JPH02132353A - マスク検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明はＸ線または紫外線を用いてＸ′ｍまたは紫外
線マスクのマスクパターンの欠陥の検査を行なうマスク
検査装置に関ずる。

（従来の技術） この種の装置としては例えば、特開昭６１１４０８１２
が知られている。この装置は第９図に示すように、被検
マスクのパターンに対応した電子線を発生する電子線発
生部１００、電子線発生部１００から発生された電子線
像を拡大する電子光学系１０１、電子線光学系で拡大さ
れた電子線像を検出する電子線検出器１０２、電子線発
生部１００を駆動する駆動装置１０３から構成される。

電子線発生部１００の詳細は第１０図に示される。第１
０図において、１０４はＸ線または紫外線、１０５は被
検マスク基板、１０６はマスク支持体、１０７はマスク
パターンである。また、１０８は光電子発生部基板、１
０９は光電子発生部支持体、１１０は光電子発生物質、
１１１は光電子発生物質１１０から発生された光電子で
ある。

電子線発生部１００において、Ｘ線または紫外線１０４
がマスクパターン１０７に照射され、パターン１０７に
よって遮へいされなかったＸ線または紫外線によって光
電子発生用薄膜１１０からマスクパターン１０７に対応
した光電子１１１が発生される。この光電子１１１は電
光学系１０１で拡大され２次元像として結像される。こ
の２次元像は検出素子を２次元状に配列した電子線検出
部１０２によって検出される。この電子線検出部１０２
の出力からマスクパターン１０７を２次元的に検出する
。ここでマスクパターン１０７の検出頭域は、駆動装置
１０３により順次移動される。

この装置構成によると、マスクを電子線で走査すること
によって透過電子コントラストを測定するタイプ等と異
なり、観測される像コントラストが、実際にパターン転
写を行なう際の使用波長によって形成されるため、転写
されるであろうバターンをそのまま反映しているといっ
た点で有効性が認められる。

しかしながら、この装置の空間分解能は、光電子発生用
薄膜１１１の空間分解能で決定されてしまう。すなわち
、光電子発生用簿膜１１１上に蒸着されている光電子発
生物質の結晶粒の大きさと、この光電子発生物質の蒸着
層の厚さによって、点状のＸ線あるいは紫外線が光電子
発生用薄膜に入射しても光電子発生部が広がりをもって
しまい、空間分解能を劣化させてしまう。

また、マスクパターンを通過したＸ線あるいは紫外線は
、回折をおこし光電子発生用薄膜１１１上では、両者の
距離に応じて、フレネル回折バターンあるいはフラウン
ホーファ回折パターンが生じ、像がポケでしまう。例え
ば０．４μｍの白めきパターンを有するマスクパターン
を波長４０人の平行Ｘ線で垂直に曲１Ｊする場合、マス
クパターンと、光電子発生用薄膜との間の距離が、０．
６８μ１〜４μ■程度の時はフレネル回折、４μｍを越
えるとフラウンホーファ回折パターンが生じ、実際のパ
ターンの倍以上の幅にボケでしまう。

（発明が解決しようとする課題） 上述したような従来のマスク検査装置にあっては、装置
の空間分解能が光電子発生用薄膜の空間分解能で決定さ
れ、さらにマスクパターンでのｘ線または紫外線の回折
によって劣化するため、０．５μｍ以下の線幅のマスク
パターン検査は事実上不可能である。

この発明は、上述の問題点を解決し、高空間分解能化を
図ることができるマスク検査装置を提供することを目的
とする。

〔発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明のマスク検査装置によれば、被検マスクにＸ線
または紫外線を照射することによりこの被検マスクのマ
スクパターン像を形成する像形成手段と、この像形成手
段によって形成されたパターン像を検出する像検出手段
と、前記被検マスクの参照基準パターンを記憶するパタ
ーン記憶手段と、このパターン記憶手段から前記参照基
準パターンを読み出すことにより参照基準パターン像を
形成する参照基準パターン形成手段と、この参照基準パ
ターン形成手段で形成された参照基準パターン像と前記
像検出手段で検出されたマスクパターン像とを照合する
ことにより前記被検マスクの欠陥を検出する欠陥検出手
段とを具備して構成される。

