JP2010276464A - 微細凹凸パターンの欠陥判定方法、および、パターンドメディアの欠陥判定方法 - Google Patents
微細凹凸パターンの欠陥判定方法、および、パターンドメディアの欠陥判定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010276464A JP2010276464A JP2009128996A JP2009128996A JP2010276464A JP 2010276464 A JP2010276464 A JP 2010276464A JP 2009128996 A JP2009128996 A JP 2009128996A JP 2009128996 A JP2009128996 A JP 2009128996A JP 2010276464 A JP2010276464 A JP 2010276464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- pattern
- area
- determination method
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95692—Patterns showing hole parts, e.g. honeycomb filtering structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
Landscapes
- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
検査時間を増大させることなく、微細凹凸パターンが形成された、ハードディスク用のパターンドメディアなどの試料よりの欠陥種類の特定を容易に行うようにする。
【解決手段】
微細凹凸パターンの欠陥検査において、スキャッタロメトリー法にて検査対象物の特徴を検出する際に、検査対象物の検出対象領域の分光波形を検出し、検出対象領域が検査対象物のパターン種類によって決まるどの領域区分に属するかの領域判定を行い、領域判定の結果により、判定された領域区分に対応する、欠陥種類毎に異なる特徴量の演算式と判定指標値を選択し、選択した特徴量の演算式にしたがって、前記分光波形データに対し、特徴量演算を行い、算出した特徴量の値と、前記選択した判定指標値とを比較して欠陥種類毎の判定処理を行う。
【選択図】図1
Description
通常パターンドメディアに使用されるパターン寸法は100nm以下であり、可視光の波長の数分の1以下のパターン寸法である。このため通常の顕微鏡などの光学系では解像限界を超えているため、直接パターン形状を捉えることは出来ない。このため、AFMによる形状計測や、SEMなどによる計測、又はSNOMなどによる近接場光検出が考えられるが、いずれもスループットの観点から高速に広い面積を観察することができない。
一方、半導体のパターン形成のプロセス管理には、スキャッタロメトリーの原理による光学式の検査装置が適用されている。これは、予め半導体ウェハ上に製品以外の領域に配置するTEGパターンと呼ばれる管理用のパターンを利用し、ラインアンドスペースなどの周期的なパターンの検出を行うものである。例えば、50μm□程度以上の領域内の周期的パターンに白色光を照射し、その反射光の分光特性を検出することにより、観察パターンの形状を計算する手法である。この手法によるパターンドメディアの検査方法に関し特許文献1が開示されている。これによれば、スキャッタロメトリー法により、検出した光反射強度を解析することで、周期的なパターンの形状を計測・評価可能であるとしている。また、試料上にサーボ情報部がある場合にも取得したデータを解析することで、同様に評価可能であるとしている。
また,特許文献2には、スキャッタロメトリー方式による検出ツールを半導体の欠陥分類に利用する方法を述べている。
光学的スキャッタロメトリーに関しては、非特許文献1や非特許文献2に詳細が記載されているが、簡単に言えば、1次元的な周期構造をもつ構造物に光を照射し、その反射光の強度分布を、入射角、波長、偏光方向、反射次数への依存性を調べ、それにより周期構造物の寸法、空間周期、断面形状や材質などの情報を求める手法である。この方法によれば、光の波長以下の周期構造における微少な差、或いは異物、欠陥を検知することができる。
一方、製造工程でディスク上に生じる欠陥の種類は、パターンの変形、剥がれ、凹み、傷、異物など多様である。さらに、ディスク上で欠陥が生じた領域によっても製品としての良否判定が異なる。これは、例えばデータ領域に生じた微小な傷欠陥であれば、その領域を非使用領域として登録することにより、製品として利用可能であるが、一方、同様の欠陥がサーボ領域のアドレスを決定するパターン上で生じた場合は、そのアドレスパターンで決定されるデータ領域の全てが非使用領域となり得るので致命的な欠陥であり、製品としては不良となる。
このような欠陥判定を従来の方式である、検出した反射光強度のみで対象物の形状をスキャッタロメトリー法で検査するのは解析を複雑にさせるだけでなく、解析・或いはマッチング処理による検査時間を増大させ、検査・計測精度も低下させる要因となる。
さらには、欠陥の分類に対しても欠陥が発生した領域によってその致命性が異なることから、パターンドメディアの特性に対応した欠陥分類方法が必要であった。
パターンドメディア上の欠陥の検出においては、欠陥種類が、例えば、抜け、異物、傷となる。また、パターンドメディア上の欠陥の検出においては、領域区分が、例えば、データ領域およびサーボ領域となり、さらには、データ領域が、内周領域、中間周領域および外周領域に分けられ、サーボ領域が、アドレス領域、クロック領域およびトラッキング領域に分けられる。
