JPH02126445A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH02126445A JPH02126445A JP8527189A JP8527189A JPH02126445A JP H02126445 A JPH02126445 A JP H02126445A JP 8527189 A JP8527189 A JP 8527189A JP 8527189 A JP8527189 A JP 8527189A JP H02126445 A JPH02126445 A JP H02126445A
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- optical recording
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ光を用い光熱磁気的に情報を記録し、
記録された磁気的情報を磁気光学効果を利用して読み出
す光磁気記録媒体に関する。
記録された磁気的情報を磁気光学効果を利用して読み出
す光磁気記録媒体に関する。
近年、書き換え可能な光磁気メモリの実用化がを望視さ
れている。この光磁気メモリに使用する光磁気記録媒体
は、例えばＴｂＦｅＣ０のような希土類を含む遷移金属
非晶質材料からなり、ディスク面に対して垂直方向に磁
化容易軸を有する垂直磁化薄膜を、ガラス、樹脂等の基
板上に形成したもので、情報の記録は上記磁性薄膜への
レーザ光による熱磁気書き込みにより行い、記録情報の
再生は磁気光学極力−（にｅｒｒ）効果による上記磁性
薄膜からの反射光の偏光面回転（カー回転）を検出する
ことで行う。
れている。この光磁気メモリに使用する光磁気記録媒体
は、例えばＴｂＦｅＣ０のような希土類を含む遷移金属
非晶質材料からなり、ディスク面に対して垂直方向に磁
化容易軸を有する垂直磁化薄膜を、ガラス、樹脂等の基
板上に形成したもので、情報の記録は上記磁性薄膜への
レーザ光による熱磁気書き込みにより行い、記録情報の
再生は磁気光学極力−（にｅｒｒ）効果による上記磁性
薄膜からの反射光の偏光面回転（カー回転）を検出する
ことで行う。
ところが、垂直磁化薄膜として現在用いられている磁性
薄膜のカー回転角θには０．３°〜０．４°であり、再
生光の記録ピットによる変調度は１％程度と小さく、再
生時の読み出しＣＮ比が十分でないことが問題となる。
薄膜のカー回転角θには０．３°〜０．４°であり、再
生光の記録ピットによる変調度は１％程度と小さく、再
生時の読み出しＣＮ比が十分でないことが問題となる。
再生ＣＮ比は、４０ｄＢ以上あれば媒体の誤り率が一定
になると報告されており、信頼性を高めるためには４５
ｄＢ以上であることが望ましいとされている。そこで、
磁性薄膜と基板の間にＳｉｎ、 ＡＩＮ等の誘電体膜を
配置して記録媒体の反射率を低くした時に、見かけ上カ
ー回転角が増大することを利用してＣＮ比を向上させる
方法が提案されている。
になると報告されており、信頼性を高めるためには４５
ｄＢ以上であることが望ましいとされている。そこで、
磁性薄膜と基板の間にＳｉｎ、 ＡＩＮ等の誘電体膜を
配置して記録媒体の反射率を低くした時に、見かけ上カ
ー回転角が増大することを利用してＣＮ比を向上させる
方法が提案されている。
しかし、光磁気記録媒体への情報の記録ふよび消去は半
導体レーザを用いて行うが、情報の転送速度を増加させ
るためにディスク回転数を上昇させると、記録媒体上へ
の一点に照射されるレーザビームの照射時間が短くなり
、半導体レーザでは記録媒体温度が記録および消去の動
作点、すなわちキュリー温度まで上がらなくなる可能性
がある。
導体レーザを用いて行うが、情報の転送速度を増加させ
