JPS607299A - 音響変換器のダイヤフラム - Google Patents
音響変換器のダイヤフラムInfo
- Publication number
- JPS607299A JPS607299A JP11542083A JP11542083A JPS607299A JP S607299 A JPS607299 A JP S607299A JP 11542083 A JP11542083 A JP 11542083A JP 11542083 A JP11542083 A JP 11542083A JP S607299 A JPS607299 A JP S607299A
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- JP
- Japan
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- diaphragm
- point
- edge
- multihedron
- voice coil
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/16—Mounting or tensioning of diaphragms or cones
- H04R7/18—Mounting or tensioning of diaphragms or cones at the periphery
- H04R7/20—Securing diaphragm or cone resiliently to support by flexible material, springs, cords, or strands
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2307/00—Details of diaphragms or cones for electromechanical transducers, their suspension or their manufacture covered by H04R7/00 or H04R31/003, not provided for in any of its subgroups
- H04R2307/207—Shape aspects of the outer suspension of loudspeaker diaphragms
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、マイクロホンやヘッドホン等の音響変換器
に用いられるダイヤフラムに関するものである。
に用いられるダイヤフラムに関するものである。
第１図および第２図に示すように、一般にこの種のダイ
ヤフラム１は、中央部のドーム部２と、その外周部であ
って裏面にボイスコイル３が何着されるボイスコイル付
着部４と、ボイスコイル何着部４の外周部に凸状に形成
されたエツジ部５と、エツジ部５の外周部のエツジ固定
部６とから同心円状に形成され、これらの各部材は例え
ばポリエチレン、ポリエステル等の合成樹脂材料により
一体的に製造されている。この場合、大体においてエツ
ジ部５には、その内周部の円弧に対して接線方向に延び
るタンジェンシャルと呼ば４しる線状の凹部７が設けら
れ、これにより、エツジ部５がボイスコイル３等を支持
した状態で音あるいは電気信号に対してリニアに動作す
るようにしている。
ヤフラム１は、中央部のドーム部２と、その外周部であ
って裏面にボイスコイル３が何着されるボイスコイル付
着部４と、ボイスコイル何着部４の外周部に凸状に形成
されたエツジ部５と、エツジ部５の外周部のエツジ固定
部６とから同心円状に形成され、これらの各部材は例え
ばポリエチレン、ポリエステル等の合成樹脂材料により
一体的に製造されている。この場合、大体においてエツ
ジ部５には、その内周部の円弧に対して接線方向に延び
るタンジェンシャルと呼ば４しる線状の凹部７が設けら
れ、これにより、エツジ部５がボイスコイル３等を支持
した状態で音あるいは電気信号に対してリニアに動作す
るようにしている。
ところで、このようなダイヤフラムにおいては、通常９
μ、１２μ、１６μ程度の厚さの薄膜が用いられるが、
膜厚を薄くしないと低域が伸びないことが知られている
。しかし、低域をのばすために膜厚の薄いものを用いる
と、作業性が悪く、組み立てにくいため不良率が高くな
るとい欠点があった。ここで、膜厚が薄い方が低域がの
びる理由は、低音共振周波数ｆｏを示す式 （Ｓｍは振動系のスティフネス、Ｍｏは振動径の質量）