（作用） 被検マスクにＸ線または紫外線が照射されることにより
被検マスクのマスクパターン像が形成され、このマスク
パターン像は像検出手段により検出される。像検出手段
により検出されたマスクパターン像はパターン記憶装置
に記憶された参照基準パターンにもとづき形成された参
照基準パターン像と照合され、これにより被検マスクの
欠陥が検出される。

《実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。

第１図はこの発明に係るマスク検査装置の第１の実施例
の全体構成を示したものである。まず光学検出系２００
について説明する。２０１はＸ線源で、このＸ線源２０
１は周知の電子線励起型Ｘ線源、ＳＯＲ等で構成するこ
とができる。２０２はｘｓｉ源２０１から発生されたＸ
線を集光するの集光用の集光光学素子、２０３は被検マ
スクであるＸ線マスク、２０４は被検マスク２０３をＸ
方向およびＹ方向に移動させるためのＸＹテーブル、２
０５は被検マスクを回転させるためのθテーブル、２０
６は被検マスクを透過したＸ線を検出するＸＩ検出器、
２０７Ｇ；ｔＸｌ検出器２０６（７）出力を処理する検
出器回路、２０８はＸＹテーブル２０４の位置を検出す
るレーザ測定器、２０９はＸＹテーブル２０４をＸ軸方
向に駆動するＸ方向駆動装置、２１０はＸＹテーブル２
０４をＹ軸方向に駆動するＹ方向駆動装置である。Ｘ方
向駆動装置２０９およびＹ方向駆動装置２１０はそれぞ
れＸＹテーブル２０４を微動駆動する微動駆動装置およ
びＸＹテーブル２０４を粗動駆動ずる粗動駆動装置を備
えており、微動駆動装置としては、例えばピエゾ素子を
用いたものを用いることができ、また粗動駆動装置とし
ては、例えばステップモータを用いたものを用いること
ができる。２１１はθテーブル２０５を回転駆動するθ
モータである。

次に電子制御系３００について説明する。

３０１はホストＣＰＵ　（中央処理装置）、３０２はハ
ードディスク、３０３はドット変換回路、３０４は基準
データ変換回路、３０５はテーブル制御回路、３０６は
データ比較回路、３０７は位置回路である。ホストＣＰ
Ｕ３０１および各回路はＩ／Ｏバス３０８、ＤＭＡバス
３０９に接続されている。ホストＣＰＵ３０１はドット
変換回路３０３、データ比較回路３０６、テーブル制御
回路３０５、位置回路３０７、ハードディスク３０２を
直接制御する。

ＸＳ源２０１より発せられるＸ線は、集光光学素子２０
２により集光され、被検マスク２０３のマスクパターン
上に微小Ｘ線スポットが形成される。被検マスク２０３
を通過したＸ線はＸ線検出器２０６により検出される。

検出器回路２０７はＸ線検出器２０６から出力された信
号を増幅するとともに、これをアナログ／デジタル（Ａ
／Ｄ）変換し、更にこのデジタル変換した信号を正規化
する。

被検マスク２０３はθテーブル２０５の上に載置されて
おり、このθテーブル２０５により被検マスク２０３上
のパターンのＸＹｈ向と後述する基準データのＸＹ方向
とが一致するように厳密に位置合わせされる。θテーブ
ル２０５の下には、ＸＹテーブル２０４が設けられ、こ
のＸＹテーブル２０４はＸ方向駆動装置２０９およびＹ
方向駆動装置２１０の粗動駆動装置によって粗動駆動さ
れて被検マスク２０３上の検査したい位置への位置決め
が行なわれ、その後微動駆動装置によって２次元的に走
査して、マスクパターンの透過Ｘ線を゛前記Ｘ線検出器
２０６により順次検出する。ＸＹ両軸の移動、すなわち
ＸＹテーブル２０４の位置はレーザ測長器２０８によっ
て精密に測定され、今、被検マスク２０３上のパターン
のどこを検出しているかを正確に把握する。このように
してＸ線マスク検出画像を得る。