るためにディスク回転数を上昇させると、記録媒体上へ
の一点に照射されるレーザビームの照射時間が短くなり
、半導体レーザでは記録媒体温度が記録および消去の動
作点、すなわちキュリー温度まで上がらなくなる可能性
がある。
本発明の目的は、上記の問題を解決し、磁性薄膜と基板
の間に誘電体膜を配置して向上させた再生ＣＮ比を低下
させることなく、半導体レーザを用いて高いディスク回
転数における記録媒体への記録および消去が可能な光磁
気記録媒体を提供することにある。
の間に誘電体膜を配置して向上させた再生ＣＮ比を低下
させることなく、半導体レーザを用いて高いディスク回
転数における記録媒体への記録および消去が可能な光磁
気記録媒体を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明は、基板上に誘電体
層を介して基板面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
薄膜を備えた光磁気記録媒体において、誘電体層がＴｉ
、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｐｔ、 Ｓｍの
うちのいずれか１つを含む＝Ｓｉ、Ｎ、膜であるものと
する。
層を介して基板面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性
薄膜を備えた光磁気記録媒体において、誘電体層がＴｉ
、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｐｔ、 Ｓｍの
うちのいずれか１つを含む＝Ｓｉ、Ｎ、膜であるものと
する。
Ｓｉ、Ｎ４にＴｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、
Ｐｔ、釦を適景加えることにより、再生ＣＮ比を４５
ｄＢ以上に確保し、−力信号記録および消去のために必
要なレーザパワーを低下させることができる。
Ｐｔ、釦を適景加えることにより、再生ＣＮ比を４５
ｄＢ以上に確保し、−力信号記録および消去のために必
要なレーザパワーを低下させることができる。
第１図は、本発明の実施例の光磁気記録媒体の構成を示
す断面図である。すなわち、ガラス、樹脂などからなる
透明基板ｌ上に本発明に基づく各種誘電体層２を積層し
、その上にＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏなどの非晶質磁性
薄膜３を形成し、さらに透電体膜からなる保護層４を積
層したものである。
す断面図である。すなわち、ガラス、樹脂などからなる
透明基板ｌ上に本発明に基づく各種誘電体層２を積層し
、その上にＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏなどの非晶質磁性
薄膜３を形成し、さらに透電体膜からなる保護層４を積
層したものである。
以下に述べる実施例では基板１として十分に脱ガスを行
った５、２５インチのポリカーボネート板を用い、磁性
薄膜３としてはスパッタリング法で形成したＴＩ）＊、
Ｆｅ５ｓＣＯｓまたはＴｂ２４ＦｅｔｏＣＯｓ膜を用い
、保護層４としては誘電体層２と同じ材料を同じ方法で
１１００ｎの厚さに成膜した。
った５、２５インチのポリカーボネート板を用い、磁性
薄膜３としてはスパッタリング法で形成したＴＩ）＊、
Ｆｅ５ｓＣＯｓまたはＴｂ２４ＦｅｔｏＣＯｓ膜を用い
、保護層４としては誘電体層２と同じ材料を同じ方法で
１１００ｎの厚さに成膜した。
実施例１：
誘電体層２としてＴｉを添加したＳｉ３Ｎ、を用いた実
施例である。誘電体層２の形成は、例えば１ｍｍｘ ｌ
ｍｍ ｘ４Ｑｍｍの寸法のＴｉ片を埋め込んだＳｉ、
Ｎ、焼結ターゲットを用い、 アルゴンガス圧０．６Ｐ