検査対象であるパターンドメディア・ディスクに対し、検出対象領域の分光反射率を分光検出器1にて検出し、分光波形データとして波形検出2する。次に検出位置4とメディア設計情報であるCADデータ3から検出波形がどの領域に属するかを領域判定6する。この場合の領域とはディスク上のパターン種類によって決まるデータ領域、サーボ領域などの領域区分のことである。ディスク上に位置決めに必要なアライメントマークなどがなく、検出位置4が定まらない場合は、予め検出しておいた領域区分と対応の取れている近傍波形5と比較することにより、領域判定6を行う。
領域判定6の結果により、判定データベース7から、判定領域に対応する演算式F9と判定指標値Th8を選択する。演算式9に従って、検出した分光波形データに対して特徴量演算10を行う。次に判定処理12にて、算出した特徴量の値と対応する判定指標値8とを比較し、判定処理を行う。判定処理の結果から最終的に欠陥モードの判定13を行う。
検査装置は、試料であるパターンドメディアディスクを保持、移動、走査するステージと、試料上に光を照射する照明光学系と、照射された光の反射光を検出する検出光学系と、検出光を電気信号に変換する光電子素子と、検出した電気信号を保存する手段と、電気信号から特徴量を検出する手段と、試料のパターン配置情報などの設計データを取得する手段と、検出した信号の試料上の位置を設計データと比較して特定する位置検知手段と、欠陥が生じたディスクでの反射光を保存する手段と、欠陥種類と欠陥発生箇所応じたデータ分類を行う手段と、得られたデータに基づき致命性判定を行う判定手段とを有する。
上記走査ステージは試料を回転走査しながら半径方向に走査するRθ型ステージでも、直交する方向に走査するXY型ステージでも良い。
また、上記照明光学系は、白色光を照射する光学系の他、紫外光や赤外光の非可視光を照射する光学系でも良く、特定の波長を有するレーザ光源を用いた光学系でも良い。さらには、照明光に偏光特性を持たせ、偏光光を照射する光学系でも良い。
また、上記検出光学系は、照明光学系に対応し、紫外光を含む白色光を波長毎に検出する分光光学系や、特定の単波長或いは複数波長の反射光を検出する光学系としても良い。さらには、検出光学系に偏光透過特性を持たせ、特定の偏光光のみを検出する光学系としても良い。
また、上記電気信号から特徴量を検出する手段は、検出した波長毎の分光データをそのまま特徴量としても良く、また特定の1つ以上の波長での信号を特徴量としても良い。さらに複数の偏光条件と波長との組み合わせによって決まる特徴量としても良い。
また、上記特徴量を比較する手段は、同一試料での近傍での比較、或いは対称位置での比較の他、設計情報による領域単位毎での比較でも良い。さらには、過去に検出し保存したデータとの比較であってももちろん良い。
また、上記位置検知手段は、設計データ(CADデータ)におけるパターン配置と検出した特徴量の分布配置を正規化相関などの画像処理手法によって比較し、位置ずれ量を検知する方法でもよい。
このように検出領域及び欠陥モードによって分光波形の変化の仕方が異なるため、検出領域毎の欠陥弁別が必要となる。
なお、式(1)では演算式を簡単のため1次式としたが、必ずしも1次式とする必要はなく、分光波形の反射率をパラメータとする演算式であれば良く、例えば次の式(2)のようにべき乗の演算式でも良い。
さらに、判定指標値Thiも必ずしも、各領域の欠陥種に1つでなくても良く、複数の指標値の組合せ条件によって欠陥種を判定する処理としても良い。
ここで判定指標値Thiは、無欠陥パターンによる光学信号ばらつきと欠陥によって生じる光学信号変化とを比較して、有意な信号変化分を捉えることにより、設定される。
このように判定式とデータベースを構築することで、各領域での欠陥検出及び欠陥分類が可能となる。
また、欠陥種とは本例に示したパターン形状の物理的な変化以外にも、分光波形で検出できる欠陥であれば、磁気的な欠陥種、電気的な欠陥種としても良い。
20・・・パターンドメディア、21・・・対物レンズ、22・・・ハーフミラー、23・・・ハーフミラー、24・・・集光レンズ、25・・・光検出器、26・・・白色光源、27・・・偏光子、28・・・検光子、29・・・集光レンズ、30・・・観察カメラ、
31・・・検査領域、32・・・サーボ領域、33・・・データ領域、34・・・拡大領域、
35・・・サーボ領域、36・・・データ領域、37・・・クロック領域、38・・・アドレス領域、39・・・トラッキング領域、40・・・分割領域、
41・・・クロック領域のパターン、42・・・アドレス領域のパターン、43・・・トラッキング領域のパターン、44・・・データ領域のパターン、
51・・・データ領域36の分光波形、52・・・トラッキング領域39の分光波形、53・・・アドレス領域38の分光波形、54・・・クロック領域37の分光波形、
60a・・・データ領域61aパターンでの分光波形、60b・・・データ領域61bパターンでの分光波形、60c・・・データ領域61cパターンでの分光波形、60d・・・データ領域61dパターンでの分光波形、
61a・・・正常パターンのデータ領域、61b・・・正常パターンのデータ領域、61c・・・パターン抜け欠陥のあるデータ領域、61d・・・異物欠陥のあるデータ領域、62・・・パターン抜け欠陥、63・・・異物欠陥、
65a・・・アドレス領域66aパターンでの分光波形、65b・・・アドレス領域66bパターンでの分光波形、65c・・・アドレス領域66cパターンでの分光波形、65d・・・アドレス領域66dパターンでの分光波形、66a・・・正常パターンのアドレス領域、66b・・・正常パターンのアドレス領域、66c・・・パターン抜け欠陥のあるアドレス領域、66d…異物欠陥のあるアドレス領域、67・・・パターン抜け欠陥、68・・・異物欠陥、
70・・・異物のある領域71の検出波形、71・・・異物のある領域のカメラ画像。
Claims (13)