により説明される。低域をのばす、つまりｆｏを下げる
ためには、振動系の質ｆｆｉＭｏを一定と仮定すると、
振動系のステイフネスＳｍを下げなければならない。振
動系のスティフネスＳｍを下げるためには、スティフネ
スＳ ｍが下がるような形状を選択するか、振動板の厚
さを薄くするかのどちらかであるが、従来ではもっばら
振動板の膜厚を薄くする方向での検討がなされていた。
μ、１２μ、１６μ程度の厚さの薄膜が用いられるが、
膜厚を薄くしないと低域が伸びないことが知られている
。しかし、低域をのばすために膜厚の薄いものを用いる
と、作業性が悪く、組み立てにくいため不良率が高くな
るとい欠点があった。ここで、膜厚が薄い方が低域がの
びる理由は、低音共振周波数ｆｏを示す式 （Ｓｍは振動系のスティフネス、Ｍｏは振動径の質量）
により説明される。低域をのばす、つまりｆｏを下げる
ためには、振動系の質ｆｆｉＭｏを一定と仮定すると、
振動系のステイフネスＳｍを下げなければならない。振
動系のスティフネスＳｍを下げるためには、スティフネ
スＳ ｍが下がるような形状を選択するか、振動板の厚
さを薄くするかのどちらかであるが、従来ではもっばら
振動板の膜厚を薄くする方向での検討がなされていた。
この発明は、上記の点に鑑み、振動系のスティフネスＳ
ｍの低下を形状の面から検討してなされたもので、その
１」的とするところは、作業性の良い厚い膜厚のままで
、低域特性を改善し得るダイヤプラムを提供するところ
にある。
ｍの低下を形状の面から検討してなされたもので、その
１」的とするところは、作業性の良い厚い膜厚のままで
、低域特性を改善し得るダイヤプラムを提供するところ
にある。
すなわち、この発明は、従来凸状であって表面にダンジ
ェンシャルと呼ばれる線状の四部を設けたダイヤフラム
のエツジ部を多面環状形に形成することによりスティフ
ネスＳ ｍを低下させ、従来の膜厚のまま低域特性を著
しく改善したことを特徴としている。
ェンシャルと呼ばれる線状の四部を設けたダイヤフラム
のエツジ部を多面環状形に形成することによりスティフ
ネスＳ ｍを低下させ、従来の膜厚のまま低域特性を著
しく改善したことを特徴としている。
以下、この発明を添付図面に示した実施例を参照しなが
ら詳細に説明する。
ら詳細に説明する。
第３図には、この発明に係るダイヤフラムの正面が示さ
れている。このダイヤフラム１１は、中央部のドーム部
１２と、ドーム部１２の外周部であって裏面にボイスコ
イル３ （第２図参照）が付着されるボイスコイル付着
部１４と、ボイスコイル付着部１４の外周部のエツジ部
１５と、エツジ部１５の外周部のエツジ固定部１６とか
ら同心円状に一体的に形成されている。ドーム部１２は
、従来と同様に表側（第３図手前側）に球面状に突出し
て形成されており、その外周部に環状の平坦なボイスコ
イル付着部１４が形成されている。エツジ部１５は、こ
のボイスコイル付着部１４のまわりにおいて、表側に突
出する彎曲面からなるが、この発明においては、エツジ
部１５は、回転対称に形成された多面体１７を一単位と
して多面環状形に形成されている。この多面体１７は、
エツジ部１５の内接円１８、すなわちボイスコイル付着
部１４の外周部との境界線上を等分した多数の点のうち
、ある点ａを選択し、この点ａに隣接する点ｂ、点Ｃと
、こ４しらの点す、ｃから内接円１８に外接する接平面
ｂ′、Ｃ′ （接平面ｂ′、Ｃ′は、接点す、ｃに接し
、ボイスコイルイ」蓋部１４の表面に対し垂直である）
と、接平面ｂ′、Ｃ′がエツジ部１５の外接円】９を切
る点ｂ”、Ｃ“とがなす区画ｂｃｃ”１〕″を一単位と
している。
れている。このダイヤフラム１１は、中央部のドーム部
１２と、ドーム部１２の外周部であって裏面にボイスコ
イル３ （第２図参照）が付着されるボイスコイル付着
部１４と、ボイスコイル付着部１４の外周部のエツジ部
１５と、エツジ部１５の外周部のエツジ固定部１６とか
ら同心円状に一体的に形成されている。ドーム部１２は
、従来と同様に表側（第３図手前側）に球面状に突出し
て形成されており、その外周部に環状の平坦なボイスコ
イル付着部１４が形成されている。エツジ部１５は、こ
のボイスコイル付着部１４のまわりにおいて、表側に突
出する彎曲面からなるが、この発明においては、エツジ
部１５は、回転対称に形成された多面体１７を一単位と
して多面環状形に形成されている。この多面体１７は、
エツジ部１５の内接円１８、すなわちボイスコイル付着
部１４の外周部との境界線上を等分した多数の点のうち
、ある点ａを選択し、この点ａに隣接する点ｂ、点Ｃと
、こ４しらの点す、ｃから内接円１８に外接する接平面
