JPH02133980A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH02133980A JPH02133980A JP63288001A JP28800188A JPH02133980A JP H02133980 A JPH02133980 A JP H02133980A JP 63288001 A JP63288001 A JP 63288001A JP 28800188 A JP28800188 A JP 28800188A JP H02133980 A JPH02133980 A JP H02133980A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体レーザや発光ダイオード等の発光部が半導体基板
上に形成された半導体発光素子に関し、外部回路とイン
ピーダンスマツチングをとることが容易な半導体発光素
子を提供することを目的とし、 半導体基板の一主面に発光部を構成する半導体層及び第
１の電極層を設け、前記半導体基板の他の主面に第２の
電極層を設けた半導体発光素子において、前記半導体基
板の前記色の主面と前記第２の電極層との間に、前記半
導体発光素子の抵抗値を調節するトリミング清が形成さ
れる抵抗層を設けるように構成する。
上に形成された半導体発光素子に関し、外部回路とイン
ピーダンスマツチングをとることが容易な半導体発光素
子を提供することを目的とし、 半導体基板の一主面に発光部を構成する半導体層及び第
１の電極層を設け、前記半導体基板の他の主面に第２の
電極層を設けた半導体発光素子において、前記半導体基
板の前記色の主面と前記第２の電極層との間に、前記半
導体発光素子の抵抗値を調節するトリミング清が形成さ
れる抵抗層を設けるように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は半導体レーザや発光ダイオード等の発光部が半
導体基板上に形成された半導体発光素子に関する。
導体基板上に形成された半導体発光素子に関する。
近年、高速大容量のデータ通信を行うために光データ通
信が注目されている。光データ通信を行う場合には、半
導体発光素子が高速駆動できることが要求される。
信が注目されている。光データ通信を行う場合には、半
導体発光素子が高速駆動できることが要求される。
［従来の技術］
近年の技術の進歩により、半導体発光素子の発光部自体
は高速駆動できるものが開発されている。
は高速駆動できるものが開発されている。
しかしながら、高速駆動可能な半導体発光素子の場合、
特性上インピーダンスが約５Ωと低い値であるのに対し
、外部の駆動回路のインピーダンスが数倍以上であるた
め、半導体発光素子と外部回路との間でインピーダンス
マツチングを取らなければならない。
特性上インピーダンスが約５Ωと低い値であるのに対し
、外部の駆動回路のインピーダンスが数倍以上であるた
め、半導体発光素子と外部回路との間でインピーダンス
マツチングを取らなければならない。
従来の半導体発光素子を第５図に示す、この半導体発光
素子１０はキャリア１２上にマウントされている。キャ
リア１２として、サブキャリア基板１４上に絶縁基板１
６が設けられている。絶縁基板１６上には配線のための
ストリップライン１８が形成されている。半導体発光素
子１０は上面及び下面に電極が設けられ、半導体発光素
子１０の下面の電極はストリップライン１８に電気的に
接続され、上面の電極は金ワイヤ２０によりサブキャリ
ア基板１４に電気的に接続されている。外部の駆動回路
（図示せず）に接続される電＠Ａ、Ｂは、サブキャリア
基板１４とストリップライン１８の他端に設けられてい
る。従来は第５図に示すように、半導体発光素子１０近
傍のストリップライン１８の真中にチップ抵抗２２を設
けて、外部駆動回路とインピーダンスマツチングをとっ
ている。
素子１０はキャリア１２上にマウントされている。キャ
リア１２として、サブキャリア基板１４上に絶縁基板１
６が設けられている。絶縁基板１６上には配線のための
ストリップライン１８が形成されている。半導体発光素
子１０は上面及び下面に電極が設けられ、半導体発光素
子１０の下面の電極はストリップライン１８に電気的に