- 微細凹凸パターンの検査において、スキャッタロメトリー法にて検査対象物の特徴を検出する際に、
検査対象物の検出対象領域の分光波形を検出し、
検出対象領域が検査対象物のパターン種類によって決まるどの領域区分に属するかの領域判定を行い、
領域判定の結果により、判定された領域区分に対応する、欠陥種類毎に異なる特徴量の演算式と判定指標値を選択し、
選択した特徴量の演算式にしたがって、前記分光波形データに対し、特徴量演算を行い、
算出した特徴量の値と、前記選択した判定指標値とを比較して欠陥種類毎の判定処理を行うことを特徴とする微細凹凸パターンの欠陥判定方法。 - 請求項1記載の微細凹凸パターンの欠陥判定方法において、
検査対象物のパターン種類を周期的パターンと非周期的パターンに分けて領域判定を行うことを特徴とする微細凹凸パターンの欠陥判定方法。 - 請求項1記載の微細凹凸パターンの欠陥判定方法において、
対象物のパターン種類と、欠陥種類によって変化する光学信号を用い、無欠陥パターンによる光学信号ばらつきと欠陥によって生じる光学信号変化を比較し、有意な信号変化分を捉えることで欠陥判定を行うことを特徴とする微細凹凸パターンの欠陥判定方法。 - 請求項3記載の微細凹凸パターンの欠陥判定方法において、
有意な信号変化分を捉えるために、有意な変化のある波長を選択することを特徴とする微細凹凸パターンの欠陥判定方法。 - 請求項1記載の微細凹凸パターンの欠陥判定方法において、
対象物のパターン種類と、欠陥種類と、パターンばらつきによって生じる光学信号ばらつきと、欠陥によって変化する光学信号変位をパラメータとして、パターン種類毎の判定指標値を決定することを特徴とする微細凹凸パターンの欠陥判定方法。 - 請求項6または請求項7記載の微細凹凸パターンの欠陥判定方法において、
係数α,β,γ・・・、あるいは係数αk,βk,γk・・・は、欠陥種類によって大きく変化する波長の係数を大きく、良品でも変化の大きい波長の係数を小さくすることを特徴とする微細凹凸パターンの欠陥判定方法。 - スキャッタロメトリー法にてパターンドメディア上の欠陥を検出する欠陥判定方法において、
パターンドメディアの検出対象領域の分光波形を検出し、
検出対象領域がパターンドメディアのパターン種類によって決まるどの領域区分に属するかの領域判定を行い、
領域判定の結果により、判定された領域区分に対応する、欠陥種類毎に異なる特徴量の演算式と判定指標値を選択し、
選択した特徴量の演算式にしたがって、前記検出した分光波形データに対し、特徴量演算を行い、
算出した特徴量の値と、前記選択した判定指標値とを比較して欠陥種類毎の判定処理を行うことを特徴とするパターンドメディアの欠陥判定方法。 - 請求項9記載のパターンドメディアの欠陥判定方法において、
前記欠陥種類が、抜け、異物、傷であることを特徴とするパターンドメディアの欠陥判定方法。 - 請求項9記載のパターンドメディアの欠陥判定方法において、
前記領域区分が、データ領域およびサーボ領域であることを特徴とするパターンドメディアの欠陥判定方法。 - 請求項11記載のパターンドメディアの欠陥判定方法において、
前記領域区分におけるデータ領域が、内周領域、中間周領域および外周領域に分けられていることを特徴とするパターンドメディアの欠陥判定方法。 - 請求項11記載のパターンドメディアの欠陥判定方法において、
前記領域区分におけるサーボ領域が、アドレス領域、クロック領域およびトラッキング領域に分けられていることを特徴とするパターンドメディアの欠陥判定方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009128996A JP5337578B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 微細凹凸パターンの欠陥判定方法、および、パターンドメディアの欠陥判定方法 |
US12/789,188 US8638430B2 (en) | 2009-05-28 | 2010-05-27 | Method for defect determination in fine concave-convex pattern and method for defect determination on patterned medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009128996A JP5337578B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 微細凹凸パターンの欠陥判定方法、および、パターンドメディアの欠陥判定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010276464A true JP2010276464A (ja) | 2010-12-09 |
JP5337578B2 JP5337578B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=43412483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009128996A Expired - Fee Related JP5337578B2 (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | 微細凹凸パターンの欠陥判定方法、および、パターンドメディアの欠陥判定方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8638430B2 (ja) |
