JPH02138669A - パターン検査装置 - Google Patents

パターン検査装置

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JPH02138669A
JPH02138669A JP63292609A JP29260988A JPH02138669A JP H02138669 A JPH02138669 A JP H02138669A JP 63292609 A JP63292609 A JP 63292609A JP 29260988 A JP29260988 A JP 29260988A JP H02138669 A JPH02138669 A JP H02138669A
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JP
Japan
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pattern
light
dark image
substrate
camera
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Pending
Application number
JP63292609A
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English (en)
Inventor
Satoshi Iwata
敏 岩田
Moritoshi Ando
護俊 安藤
Koji Oka
浩司 岡
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [目次] 概要 産業上の利用分野 従来の技術(第10図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段及びその作用実施例 第1実施例(第1〜4図) 第2実施例(第5図) 第3実施例(第6.7図) 第4実施例(第8.9図) 発明の効果 [概要] 半透明基板上に形成された不透明パターン、例えばセラ
ミック基板上に形成されたプリント配線パターンの検査
を行うパターン検査装置に関し、検査をより高速に行う
ことを第1目的とし、検査をより正確に行うことを第2
目的とし、第1発明は、表面に不透明なパターンが形成
された半透明基板に対し、該基板の裏面側から斜めに該
パターンへ光を照射する光源と、カメラの光軸を該光照
射方向に略対向させて該基板の表面側から該パターンを
撮影する該カメラとを備え、第2発明は、表面に不透明
なパターンが形成された半透明基板の裏面側下方に配置
された反射面と、該基板表面側から該パターン近傍に光
束を照射して、その反射光、該反射面での反射光及び該
基板内での拡散光により該パターンの裏面側を照らす光
源と、該パターンに対し該照射部と反対側の該基板表面
とカメラの光軸とのなす角を鋭角にして該パターンを撮
影する該カメラとを備え、第3発明は、ステージ表面の
少なくとも一部が円くなっており、該表面に、表面に不
透明なバタ・−7が形成された半透明基板の裏面が接し
て載置される透明な該ステージと、該半透明基板表面に
略接する光束を該基板表面側から該パターンに照射する
光源と、該光束に対向する方向から見た該パターンを撮
影するカメラとを備え、 以上の第1〜3発明は共通の構成要素としてさらに、撮
影された該パターンの暗像幅を測定するパターン幅測定
手段と、該暗像幅を用いて該パターンの欠陥を判定する
パターン欠陥判定手段とを備えて構成する。
[産業上の利用分野コ 本発明は半透明基板上に形成された不透明パターン、例
えばセラミック基板丘に形成されたプリント配線パター
ンの検査を行うパターン検査装置に関する。
[従来の技術] プリント配線上への回路部品実装の高密度化に伴い、プ
リント配線パターンが細密化し、配線パターンを高速か
つ高精度に検査する自動検査装置が必要とされている。
一方、プリント配線基板がセラミック基板である場合に
は、プリント配線はエツチングではなくロール印刷技術
により形成され、第8図に示す如く、セラミック基板1
0上のプリント配線12の幅及び高さが不均一となり、
配線の特性インピーダンスが許容範囲外となることがあ
るので、その検査が必須である。
従来のパターン検査装置では、第9図に示す如く、セラ
ミック基板10上にレーザ光を図示X方向へ直線走査し
、その光スポットを集光レンズ!4を介してTVカメラ
16により撮像し、光スポットの軌跡の直線からのずれ
を測定するといういわゆる光切断法によりプリント配線
12の高さを測定してた。他のパターン検査装置では、
セラミック基板10を斜め上方から照明してプリント配
線+2の影をプリント基板に形成し、この影を集光レン