一方、例えばＣＡＤシステム（コンピュータ支援設計シ
ステム）から出力されたＸ線マスク設計データが電子ビ
ーム描画用のデータにフォーマット変換された後、ハー
ドディスク３０２に格納される。ハードデッスク２１３
から読み出された電子ビーム描画用データはドット変換
回路３０３よリドットパターンデータに変換される。基
準データ変換回路３０４では、このドットパターンデー
タに、光学検出系２００において被検マスク２０３のマ
スクパターン上に照射される微小スポットの強度分布を
重畳することによって、基準データを得る。なお、ここ
で光学検出系２００のＸ線強度分布が充分小さな場合は
上記強度分布を重畳する処理は行なわなくてもよい。デ
ータ比較回路３０６では、この基準データ変換回路３０
４で変換した基準データと、前述のＸ線マスク測定デー
タとを比較し、欠陥の判定を行なう。

第２図にこの実施例の装置における欠陥検出原理の詳細
を示す。第２図において、光学検出系２００のＸ線源２
０１より発せられたＸＳは集光光学系２０２を通り、被
検マスク２０３上に集光され、その透過光はＸ線検出器
２０６にて検出される。被検マスク２０３は、ＸＹテー
ブル２０４上に載置されており、このＸＹテーブル２０
４をＸ方向駆動装置２０９およびＹ方向駆動装置２１０
の微動駆動装置により微動させ、被検マスク２０３を２
次元走査させながら、Ｘ線検出器２０６により検出信号
を得る。３２５はこの検出信号をＡ／Ｄ変換し、正規化
したものの１次元成分を示したものである。

一方、電子制御系３００のハードディスク３０２に格納
されていたＸ線マスク設計データ３２１は、ドット変換
回路３０３によりドット変換されて、電子ビーム描画用
ドットパターン３２２になる。このドットパターン３２
２に、被検マスク２０３のパターン上に照射されるＸ線
微小スポットの強度分布３２３を重畳ずることによって
基準データを得る。３２４はこの基準データの１次元成
分を示す。

この操作は、前記ドットパターン３２２が、疑似的に光
学検出系２００にて周波数変調を受けて、基準データ３
２４に変換されることを意味しており、この基準データ
３２４と測定データ３２５との比較を行なうことによっ
て光学検出系２００による周波数変調の影響を相殺する
効果がある。

データ比較回路３０６においては、前記測定ｆ−タ３２
５と、基準データ３２４の差の絶対値を求め、この差画
像を適切な欠陥判定スレツショルドで２値化することに
よって欠陥の場所とその大きさを示す欠陥信号３２６を
得る。なお、３２７はこの欠陥信号にもとづき形成され
た欠陥部を含む画像を示したものである。

第３図はこの発明の第２の実施例に係る装置全体構成を
示したものである。この第３図に示す第２の実施例はフ
ーリエ空間において欠陥検出処理を行なうように構成し
たもので、検出器回路２０７から出力される測定データ
と基準データ変換回路３０４から出力される基準データ
とをそれぞれフーリエ変換した後、データ比較回路３０
６で両者の差の信号を形成し、この差の信号を逆フーリ
工変換することにより欠陥の場所とその大きさを示す欠
陥画像を得るようにしている。このようにフーリエ空間
において欠陥検出処理を行なうと、ＸＹ方向のマスク位
置ずれに無関係に欠陥検出を行なうことができ、ｘＹ方
向の激しい位置きめ制御から解放される。

第３図において、この第２の実施例は、まず、第１の実
施例（第１図）の光学検出系２００で用いていた、ＸＹ
テーブル２０４の位置を高精度で検出するレーザ測定器
２０８を不要にするとともに電子制御系３００の位置回
路３０７を不要にする。

