JPH02139953A - リードフレーム - Google Patents
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- JPH02139953A JPH02139953A JP29388388A JP29388388A JPH02139953A JP H02139953 A JPH02139953 A JP H02139953A JP 29388388 A JP29388388 A JP 29388388A JP 29388388 A JP29388388 A JP 29388388A JP H02139953 A JPH02139953 A JP H02139953A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造に際して用いら
れるリードフレームに係り、特に組立て工程で半導体基
板（チップ、ベレット）支持体を固定しておく支持体固
定部に関する。
れるリードフレームに係り、特に組立て工程で半導体基
板（チップ、ベレット）支持体を固定しておく支持体固
定部に関する。
（従来の技術）
従来、樹脂封止型（樹脂絶縁型）半導体装置、例えばパ
ワートランジスタの製造゛に際して用いられる金属製の
リードフレームは、第５図に示すように全体が一体的に
構成され、通常は複数個のリードフレームが横方向に並
列に形成されている。
ワートランジスタの製造゛に際して用いられる金属製の
リードフレームは、第５図に示すように全体が一体的に
構成され、通常は複数個のリードフレームが横方向に並
列に形成されている。
ここで、５１は放熱板を兼ねる基板支持体であり、この
基板支持体５１の主面上の所定位置にはパワートランジ
スタチップ５２がＰｂ５ｎ系半田等により固着されてマ
ウントされ、このチップ５２と外部リード５３・・・の
一部とはＡｕ％ＡＩ等の細線５４によりボンディング接
続されている。５５はこの基板支持体５４の一端側から
導出された外部リード５３に連なる第１のタイバーであ
る。そして、基板支持体５１の他端側に連なるように支
持体固定部５６が形成されている。この支持体固定部５
６は、基板支持体５１の他端側から導出された支持リー
ド５７・・・に第２のタイバー５８が連なっている。
基板支持体５１の主面上の所定位置にはパワートランジ
スタチップ５２がＰｂ５ｎ系半田等により固着されてマ
ウントされ、このチップ５２と外部リード５３・・・の
一部とはＡｕ％ＡＩ等の細線５４によりボンディング接
続されている。５５はこの基板支持体５４の一端側から
導出された外部リード５３に連なる第１のタイバーであ
る。そして、基板支持体５１の他端側に連なるように支
持体固定部５６が形成されている。この支持体固定部５
６は、基板支持体５１の他端側から導出された支持リー
ド５７・・・に第２のタイバー５８が連なっている。
上記したように基板支持体５１上にチップ５２が固着さ
れてボンディング接続されたフレーム部品は、トランス
ファ成型により、基板支持体５１、チップ５２、外部リ
ード５３・・・の基板支持体側端部、細線５４、支持リ
ード５７・・・の基板支持体側端部を含むように、絶縁
樹脂５９により封止されてパッケージングが行われた後
、プレスにより外部リード５３・・・の打ち抜きと共に
支持体固定部５６の支持リード５７・・・の切断（切断
位置を第５図中にＢ−Ｂ線で示す）が行われて製品化さ
れる。
れてボンディング接続されたフレーム部品は、トランス
ファ成型により、基板支持体５１、チップ５２、外部リ
ード５３・・・の基板支持体側端部、細線５４、支持リ
ード５７・・・の基板支持体側端部を含むように、絶縁
樹脂５９により封止されてパッケージングが行われた後
、プレスにより外部リード５３・・・の打ち抜きと共に
支持体固定部５６の支持リード５７・・・の切断（切断
位置を第５図中にＢ−Ｂ線で示す）が行われて製品化さ
れる。
この場合、基板支持体５１の裏側（放熱面側）も絶縁樹
脂５９により封止される。
脂５９により封止される。
また、支持体固定部５６の支持リード５７・・・は、樹
脂封止後に引っ張られて引き千切られる等の方法で分離