ズ14を介しTVカメラI6で撮影して影の幅からプリ
ント配線12の高さを測定していた。
[発明が解決しようとする課題〕 しかし、前者の光切断法では光線束をセラミック基板1
0の全面に走査する必要があるため、検査を高速に行う
ことができないという問題点があった。また、後者の投
影法では、セラミック基板lOが半透明で拡散性を有す
るため、プリント配線!2の影のコントラストが低′く
なり、影のエツジを正確に検出することが難しく、高さ
検査を正確に行うことができないという問題点があった
本発明の第1目的は、このような問題点に鑑み、検査を
より高速に行うことができるパターン検査装置を提供す
ることにある。
本発明の第2目的は、半透明基板上に形成された不透明
パターンの検査をより正確に行うことができるパターン
検査装置を提供することにある。
し課題を解決するための手段及びその作用](1)第1
発明 この目的を達成するために、本第1発明では、表面に不
透明なパターンが形成された半透明基板に対し該基板の
裏面側から斜めに該パターンへ光を照射する光源と、力
、メラの光軸を該光照射方向に略対向させて該基板の表
面側から該パターンを撮影する該カメラと、撮影された
該パターンの暗像幅を測定するパターン幅測定手段と、
該暗像幅を用いて該パターンの欠陥を判定するパターン
欠陥判定手段とを備えている(第1図参照)。
基板は半透明であるので、光源から放射された光は基板
内で拡散され、パターンの表面側に回り込む。したがっ
て、カメラの視界内にあるパターンエツジに対応するパ
ターン暗像のエツジのコントラストが低くなり、暗像幅
の測定精度が低下する原因となる。しかし、本第1発明
では、光源により半透明基板に対し該基板の裏面側から
斜めに該パターンへ光を照射し、カメラの光軸を該光照
射方向に略対向させて該基板の表面側から該パターンを
撮影するので、パターン暗像の該エツジが鮮明となり、
一方、カメラと反対側のパターンエツジにも拡散光が照
射されるがこの拡散光はカメラの視界内にあるパターン
の表面には殆ど回り込まないので、暗像の他方のエツジ
は不鮮明とならない。したがって、パターン暗像幅を精
度よく測定することができる。
このパターン暗像幅は基板表面に対するパターンの高さ
に略比例する。また、パターンの断面形状によっては暗
像幅の平方がパターン断面積に略比例する。
よって、この暗像幅を用いれば、パターンの高さ欠陥、
断面積欠陥、特性インピーダンス異常等をより正確に検
査することができる。
また、照射光を幅広にすれば光スポットを走査する必要
がないので、高速検査が可能となる。
(2)第2発明 また、本第2発明では、表面に不透明なパターンが形成
された半透明基板の裏面側下方に配置された反射面と、
該基板表面側から該パターン近傍に光束を照射して、そ
の反射光、該反射面での反射光及び該基板内での拡散光
により該パターンの裏面側を照らす光ねと、該パターン
に対し該照射部と反対側の該基板表面とカメラとの光軸
とのなす角を鋭角にして該パターンを撮影する該カメラ
と、撮影された該パターンの暗像幅を測定するパターン
幅測定手段と、該暗像幅を用いて該パターンの欠陥を判
定するパターン欠陥判定手段とを備えている(第5図参
照)。
この拡散光はカメラ側パターンエツジからパターンの表
面側にはほとんど回り込まないので、第!発明と同様に
パターン暗像のエツジが鮮明になる。
また、シリンドリカルレンズ等を用いて照射光をパター
ンの長手方向へ拡大すれば、高さ検査の高速処理が可能
となる。
さらに、光源とカメラを共に基板の表面側に配置するこ
とができるので、第1発明よりも装置を小型化すること
ができる。
(3)第3発明 また、本第3発明では、ステージ表面の少なくとも一部
が円くなっており、該表面に、表面に不透明なパターン
が形成された半透明基板の裏面が接して載置される透明
な該ステージと、該半透明基板表面に略接する光束を該
基板表面側から該パターンに照射する光源と、該光束に
対向する方向から見た該パターンを撮影するカメラと、
撮影された該パターンの暗像幅を測定するパターン幅測
定手段と、該暗像幅を用いて該パターンの欠陥を判定す
るパターン欠陥判定手段とを備えている(第6図参照)
パターン暗像幅はパターンの高さに比例するので、パタ
ーンの高さをより正確に測定することができ、検査がよ
り正確となる。
(4)第4発明 また、本第4発明では、前記第3発明にさらに、ステー
ジの裏面側から基板に光を照射する、前記光源の波長と
異なる波長の光源を備え、前記カメラは該両波長の光の
各々について前記パターンを撮影し、前記パターン幅測
定手段は、一方の波長の光による該暗像の一方のエツジ
と他方の波長の光による該暗像の他方のエツジとを検出
して該パターンの暗像幅を測定するように構成している