接続され、上面の電極は金ワイヤ２０によりサブキャリ
ア基板１４に電気的に接続されている。外部の駆動回路
（図示せず）に接続される電＠Ａ、Ｂは、サブキャリア
基板１４とストリップライン１８の他端に設けられてい
る。従来は第５図に示すように、半導体発光素子１０近
傍のストリップライン１８の真中にチップ抵抗２２を設
けて、外部駆動回路とインピーダンスマツチングをとっ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来はインピーダンスマツチングのため
のチップ抵抗２２が半導体発光素子１０の外部にあるた
め、インピーダンスのミスマツチングが生じていた。第
５図の等価回路を第６図に示す。第６図において、抵抗
ＲＩＯ及び容量Ｃ１０は、半導体発光素子１０の発光部
であるレーザダイオードＤの抵抗成分及び容量成分であ
る。インダクタンスＬ２０は、金ワイヤ２０のインダク
タンス成分である。抵抗Ｒ２２はチップ抵抗２２であり
、インダクタンスＬ１８ａとＬ１８ｂは、それぞれチッ
プ抵抗２２で分割されたストリップライン１８の部分１
８ａと１８ｂのインダクタンス成分である。
のチップ抵抗２２が半導体発光素子１０の外部にあるた
め、インピーダンスのミスマツチングが生じていた。第
５図の等価回路を第６図に示す。第６図において、抵抗
ＲＩＯ及び容量Ｃ１０は、半導体発光素子１０の発光部
であるレーザダイオードＤの抵抗成分及び容量成分であ
る。インダクタンスＬ２０は、金ワイヤ２０のインダク
タンス成分である。抵抗Ｒ２２はチップ抵抗２２であり
、インダクタンスＬ１８ａとＬ１８ｂは、それぞれチッ
プ抵抗２２で分割されたストリップライン１８の部分１
８ａと１８ｂのインダクタンス成分である。
第６図の等価回路から分るように、インピーダンスマツ
チング用のチップ抵抗２２がレーザダイオードＤから離
れているため、レーザダイオードＤ自体は高速動作可能
であるにも拘らず、キャリア１２に組上げた場合には、
インピーダンスのミスマツチングにより半導体発光素子
１０が本来有する特性を十分生かすことができなかった
。
チング用のチップ抵抗２２がレーザダイオードＤから離
れているため、レーザダイオードＤ自体は高速動作可能
であるにも拘らず、キャリア１２に組上げた場合には、
インピーダンスのミスマツチングにより半導体発光素子
１０が本来有する特性を十分生かすことができなかった
。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、外部回路
とインピーダンスマツチングＩをとることが容易な半導
体発光素子を提供することを目的とする。
とインピーダンスマツチングＩをとることが容易な半導
体発光素子を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、半導体基板の一主面に発光部を構成する半
導体層及び第１の電極層を設け、前記半導体基板の他の
主面に第２の電極層を設けた半導体発光素子において、
前記半導体基板の前記能の主面と前記第２の電極層との
間に、前記半導体発光素子の抵抗値を調節するトリミン
グ溝が形成される抵抗層を設けたことを特徴とする半導
体発光素子によって達成される。
導体層及び第１の電極層を設け、前記半導体基板の他の
主面に第２の電極層を設けた半導体発光素子において、
前記半導体基板の前記能の主面と前記第２の電極層との
間に、前記半導体発光素子の抵抗値を調節するトリミン
グ溝が形成される抵抗層を設けたことを特徴とする半導
体発光素子によって達成される。
［作用］
本発明によれば、発光部の＠極層に直接抵抗層を設けて
いるため、発光素子と抵抗との間にはインダクタンスが
介在しない、また抵抗値はトリミングによって所望の値
に設定される。従って、外部回路とのインピーダンスマ
ツチングが容易にとれ、効率よく高い周波数で半導体発
光素子を駆動できる。
いるため、発光素子と抵抗との間にはインダクタンスが
介在しない、また抵抗値はトリミングによって所望の値
に設定される。従って、外部回路とのインピーダンスマ
ツチングが容易にとれ、効率よく高い周波数で半導体発
光素子を駆動できる。
［実施例］
以下、図示の実施例に基づいて本発明を説明する。
第１図に本発明の一実施例による半導体発光素子１０を