される場合もある。また、支持体固定部５６は、チップ
５２のマウントやワイヤボンディング等の組立て工程時
における外部リード５３・・・の曲り（基板支持体５１
の首振り）を防ぐと共に、基板支持体５１の放熱面側の
樹脂厚を一定に保つために設けられている。
脂封止後に引っ張られて引き千切られる等の方法で分離
される場合もある。また、支持体固定部５６は、チップ
５２のマウントやワイヤボンディング等の組立て工程時
における外部リード５３・・・の曲り（基板支持体５１
の首振り）を防ぐと共に、基板支持体５１の放熱面側の
樹脂厚を一定に保つために設けられている。
しかし、プレス切断により支持体固定部５６の支持リー
ド５７・・・が分離された半導体装置の場合、基板支持
体５１に連なる支持リード５７・・・の一部が樹脂パッ
ケージ５９外へ露出するので、高耐圧半導体装置の実現
が困難になる。また、支持体固定部５６の支持リード５
７・・・が樹脂封止後に引っ張られて引き千切られて分
離された半導体装置の場合、引っ張り時に樹脂パッケー
ジ５９に小さなりラック等の機械的ダメージが発生する
。ことがあり、特に耐湿性の面で半導体装置の信頼性が
不安定となる等の不都合があった。
ド５７・・・が分離された半導体装置の場合、基板支持
体５１に連なる支持リード５７・・・の一部が樹脂パッ
ケージ５９外へ露出するので、高耐圧半導体装置の実現
が困難になる。また、支持体固定部５６の支持リード５
７・・・が樹脂封止後に引っ張られて引き千切られて分
離された半導体装置の場合、引っ張り時に樹脂パッケー
ジ５９に小さなりラック等の機械的ダメージが発生する
。ことがあり、特に耐湿性の面で半導体装置の信頼性が
不安定となる等の不都合があった。
なお、従来のリードフレームとして、外部り−ド５３・
・・が十分に太くて強いものでは、基板支持体５１の他
端側に連なるように支持体固定部が形成されていない場
合がある。しかし、−層の多ピン化あるいは小形化され
た半導体装置では、外部リード５３・・・とじて基板支
持体５１を十分に支えるだけの寸法を取ることができな
いのが普通である。基板支持体５１を十分に支えること
ができないと、基板支持体５１の位置がずれたり、基板
支持体５１がねじれる等の変形が生じる。この変形があ
ると、半導体装置の組立て工程で組立て機器に引っ掛か
ったりしてスムーズに作業がはかどらない等の不都合が
生じるばかりか、基板支持体５１の放熱面側の樹脂厚が
変り、放熱特性がばらついたり、基板の絶縁特性が悪化
したりするという致命的な欠点が生じる。
・・が十分に太くて強いものでは、基板支持体５１の他
端側に連なるように支持体固定部が形成されていない場
合がある。しかし、−層の多ピン化あるいは小形化され
た半導体装置では、外部リード５３・・・とじて基板支
持体５１を十分に支えるだけの寸法を取ることができな
いのが普通である。基板支持体５１を十分に支えること
ができないと、基板支持体５１の位置がずれたり、基板
支持体５１がねじれる等の変形が生じる。この変形があ
ると、半導体装置の組立て工程で組立て機器に引っ掛か
ったりしてスムーズに作業がはかどらない等の不都合が
生じるばかりか、基板支持体５１の放熱面側の樹脂厚が
変り、放熱特性がばらついたり、基板の絶縁特性が悪化
したりするという致命的な欠点が生じる。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上記したように基板支持体の他端側に一体的
に連なるように支持体固定部が形成されている一体型の
リードフレームは、基板支持体に連なる支持リードの一
部が樹脂パッケージ外へ露出する、あるいは、樹脂パッ
ケージに小さなりラック等の機械的ダメージが発生する
ことがあるので、高耐圧半導体装置の実現が困難になる
、あるいは、耐湿性の面で半導体装置の信頼性が不安定
となる等の不都合があるという問題点を解決すべくなさ
れたもので、半導体装置の高耐圧化および耐湿性の面で
の信頼性の向上が容易になるリードフレームを提供する
ことを目的とする。
に連なるように支持体固定部が形成されている一体型の
リードフレームは、基板支持体に連なる支持リードの一
部が樹脂パッケージ外へ露出する、あるいは、樹脂パッ
