JPH02130937A - 半導体装置用封止金型 - Google Patents
半導体装置用封止金型Info
- Publication number
- JPH02130937A JPH02130937A JP28516388A JP28516388A JPH02130937A JP H02130937 A JPH02130937 A JP H02130937A JP 28516388 A JP28516388 A JP 28516388A JP 28516388 A JP28516388 A JP 28516388A JP H02130937 A JPH02130937 A JP H02130937A
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- JP
- Japan
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- mold
- resin
- air
- sealing
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 title 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/40—Removing or ejecting moulded articles
- B29C45/43—Removing or ejecting moulded articles using fluid under pressure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用封止金型に関する。
従来、この種の半導体装置用封止金型は第5図に示すよ
うに、硬化したモールド樹脂を金型から離型する際に、
メインランナ一部53.サブランナ一部54.キャビテ
ィ部56に位置するエジェクターピン52が金型5a、
5bから突出することにより、成形品と金型5a、5
bとを離型させていた。55はゲート、57は位置決め
ピン、59は位置決めピン57を受は入れる位置決め孔
である。
うに、硬化したモールド樹脂を金型から離型する際に、
メインランナ一部53.サブランナ一部54.キャビテ
ィ部56に位置するエジェクターピン52が金型5a、
5bから突出することにより、成形品と金型5a、5
bとを離型させていた。55はゲート、57は位置決め
ピン、59は位置決めピン57を受は入れる位置決め孔
である。
近年、半導体分野の発展はめざましく、例えば。
メモリ製品は256に、 IN、 4Mbitへと記憶
容量が次々に増加している。これに伴い、半導体チップ
の大きさも、メモリ製品に限らず、大型化する傾向が強
まっている。
容量が次々に増加している。これに伴い、半導体チップ
の大きさも、メモリ製品に限らず、大型化する傾向が強
まっている。
一部、封止樹脂は上述の傾向に対応するため、低溶カー
低熱膨張化、低弾性率化を図り、半導体チップにかかる
ストレスを低減している。そのために、特に低熱膨張化
のため、封止樹脂成形時の樹脂の硬化収縮が少なくなり
、上述した従来の半導体装置用封止金型では、金型から
の樹脂の離型が悪くなるという欠点がある。
低熱膨張化、低弾性率化を図り、半導体チップにかかる
ストレスを低減している。そのために、特に低熱膨張化
のため、封止樹脂成形時の樹脂の硬化収縮が少なくなり
、上述した従来の半導体装置用封止金型では、金型から
の樹脂の離型が悪くなるという欠点がある。
また、低弾性率化を進めた樹脂は高温(170−190
℃)の金型内で成形した直後において、従来の低弾性率
化していない樹脂よりも硬度が低下する傾向にあり、こ
れも離型を悪くさせる原因となっている。
℃)の金型内で成形した直後において、従来の低弾性率
化していない樹脂よりも硬度が低下する傾向にあり、こ
れも離型を悪くさせる原因となっている。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置用封止金
型を提供することにある。
型を提供することにある。
(発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の半導体装置用封止金型に対し。
本発明は金型から樹脂に向けて圧縮気体を噴射させて離
型を行うという相違点を有する。
型を行うという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置用封
止金型においては、半導体装置の封止用モールド樹脂に
圧縮気体を噴射して該樹脂を離型させる機構を有するも
のである。
止金型においては、半導体装置の封止用モールド樹脂に
圧縮気体を噴射して該樹脂を離型させる機構を有するも
のである。
次に1本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1)
第1図は本発明の実施例1を示す斜視図であり、第2図
は第1図のエジェクタービンを示す拡大斜視図である。
は第1図のエジェクタービンを示す拡大斜視図である。
金型は上型1aと下型1bとからなる。下型1bはメイ
ンランナ一部13.サブランナ一部14.キャビティ部
16を有する。一方、上型1aはメインランナー部13
.キャビティ部16を有しており、また上型1a及び下
型1bの型合せ面には位置決めビン17と位置決め孔1
9とが設けである。
ンランナ一部13.サブランナ一部14.キャビティ部
16を有する。一方、上型1aはメインランナー部13
.キャビティ部16を有しており、また上型1a及び下
型1bの型合せ面には位置決めビン17と位置決め孔1
9とが設けである。
本発明は下型1bのキャビティ部16及びメインランナ
一部13に設けたエジェクタービン12に空気貫通孔2
6を形成し、該空気貫通孔26に連なる空気噴出口18
をエジェクタービン12の側面に開口したものである。
一部13に設けたエジェクタービン12に空気貫通孔2
6を形成し、該空気貫通孔26に連なる空気噴出口18
をエジェクタービン12の側面に開口したものである。
ゲル状に溶融した樹脂がメインランナ一部13を通り、
サブランナ一部14.ゲート■5を通過して半導体装置
を有するキャビティ部16へ流れる。そのときはまだエ
ジェクタービン12は下型tbの表面から突出しておら
ず、下型lb内にある。樹脂が硬化した後、下型1bと
上型1aが離れ、エジェクタービン12が突出する。さ
らにエジェクタービン12の側面に存する空気噴出口1
8から空気が噴出する。第2図に示すように、空気は下
型1bを通り。
サブランナ一部14.ゲート■5を通過して半導体装置
を有するキャビティ部16へ流れる。そのときはまだエ
ジェクタービン12は下型tbの表面から突出しておら
ず、下型lb内にある。樹脂が硬化した後、下型1bと
上型1aが離れ、エジェクタービン12が突出する。さ
らにエジェクタービン12の側面に存する空気噴出口1
8から空気が噴出する。第2図に示すように、空気は下