示す０本実施例の半導体発光素子１０は半導体レーザで
あり、第１図では構造の理解を容易にするために一部が
切り欠かれて示されている。
示す０本実施例の半導体発光素子１０は半導体レーザで
あり、第１図では構造の理解を容易にするために一部が
切り欠かれて示されている。
本実施例では第１図（ａ）に示されたようにＩｎＰ基板
３０の一面上に発光部が形成される。ＩｎＰ基板３０の
表面には例えば回折格子のコルゲージＥｌ ン（Ｃｏｒ
ｒｕｇａｔｉｏｎ） ３４が形成される。コルゲーショ
ン３４上にはｎ型１ ｎＧａＡｓＰのガイド層３６を介
してＩｎＧａＡｓＰの活性層３８が形成されている。活
性層３８を覆うようにｐ型ＩｎＰのガイド層４０が形成
され、ガイド層４０上にはｐ型ＩｎＧａＡｓＰのコンタ
クト層４２を介して正の電極層４４が形成されている０
本実施例の半導体レーザは２つの湧４６．４８により全
体がメサ型に形成されている。消４６．４８の内面には
正の電極層４４形成時のマスクとして機能する高抵抗シ
リコン層５０が形成されている。
３０の一面上に発光部が形成される。ＩｎＰ基板３０の
表面には例えば回折格子のコルゲージＥｌ ン（Ｃｏｒ
ｒｕｇａｔｉｏｎ） ３４が形成される。コルゲーショ
ン３４上にはｎ型１ ｎＧａＡｓＰのガイド層３６を介
してＩｎＧａＡｓＰの活性層３８が形成されている。活
性層３８を覆うようにｐ型ＩｎＰのガイド層４０が形成
され、ガイド層４０上にはｐ型ＩｎＧａＡｓＰのコンタ
クト層４２を介して正の電極層４４が形成されている０
本実施例の半導体レーザは２つの湧４６．４８により全
体がメサ型に形成されている。消４６．４８の内面には
正の電極層４４形成時のマスクとして機能する高抵抗シ
リコン層５０が形成されている。
ＩｎＰ基板３０の下面には負の電極が形成されるが、本
実施例では多結晶シリコンの抵抗層５２を介して負の電
極層５４が形成されている。この抵抗層５２は駆動回路
などの外部回路とのインピーダンスマツチングをとるた
めに設けられたものである６本実施例の抵抗層５２は、
良好なインピーダンスマツチングのために厳密な値が要
求される。このため、本実施例では抵抗層５２の抵抗値
を測定しながら、レーザにより抵抗層５２と電極層５４
を溶かして第１図（ｂ）に示すような溝５６を形成して
トリミングが行われる。
実施例では多結晶シリコンの抵抗層５２を介して負の電
極層５４が形成されている。この抵抗層５２は駆動回路
などの外部回路とのインピーダンスマツチングをとるた
めに設けられたものである６本実施例の抵抗層５２は、
良好なインピーダンスマツチングのために厳密な値が要
求される。このため、本実施例では抵抗層５２の抵抗値
を測定しながら、レーザにより抵抗層５２と電極層５４
を溶かして第１図（ｂ）に示すような溝５６を形成して
トリミングが行われる。
この半導体発光素子１０の製造方法を簡単に説明する。
先ず、ＩｎＰ基板３０の下面に多結晶シリコンの抵抗層
５２を形成する０例えばＣＶＤにより抵抗層５２を堆積
させる。
５２を形成する０例えばＣＶＤにより抵抗層５２を堆積
させる。
次に、ＩｎＰ基板５２の上面にガイド層３６、活性層３
８、ガイド層４０からなる発光部を形成する。
８、ガイド層４０からなる発光部を形成する。
次に、半導体発光素子１０をメサ型にするため２つの消
４６．４８を形成する。続いて、溝４６．４８内には電
極層形成時のマスクとして多結晶シリコン層５０を形成
する。
４６．４８を形成する。続いて、溝４６．４８内には電
極層形成時のマスクとして多結晶シリコン層５０を形成
する。
次に、正の電極層４４及び負の電極層５４を形成する。
次に、抵抗層５２の抵抗値を測定しながら、レーザによ
り抵抗層５２と電極層５４を溶かして第１図（ｂ）に示
すような？１１５６を形成してトリミングが行われる。
り抵抗層５２と電極層５４を溶かして第１図（ｂ）に示
すような？１１５６を形成してトリミングが行われる。
ただし、第１図のようにスクライビングされた後のチッ
プは小さすぎて取扱いにくいため、第２図に示すように
ウェーハを切断して半導体発光素子１０のアレイ６０を
形成して、その状態でレーザによる抵抗値のトリミング
を行う、各半導体発光素子１０の一方の電極ＮＪ４４が
接触するようにアレイ６０を電極板６２上に固定する。