その代り、電子制御系３００において基準データおよび
測定データをフーリエ変換するためのフーリエ変換回路
３０８が第１図で示した構成に追加される。他の構成は
第１図で示したものと同様である。なお、第３図におい
ては第１図で示したものと同様の機能を果す部分につい
ては説明の便宜上第１図で用いたものと同一の符号を付
する。

第３図において、Ｘ線源２０１より発せられたＸ線を対
物光学素子２０２にて集光して、被検マスク２０３上に
Ｘ線微小スポットを形成する。被検マスク２０３を透過
したＸ線はｘｉ検出器２０６で検出され、検出器回路２
０７ではこのＸ線検出器２０６の出力を、増幅、Ａ／Ｄ
ｖ換、正規化する。被検マスク２０３はθテーブル２０
５の上にのっており、θテーブル２０５により被検マス
ク２０３上のマスクパターンの回転が制御される。

θテーブル２０５の下には、ＸＹテーブル２０４があり
、Ｘ方向駆動装置２０９およびＹ方向駆動装置２１０の
粗動駆動装置によってＸＹテーブル２０４を移動制御す
ることにより被検マスク２０３上の検出したい位置を決
め、微動駆動装置によって２次元的に走査して、Ｘ線検
出器２０６により被検マスク２０３を透過したＸ線を順
次検出する。ここで、ｘＹテーブル２０４は、マスク２
０３の観察位置を対物光学素子２０２の位置に合せるた
めのもので、前述の第１の実施例とは異なり、後述の設
計データとの正確な位置関係を把握する必要はない。

一方、ＣＡＤシステム等から出力されたＸ線マスク設計
データは、電子ビニム描画用のデータに７４−マット変
換された後、ハードディスク３０２に格納される。ハー
ドデッスク３０２から読み出された、電子ビーム描画用
データはドット変換回路３０３でドットパターンデータ
に変換される。

このドットパターンデータは基準データ変換回路３０４
に送られ、このドットパターンデータに光学検出系２０
０でマスク２０３のパターン上に照射される微小スポッ
トの強度分布を重畳することによって基準データを形成
する。

この基準データと前述のＸ線マスク測定データとを、フ
ーリエ変換回路３０８でそれぞれフーリ工変換し、得ら
れた基準データフーリエスペクトルと、Ｘ線マスク測定
フーリエスペクトルをデータ比較回３０６に転送して、
比較演算を行ない、欠陥の判定を行なう。

第４図にこの第２の実施例の欠陥検出原理の詳細を示す
。Ｘ線源２０１より発せられたＸ線は、Ｘ線用対物光学
素子２０２を通り、マスク２０３上にｘ＃！微小スポッ
トを形成する。その透過光はＸ線検出器２０６にて検出
される。被検マスク２０３はＸＹテーブル２０４にのっ
ており、このＸＹテーブル２０４をＸ方向駆動装置２０
９およびＹ方向駆動素装置２１０の微動駆動装置により
微動させ、被検マスク２０３を２次元走査させながら、
Ｘ線検出器２０６から検出信号を得る。３０１はこの検
出信号をＡ／Ｄ変換、正規化したものの１次元成分であ
る。

一方、ハードディスク３０２に格納されていたＸ線マス
ク設計パターンデータ３２１は、ドット変換回路３０３
でドット変換されて、電子ビーム描画用ドットパターン
３２２になる。このドットパターン３２２に、光学検出
系２００において、被検マスク２０３のマスクパターン
上に照射されるＸ線微小スポットの強度分布３２３を重
畳することによって基準データ３２４を得る。これは、
前記ドットパターン３２２が、光学検出系２００で周波
数変調を受けて基準データ３２４として検出されるのと
同等の過程を疑似的に演算によって行なっているのであ
り、この操作によって、後述の比較演算において、光学
検出系２００の周波数変調の影饗を相殺する効果がある
。