ａ、 スパッタパワー３００Ｗの条件下でのＲＦマグ
ネトロンスパッタリング法によりＴｉ２．５原子％を含
む５１３Ｎ４誘電体層２を９０ｎｍの厚さに形成した後
、真空を破らずにＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、
アルゴンガス圧５． ＱＰａ、 スパッタパワー３０
０ Ｗの条件下でのＤＣマグネトロンスパッタリング法
によりＴｂ２４ＦｅｔｏＣＯｓ薄膜を磁性薄膜３として
７０ｎｍの厚さに積層した。さらにその上に保護層４と
して同様の条件のＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より上記誘電体層２と同じ膜を１００ｎｆｆｌの厚さに
形成した。同様にしてＳｉ、Ｎ、焼結ターゲットに埋め
込むＴ１片を変えるのみでＴｉの含有量の異なる透電体
層２を有する光磁気記録媒体を作成した。Ｔｉ２．５原
子蕗を含むＳｉ、Ｎ、誘電体層を有する光磁気記録媒体
においては、信号記録時の最適記録レーザパワーＰｗ。
施例である。誘電体層２の形成は、例えば１ｍｍｘ ｌ
ｍｍ ｘ４Ｑｍｍの寸法のＴｉ片を埋め込んだＳｉ、
Ｎ、焼結ターゲットを用い、 アルゴンガス圧０．６Ｐ
ａ、 スパッタパワー３００Ｗの条件下でのＲＦマグ
ネトロンスパッタリング法によりＴｉ２．５原子％を含
む５１３Ｎ４誘電体層２を９０ｎｍの厚さに形成した後
、真空を破らずにＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、
アルゴンガス圧５． ＱＰａ、 スパッタパワー３０
０ Ｗの条件下でのＤＣマグネトロンスパッタリング法
によりＴｂ２４ＦｅｔｏＣＯｓ薄膜を磁性薄膜３として
７０ｎｍの厚さに積層した。さらにその上に保護層４と
して同様の条件のＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より上記誘電体層２と同じ膜を１００ｎｆｆｌの厚さに
形成した。同様にしてＳｉ、Ｎ、焼結ターゲットに埋め
込むＴ１片を変えるのみでＴｉの含有量の異なる透電体
層２を有する光磁気記録媒体を作成した。Ｔｉ２．５原
子蕗を含むＳｉ、Ｎ、誘電体層を有する光磁気記録媒体
においては、信号記録時の最適記録レーザパワーＰｗ。
ｐｔ＋信号消去時の消去レーザパワーＰＥ。
および信号再生時のＣＮ比を測定したところ、ＰｗＯＰ
Ｌは６．５ｍＷ、ＰＲは６．０ｍ Ｗと十分低い値とな
り、また再生ＣＮ比もディジタル記録に必要な４５ｄＢ
を大きく上回る５１．２ｄＢが得られた。しかし、Ｔ１
１１．４原子％を含むＳｉ、Ｎ、誘電体層を有するもの
ではＰｗｏｐ＆は５．５ｍＷ、ＰＥは５．０ｍＷと２．
５原子％と余り変わらないが、再生ＣＮ比は４２．６ｄ
Ｂとなり４５ｄＢを下回る。第２図にＴｉ含有量と再生
ＣＮ比。
Ｌは６．５ｍＷ、ＰＲは６．０ｍ Ｗと十分低い値とな
り、また再生ＣＮ比もディジタル記録に必要な４５ｄＢ
を大きく上回る５１．２ｄＢが得られた。しかし、Ｔ１
１１．４原子％を含むＳｉ、Ｎ、誘電体層を有するもの
ではＰｗｏｐ＆は５．５ｍＷ、ＰＥは５．０ｍＷと２．
５原子％と余り変わらないが、再生ＣＮ比は４２．６ｄ
Ｂとなり４５ｄＢを下回る。第２図にＴｉ含有量と再生
ＣＮ比。
ＰＩＩＯｐＬ、ＰＲとの関係をそれぞれ線２１．２２．
２３で示す。ＳＩ３Ｎ４誘電体層２に含有されるＴ１の
量が０．２原子％を超えるあたりから Ｐｗ。ｐｃ＋Ｐ
ｅが低下しはじめ、１０．０原子％を超えると再生ＣＮ
比が４５ｄＢ以下に劣化する。特に、Ｔｉ含有量が１．
０〜６．０原子％の範囲では、再生ＣＮ比が５０〜５１
ｄＢ、 Ｐ、０．、。
２３で示す。ＳＩ３Ｎ４誘電体層２に含有されるＴ１の
量が０．２原子％を超えるあたりから Ｐｗ。ｐｃ＋Ｐ