JP (1) | JP5337578B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012098123A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2013211079A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Konica Minolta Inc | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014050609A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 不規則な凹凸表面を有する基板を検査する装置及びそれを用いた検査方法 |
US9642039B2 (en) * | 2014-08-13 | 2017-05-02 | Huawei Technologies Canada Co., Ltd. | System and method for wireless load balancing |
EP3225983A4 (en) * | 2014-11-28 | 2018-05-30 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection device and defect inspection method |
FR3073943B1 (fr) * | 2017-11-22 | 2020-05-29 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Systeme de surveillance de la degradation et de l'encrassement d'un miroir |
KR20220006559A (ko) * | 2019-05-08 | 2022-01-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 접합 장치, 접합 시스템 및 접합 방법 |
US20220223483A1 (en) * | 2019-05-22 | 2022-07-14 | Vuereal Inc. | An alignment process for the transfer setup |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63305512A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン検査装置 |
JP2005519281A (ja) * | 2002-02-28 | 2005-06-30 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 半導体製造プロセスの制御に高収量スペクトル・スキャタロメトリ計測を使用する方法ならびにこのためのシステム |
JP2005188944A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 線幅測定方法,基板の処理方法,基板の処理装置及び基板の冷却処理ユニット |
JP2006228843A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Renesas Technology Corp | 半導体デバイスのプロセス制御方法および製造方法 |
JP2007133985A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Hitachi Ltd | 磁気記録・光記録ディスク検査装置 |
JP2010097671A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンドメディアの検査方法及び検査装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6185324B1 (en) * | 1989-07-12 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor failure analysis system |
JP2000182330A (ja) * | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報再生方法及び情報再生装置 |
US6342707B1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-01-29 | Katsina Optics, Inc. | Laser scatterometer with adjustable beam block |
US6639663B1 (en) | 2001-05-23 | 2003-10-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for detecting processing faults using scatterometry measurements |
JP4599445B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-12-15 | 株式会社東芝 | スタンパーの評価方法 |
-
2009
- 2009-05-28 JP JP2009128996A patent/JP5337578B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-05-27 US US12/789,188 patent/US8638430B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63305512A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン検査装置 |