(第8図参照)。
両画像について、一方の光源は他方の光源の影響を受け
ないので、両暗像はそれぞれ異なるエツジが鮮明になり
、したがって、パターン高さをより正確に測定すること
ができる。
[実施例] 以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
(+)第1実施例 第1図はプリント配線高さの測定原理を示す。
半透明なセラミック基板10上には印刷技術により不透
明なプリント配線12が形成されている。
セラミック基板10及びプリント配線12は焼結前のも
のであり、塑性を有する。このセラミック基板10はガ
ラス板18上に載置されている。ガラス板18の下方に
は光源22が配置されており、光源22からの発散光は
ガラス板18、セラミック基板Inを通り、プリント配
線12を裏面側から斜めに照射する。セラミック基板l
Oの上方には、光源22からプリント配線12の方向に
略対向して、プリント配線12を撮影するTVカメラ1
6が配置されている。
したがって、TVカメラx6によりプリント配線I2が
暗像として撮影される。プリント配線12の配線暗像1
3は第2図に示す如くなり、矢印方向に水平走査する輝
度信号の負パルスの幅(暗像幅)は、プリント配線12
の高さに略比例する。
ここで、セラミック基板lOは半透明であるので、光源
22から放射された光はセラミック基板10内で拡散さ
れ、セラミック基板IOの表面側に回り込む。したがっ
て、プリント配線12の表面の内、TVカメラ16の視
界内にあるエツジ12江に対応する配線暗像!3の境界
エツジ+3aのコントラストが低くなり、配線暗像13
の幅の測定精度が低下する原因となる。
しかし、光源22のプリント配線12側に配置された遮
光板20により、光源22からの発散光の内、エツジ1
2a側寄りの光が制限されるので、エツジ12江側から
プリント配線12の表面へ回り込む光咄が少なくなり、
境界エツジ+3aが鮮明となる。一方、TVカメラ!6
と反対側のプリント配線12の側面12bにも拡散光が
回り込むが、この拡散光はTVカメラ16の視界内にあ
るプリント配線表面には殆ど回り込まないので、配線暗
像13の他方の側面エツジ+3bは不鮮明とならない。
したがって、配線暗像13の幅を精度よく測定すること
ができる。
次に、上記測定原理を適用したプリント配線高さ検査装
置を第3図及び第4図に基づいて説明する。
第3図に示す如く、テーブル23には矩形トンネル23
aが形成されており、テーブル23の平らな上面には矩
形トンネル23aに通じる矩形の開口23bが形成され
ている。矩形トンネル23aを形成する側面23cは第
1図に示す遮光板20の機能を果たしている。矩形トン
ネル23a内には、光源22A及び光源22Bが配置さ
れている。テーブル23の上面にはガラス板18が載せ
られており、このガラス板I8は不図示のスライド機構
により第3図左右方向にスライドされる。
ガラス板I8の上方には、平面鏡24がアーム26の一
端に固着され、アーム26の他端がロータリソレノイド
28の駆動軸に支持されている。アーム26は、使用時
には第3図に示す状態で固定され、不使用時にはこの駆
動軸を中心に第3図時計回りへ略90度回転された位置
に固定される。
平面鏡24の真上には結像レンズ16a及び撮像素子1
6bからなるTV右カメラ6が配置されており、光源2
2A、22Bからの発散光はガラス板18及びガラス板
+8上に載置されたセラミック基板10を通り、平面鏡
24で真上に偏向され、TV右カメラ6によりプリント
配線12が撮影される。
撮像素子16bの出力信号は検査回路30に供給されて
処理され、プリント配線12の高さ欠陥が検査される。
一方、ガラス板18の第3図左右方向位置座標は座標検
出装置32により検出され、検査回路30へ供給される
。検査回路30は高さ欠陥が検出されると、座標検出装
置32からの検出座標を読み取り、これをセラミック基
板10上の位置座標に変換してプリンタ34へ供給し印
字させる。
次に、検査回路30による高さ欠陥検出の処理手順を第
4図に基づいて説明する。この処理過程においては、ガ
ラス板18は例えば第3図左方から右方へ移動される。
(10G)最初に、カウンタNを0とする。このカウン
タNは、配線の暗像幅Wが許容下限値W0より小さい個
数を計数するためのものである。
(102)ガラス板18の移動により、TV右カメラ6
に撮影された配線暗像13の境界エツジ+3aが撮像面
の所定位置に来たかどうかを判定する。境界エツジ+3
aがこの位置に来たときには、(104)配線暗像I3
の配線長りを測定する。
次に、第2図矢印方向へ順次水平走査しながら配線暗像
13の一端から他端まで垂直走査し、各水平走査線の輝
度信号により配線暗像幅Wを測定して高さ欠陥を判定す