この基準データ３２４と測定データ３２５をフーリエ変
換回路３０８で、フーリエ変換して、それぞれ基準デー
タフーリエスペクトル３２８と測定データフーリエスペ
クトル３２９を得る。データ比較回路３０６においては
、欠陥に起因するスペクトルを含んだ測定データフーリ
エスペクトル３２９から、理想的なパターンスペクトル
である基準データフーリエスペクトル３２８を差し引く
ことによって、欠陥のみのスペクトル３３０を得、これ
を逆フーリエ変換することによって欠陥部のみを示す信
号３２６を得この信号にもとづき欠陥を含む像３３２を
形成する。この処理法では、前記の実施例に比べて処理
が複雑である反面、フーリエ空間にて処理を行なうため
、実空間でのＸＹ方向のマスク位置ずれに対して無関係
となり、ＸＹ方向の厳しい位置決めから開敢されるとい
う大きな利点が生じる。

第５図はこの発明の第３の実施例を示したものである。

この第３の実施例では被検Ｘ線マスク２０３上のＸ線ス
ポットをＸ方向駆動装置２０９およびＹ方向駆動装置２
１０で走査する方式をとらずに、被検Ｘ線マスク２０３
を透過したＸ線をＸ線光学素子２２０によって拡大結像
させ、この拡大像にもとづき被検Ｘ線マスク２０３のマ
スクパターンの欠陥を検出するようにしている。したが
ってこの実施例においては、Ｘ線源２０１からのＸ線は
集光光学素子２０２で集光されて、Ｘ線マスク２０３上
の比較的大きな領域を照射する。

第５図に示す第３の実施例は基本的構成においては第１
図に示した第１の実施例と類似しているが、第１図に示
した第１の実施例と比較して、１　）　ｌ！マスクパタ
ーン像の形成に際し、Ｘ方向駆動装置２０９およびＹ方
向駆動装置２１Ｏによる走査方式を採用゛していないこ
と２）このためＸ線源２０１からのＸ線は対物光学素子
２０２で集光されてＸ線マスク２０３の被検領域の全面
を照射する構成をとっていること ３）Ｘ線マスク２０３を透過したＸ線を拡大結像するた
めのＸ線光学素子２２０を設けていること ４）Ｘ線検出器として２次元Ｘ線検出器２１１を設けて
いること が異なる。他の構成は第１図に示した第１の実施例と同
様である。

第６図は第５図に示した第３の実施例の欠陥検出原理を
示したものである。第６図においてＸ線源２０１から発
せられたＸ線は光学系２０２を通り、被検マスク２０３
を照明し、その透過像は光学素子２２０で拡大され、２
次元Ｘ線検出器２１１上に結像する。この拡大結像した
被検マスク２０３のマスクパターン像を２次元Ｘ線検出
器２１１により検出し、その後検出器回路２１２により
Ａ／Ｄ変換、正規化を行って測定データ３３３を得る。

一方、ハードディスク３０２に格納されていたＸ線マス
ク設計データ３０２は、ドット変換されて、電子ビーム
描画用ドットパターン３２２になる。このドットパター
ン３２２に光学検出系２００全体の点像分布関数３２３
を重畳することによって基準データ３２４を得る。この
操作は、前記ドットパターン３２２が、疑似的に光学検
出系２００により周波数変調を受けて、基準データ３１
１として検出されることを意味しており、この基準デー
タ３２４と、測定データ３３３との比較を行うことによ
って光学検出系２００による周波数変調の影響を相殺し
ている。データ比較回路３０６においては、前記測定デ
ータ３３３と、基準データ３２４との差の絶対値を求め
、この差画像を適切な欠陥スレッショルドで２値化する
ことによって欠陥の場所とその大きさを示す欠陥信号３
３４を得る。３３５はこの欠陥信号３３４にもとつぎ形
成した欠陥部を含む画像を示したものである。

第７図はこの発明の第４の実施例を示したものである。

この第４の実施例は第５図に示した第３の実施例と同様
に被検マスク２０３を透過したＸ線の拡大像にもとづき
被検マスク２０３の欠陥を検出する構成を採用している
。ただし、この第４の実施例においては前述した第３図
の第２の実施例と同様にフーリエ空間においてマスク欠
陥の検出を行なうようにしている。

第７図に示す第４の実施例は、第５図に示した第３の実
施例の構成に測定データおよび基準データのフーリエ変
換のためのフーリエ変換回路３０８を追加するとともに
、第５図に示した第３の実施例の構成からレーザ測定器
２０８および位置回路３０７を除去することによって構
成される。

この第４の実施例において、ＸＹテーブル２０４は、被
検マスク２０３の観察位置を光学素子２２１の位置にあ
わせるためのもので、前述の第３の実施例とは異なりそ
れほど位置決め精度を必要としない。また、θテーブル
４０５はゴニオメー夕等精度の高いものを用い、マスク
の回転方向の高い位置決め精度を実現する。

第８図にこの第７図に示した第４の実施例の欠陥測定原
理が示される。

光学検出系２００において、Ｘ線源２０１は光学系２０
２を通り、被検マスク２０３を照明し、その透過像は光
学素子２２０より拡大され、２次元Ｘ線検出器２１１上
に結像する。この拡大結像したマスクパターンを２次元
Ｘ線検出器２１１より検出し、その後検出器回路２１２
によりＡ／Ｄ変換、正規化を行って測定データ３３３を
得る。

方、電子制御系３００のハードディスク３０２に格納さ
れていたＸ線マスクパターン設計データ３２１はドット
変換されて電子ビーム描画用ドットパターン３２２にな
る。このドットパターン３２２に、光学系２００全体の
点像分布関数３２３を重畳することによって基準データ
３２４を得る。この基準データ３２４と測定データ３３
６をフーリエ変換回路３０８で、フーリエ変換して、そ
れぞれ、基準データフーリエスペクトル３２８と、測定
データフーリエスペクトル３３６とを得る。データ比較
回路３０６においては、欠陥に起因するスペクトルを含
んだ測定データフーリエスペクトル３３６から、理想的
なパターンスペクトルである基準データフーリエスペク
トル３２８を差し引くことによって、欠陥のみのスペク
トル３３７を得、これを逆フーリエ変換することによっ
て欠陥のみを示す欠陥信号３３８を得る。この欠陥信号
３３８にもとづき欠陥部を含む画像３３８を得る。この
処理法では、フーリエ空間にて処理を行うため、実空間
でのＸＹ方向のマスク位置ずれに対して無関係となり、
ＸＹｈ向の厳しい位置決めから解放される。

なお、上述した実施例においては被検マスクにｘｉを照
射する構成について述べたが、Ｘ線の代わりに紫外線を
照射するようにしても同様に構成できる。この場合、Ｘ
線源２０１は紫外線源に置き換えられ、光学素子２０２
、２２０は紫外線に作用するものが用いられ、更にｘｉ
検出器２０６、２１１は紫外線検出器に置き換えられる
。

また、上述した実施例においては被検マスク透過したＸ
線または紫外線にもとづきマスクパターンの欠陥を検出
するようにしているが、被検マスクを反射したＸ線また
は紫外線にもとづきマスクパターンの欠陥を検出するよ
うに構成してもよい。