ケージに小さなりラック等の機械的ダメージが発生する
ことがあるので、高耐圧半導体装置の実現が困難になる
、あるいは、耐湿性の面で半導体装置の信頼性が不安定
となる等の不都合があるという問題点を解決すべくなさ
れたもので、半導体装置の高耐圧化および耐湿性の面で
の信頼性の向上が容易になるリードフレームを提供する
ことを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明のリードフレームは、放熱板を兼ねる基板支持体
と、この基板支持体の一端側から導出された外部リード
に連なる第１のタイバーと、前記基板支持体とは別部材
により形成され、その基板支持体の他端部に対して一端
部が連結された細条とを具備し、前記細条の他端部は、
第２のタイバーにより固定されており、または、前記基
板支持体と隣り合う別の基板支持体の他端部に対して連
結されていることを特徴とする。
と、この基板支持体の一端側から導出された外部リード
に連なる第１のタイバーと、前記基板支持体とは別部材
により形成され、その基板支持体の他端部に対して一端
部が連結された細条とを具備し、前記細条の他端部は、
第２のタイバーにより固定されており、または、前記基
板支持体と隣り合う別の基板支持体の他端部に対して連
結されていることを特徴とする。
（作用）
基板支持体の他端部に対して一端部が連結された細条を
用いて基板支持体を固定できるので、半導体装置の組立
て工程で、外部リードの曲り（基板支持体の首振り）と
か、基板支持体の位置ずれとか、変形等の機械的なトラ
ブルも生じない。
用いて基板支持体を固定できるので、半導体装置の組立
て工程で、外部リードの曲り（基板支持体の首振り）と
か、基板支持体の位置ずれとか、変形等の機械的なトラ
ブルも生じない。
そして、細条とし金属体を使用したとしても引き抜くこ
とにより樹脂パッケージから分離でき、また、細条とし
て絶縁樹脂を用いた場合には、切断あるいは引き抜きに
より樹脂パッケージから分離できるので、樹脂パッケー
ジから金属体が露出することかく、半導体装置の高耐圧
化を実現できる。
とにより樹脂パッケージから分離でき、また、細条とし
て絶縁樹脂を用いた場合には、切断あるいは引き抜きに
より樹脂パッケージから分離できるので、樹脂パッケー
ジから金属体が露出することかく、半導体装置の高耐圧
化を実現できる。
また、樹脂パッケージからの細条の分離に際して、樹脂
パッケージに小さなりラック等の機械的ダメージが生じ
なくなり、半導体装置の耐湿性の面での信頼性の向上が
可能になる。
パッケージに小さなりラック等の機械的ダメージが生じ
なくなり、半導体装置の耐湿性の面での信頼性の向上が
可能になる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）および（ｂ）は、樹脂封止型（樹脂絶縁型
）半導体装置、例えばパワートランジスタの製造に際し
て用いられる金属製のリードフレームを示しており、通
常は複数個のリードフレームが横方向に並列に形成され
ている。ここで、１は放熱板を兼ねる基板支持体であり
、この基板支持体１の主面上の所定位置にはパワートラ
ンジスタチップ２がＰｂ５ｎ系半田等により固着されて
マウントされ、このチップ２と外部リード３・・・の一
部とはＡｕ、Ａ１１等の細線４１こよりボンディング接
続されている。５はこの基板支持体１の一端側から一体
的に導出された外部リード３・・・に連なる第１のタイ
バーである。
）半導体装置、例えばパワートランジスタの製造に際し
て用いられる金属製のリードフレームを示しており、通
常は複数個のリードフレームが横方向に並列に形成され
ている。ここで、１は放熱板を兼ねる基板支持体であり
、この基板支持体１の主面上の所定位置にはパワートラ
ンジスタチップ２がＰｂ５ｎ系半田等により固着されて
マウントされ、このチップ２と外部リード３・・・の一
部とはＡｕ、Ａ１１等の細線４１こよりボンディング接
続されている。５はこの基板支持体１の一端側から一体
的に導出された外部リード３・・・に連なる第１のタイ
バーである。
そして、基板支持体１の他端部に対しては、例えば第２
図（ａ）あるいは（ｂ）あるいは（Ｃ）に示すように、