ｂ′、Ｃ′ （接平面ｂ′、Ｃ′は、接点す、ｃに接し
、ボイスコイルイ」蓋部１４の表面に対し垂直である）
と、接平面ｂ′、Ｃ′がエツジ部１５の外接円】９を切
る点ｂ”、Ｃ“とがなす区画ｂｃｃ”１〕″を一単位と
している。
第４図に当該部分の拡大図を示す。この第４図において
、多面体１７の頂点の一つである点ｄは、点すと点Ｃの
真中に位置する点ａの接平面であって、ボイスコイル付
着部１４や工ｙジ取イ」部１６より若干高い点に位置し
ている。また、頂点の一つである点ｅは接平面ｂ′」二
であって、上記頂点ｄと同じ高さの点に位置し、他の頂
点である点ｒは接平面Ｃ′上であって、上記頂点ｄ、ｅ
と同じ高さの点に位置している。頂点ｅと点ｆは、ダイ
ヤフラム１１の中心Ｏに関し同一の同范・円」二に位置
し、この同心円の半径は、エツジ部１５の外接円１９の
半径よりも小さく、内接円１８の半径より大きい。また
、頂点ｄは、該外接円１９より内側であって頂点ｅ、ｆ
が位置する同心円より外側に位置している。このような
関係にあって同一の高さに位置する頂点ｄ、ｅ、ｆと区
画を規定する点ｂＩｃＩ ’ｌｂ”と、点す、ｃの中央
部の点ａとによって形成される多面体１７は、辺ａ ｄ
＋ｅｂ“、ｆｃ“の３辺が谷線に、辺ｂＣ，ｅｄ。
、多面体１７の頂点の一つである点ｄは、点すと点Ｃの
真中に位置する点ａの接平面であって、ボイスコイル付
着部１４や工ｙジ取イ」部１６より若干高い点に位置し
ている。また、頂点の一つである点ｅは接平面ｂ′」二
であって、上記頂点ｄと同じ高さの点に位置し、他の頂
点である点ｒは接平面Ｃ′上であって、上記頂点ｄ、ｅ
と同じ高さの点に位置している。頂点ｅと点ｆは、ダイ
ヤフラム１１の中心Ｏに関し同一の同范・円」二に位置
し、この同心円の半径は、エツジ部１５の外接円１９の
半径よりも小さく、内接円１８の半径より大きい。また
、頂点ｄは、該外接円１９より内側であって頂点ｅ、ｆ
が位置する同心円より外側に位置している。このような
関係にあって同一の高さに位置する頂点ｄ、ｅ、ｆと区
画を規定する点ｂＩｃＩ ’ｌｂ”と、点す、ｃの中央
部の点ａとによって形成される多面体１７は、辺ａ ｄ
＋ｅｂ“、ｆｃ“の３辺が谷線に、辺ｂＣ，ｅｄ。
ｃｆ、ｆｄ、ｄｂ”、ｄ Ｃｎの６辺が陵線になり、内
１妾円１８の円弧す、ｃと外接円１９の円弧Ｃ″。
１妾円１８の円弧す、ｃと外接円１９の円弧Ｃ″。
ｄ“の間に形成される。この形態は、第５図に示す多面
体１７の接平面ｂ′に沿った断面概略図、第６図に示す
多面体１７の接平面ａ′に沿った断面概略図によって明
確に表わされている。これらの図面からもわかるように
、多面体１７は５面体になっている。
体１７の接平面ｂ′に沿った断面概略図、第６図に示す
多面体１７の接平面ａ′に沿った断面概略図によって明
確に表わされている。これらの図面からもわかるように
、多面体１７は５面体になっている。
エツジ部１５は、この多面体１７を、接平面ｌ）′と接
平面Ｃ′のなす角だけ回転して集積さＡしたもので、い
いかえると、回転対称に形成した多面体１７を対称とな
る回転角だけ回転させ、エツジ部１５の内接面１８に沿
って、その全面にわたって配置して、多面環状形に形成
されている。したがって、隣接する多面体２０は、多面
体１７の点ｆを点ｅに、あるいは点ｃ″を点ｂ“等にそ
れぞれ置き換えれば、多面体１７を全く同じになる。
平面Ｃ′のなす角だけ回転して集積さＡしたもので、い
いかえると、回転対称に形成した多面体１７を対称とな
る回転角だけ回転させ、エツジ部１５の内接面１８に沿
って、その全面にわたって配置して、多面環状形に形成
されている。したがって、隣接する多面体２０は、多面
体１７の点ｆを点ｅに、あるいは点ｃ″を点ｂ“等にそ
れぞれ置き換えれば、多面体１７を全く同じになる。
次に、他の実施例として頂点の数を増して一単位をなす
多面体を７面体に形成した例を第７図および第８図に示
す。なお、前例と重複する説明は省略し、異る点につい
て主に説明する。この実施例においては、接平面ｂ′と
接平面Ｃ′とエツジ部１５の内接円１８の弧ＢＣとエツ
ジ部１５の外接円１９の弧ｃ″ｂ″とからなる区画ｂｃ
ｃ″ｂｎに形成される多面体２１がエツジ部１５を形成
する多面環状形の一単位である。接点ａど交接する接平
面ａ′上には、頂点の−っである点ｇと点りが同一の高
さの点に位置している。接平面ｂ′」−には頂点の一つ
である点ｉが、接平面Ｃ′上には他の頂点である点ｊが
同一の高さであって、かつ、点ｇ、ｈより若干高い点に
位置している。頂点ｉと点ｊはダイヤフラム１１の中心
Ｏに関する同一の同心円上にあり、点ｇと該中心Ｏとの
距離は、該同心円の半径よりも大きく、エツジ部１５の