JP2005519281A (ja) * | 2002-02-28 | 2005-06-30 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 半導体製造プロセスの制御に高収量スペクトル・スキャタロメトリ計測を使用する方法ならびにこのためのシステム |
JP2005188944A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 線幅測定方法,基板の処理方法,基板の処理装置及び基板の冷却処理ユニット |
JP2006228843A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Renesas Technology Corp | 半導体デバイスのプロセス制御方法および製造方法 |
JP2007133985A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Hitachi Ltd | 磁気記録・光記録ディスク検査装置 |
JP2010097671A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンドメディアの検査方法及び検査装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012098123A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2013211079A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Konica Minolta Inc | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8638430B2 (en) | 2014-01-28 |
JP5337578B2 (ja) | 2013-11-06 |
US20110001962A1 (en) | 2011-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5337578B2 (ja) | 微細凹凸パターンの欠陥判定方法、および、パターンドメディアの欠陥判定方法 | |
KR102244485B1 (ko) | 리소그래피 제조 프로세스에 관련된 진단 정보를 획득하기 위한 방법 및 장치, 진단 장치를 포함하는 리소그래피 처리 시스템 | |
JP5175605B2 (ja) | パターン形状検査方法 | |
JP4940122B2 (ja) | ハードディスクメディア上のパターンの検査方法及び検査装置 | |
JP2010091295A (ja) | 基板表面形状検出方法及びその装置 | |
US20110272096A1 (en) | Pattern shape inspection instrument and pattern shape inspection method, instrument for inspecting stamper for patterned media and method of inspecting stamper for patterned media, and patterned media disk manufacturing line | |
US8260029B2 (en) | Pattern shape inspection method and apparatus thereof | |
JP2007133985A (ja) | 磁気記録・光記録ディスク検査装置 | |
JP2000275182A (ja) | 円盤状記録媒体の検査装置及び検査方法 | |
JP2018120211A (ja) | フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法 | |
JP2012073073A (ja) | パターン形状欠陥検査方法及びその装置 | |
JP5576135B2 (ja) | パターン検査方法及びその装置 | |
JP5255986B2 (ja) | パターンドメディアの検査方法及び検査装置 | |
JP5426901B2 (ja) | Duv−uv帯域の分光光学系およびそれを用いた分光測定装置 | |
JP5548151B2 (ja) | パターン形状検査方法及びその装置 | |
WO2011122096A1 (ja) | パターンドメディアの欠陥検査装置及びそれを用いたパターンドメディア用スタンパの検査方法 | |
JP2013178231A (ja) | 検査装置、検査方法、リソグラフィ装置及びインプリント装置 | |
US6631547B2 (en) | Manufacturing method for thin film magnetic heads | |
WO2011111440A1 (ja) | 検査方法およびその装置 | |
US11940391B2 (en) | Defect inspection apparatus, method for inspecting defect, and method for manufacturing photomask blank | |
JP5308406B2 (ja) | パターンドメディアの検査装置及びパターンドメディア用スタンパの検査方法 | |
JP2011237255A (ja) | パターン形状検査装置及び検査方法並びにパターンドメディアディスク製造ライン | |
JP2011065726A (ja) | パターンドメディアの検査方法及びその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |