JPH02129539A - 光誘起起電力測定用プローブ - Google Patents
光誘起起電力測定用プローブInfo
- Publication number
- JPH02129539A JPH02129539A JP28305788A JP28305788A JPH02129539A JP H02129539 A JPH02129539 A JP H02129539A JP 28305788 A JP28305788 A JP 28305788A JP 28305788 A JP28305788 A JP 28305788A JP H02129539 A JPH02129539 A JP H02129539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- optical fiber
- electromotive force
- induced electromotive
- probe
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 28
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハーの欠陥分布測定等に使用す
る光誘起起電力測定用プローブに関する。
る光誘起起電力測定用プローブに関する。
この発明は、安価な光誘起起電力分布測定を得ることを
目的として、パルス光源と、端面に透明導電膜をコーテ
ィングした光ファイバーとから構成し、パルス光源から
発生した光を光ファイバーを通して試料に入射させ、試
料で発生した光誘起起電力を、光ファイバー端面の透明
導電膜を電極として検出することにより、安価な光誘起
起電力測定用プローブを得たものである。
目的として、パルス光源と、端面に透明導電膜をコーテ
ィングした光ファイバーとから構成し、パルス光源から
発生した光を光ファイバーを通して試料に入射させ、試
料で発生した光誘起起電力を、光ファイバー端面の透明
導電膜を電極として検出することにより、安価な光誘起
起電力測定用プローブを得たものである。
従来、この種の発明としては、光走査型顕微鏡のステー
ジ上に置かれた試料に近接して、透明電極板を配置した
ものがある。
ジ上に置かれた試料に近接して、透明電極板を配置した
ものがある。
上記従来技術においては、レンズ系を用いて光スポット
を作るため、高価となってしまうという課題があった。
を作るため、高価となってしまうという課題があった。
この発明は上記の課題を解決するためになされたもので
、光ファイバー端面を試料に近接させて光スポットを作
り、光ファイバー端面にコーティングした透明導電膜を
電極とすることにより、安価な光誘起起電力測定用プロ
ーブを得ることができたものである。
、光ファイバー端面を試料に近接させて光スポットを作
り、光ファイバー端面にコーティングした透明導電膜を
電極とすることにより、安価な光誘起起電力測定用プロ
ーブを得ることができたものである。
上記構成の作用はまず、パルス光源がら発生した光が、
光ファイバーを通って試料にあたるとき、光ファイバー
の開口数と、光ファイバーと試料の間の距離に応じて、
光のスボ−/ トが試料上につくられる。
光ファイバーを通って試料にあたるとき、光ファイバー
の開口数と、光ファイバーと試料の間の距離に応じて、
光のスボ−/ トが試料上につくられる。
パルス光によって試料に誘起された交流起電力は、試料
と光ファイバー端面の透明導電膜の間のキャパシタンス
を通じて測定される。
と光ファイバー端面の透明導電膜の間のキャパシタンス
を通じて測定される。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す光誘起起電力測定用
プローブの側面図である。温度制御された試料台lの上
に試料2が置かれており、光ファイバー3とパルス光f
14はX−Yステージ5によって移動する。
プローブの側面図である。温度制御された試料台lの上
に試料2が置かれており、光ファイバー3とパルス光f
14はX−Yステージ5によって移動する。
光ファイバー3と試料2の間の距離は試料台1の高さと
傾きを変えて調整する。
傾きを変えて調整する。
光ファイバー3の試料側端面と側面には、透明導電膜と
してITO膜をスパッタリング法で製膜した。光ファイ
バー3の材質は多成分ガラス、コア径は10μm、開口
数は0.5である。
してITO膜をスパッタリング法で製膜した。光ファイ
バー3の材質は多成分ガラス、コア径は10μm、開口
数は0.5である。
光ファイバー3の端面からの電気信号は、光ファイバー
3の側面の透明導電膜に接続された信号線6から取り出
される。
3の側面の透明導電膜に接続された信号線6から取り出
される。
パルス光a4は820nmの発振波長を持つ半導体レー
ザーを100KHzで駆動したものを用いた。
ザーを100KHzで駆動したものを用いた。
本実施例では、光スポツト径を20μm程度にすること
ができた。
ができた。
本実施例では、光ファイバー3と試料2の相対的な位置
をX−Yステージ5と試料台1の両方を使って決めたが
、光ファイバー3の位置をX−YZステージで決めても
よいし、また試料台のみを位置決めしてもよい。
をX−Yステージ5と試料台1の両方を使って決めたが
、光ファイバー3の位置をX−YZステージで決めても
よいし、また試料台のみを位置決めしてもよい。
この発明は以上説明したように、パルス光源と端面に透
明導電膜をコーティングした光ファイバーとから光誘起
起電力測定用プローブを構成したので、安価に光誘起起
電力測定をすることができた。
明導電膜をコーティングした光ファイバーとから光誘起
起電力測定用プローブを構成したので、安価に光誘起起
電力測定をすることができた。
第1図は本発明の一実施例を示す光誘起起電力測定用プ
ローブの側面図である。 試料台 試料 光ファイバー パルス光源 X−Yステージ 信号線 以上 ツーローブf)禮すam 第 1ffl 出願人 セイコー電子工業株式会社
ローブの側面図である。 試料台 試料 光ファイバー パルス光源 X−Yステージ 信号線 以上 ツーローブf)禮すam 第 1ffl 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- パルス光源と、端面に透明導電膜をコーティングした光
ファイバーとから構成され、パルス光源から発生した光
を光ファイバーを通して試料に入射させ、試料で発生し
た光誘起起電力を、光ファイバー端面の透明導電膜を電
極として検出することを特徴とする光誘起起電力測定用
プローブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28305788A JPH02129539A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 光誘起起電力測定用プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28305788A JPH02129539A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 光誘起起電力測定用プローブ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02129539A true JPH02129539A (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=17660646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28305788A Pending JPH02129539A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 光誘起起電力測定用プローブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02129539A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108680540A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-10-19 | 广州市犀谱光电科技有限公司 | 一种钙钛矿量子功率密度检测设备及其检测方法 |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP28305788A patent/JPH02129539A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108680540A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-10-19 | 广州市犀谱光电科技有限公司 | 一种钙钛矿量子功率密度检测设备及其检测方法 |
CN108680540B (zh) * | 2018-02-02 | 2023-11-24 | 广州市犀谱光电科技有限公司 | 一种钙钛矿量子功率密度检测设备及其检测方法 |
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