外接円１９の半径より小さい。また、点りと該中心○と
の距離は該同心円の半径より小さく、エツジ部１５の内
接円１８の半径より大きい。このような条件により規定
される点ｇｙ ｈ、ｌ ＋ Ｊを各頂点とし、接平面ｂ
′、Ｃ′と弧ｂＣ２Ｃ″ｂ″によって囲まれた多面体２
１は、辺ｂｉ、ｉｂ”。
多面体を７面体に形成した例を第７図および第８図に示
す。なお、前例と重複する説明は省略し、異る点につい
て主に説明する。この実施例においては、接平面ｂ′と
接平面Ｃ′とエツジ部１５の内接円１８の弧ＢＣとエツ
ジ部１５の外接円１９の弧ｃ″ｂ″とからなる区画ｂｃ
ｃ″ｂｎに形成される多面体２１がエツジ部１５を形成
する多面環状形の一単位である。接点ａど交接する接平
面ａ′上には、頂点の−っである点ｇと点りが同一の高
さの点に位置している。接平面ｂ′」−には頂点の一つ
である点ｉが、接平面Ｃ′上には他の頂点である点ｊが
同一の高さであって、かつ、点ｇ、ｈより若干高い点に
位置している。頂点ｉと点ｊはダイヤフラム１１の中心
Ｏに関する同一の同心円上にあり、点ｇと該中心Ｏとの
距離は、該同心円の半径よりも大きく、エツジ部１５の
外接円１９の半径より小さい。また、点りと該中心○と
の距離は該同心円の半径より小さく、エツジ部１５の内
接円１８の半径より大きい。このような条件により規定
される点ｇｙ ｈ、ｌ ＋ Ｊを各頂点とし、接平面ｂ
′、Ｃ′と弧ｂＣ２Ｃ″ｂ″によって囲まれた多面体２
１は、辺ｂｉ、ｉｂ”。
ｈｇ、 ＣＪ＋ ＪＣ“が谷線に、辺ａｈ、ｈｉ、ｈＪ
＋ ｊｇ＋ Ｊ ｇ＋ ｇｂ“＋ｇＣ“が陵線となる７
面体である。この形態は、第９図に示す多面体２１の接
平面ｂ′に沿った断面概略図、第１０図に示す多面体２
１の接平面ａ′に沿った断面概略図によって明確に表わ
されている。
＋ ｊｇ＋ Ｊ ｇ＋ ｇｂ“＋ｇＣ“が陵線となる７
面体である。この形態は、第９図に示す多面体２１の接
平面ｂ′に沿った断面概略図、第１０図に示す多面体２
１の接平面ａ′に沿った断面概略図によって明確に表わ
されている。
このような構成のダイヤフラム１１の周波数１、ｒ性を
第１１図に示す。この図に示した周波数特性は、９μの
厚さの非常に薄いポリエチレン膜によってエツジ部１５
が５面体の多面環状形に一体成形されたダイヤフラム１
１の特性である。この測定結果かられかるように、低域
の周波数特性は、７０ Ｈｚまでのびており、７０１−
１ ｚ以下はだら下がりとなっている。同じ膜厚の第１
図に示した従来形状のダイヤフラム１の周波数特性は第
１３図に示すように、低域はＬ Ｉ ＯＩ−Ｉ Ｚまで
しかのびておらず、］ １０ Ｉ−Ｔ ｚ以下がだら下
がりである。したかって、同一膜厚のダイヤフラム１，
１１の場合、低域が４０１−１ ｚのびたことになり、
著しく低域の周波数特性が改善されたことがわかる。
第１１図に示す。この図に示した周波数特性は、９μの
厚さの非常に薄いポリエチレン膜によってエツジ部１５
が５面体の多面環状形に一体成形されたダイヤフラム１
１の特性である。この測定結果かられかるように、低域
の周波数特性は、７０ Ｈｚまでのびており、７０１−
１ ｚ以下はだら下がりとなっている。同じ膜厚の第１
図に示した従来形状のダイヤフラム１の周波数特性は第
１３図に示すように、低域はＬ Ｉ ＯＩ−Ｉ Ｚまで
しかのびておらず、］ １０ Ｉ−Ｔ ｚ以下がだら下
がりである。したかって、同一膜厚のダイヤフラム１，
１１の場合、低域が４０１−１ ｚのびたことになり、
著しく低域の周波数特性が改善されたことがわかる。
一方、１２μの厚さのポリエチレン膜を用いてこの発明
に係るエツジ構造に一体成形されたダイヤフラム１１の
周波数特性を第１２図に示す。この測定結果から、ダイ
ヤフラム１１の低域の周波数特性は］、 ＯＯＨｚまで
のごており、１００Ｈｚ以下はだら下かりとなっている
ことがわかる。このことは、９μの厚のポリエチレン膜
を用いて成形された従来品よりも、１２μの厚さのポリ
エチレン膜を用いて成形されたこの発明品のほうが、さ
らに低域がのびているということを示している。
に係るエツジ構造に一体成形されたダイヤフラム１１の
周波数特性を第１２図に示す。この測定結果から、ダイ
ヤフラム１１の低域の周波数特性は］、 ＯＯＨｚまで
のごており、１００Ｈｚ以下はだら下かりとなっている
ことがわかる。このことは、９μの厚のポリエチレン膜
を用いて成形された従来品よりも、１２μの厚さのポリ
エチレン膜を用いて成形されたこの発明品のほうが、さ
らに低域がのびているということを示している。
したがって、同程度の低域特性を得ることができるダイ
ヤフラム１１の膜厚は、従来の膜厚よりも厚いもので充