る(ステップ106〜114)。すなわち、 (106)最初にプリント配線I2の一端の配線暗像幅
Wを測定し、 (108)W≧W0であればステップ106へ戻り次の
水平走査線についての配線暗像幅Wを測定する。
W<W、であれば、 (11G)W = Oであるかどうか、すなわち、プリ
ント配線I2の他端まで処理を行ったかどうかを判定す
る。
W≠0であれば、 (112)カウンタNをインクリメントし、(+14)
カウンタNの値が、配線長しに比例した許容上限値kL
以下であるかどうかを判定する。
N≦kLであればステップ106へ戻り以上の処理を繰
り返す。
N>kLであれば高さ欠陥と判定し、 (116)この時のガラス板18の位置座標を座標検出
装置32から読み取り、この位置座標をセラミック基板
101の位置座標に変換してプリンタ34へ供給し、高
さ欠陥位置座標を印字させる。
次にステップ100へ戻り、次のプリント配線12につ
いて以上の処理を繰り返す。
このようにして、セラミック基板lO上の全てのプリン
ト配線12について高さが検査される。
本実施例では、光切断法と異なりセラミック基板10上
に光線を線走査させる必要がないので検査を高速に行う
ことができる。
なお、第1図において遮光板20を設ける代わりに、光
源22とガラス板18との間に、光源22からガラス板
18へ向かう光の発散角を制限するスリットを設けても
よい。
(2)第2実施例 第5図は第2実施例のプリント配線高さ測定原理を示す
この例では平板36の上面に反射膜37が被着され、反
射V&37上に保護膜38が被着され、この保護WA3
8上にセラミック基板!0が載置されており、レーザ3
9から放射された光線束LI(をプリント配線!2の一
方の側面12b近傍のセラミック基板!0上に照射し、
TVカメラ+6によりプリント配線!2を撮影する。こ
のTVカメラ16は、その先軸と、プリント配線12に
対し光線束L Bの照射部と反対側のセラミック基板1
0の面とのなす角を鋭角、例えば20度にして配置され
ている。光線束LBはセラミック基板10上の照射点で
その一部が反射され、残りがセラミック基板10内に侵
入して拡散され、反射膜37で上方へ偏向される。した
がって、反射光及び拡散光がプリント配線12の側部の
両側からTVカメラ16へ向かう。この拡散光はエツジ
12aからプリント配線+2の表面側にはほとんど回り
込まないので、第1図に示す場合と同様になり、配線暗
像13の境界エツジ13a及び側面エツジ13bが鮮明
になる。
ソリンドリカルレンズ用いて光線束LBをプリント配線
12の長手方向へ拡大すれば、高さ検査の高速処理が可
能となる。
(3)第3実施例 第6図は第3実施例のプリント配線高さ測定原理を示す
この例では、透明円筒40の表面にセラミック基板10
が載置され、高さ測定中には透明円筒40がその中心軸
の回りに回転される。また、レーザ39から放射される
光束LB、はセラミック基板10の表面に略接している
。一方、透明円筒40の内側にはレーザ4Iがその光軸
をレーザ39の光軸に直交させて配置されており、レー
ザ41から放射された光束LI3tは透明円筒40、セ
ラミック基板10を通りプリント配線12のTVカメラ
I6側エツジを照射する。この光学系によれば、TVカ
メラ16により撮影されたプリント配線12の暗像はそ
の幅がプリント配線!2の高さに比例しており、プリン
ト配線12の高さをより正確に測定することができる。
次に、このプリント配線高さ測定原理を適用したプリン
ト配線高さ検査装置を第7図に基づいて説明する。
固定ドラム42には透明円筒40が固定ドラム42に対
し回転可能かつ固定ドラム42の軸方向へスライド可能
に嵌合されている。固定ドラム42には半円柱状の半円
形トンネル42aが形成され、固定ドラム42の外周面
には半円形トンネル42aに通じる矩形の開口42bが
形成されている。半円形トンネル42a内にはシリンド
リカルレンズを用いたビームエクスパンダ50及び平面
鏡52が配置されており、レーザ41から放射されたレ
ーザ光線はビームエクスパンダ50でフラットにされ、
平面鏡52で開口42bの一端側に偏向され、透明円筒
40、セラミック基板10を過つて第6図に示す如くプ
リント配線12の裏面に照射される。
レーザ39から放射されたレーザ光はシリンドリカルレ
ンズを用いたビームエクスパンダ56でフラットにされ
、プリント配線12の上端部にプリント配線12の長手
方向に沿って照射され、このレーザ光に対向して配置さ
れたTVカメラI6によりプリント配線12が撮影され
る。プリント配線高さ検査中には、固定ドラム42が回
転され、固定ドラム42が1回転する毎に透明円筒40
がその軸方向ヘフラットな照射レーザ光の幅だけ移動す
る。高さ欠陥検出手順は第4図に示すものと基本的に同
