JPH02139968A - 密着型ラインイメージセンサ - Google Patents
密着型ラインイメージセンサInfo
- Publication number
- JPH02139968A JPH02139968A JP63292281A JP29228188A JPH02139968A JP H02139968 A JPH02139968 A JP H02139968A JP 63292281 A JP63292281 A JP 63292281A JP 29228188 A JP29228188 A JP 29228188A JP H02139968 A JPH02139968 A JP H02139968A
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- Japan
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- image sensor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＰｂ２ＣｒＯ５薄膜を用いた密着型ラインイメ
ージセンサに関する。
ージセンサに関する。
（従来の技術）
ＭＯＳ型及びＣＣＤ型ラインイメージセンサは、０４機
器等に広く用いられている。この型のイメージセンサは
光電変換部と信号の読み出し部が一体の非常にコンパク
トな構成であり、通常はレンズなどの光学系と共に用い
られる。しかし、ファクシミリ等においては、この光学
系が大きなスペースを必要とする。よって、このような
機器では機器の寸法を小さくするために、原稿の幅一杯
に光電変換素子を並べた密着型のラインイメージセンサ
が有効である。現在、アルモファスＳＩ２．ＣｄＳ等を
用いたセンサが開発されている。
器等に広く用いられている。この型のイメージセンサは
光電変換部と信号の読み出し部が一体の非常にコンパク
トな構成であり、通常はレンズなどの光学系と共に用い
られる。しかし、ファクシミリ等においては、この光学
系が大きなスペースを必要とする。よって、このような
機器では機器の寸法を小さくするために、原稿の幅一杯
に光電変換素子を並べた密着型のラインイメージセンサ
が有効である。現在、アルモファスＳＩ２．ＣｄＳ等を
用いたセンサが開発されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記各センサでは応答速度が遅く、素子
作製工程において問題を有する。
作製工程において問題を有する。
本発明はこれらの問題点を解決するためのもので、応答
速度が早く、素子作製が簡単な密着型ラインイメージセ
ンサを提供することを目的とする。
速度が早く、素子作製が簡単な密着型ラインイメージセ
ンサを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は前記問題点を解決するために、ガラス基板上に
Ｐｂ＊ＣｒＯ＠を蒸着させ、任意の分解能を有する光電
変換素子を並べたことに特徴がある。
Ｐｂ＊ＣｒＯ＠を蒸着させ、任意の分解能を有する光電
変換素子を並べたことに特徴がある。
（作用）
以上のような構造からなる本発明によれば、構造が簡単
で、素子間のアイソレーションが容易であって数１０ｋ
Ｈｚの応答速度を有しており、密着型ラインイメージセ
ンサとしての応用が有用である。
で、素子間のアイソレーションが容易であって数１０ｋ
Ｈｚの応答速度を有しており、密着型ラインイメージセ
ンサとしての応用が有用である。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。同図に
おいて、デバイスは、図示していないガラス基板にＰｂ
ｇＣｒＯｓを磁場偏向型電子ビーム（ＥＢＥ）蒸着法に
よって蒸着させ、金を電極として用いて形成されている
。また、本実施例の密着型ラインイメージセンサの回路
構成を示す第２図かられかるように、光電変換部２１−
１〜２１−８は８ ｄｏｔ／ｍｍの分解能を有し、１ｍ
ｍ幅を１グループとして、幅８ｍｍ（８グループ）で構
成する。読み出しラインは８本で構成し、各グループは
対応するラインを共用する。デバイスには、ゲート回路
２０−１〜２０−８を通して電圧を印加し、ゲート回路
２０−１〜２０−８には図示していないがパルスを加え
て各グループごとに駆動する。読み出しラインにはそれ
ぞれ、Ｉ−■変換回路２２−１〜２２−８を接続し、電
圧安定の後にパルスを加えてゲート回路２３−１〜２３
−８を通し、シフトレジスタ２４に読み込む。各動作の
タイミングは第３図のタイムチャートに示す通りである
。以上のようにして８グループまで終わると１回の主走
査が完了する。デバイスにはガラス面から光を照射しこ
の間に原稿を配置する。原稿を主走査方向に対し垂直方
向に移動させる（副走査）ことにより、原稿を読み取る
。
おいて、デバイスは、図示していないガラス基板にＰｂ
ｇＣｒＯｓを磁場偏向型電子ビーム（ＥＢＥ）蒸着法に
よって蒸着させ、金を電極として用いて形成されている
。また、本実施例の密着型ラインイメージセンサの回路
構成を示す第２図かられかるように、光電変換部２１−
１〜２１−８は８ ｄｏｔ／ｍｍの分解能を有し、１ｍ
ｍ幅を１グループとして、幅８ｍｍ（８グループ）で構
成する。読み出しラインは８本で構成し、各グループは
対応するラインを共用する。デバイスには、ゲート回路
２０−１〜２０−８を通して電圧を印加し、ゲート回路
２０−１〜２０−８には図示していないがパルスを加え
て各グループごとに駆動する。読み出しラインにはそれ
ぞれ、Ｉ−■変換回路２２−１〜２２−８を接続し、電
圧安定の後にパルスを加えてゲート回路２３−１〜２３
−８を通し、シフトレジスタ２４に読み込む。各動作の
タイミングは第３図のタイムチャートに示す通りである
。以上のようにして８グループまで終わると１回の主走
査が完了する。デバイスにはガラス面から光を照射しこ
の間に原稿を配置する。原稿を主走査方向に対し垂直方
向に移動させる（副走査）ことにより、原稿を読み取る
。
第１図から明らかなように電極を２層に配置する必要が
ある。１層目は電子ビーム露光装置（ＥＬＳ）を使用し
た、１グループが１ｍｍ幅のため１ｃｈｉｐが１ｍｍ使
用のモードを選択し、７２ｃｈｉｐに分けて描画した。
ある。１層目は電子ビーム露光装置（ＥＬＳ）を使用し