分であるということになる。また、多面環状形の１単位
が７面体２】に形成されたエツジ部１５を備えたダイヤ
フラム１１においては、５面体１７のものと同様の周波
数特性を示すことが確認されている。
ヤフラム１１の膜厚は、従来の膜厚よりも厚いもので充
分であるということになる。また、多面環状形の１単位
が７面体２】に形成されたエツジ部１５を備えたダイヤ
フラム１１においては、５面体１７のものと同様の周波
数特性を示すことが確認されている。
このことは、上述の多面環状形のエツジ部１５が、振動
形のスティフネスＳ ｒｎを下げるような形状となって
いることを示しており、これが低音共振周波数ｆ。を大
幅に低下せしめた要因である。
形のスティフネスＳ ｒｎを下げるような形状となって
いることを示しており、これが低音共振周波数ｆ。を大
幅に低下せしめた要因である。
これまで述べたことから明らかなように、エツジ部を多
面環状形に形成したダイヤフラムにおいては、同じ膜厚
の場合には、従来より大幅にＯＬ域特性を改善すること
ができ、また、膜厚がノＶくとも従来の簿い膜厚のタイ
ヤフラムに匹敵する低域特性を得ることができる。した
がって、この発明によれば低域特性の良いダイヤフラム
を製造する場合でも、従来のように作業性の悪い薄い膜
厚のものではなく、作業性のよい厚い膜厚のものを使用
できるようになり、製品の不良率を減少させ、製造効率
を著しく向上させることができ、その効果は顕著である
。
面環状形に形成したダイヤフラムにおいては、同じ膜厚
の場合には、従来より大幅にＯＬ域特性を改善すること
ができ、また、膜厚がノＶくとも従来の簿い膜厚のタイ
ヤフラムに匹敵する低域特性を得ることができる。した
がって、この発明によれば低域特性の良いダイヤフラム
を製造する場合でも、従来のように作業性の悪い薄い膜
厚のものではなく、作業性のよい厚い膜厚のものを使用
できるようになり、製品の不良率を減少させ、製造効率
を著しく向上させることができ、その効果は顕著である
。
第１図は従来のダイヤフラムの正面図、第２図はその断
面図、第３図はこの発明に係るダイヤプラムの正面図、
第４図はその一部拡大図、第５図は第３図における接平
面ｂ′にｒＦ７つだ断面概略図、第６図は第３図におけ
る接平面ａ′に沿った断面概略図、第７図はこの発明に
係る実施例として示したダー（ヤフラムの正面図、第８
図はその一部拡大図、第９図は第７図における接平面ｂ
′に治った断面概略図、第１０は第７図における接平面
ａ′に沿った断面概略図、第１１図、第１２図はこの発
明に係るダイヤフラムの周波数特性を示すグラフ、第１
３図は従来のダイヤフラ１１の周波数特性を示すグラフ
である。− 図中、１，１１はダイヤフラム、２，１２はドーム部、
３はボイスコイル、４．１４はボイスコイル付着部、５
．１５はエツジ部、６，１６はエツジ固定部、７は凹部
、１７．２１は多面体、１８はエツジ部１５の内接円、
１９はエツジ部１５の外接円、２０は多面体１７に隣接
する多面体、ぞｌ。 ｂ、ｃは接点、ａ′、ｂ′、ａ′は接平面、ｂ″。 Ｃ“は接平面が外接円１９を切る点、ｄ＋Ｑ＋ｆ＋ｇ＋
）ｌ＋ １＋ ３は多面体の各頂点、Ｏはダイヤプラ
ムの中心である。 特許出願人 株式会社オーティオテクニ力代理人 弁理
士 大 原 拓 也 第７図 第９１ヱ１１”５’； １０ ｉ：ン（第８図
面図、第３図はこの発明に係るダイヤプラムの正面図、
第４図はその一部拡大図、第５図は第３図における接平
面ｂ′にｒＦ７つだ断面概略図、第６図は第３図におけ
る接平面ａ′に沿った断面概略図、第７図はこの発明に
係る実施例として示したダー（ヤフラムの正面図、第８
図はその一部拡大図、第９図は第７図における接平面ｂ
′に治った断面概略図、第１０は第７図における接平面
ａ′に沿った断面概略図、第１１図、第１２図はこの発
明に係るダイヤフラムの周波数特性を示すグラフ、第１
３図は従来のダイヤフラ１１の周波数特性を示すグラフ
である。− 図中、１，１１はダイヤフラム、２，１２はドーム部、
３はボイスコイル、４．１４はボイスコイル付着部、５
．１５はエツジ部、６，１６はエツジ固定部、７は凹部
、１７．２１は多面体、１８はエツジ部１５の内接円、
１９はエツジ部１５の外接円、２０は多面体１７に隣接
する多面体、ぞｌ。 ｂ、ｃは接点、ａ′、ｂ′、ａ′は接平面、ｂ″。 Ｃ“は接平面が外接円１９を切る点、ｄ＋Ｑ＋ｆ＋ｇ＋
）ｌ＋ １＋ ３は多面体の各頂点、Ｏはダイヤプラ
ムの中心である。 特許出願人 株式会社オーティオテクニ力代理人 弁理
士 大 原 拓 也 第７図 第９１ヱ１１”５’； １０ ｉ：ン（第８図