基板支持体１とは別部材により形成された細条からなる
固定ピン７・・・の一端部が、機械的に引き抜き可能に
連結されており、この固定ピン７・・・の他端部が第１
のタイバー１に平行な第２のタイバー８に対してかしめ
、あるいは溶接等により固定されている。この場合、固
定ピン７・・・の一端部を例えばかしめにより基板支持
体１に連結する場合には、予め、これに対応して基板支
持体１に固定ピン挿入用の穴あるいは切り割り部等が設
けらている。この場合、固定ピン７・・・および第２の
タイバー８は、組立て工程で基板支持体１を固定してお
く支持体固定部６となる。
図（ａ）あるいは（ｂ）あるいは（Ｃ）に示すように、
基板支持体１とは別部材により形成された細条からなる
固定ピン７・・・の一端部が、機械的に引き抜き可能に
連結されており、この固定ピン７・・・の他端部が第１
のタイバー１に平行な第２のタイバー８に対してかしめ
、あるいは溶接等により固定されている。この場合、固
定ピン７・・・の一端部を例えばかしめにより基板支持
体１に連結する場合には、予め、これに対応して基板支
持体１に固定ピン挿入用の穴あるいは切り割り部等が設
けらている。この場合、固定ピン７・・・および第２の
タイバー８は、組立て工程で基板支持体１を固定してお
く支持体固定部６となる。
上記したように基板支持体１上にチップ２が固着されて
ボンディング接続されたフレーム部品は、トランスファ
成型により、基板支持体１、チップ２、外部リード３・
・・の基板支持体側端部、細線４、固定ピン７・・・の
基板支持体連結部を含むように、絶縁樹脂９により封止
されてパッケージングが行われる。この場合、基板支持
体１の裏側（放熱面側）も絶縁樹脂８により封止される
。この後、プレスにより外部リード３・・・の打ち抜き
が行われ、支持体固定部６の固定ピン７・・・が機械的
に引き抜かれて樹脂パッケージ９から分離されて製品化
される。
ボンディング接続されたフレーム部品は、トランスファ
成型により、基板支持体１、チップ２、外部リード３・
・・の基板支持体側端部、細線４、固定ピン７・・・の
基板支持体連結部を含むように、絶縁樹脂９により封止
されてパッケージングが行われる。この場合、基板支持
体１の裏側（放熱面側）も絶縁樹脂８により封止される
。この後、プレスにより外部リード３・・・の打ち抜き
が行われ、支持体固定部６の固定ピン７・・・が機械的
に引き抜かれて樹脂パッケージ９から分離されて製品化
される。
なお、通常は、パワートランジスタ用のリードフレーム
の長さは１００〜２００ｍｍ程度、幅は２０〜４０ｍｍ
程度であり、半導体装置の組立て工程は約２００〜４０
０℃の温度が加わる。いま、第２のタイバー８と金属材
料からなる基板支持体１との熱膨張係数が例えば５ Ｘ
１０ ｐ ／ ”Ｃだけ異なる場合、組立て工程の温
度が２００℃の条件で１００ｍｍ長のリードフレームで
約０．１ｍｍの寸法の狂いが生じ、この分だけリードフ
レームに反りやねじれ等が生じることになる。
の長さは１００〜２００ｍｍ程度、幅は２０〜４０ｍｍ
程度であり、半導体装置の組立て工程は約２００〜４０
０℃の温度が加わる。いま、第２のタイバー８と金属材
料からなる基板支持体１との熱膨張係数が例えば５ Ｘ
１０ ｐ ／ ”Ｃだけ異なる場合、組立て工程の温
度が２００℃の条件で１００ｍｍ長のリードフレームで
約０．１ｍｍの寸法の狂いが生じ、この分だけリードフ
レームに反りやねじれ等が生じることになる。
従って、リードフレームの反りやねじれ等を防ぐために
、リードフレームの寸法や工程条件等を考慮して第２の
タイバー８の材質を選定する必要があり、この第２のタ
イバー８は、基板支持体１と同じ材質または熱膨張特性
がほぼ等しい材質を用いることが望ましい。なお、固定
ピン７・・・は第２のタイバー８と同一部材あるいは別
部材で形成される。
、リードフレームの寸法や工程条件等を考慮して第２の
タイバー８の材質を選定する必要があり、この第２のタ
イバー８は、基板支持体１と同じ材質または熱膨張特性
がほぼ等しい材質を用いることが望ましい。なお、固定
ピン７・・・は第２のタイバー８と同一部材あるいは別
部材で形成される。