プは小さすぎて取扱いにくいため、第２図に示すように
ウェーハを切断して半導体発光素子１０のアレイ６０を
形成して、その状態でレーザによる抵抗値のトリミング
を行う、各半導体発光素子１０の一方の電極ＮＪ４４が
接触するようにアレイ６０を電極板６２上に固定する。
電極板６２上に固定された測定治具６４により、各半導
体発光素子１０の他方の電極層５４との電気的接続が取
られる。測定治具６４の各プローバ６４ａを各半導体発
光素子１０の電極層５４に接触させる。
体発光素子１０の他方の電極層５４との電気的接続が取
られる。測定治具６４の各プローバ６４ａを各半導体発
光素子１０の電極層５４に接触させる。
各１０−バ６４ａは配線層６４ｂを介して切換スイッチ
６６に接続されている。
６６に接続されている。
抵抗測定装置６８は各半導体発光素子１０の抵抗を測定
する。電極板６２に接触する半導体発光素子１０の電極
層４４と、切換スイッチ６６により選択された半導体発
光素子１０の電極層５４との間の抵抗を測定する。
する。電極板６２に接触する半導体発光素子１０の電極
層４４と、切換スイッチ６６により選択された半導体発
光素子１０の電極層５４との間の抵抗を測定する。
また、半導体発光素子１０の抵抗層５２及び電極層５４
を溶かすためにＹＡＧレーザや炭酸ガスレーザ等のレー
ザ装置７０が設けられている。このレーザ装置７０はレ
ーザコントローラ７２により照射位置及び照射時間が制
御される。レーザコントローラ７２は抵抗測定装置６８
により測定された抵抗値が所定値になるまでレーザ光を
照射し、抵抗層５２及び！極層５４を溶融する。所定の
抵抗値になるとレーザ光の照射を停止し、その半導体発
光装置１０の抵抗値のトリミングを終了する。
を溶かすためにＹＡＧレーザや炭酸ガスレーザ等のレー
ザ装置７０が設けられている。このレーザ装置７０はレ
ーザコントローラ７２により照射位置及び照射時間が制
御される。レーザコントローラ７２は抵抗測定装置６８
により測定された抵抗値が所定値になるまでレーザ光を
照射し、抵抗層５２及び！極層５４を溶融する。所定の
抵抗値になるとレーザ光の照射を停止し、その半導体発
光装置１０の抵抗値のトリミングを終了する。
なお、電極層５４及び抵抗層５２は、抵抗測定装置６８
により正確な抵抗値を測定するために、アレイ６０の半
導体発光装置１０毎に電気的に分離する０例えば、ダイ
シングによりアレイ６０の半導体発光装置１０の境界に
わずかに切れ目を入れて電気的に分離する。また、各半
導体発光装置１０の電極層５４を、互いに導通しないよ
うな形状に予めパターニングしておいてもよい。
により正確な抵抗値を測定するために、アレイ６０の半
導体発光装置１０毎に電気的に分離する０例えば、ダイ
シングによりアレイ６０の半導体発光装置１０の境界に
わずかに切れ目を入れて電気的に分離する。また、各半
導体発光装置１０の電極層５４を、互いに導通しないよ
うな形状に予めパターニングしておいてもよい。
第１図の半導体発光素子１０を組立てて形成したキャリ
ア１２を第３図に示す、第５図と同一の構成要素には同
一の符号を付して説明を省略する。
ア１２を第３図に示す、第５図と同一の構成要素には同
一の符号を付して説明を省略する。
本実施例では半導体発光素子１０のチップ内に、インピ
ーダンスマツチングに必要な抵抗が内蔵されているので
、ストリップライン１８にチップ抵抗が設けられていな
い。
ーダンスマツチングに必要な抵抗が内蔵されているので
、ストリップライン１８にチップ抵抗が設けられていな
い。
第３図の等価回路を第４図に示す、第６図の等価回路と
同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する
。抵抗Ｒ５２が本実施例により新たに設けられたもので
ある。従来のようにストリップライン１８は抵抗で分割
されず、全体のインダクタンス成分はインダクタンスＬ
１８として示されている。
同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する
。抵抗Ｒ５２が本実施例により新たに設けられたもので
ある。従来のようにストリップライン１８は抵抗で分割
されず、全体のインダクタンス成分はインダクタンスＬ
１８として示されている。