Claims (1)
- 中央部にはドーム部１２が、該ドーム部１２の外周部に
は裏面にボイスコイルが付着されるボイスコイル付着部
１４が、該ボイスコイル付着部１４の外周部にはエツジ
部１５が、該エツジ部１５の外周部にはエツジ固定部１
６がそれぞれ同心円状に形成されてなる音響変換器のダ
イヤフラム１１において、前記エツジ部１５の内接円１
８を等分する多数の接点のうちある接点ａに隣接する接
点す、ｃと交接する接平面ｂ′、ｃ′が前記エツジ部１
５を均分した部分にダイヤフラム１１の表側に突出部を
有する多面体を形成し、この多面体を一単位としてダイ
ヤフラム１１の中心０に関して回転対称に連続して配置
して多面環状形のエツジ部１５を形成したことを特徴と
する音響変換器のダイヤフラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11542083A JPS607299A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 音響変換器のダイヤフラム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11542083A JPS607299A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 音響変換器のダイヤフラム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607299A true JPS607299A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH0214000B2 JPH0214000B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=14662126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11542083A Granted JPS607299A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 音響変換器のダイヤフラム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607299A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1615466A3 (en) * | 2004-07-07 | 2006-12-27 | Tadashi Nagaoka | Acoustic diaphragm |
| US8345916B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-01-01 | Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg | Electroacoustic sound transducer, receiver and microphone |
| CN103826186A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-05-28 | 东莞泉声电子有限公司 | 音圈振膜一体式结构及其制作方法 |
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| JPS5690696A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Sony Corp | Cone speaker |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP11542083A patent/JPS607299A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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| USD971176S1 (en) * | 2019-09-18 | 2022-11-29 | Sony Corporation | Acoustic transducer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0214000B2 (ja) | 1990-04-05 |
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