上記実施例のリードフレームによれば、支持体固定部６
の固定ピン７・・・が機械的に引き抜かれて樹脂パッケ
ージング９から分離されているので、固定ピン７・・・
の一部が樹脂パッケージ９外へ露出しなくなるので、固
定ピン７・・・が仮に金属材料であっても、耐圧上の問
題はなく、高耐圧半導体装置の実現が容易になる。
の固定ピン７・・・が機械的に引き抜かれて樹脂パッケ
ージング９から分離されているので、固定ピン７・・・
の一部が樹脂パッケージ９外へ露出しなくなるので、固
定ピン７・・・が仮に金属材料であっても、耐圧上の問
題はなく、高耐圧半導体装置の実現が容易になる。
なお、固定ピン７・・・の引き抜きに際して、第２のタ
イバー８、固定ピン７・・・、樹脂パッケージ９が破壊
されないように、固定ピン７・・・とパッケージ用樹脂
９との接着力が強くならないように固定ピン７・・・の
パッケージ用樹脂９との接触面を滑らかにしておくとか
、固定ピン７・・・の基板支持体１との連結部が先細と
なるようにテーパ状に形成しておく等により、固定ピン
７・・・の引き抜きに際して固定ピン７・・・が抜は易
くなるようにしておいてもよい。
イバー８、固定ピン７・・・、樹脂パッケージ９が破壊
されないように、固定ピン７・・・とパッケージ用樹脂
９との接着力が強くならないように固定ピン７・・・の
パッケージ用樹脂９との接触面を滑らかにしておくとか
、固定ピン７・・・の基板支持体１との連結部が先細と
なるようにテーパ状に形成しておく等により、固定ピン
７・・・の引き抜きに際して固定ピン７・・・が抜は易
くなるようにしておいてもよい。
また、固定ピン７・・・をエポキシ１脂等の絶縁性合成
樹脂で形成すれば、パッケージング後に、プレスにより
外部リード３・・・の打ち抜きと同時に、固定ピン７・
・・を切断してパッケージ９から分離することが可能と
なり、工程の簡略化が可能になると共に高耐圧半導体装
置の実現が容易になる。
樹脂で形成すれば、パッケージング後に、プレスにより
外部リード３・・・の打ち抜きと同時に、固定ピン７・
・・を切断してパッケージ９から分離することが可能と
なり、工程の簡略化が可能になると共に高耐圧半導体装
置の実現が容易になる。
第３図（ａ）および（ｂ）は、他の実施例に係るリード
フレームを示″しており、前記実施例のリードフレーム
と比べて支持体固定部が異なる。即ち、第２のタイシく
−８がなく、隣り合う基板支持体１のそれぞれの他端部
に対して固定ピン３７・・・の各一端部が機械的に引き
抜き可能な状態で連結されている、換言すれば；隣り合
う基板支持体１それぞれの各他端部が１個の固定ピン３
７により連結されている点が異なり、その他は同一であ
るので前記実施例と同一符号を付してその説明を省略す
る。この場合にも、樹脂封止後、プレスにより外部リー
ド３・・・の打ち抜きが行われ、固定ピン３７・・・が
引き抜かれて樹脂パッケージ９から分離されて製品化さ
れる。
フレームを示″しており、前記実施例のリードフレーム
と比べて支持体固定部が異なる。即ち、第２のタイシく
−８がなく、隣り合う基板支持体１のそれぞれの他端部
に対して固定ピン３７・・・の各一端部が機械的に引き
抜き可能な状態で連結されている、換言すれば；隣り合
う基板支持体１それぞれの各他端部が１個の固定ピン３
７により連結されている点が異なり、その他は同一であ
るので前記実施例と同一符号を付してその説明を省略す
る。この場合にも、樹脂封止後、プレスにより外部リー
ド３・・・の打ち抜きが行われ、固定ピン３７・・・が
引き抜かれて樹脂パッケージ９から分離されて製品化さ
れる。
また、上記各実施例において、例えば第４図（ａ）に示
すように、タイバー４８と固定ピン４７・・・とが−本
釣に形成された支持体固定部４６を用いてもよく、この
場合には、予め、例えば第４図（ｂ）に示すように、第
１のタイバー５の片側部分（外部リード側３・・・とは
反対側）から外部リード３の打ち抜き予定部３′・・・
を避けてタイバー４８と各固定ピン４７・・・とに対応
するように打ち抜いて形成すれば、材料効率が向上する
。
すように、タイバー４８と固定ピン４７・・・とが−本
釣に形成された支持体固定部４６を用いてもよく、この