た、１グループが１ｍｍ幅のため１ｃｈｉｐが１ｍｍ使
用のモードを選択し、７２ｃｈｉｐに分けて描画した。
チップの平行移動幅を単に１ｍｍとするとチップ間に隙
間が生じ、幅を狭めすぎると８ｄａｔ／ｍｍの要件から
はずれてしまう。最適な移動幅として０．９９ｍｍを得
た。
間が生じ、幅を狭めすぎると８ｄａｔ／ｍｍの要件から
はずれてしまう。最適な移動幅として０．９９ｍｍを得
た。
現像に関しては、光電変換部の電極幅がＩＩＬｍと小さ
いため、短絡しないように充分な現像時間として１０分
を設定した。エツチングは、イオンシャワーとウェット
エツチングの２方式により行ない、レジストの剥離は、
プラズマリアクタとトリクロロエチレンによる超音波洗
浄の２方式により行なった。
いため、短絡しないように充分な現像時間として１０分
を設定した。エツチングは、イオンシャワーとウェット
エツチングの２方式により行ない、レジストの剥離は、
プラズマリアクタとトリクロロエチレンによる超音波洗
浄の２方式により行なった。
１層目と２層目の電極をつなぐにはＥＬＳにより位置合
わせが必要であり、５０μｍのずれがデバイスの機能を
損なうためパターンの外側に８ｍｍの間隔をおいて形成
しである２個の十字マークを用いて回転ずれど座標ずれ
を入念に修正し１層目と２層目の電極をつなぐ穴をあけ
る。また、このマークは、２層目のマスクを用いる電極
蒸着においても位置合わせに利用する。
わせが必要であり、５０μｍのずれがデバイスの機能を
損なうためパターンの外側に８ｍｍの間隔をおいて形成
しである２個の十字マークを用いて回転ずれど座標ずれ
を入念に修正し１層目と２層目の電極をつなぐ穴をあけ
る。また、このマークは、２層目のマスクを用いる電極
蒸着においても位置合わせに利用する。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、Ｐｂ２ＣｒＯ５
薄膜を用いたホトデテクタアレイは、構造が簡単で、素
子間のアイソレーションが容易である上、数１０ｋｌ（
ｚの応答速度を有しており、密着型ラインイメージセン
サとしての応用が有用である。
薄膜を用いたホトデテクタアレイは、構造が簡単で、素
子間のアイソレーションが容易である上、数１０ｋｌ（
ｚの応答速度を有しており、密着型ラインイメージセン
サとしての応用が有用である。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は本実
施例の密着型ラインイメージセンサの回路構成を示す回
路図、第３図は第２図のゲート回路の駆動を示すタイム
チャートである。 ２０−１〜２０−８．２３−１〜２３−８・・・ゲート
回路、２１−１〜２１−８・◆・光電変換部、２２−１
〜２２−８−−− Ｉ−Ｖ変換回路、２４・・・シフト
レジスタ。
施例の密着型ラインイメージセンサの回路構成を示す回
路図、第３図は第２図のゲート回路の駆動を示すタイム
チャートである。 ２０−１〜２０−８．２３−１〜２３−８・・・ゲート
回路、２１−１〜２１−８・◆・光電変換部、２２−１
〜２２−８−−− Ｉ−Ｖ変換回路、２４・・・シフト
レジスタ。
Claims (1)
- ガラス基板上にＰｂ＿２ＣｒＯ＿５を蒸着させ、任意の
分解能を有する光電変換素子を並べたことを特徴とする
密着型ラインイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292281A JPH02139968A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 密着型ラインイメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292281A JPH02139968A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 密着型ラインイメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139968A true JPH02139968A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17779721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63292281A Pending JPH02139968A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 密着型ラインイメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02139968A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114096A (en) * | 1978-02-24 | 1979-09-05 | Tdk Corp | Photoelectric conversion device |
| JPS6265366A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサ |
| JPS62259483A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Koji Toda | 位置検出装置 |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP63292281A patent/JPH02139968A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114096A (en) * | 1978-02-24 | 1979-09-05 | Tdk Corp | Photoelectric conversion device |
| JPS6265366A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサ |
| JPS62259483A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Koji Toda | 位置検出装置 |
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