型1bを通り。
エジェクタービン12内の空気貫通孔26を通ってエジ
ェクタービン側面にある空気噴出口18から噴射される
。空気噴出口18がエジェクタービン12の側面に設け
た理由は樹脂により空気噴出口18が埋まらないためで
ある。また、空気噴出口18は少なくとも1個あればよ
い、なお1本実施例では下型のみに空気噴出口を設けた
ものを説明したが、空気噴出口は下型だけに限らず、上
型のエジェクタービンの側面にあっても当然構わない。
ェクタービン側面にある空気噴出口18から噴射される
。空気噴出口18がエジェクタービン12の側面に設け
た理由は樹脂により空気噴出口18が埋まらないためで
ある。また、空気噴出口18は少なくとも1個あればよ
い、なお1本実施例では下型のみに空気噴出口を設けた
ものを説明したが、空気噴出口は下型だけに限らず、上
型のエジェクタービンの側面にあっても当然構わない。
(実施例2)
第3図は本発明の実施例2の下型を示す斜視図であり、
第4図は空気噴出機構を拡大した縦断面図である。
第4図は空気噴出機構を拡大した縦断面図である。
空気噴出口38はメインランナ一部33.サブランナ一
部34.キャビティ部36に存するが、エジェクタービ
ン32の側面にはなく、下型31の表面にある。
部34.キャビティ部36に存するが、エジェクタービ
ン32の側面にはなく、下型31の表面にある。
第4図に示したように、硬・化した樹脂を金型から離型
する際に、それまで空気噴出口38を塞いでいた空気噴
出口とめ捧4dが空気貫通孔4bを降下して、空気噴出
038から空気が噴射する。また、4Cはゴムパツキン
、 4eはグリース、37は位置決めビンである。なお
、実施例2も空気噴出口は下型に限らず、上型にも設置
しても構わない、この実施例では空気噴出口38の設置
位置がエジェクタービンの部分に限定していないため、
メインランナ一部。
する際に、それまで空気噴出口38を塞いでいた空気噴
出口とめ捧4dが空気貫通孔4bを降下して、空気噴出
038から空気が噴射する。また、4Cはゴムパツキン
、 4eはグリース、37は位置決めビンである。なお
、実施例2も空気噴出口は下型に限らず、上型にも設置
しても構わない、この実施例では空気噴出口38の設置
位置がエジェクタービンの部分に限定していないため、
メインランナ一部。
サブランナ一部、キャビティ部上のエジェクタービンの
ない箇所にも空気噴出口が設置でき、さらにエジェクタ
ービンのない金型にも設置できる利点がある。
ない箇所にも空気噴出口が設置でき、さらにエジェクタ
ービンのない金型にも設置できる利点がある。
以上説明したように本発明は半導体装置をモールド樹脂
で封止した後の硬化した樹脂に向けて金型から空気が噴
出することにより、気体圧の作用により金型からの樹脂
の離型が良くなる効果が得られ、さらには空気の噴射に
より樹脂の温度が下がって樹脂の強度や弾性率が高くな
り、樹脂の強度が増すことができる効果を有する。
で封止した後の硬化した樹脂に向けて金型から空気が噴
出することにより、気体圧の作用により金型からの樹脂
の離型が良くなる効果が得られ、さらには空気の噴射に
より樹脂の温度が下がって樹脂の強度や弾性率が高くな
り、樹脂の強度が増すことができる効果を有する。
第1図は本発明の実施例1を示す斜視図、第2図は実施
例1の空気噴出口を示す斜視図、第3図は本発明の実施
例2を示す斜視図、第4図は実施例2の空気噴出口を示
す縦断面図、第5図は従来の半導体装置用封止金型を示
す斜視図である。 1a・・・上型 2b、4b・・・空気貫
通孔4c・・・耐熱ゴムパツキン 4d・・・空気噴出
口とめ捧4e・・・グリース 12.32・・
・エジェクタービン13.33・・・メインランナ一部
例1の空気噴出口を示す斜視図、第3図は本発明の実施
例2を示す斜視図、第4図は実施例2の空気噴出口を示
す縦断面図、第5図は従来の半導体装置用封止金型を示
す斜視図である。 1a・・・上型 2b、4b・・・空気貫
通孔4c・・・耐熱ゴムパツキン 4d・・・空気噴出
口とめ捧4e・・・グリース 12.32・・
・エジェクタービン13.33・・・メインランナ一部
Claims (1)
- (1)半導体装置の封止用モールド樹脂に圧縮気体を噴
射して該樹脂を離型させる機構を有することを特徴とす
る半導体装置用封止金型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28516388A JPH02130937A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体装置用封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28516388A JPH02130937A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体装置用封止金型 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02130937A true JPH02130937A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17687906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28516388A Pending JPH02130937A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体装置用封止金型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02130937A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140007287A (ko) * | 2012-07-09 | 2014-01-17 | 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 | 수지 몰드 장치 및 수지 몰드 방법 |
JP2014015019A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP28516388A patent/JPH02130937A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140007287A (ko) * | 2012-07-09 | 2014-01-17 | 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 | 수지 몰드 장치 및 수지 몰드 방법 |
JP2014015019A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 |
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