場合には、予め、例えば第４図（ｂ）に示すように、第
１のタイバー５の片側部分（外部リード側３・・・とは
反対側）から外部リード３の打ち抜き予定部３′・・・
を避けてタイバー４８と各固定ピン４７・・・とに対応
するように打ち抜いて形成すれば、材料効率が向上する
。
［発明の効果］
上述したように本発明のリードフレームによれば、半導
体装置の組立て工程で外部リードの曲り（基板支持体の
首振り）とか、基板支持体の位置ずれとか、変形等の機
械的なトラブルもなく、基板支持体の放熱面側の樹脂厚
のばらつきも約１０％内であり、従来の一体型のリード
フレームと同等の結果が得られた。そして、本発明によ
れば、樹脂パッケージから金属体が露出することがなく
、半導体装置の高耐圧化を実現できた。
体装置の組立て工程で外部リードの曲り（基板支持体の
首振り）とか、基板支持体の位置ずれとか、変形等の機
械的なトラブルもなく、基板支持体の放熱面側の樹脂厚
のばらつきも約１０％内であり、従来の一体型のリード
フレームと同等の結果が得られた。そして、本発明によ
れば、樹脂パッケージから金属体が露出することがなく
、半導体装置の高耐圧化を実現できた。
また、樹脂パッケージからの支持体固定部の分離に際し
て、従来の一体型のリードフレームは、樹脂パッケージ
に小さなりラック等の機械的ダメージが生じ、外観不良
率が０．３〜０．７％にも達していたが、本発明では外
観不良率が０％になり、半導体装置の耐湿性の面での信
頼性を向上できた。特に、基板支持体に連結される細条
がエポキシ樹脂等の絶縁性合成樹脂で形成されたものは
、樹脂パッケージから支持体固定部が分離された時、樹
脂パッケージに絶縁性合成樹脂製細条が埋め込まれた状
態になってパッケージの外観に細条の引き抜き穴が残ら
なくなり、外観の見栄えが向上する。
て、従来の一体型のリードフレームは、樹脂パッケージ
に小さなりラック等の機械的ダメージが生じ、外観不良
率が０．３〜０．７％にも達していたが、本発明では外
観不良率が０％になり、半導体装置の耐湿性の面での信
頼性を向上できた。特に、基板支持体に連結される細条
がエポキシ樹脂等の絶縁性合成樹脂で形成されたものは
、樹脂パッケージから支持体固定部が分離された時、樹
脂パッケージに絶縁性合成樹脂製細条が埋め込まれた状
態になってパッケージの外観に細条の引き抜き穴が残ら
なくなり、外観の見栄えが向上する。
また、従来の一体型のリードフレームは、基板支持体の
板厚に対して、支持体固定部および第１のタイバーの板
厚がそれぞれ異なる二段の異形材料が使用されていたが
、本発明では支持体固定部が基板支持体とは別部材で形
成されるので、基板支持体の板厚に対して、第１のタイ
バーの板厚が異なる一段の異形材料を使用できるように
なり、基板支持体・第１のタイバ一部が安価に得られる
。
板厚に対して、支持体固定部および第１のタイバーの板
厚がそれぞれ異なる二段の異形材料が使用されていたが
、本発明では支持体固定部が基板支持体とは別部材で形
成されるので、基板支持体の板厚に対して、第１のタイ
バーの板厚が異なる一段の異形材料を使用できるように
なり、基板支持体・第１のタイバ一部が安価に得られる
。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明のリードフレームの
一実施例を示す平面図および側面図、第２図（ａ）乃至
（ｃ）は第１図中の基板支持体と支持体固定部との連結
状態の相異なる具体例を示す断面図、第３図（ａ）およ
び（ｂ）は本発明のリードフレームの他の実施例を示す
平面図および側面図、第４図は（ａ）は第１図中あるい
は第３図中の支持体固定部の変形例を示す平面図、第４
図は（ｂ）は同図（ａ）の支持体固定部の形成方法の一
例を示す平面図、第５図（ａ）および（ｂ）は従来の一
体型のリードフレームを示す平面図および側面図である
。 １・・・基板支持体（放熱板）、２・・・チップ、３・
・・外部リード、４・・・細線、５・・・第１のタイバ
ー ６．４６・・・支持体固定部、７．３７．４７・・
・固定ピン、８． ４８・・・第２のタイバー ９・・・絶縁樹脂 （パラ ケージ）
一実施例を示す平面図および側面図、第２図（ａ）乃至