一である。
(4)第4実施例 第8図は第4実施例のプリント配線高さ測定原理を示す
。第3実施例と異なる点は、レーザ3つと41からそれ
ぞれ放射される光束LB、、L)3tの波長λい人、(
または波長領域)が異なっており、光束LBIと光束L
 B gのセラミック基板10による拡散光とをハーフ
ミラ−44で2分割し、その一方を波長λ、のフィルタ
46Aを通してTVカメラ!6Aでプリント配線12を
撮影し、他方を波長久、のフィルタ46Bを通してプリ
ント配線12を撮影し、第9図に示す如く、波長λ、の
配線暗像から上端エツジ13cを検出し、波長λ、の配
線暗像から下端エツジ13dを検出し、両画像を対応さ
せ、両エツジから配線暗像幅Wを測定する。
この実施例では、両画像について、光束LB費の拡散光
は光束L B +の影響を受けず光束L I3 +は光
束LB、の拡散光の影響を受けないので、配線暗像のエ
ツジは第3実施例の場合よりも鮮明となる。
なお、ハーフミラ−44、フィルタ46B及びTVカメ
ラ16Bを用いず、フィルタ46Aの代わりに、例えば
透過波長λ、の半円形フィルタと透過波長λ、の半円形
フィルタで円形のフィルタを構成し、これを回転させて
TVカメラ16Aにより波長λ1の画像と波長λ、の画
像を交互に撮影する構成であってもよい。
また、ハーフミラ−44、フィルタ46B及びTVカメ
ラ16Bを用いずに、レーザ39と41を交互に例えば
5011zで点滅させて両波長の画像を交互に得る構成
であってもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、課題を解決するための手段のとこ
ろで述べた本第1発明に係るパターン検査装置によれば
、パターン暗像のエツジが鮮明となるので、パターン暗
像幅を精度よく測定することができ、また、このパター
ン暗像幅は基板表面に対するパターンの高さに略比例し
、パターンの断面形状によっては暗像幅の平方がパター
ン断面積に略比例するので、この暗像幅を用いればパタ
ーンの高さ欠陥、断面積欠陥、特性インピーダンス異常
等をより正確に検査することができるという優れた効果
を奏する。
また、照射光を幅広にすることができるので光スポット
を走査する必要がなく、高速検査が可能となるという優
れた効果も奏する。
本第2発明に係るパターン検査装置によれば、第1発明
と同様の効果を奏し、さらに、光源とカメラを共に基板
の表面側に配置することができる−ので、第1発明より
も装置を小型化することができるという優れた効果も奏
する。
本第3発明に係るパターン検査装置によれば、パターン
暗像幅はパターンの高さに比例するので、パターンの高
さをより正確に測定することができ、高さ検査に関して
は第1,2発明よりも検査がより正確となるという優れ
た効果を奏する。
本第4発明に係るパターン検査装置によれば、各波長に
対する両画像について、一方の光源は他方の光源の影響
を受けないので、両暗像はそれぞれ異なるエツジが鮮明
になり、したがって、パターン高さを第3発明よりも正
確に測定することができ、より正確な高さ検査が可能と
なるという優れた効果を奏する。
以上の本発明によれば、プリント配線等のパターンの品
質向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明の第1実施例に係り、第1図
はプリント配線高さ測定の原理を示す図、第2図はTV
カメラI6に移ったプリント配線の暗像を示す図、 第3図は第1図に示す原理を適用したプリント配線高さ
検査装置の構成図、 第4図は第3図に示す高さ検査回路による高さ欠陥検出
処理の手順を示すフローチャーである。 第5図は本発明の第2実施例に係るプリント配線高さ測
定の原理を示す図である。 第6図及び第7図は本発明の第3実施例に係り、第6図
はプリント配線高さ測定の原理を示す図、第7図はプリ
ント配線高さ検査装置の構成図である。 第8図及び第9図は本発明の第4実施例に係り、第8図
はプリント配線高さ測定の原理を示す図、第9図はプリ
ント配線の暗像とその幅との関係を示す図である。 第1O図は従来のプリント配線高さ測定の原理を示す図
である。 図中、 lOはセラミック基板 12はプリント配線 13は配線暗像 I4は集光レンズ I6はTVカメラ 16aは結像レンズ +6bは撮像素子 18はガラス板 20は遮光板 22.22A、22Bは光源 23はテーブル 23b、42bは開口 24.52は平面鏡 28はロータリソレノイド 30は検査回路 32は座標検出装置 34はプリンタ ブリット配邊高之JI SJ理(七の1)第1図 テレヒ゛乃メラに□2丁、つたプリント配線のBt東第
