接円
19の弧c″b″とからなる区画bcc″b″に形成される
多面体21がエツジ部15を形成する多面環状形
の一単位である。接点aと交接する接平面a′上に
は、頂点の一つである点gと点hが同一の高さの
点に位置している。接平面b′上には頂点の一つで
ある点iが、接平面c′上には他の頂点である点j
が同一の高さであつて、かつ、点g,hより若干
高い点に位置している。頂点iと点jはダイヤフ
ラム11の中心Oに関する同一の同心円上にあ
り、点gと該中心Oとの距離は、該同心円の半径
よりも大きく、エツジ部15の外接円19の半径
より小さい。また、点hと該中心Oとの距離は該
同心円の半径より小さく、エツジ部15の内接円
18の半径より大きい。このような条件により規
定される点g,h,i,jを各頂点とし、接平面
b′,c′と弧bc,c″b″によつて囲まれた多面体21
は、辺bi,ib″,hg,cj,jc″が谷線に、辺ah,hi,
hj,ig,jg,gb″,gc″が陵線となる7面体であ
る。この形態は、第9図に示す多面体21の接平
面b′に沿つた断面概略図、第10図に示す多面体
21の接平面a′に沿つた断面概略図によつて明確
に表わされている。
このような構成のダイヤフラム11の周波数特
性を第11図に示す。この図に示した周波数特性
は、9μの厚さの非常に薄いポリエチレン膜によ
つてエツジ部15が5面体の多面環状形に一体成
形されたダイヤフラム11の特性である。この測
定結果からわかるように、低域の周波数特性は、
70Hzまでのびており、70Hz以下はだら下がりとな
つている。同じ膜厚の第1図に示した従来形状の
ダイヤフラム1の周波数特性は第13図に示すよ
うに、低域は110Hzまでしかのびておらず、110Hz
以下がだら下がりである。したがつて、同一膜厚
のダイヤフラム1,11の場合、低域が40Hzのび
たことになり、著しく低域の周波数特性が改善さ
れたことがわかる。
一方、12μの厚さのポリエチレン膜を用いてこ
の発明に係るエツジ構造に一体成形されたダイヤ
フラム11の周波数特性を第12図に示す。この
測定結果から、ダイヤフラム11の低域の周波数
特性は100Hzまでのごており、100Hz以下はだら下
かりとなつていることがわかる。このことは、
9μの厚のポリエチレン膜を用いて成形された従
来品よりも、12μの厚さのポリエチレン膜を用い
て成形されたこの発明品のほうが、さらに低域が
のびているということを示している。したがつ
て、同程度の低域特性を得ることができるダイヤ
フラム11の膜厚は、従来の膜厚よりも厚いもの
で充分であるということになる。また、多面環状
形の1単位が7面体21に形成されたエツジ部1
5を備えたダイヤフラム11においては、5面体
17のものと同様の周波数特性を示すことが確認
されている。
このことは、上述の多面環状形のエツジ部15
が、振動形のステイフネスSmを下げるような形
状となつていることを示しており、これが低音共
振周波数fpを大幅に低下せしめた要因である。
これまで述べたことから明らかなように、エツ
ジ部を多面環状形に形成したダイヤフラムにおい
ては、同じ膜厚の場合には、従来より大幅に低域
特性を改善することができ、また、膜厚が厚くと
も従来の薄い膜厚のダイヤフラムに匹敵する低域
特性を得ることができる。したがつて、この発明
によれば低域特性の良いダイヤフラムを製造する
場合でも、従来のように作業性の悪い薄い膜厚の
ものではなく、作業性のよい厚い膜厚のものを使
用できるようになり、製品の不良率を減少させ、
製造効率を著しく向上させることができ、その効
果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のダイヤフラムの正面図、第2図
はその断面図、第3図はこの発明に係るダイヤフ
ラムの正面図、第4図はその一部拡大図、第5図
は第3図における接平面b′に沿つた断面概略図、
第6図は第3図における接平面a′に沿つた断面概
略図、第7図はこの発明に係る実施例として示し
たダイヤフラムの正面図、第8図はその一部拡大
図、第9図は第7図における接平面b′に沿つた断
面概略図、第10は第7図における接平面a′に沿
つた断面概略図、第11図、第12図はこの発明
に係るダイヤフラムの周波数特性を示すグラフ、
第13図は従来のダイヤフラムの周波数特性を示
すグラフである。 図中、1,11はダイヤフラム、2,12はド
ーム部、3はボイスコイル、4,14はボイスコ
イル付着部、5,15はエツジ部、6,16はエ
ツジ固定部、7は凹部、17,21は多面体、1
8はエツジ部15の内接円、19はエツジ部15
の外接円、20は多面体17に隣接する多面体、
a,b,cは接点、a′,b′,c′は接平面、b″,
c″は接平面が外接円19を切る点、d,e,f,
g,h,i,jは多面体の各頂点、Oはダイヤフ
ラムの中心である。
JP11542083A 1983-06-27 1983-06-27 音響変換器のダイヤフラム Granted JPS607299A (ja)

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