（ｃ）は第１図中の基板支持体と支持体固定部との連結
状態の相異なる具体例を示す断面図、第３図（ａ）およ
び（ｂ）は本発明のリードフレームの他の実施例を示す
平面図および側面図、第４図は（ａ）は第１図中あるい
は第３図中の支持体固定部の変形例を示す平面図、第４
図は（ｂ）は同図（ａ）の支持体固定部の形成方法の一
例を示す平面図、第５図（ａ）および（ｂ）は従来の一
体型のリードフレームを示す平面図および側面図である
。 １・・・基板支持体（放熱板）、２・・・チップ、３・
・・外部リード、４・・・細線、５・・・第１のタイバ
ー ６．４６・・・支持体固定部、７．３７．４７・・
・固定ピン、８． ４８・・・第２のタイバー ９・・・絶縁樹脂 （パラ ケージ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 放熱板を兼ねる基板支持体と、 この基板支持体の一端側から導出された外部リードに連
なる第１のタイバーと、 前記基板支持体とは別部材により形成され、その基板支
持体の他端部に対して一端部が連結された細条とを具備
し、 前記細条の他端部は、第２のタイバーにより固定され、
または、前記基板支持体と隣り合う別の基板支持体の他
端部に対して連結されていることを特徴とするリードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63293883A JPH0666399B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63293883A JPH0666399B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139953A true JPH02139953A (ja) | 1990-05-29 |
| JPH0666399B2 JPH0666399B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=17800385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63293883A Expired - Fee Related JPH0666399B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666399B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460563A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPS61138252A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-25 | Ricoh Co Ltd | 二成分型ジアゾ複写材料 |
| JPS61138252U (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-27 |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP63293883A patent/JPH0666399B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460563A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPS61138252A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-25 | Ricoh Co Ltd | 二成分型ジアゾ複写材料 |
| JPS61138252U (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666399B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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