第４図に示す等価回路から明らかなように、本実施例で
は抵抗ＲＩＯと抵抗Ｒ５２との間にインダクタンスがな
いため、共振周波数が高くなり高速動作が可能である。
は抵抗ＲＩＯと抵抗Ｒ５２との間にインダクタンスがな
いため、共振周波数が高くなり高速動作が可能である。
また、外部の駆動回路と完全なインピーダンスマツチン
グがなされ、効率よく駆動できる。
グがなされ、効率よく駆動できる。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施例では抵抗層５２をＩｎＰ基板３０下
面に多結晶シリコンを堆積させて形成したが、ＩｎＰ基
板３０下面にシリコンをイオン注入により添加して抵抗
層５２を作成してもよい。
面に多結晶シリコンを堆積させて形成したが、ＩｎＰ基
板３０下面にシリコンをイオン注入により添加して抵抗
層５２を作成してもよい。
また、上記実施例の半導体レーザの代わりに発光部が発
光ダイオードでもよい。
光ダイオードでもよい。
なお、上記実施例では抵抗層をＩｎＰ基板３０下面の負
の！極層５４に設けたが、ＪｎＰ基板３０の発光部側の
正の電極層４４に設けてもよい。
の！極層５４に設けたが、ＪｎＰ基板３０の発光部側の
正の電極層４４に設けてもよい。
コンタクト層４２と電極層４４の間に抵抗層を設けても
よいし、コンタクト層４２に不純物を添加して抵抗層に
してもよい、コンタクト層４２がＰ型１ ｎＧａＡｓＰ
の場合には例えば鉄を添加すれば抵抗層となる。
よいし、コンタクト層４２に不純物を添加して抵抗層に
してもよい、コンタクト層４２がＰ型１ ｎＧａＡｓＰ
の場合には例えば鉄を添加すれば抵抗層となる。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば外部回路とのインピーダン
スマツチングが容易にとれ、効率よく高い周波数で駆動
可能である。したがって、本発明の半導体発光素子を用
いて高速大容量のデータ通信が可能となる。
スマツチングが容易にとれ、効率よく高い周波数で駆動
可能である。したがって、本発明の半導体発光素子を用
いて高速大容量のデータ通信が可能となる。
第１図は本発明の一実施例による半導体発光素子の斜視
図、 第２図は同半導体発光素子のトリミング方法の説明図、 第３図は同半導体発光素子のキャリアの斜視図、第４図
は同半導体発光素子のキャリアの等価回路の回路図、 第５図は従来の半導体発光素子のキャリアの斜視図、 第６図は同半導体発光素子のキャリアの等価回路の回路
図 である。 図において、 １０・・・半導体発光素子、 １２・・・キャリア、 １４・・・サブキャリ・ア基板、 １６・・・絶縁基板、 １８・・・ストリップライン、 ２０・・・金ワイヤ、 ２２・・・チップ抵抗、 ３０・・・ＩｎＰ基板、 ３４・・・コルゲーション、 ３６ ・・・ガイド層（ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ）、３８−
・・活性層（Ｉ ｎＧａＡｓＰ）、４０・・・ガイド層
（ｐ型Ｉ ｎＰ）、４２ ・・・コンタクト層（ｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓ Ｐ）、４４・・・電極層、 ４６．４８・・・溝、 ５０・・・高抵抗シリコン層、 ５２・・・抵抗層、 ５４・・・電極層、 ５６・・・清、 ６０・・・アレイ、 ６２・・・電極板、 ６４・・・測定治具、 ６４ａ・・・プローバ ６４ｂ・・・配線層、 ６６・・・切換スイ ヅチ、 ６８・・・抵抗測定装置、 ７０・・・レーザ装置、 ７２・・・レーザコントローラ。 本発明の一実施例の中鼻体発光素子のキャリアのｆ＋視
視鏡第３ 図発明の一実施例の手導体売光累子のキャリアの等イ（
１１１１口路の回路図第４図
図、 第２図は同半導体発光素子のトリミング方法の説明図、 第３図は同半導体発光素子のキャリアの斜視図、第４図
は同半導体発光素子のキャリアの等価回路の回路図、 第５図は従来の半導体発光素子のキャリアの斜視図、 第６図は同半導体発光素子のキャリアの等価回路の回路
図 である。 図において、 １０・・・半導体発光素子、 １２・・・キャリア、 １４・・・サブキャリ・ア基板、 １６・・・絶縁基板、 １８・・・ストリップライン、 ２０・・・金ワイヤ、 ２２・・・チップ抵抗、 ３０・・・ＩｎＰ基板、 ３４・・・コルゲーション、 ３６ ・・・ガイド層（ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ）、３８−