〔発明の効果］ 以上説明したようにこの発明によれば、空間分解能の不
足が大幅に改善され、高分解能でマスクパターンコント
ラストを観察できるようになる。

また、ＣＡＤによるマスクパターン設計データから、被
検マスクパターン像を差し引く構成をとることにより、
欠陥のみの画像をコントラスト良く得ることが可能とな
った。また、マスクパターン設計データのフーリエスペ
クトルから、被検マスクパターンの測定データのフーリ
エスペクトルを差し引き、欠陥のみの画像を得る手法に
おいては、ＸＹ方向の厳しい位置決め精度を必要とせず
、回転方向のみの正確な位置決めによって容易に欠陥検
査が可能となる。また、マスクパターンに照射される微
小スポットの強度分布をマスクパターン設計データに重
畳した後に、被検マスクパターン像から差し引くことに
より、マスクパターン像の光学系による変調を相殺した
、正確なパターン欠陥検査を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例を示す全体構成図、第
２図は第１の実施例にお【プるマスクパターンの欠陥検
出原理を説明する図、第３図はこの発明の第２の実施例
を示す全体構成図、第４図は第２の実施例におけるマス
クパターンの欠陥検出原理を説明する図、第５図はこの
允明の第３の実施例を示す全体構成図、第６図は第３の
実施例におけるマスクパターンの欠陥検出原理を説明す
る図、第７図はこの発明の第４の実施例を示す全体構成
図、第８図は第４の実施例におけるマスクパターンの欠
陥検出原理を説明する図、第９図は従来のマスク検査装
置を示すブロック図、第１０図は第９図に示したマスク
検査装置の要部拡大図である。 ２００・・・光学検出系、２０１・・・ｘ線源、２０３
・・・被検マスク、２０６、２１１・・・ｘ線検出器、
３００・・・電子制御系、３０１・・・ホス＋−　ｃ　
ｐ　ｕ、３０２・・・ハードディスク、３０６・・・デ
ータ比較回路、３０８・・・フーリエ変換回路。 ■　トの　■ ０　　　＾ｎ　　ｎ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）被検マスクにＸ線または紫外線を照射することに
   よりこの被検マスクのマスクパターン像を形成する像形
   成手段と、 この像形成手段によつて形成されたパターン像を検出す
   る像検出手段と、 前記被検マスクの参照基準パターンを記憶するパターン
   記憶手段と、 このパターン記憶手段から前記参照基準パターンを読み
   出すことにより参照基準パターン像を形成する参照基準
   パターン形成手段と、 この参照基準パターン形成手段で形成された参照基準パ
   ターン像と前記像検出手段で検出されたマスクパターン
   像とを照合することにより前記被検マスクの欠陥を検出
   する欠陥検出手段と を具備したマスク検査装置。
2. （２）像形成手段は、 Ｘ線または紫外線を発生する発生手段と、 この発生手段から発生されたＸ線または紫外線を被検マ
   スク上に収束させる収束手段と、この収束手段で収束さ
   れたＸ線または紫外線を前記被検マスク上で２次元的に
   走査する走査手段と、 前記被検マスク上に収束されたＸ線または紫外線の透過
   線または反射線から該被検マスクのマスクパターンに対
   応したマスクパターン像を形成する手段と を具える請求項（１）のマスク検査装置。
3. （３）像形成手段は、 Ｘ線または紫外線を発生する発生手段と、 この発生手段から発生されたＸ線または紫外線を被検マ
   スク上に照射する照射手段と、 この照射手段で前記被検マスク上に照射されたＸ線また
   は紫外線の透過線または反射線から該被検マスクのマス
   クパターンに対応したマスクパターン像を結像する結像
   手段と を具える請求項（１）のマスク検査装置。
4. （４）参照基準パターン形成手段は、 パターン記憶手段に記憶されたマスクパターンに像形成
   手段の像分布関数を重畳することにより参照基準パター
   ン像を形成する手段を具える請求項（１）のマスク検査
   装置。
5. （５）欠陥検出手段は、 像検出手段で検出されたマスクパターン像から参照パタ
   ーン形成手段で形成されたマスクパターン像を差し引く
   ことにより欠陥のみの象を抽出する手段 を具える請求項（１）のマスク検査装置。
6. （６）欠陥検出手段は、 像検出手段で検出されたマスクパターン像をフーリエ変
   換して第１のフーリエスペクトルを求める第１の手段と
   、 参照パターン形成手段で形成されたマスクパターン像を
   フーリエ変換して第２のフーリエスペクトルを求める第
   ２の手段と、 第１の手段で求めた第１のフーリエスペクトルから第２
   の手段で求めた第２のフーリエスペクトルを差し引く第
   ３の手段と、 第３の手段の出力を逆フーリエ変換する手段とを具える
   請求項（１）のマスク検査装置。