2図 36は平板 37は反射膜 39.41はレーザ 40は透明円筒 42は固定ドラム 44はハーフミラ− 46A、46Bはフィルタ 50.56はビームエクスパンダ プリント配線検量装置 第3図 高さズ陥検記手唱 第4図 ブソノト配線高之All定ぶ理(その2)第5図 プリント配線高さ#17:原遅(その4)第8図 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1).表面に不透明なパターン(12)が形成された半
    透明基板(10)に対し、該基板の裏面側から斜めに該
    パターンへ光を照射する光源(22)と、カメラの光軸
    を該光照射方向に略対向させて該基板の表面側から該パ
    ターンを撮影する該カメラ(16)と、 撮影された該パターンの暗像幅を測定するパターン幅測
    定手段(30,106)と、 該暗像幅を用いて該パターンの欠陥を判定するパターン
    欠陥判定手段(30,108〜114)と、を有するこ
    とを特徴とするパターン検査装置。 2).表面に不透明なパターン(12)が形成された半
    透明基板(10)の裏面側下方に配置された反射面(3
    7)と、 該基板表面側から該パターン近傍に光束を照射して、そ
    の反射光、該反射面での反射光及び該基板内での拡散光
    により該パターンの裏面側を照らす光源(39)と、 該パターンに対し該照射部と反対側の該基板表面とカメ
    ラの光軸とのなす角を鋭角にして該パターンを撮影する
    該カメラ(16)と、 撮影された該パターンの暗像幅を測定するパターン幅測
    定手段(30,106)と、 該暗像幅を用いて該パターンの欠陥を判定するパターン
    欠陥判定手段(30,108〜114)と、を有するこ
    とを特徴とするパターン検査装置。 3).ステージ表面の少なくとも一部が円くなっており
    、該表面に、表面に不透明なパターン(12)が形成さ
    れた半透明基板(10)の裏面が接して載置される透明
    な該ステージ(40)と、 該半透明基板表面に略接する光束を該基板表面側から該
    パターンに照射する光源(39)と、該光束に対向する
    方向から見た該パターンを撮影するカメラ(16)と、 撮影された該パターンの暗像幅を測定するパターン幅測
    定手段(30,106)と、 該暗像幅を用いて該パターンの欠陥を判定するパターン
    欠陥判定手段(30,108〜114)と、を有するこ
    とを特徴とするパターン検査装置。 4).請求項3にさらに、 前記ステージの裏面側から前記基板(10)に光を照射
    する、前記光源(39)の波長と異なる波長の光源(4
    1)を備え、 前記カメラ(16A,16B)は該両波長の光の各々に
    ついて前記パターンを撮影し、 前記パターン幅測定手段(30,106)は、一方の波
    長の光による該暗像の一方のエッジ(13c)と他方の
    波長の光による該暗像の他方のエッジ(13d)とを検
    出して該パターンの暗像幅を測定する ことを特徴とするパターン検査装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2007138798A1 (ja) * 2006-05-30 2007-12-06 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. フレキシブルプリント配線基板の配線パターン検査方法および検査装置
US7659984B2 (en) 2001-12-18 2010-02-09 Kba-Giori S.A. Device for controlling material

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7659984B2 (en) 2001-12-18 2010-02-09 Kba-Giori S.A. Device for controlling material
WO2007138798A1 (ja) * 2006-05-30 2007-12-06 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. フレキシブルプリント配線基板の配線パターン検査方法および検査装置
JP2007322154A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレキシブルプリント配線基板の配線パターン検査方法および検査装置
JP4536033B2 (ja) * 2006-05-30 2010-09-01 三井金属鉱業株式会社 フレキシブルプリント配線基板の配線パターン検査方法および検査装置

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