・・活性層（Ｉ ｎＧａＡｓＰ）、４０・・・ガイド層
（ｐ型Ｉ ｎＰ）、４２ ・・・コンタクト層（ｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓ Ｐ）、４４・・・電極層、 ４６．４８・・・溝、 ５０・・・高抵抗シリコン層、 ５２・・・抵抗層、 ５４・・・電極層、 ５６・・・清、 ６０・・・アレイ、 ６２・・・電極板、 ６４・・・測定治具、 ６４ａ・・・プローバ ６４ｂ・・・配線層、 ６６・・・切換スイ ヅチ、 ６８・・・抵抗測定装置、 ７０・・・レーザ装置、 ７２・・・レーザコントローラ。 本発明の一実施例の中鼻体発光素子のキャリアのｆ＋視
視鏡第３ 図発明の一実施例の手導体売光累子のキャリアの等イ（
１１１１口路の回路図第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の一主面に発光部を構成する半導体層及び第
１の電極層を設け、前記半導体基板の他の主面に第２の
電極層を設けた半導体発光素子において、 前記半導体基板の前記他の主面と前記第２の電極層との
間に、前記半導体発光素子の抵抗値を調節するトリミン
グ溝が形成される抵抗層を設けたことを特徴とする半導
体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288001A JPH02133980A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288001A JPH02133980A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133980A true JPH02133980A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17724522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63288001A Pending JPH02133980A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02133980A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2386252A (en) * | 2001-12-06 | 2003-09-10 | Linear Techn Inc | Component containing light emitting and impedance elements |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63288001A patent/JPH02133980A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2386252A (en) * | 2001-12-06 | 2003-09-10 | Linear Techn Inc | Component containing light emitting and impedance elements |
| FR2837059A1 (fr) * | 2001-12-06 | 2003-09-12 | Linear Techn Inc | Circuits et procedes pour ameliorer la performance d'un element emetteur de lumiere |
| GB2386252B (en) * | 2001-12-06 | 2005-05-04 | Linear Techn Inc | Circuitry and methods for improving the performance of a light emitting element |
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