ｅが低下しはじめ、１０．０原子％を超えると再生ＣＮ
比が４５ｄＢ以下に劣化する。特に、Ｔｉ含有量が１．
０〜６．０原子％の範囲では、再生ＣＮ比が５０〜５１
ｄＢ、 Ｐ、０．、。
Ｐ□は６．０〜６．５ｍ Ｗとほぼ均一な特性が実現で
きる。
きる。
実施例２：
誘電体層２としてＣｒを添加したＳｉ、Ｎ、を用いた実
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ
片の代わりに１ｍｍ Ｘ ｌ ｍｍ Ｘ４Ｑｍｍの寸法
のＣｒ片を埋め込んだ５ｉｌＮ４焼結ターゲツトを用い
た場合はＳｉ：＋Ｌ薄膜にＣｒを２．２原子％含有させ
た９ｆｌｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例
１と全く同じ構成でＣｒ含有量の異なる誘電体層２を有
する光磁気記録媒体を作成した。Ｃｒ２．２原子％を含
む５ｉ−Ｎ＝誘電体層の場合、ｐｖａｐＬ１ｐＨはとも
に６．５ｍＷと十分低い値となり、また再生ＣＮ比もデ
ィジタル記録に必要な４５ｄＢを大きく上回る５１ｄＢ
が得られた。しかし、Ｃｒ１２．Ｏ原子％を含む５１３
Ｎ４誘電体層を有するものではＰｗＯＰ’は［３，Ｑｍ
Ｗ、Ｐｉは５．５ｍＷと余り変わらないが、再生ＣＮ比
は４３ｄＢとなり４５ｄＢを下回る。第３図にＣｒ含有
量と再生ＣＮ比。
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ
片の代わりに１ｍｍ Ｘ ｌ ｍｍ Ｘ４Ｑｍｍの寸法
のＣｒ片を埋め込んだ５ｉｌＮ４焼結ターゲツトを用い
た場合はＳｉ：＋Ｌ薄膜にＣｒを２．２原子％含有させ
た９ｆｌｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例
１と全く同じ構成でＣｒ含有量の異なる誘電体層２を有
する光磁気記録媒体を作成した。Ｃｒ２．２原子％を含
む５ｉ−Ｎ＝誘電体層の場合、ｐｖａｐＬ１ｐＨはとも
に６．５ｍＷと十分低い値となり、また再生ＣＮ比もデ
ィジタル記録に必要な４５ｄＢを大きく上回る５１ｄＢ
が得られた。しかし、Ｃｒ１２．Ｏ原子％を含む５１３
Ｎ４誘電体層を有するものではＰｗＯＰ’は［３，Ｑｍ
Ｗ、Ｐｉは５．５ｍＷと余り変わらないが、再生ＣＮ比
は４３ｄＢとなり４５ｄＢを下回る。第３図にＣｒ含有
量と再生ＣＮ比。
Ｐ １１ ａ ｐ Ｌ ＋ Ｐ ）：との関係をそれ
ぞれ線３１．３２．３３で示す。５ｌ−Ｎ４誘電体層２
に含有されるＣｒの量が０．２原子％を超えるあたりか
ら ｐＨＯｐＬ＋７が低下しはじめ、１０．０原子％を
超えると再生ＣＮ比が４５ｄＢ以下に劣化する。特にＣ
ｒ含有量が１．０〜６．０原子％の範囲では、再生ＣＮ
比が５０〜５１ｄＢＳＰ、、、ｔ。
ぞれ線３１．３２．３３で示す。５ｌ−Ｎ４誘電体層２
に含有されるＣｒの量が０．２原子％を超えるあたりか
ら ｐＨＯｐＬ＋７が低下しはじめ、１０．０原子％を
超えると再生ＣＮ比が４５ｄＢ以下に劣化する。特にＣ
ｒ含有量が１．０〜６．０原子％の範囲では、再生ＣＮ
比が５０〜５１ｄＢＳＰ、、、ｔ。
Ｐ、は０．０〜６．５ｍＷとほぼ均一な特性が実現でき
る。
る。
実施例３：
誘電体層２としてＣｕを添加したＳｉ、Ｎ、を用いた実
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔ１
片の代わりに１ｍｍｘ １ｍｍｍｍＸ４Ｑ＋の寸法のＣ
ｕ片を埋め込んだＳｉ、Ｎ、焼結ターゲットを用いた場
合はＳｉＪ＊薄膜にＣｕを２．０原子％含有させた９Ｑ
ｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例１と全く
同じ構成でＣｕ含有量の異なる誘電体層２を有する光磁
気記録媒体を作成した。Ｃｕ２．０原子％を含むＳ Ｉ
３ Ｎ ４ ！Ｉ’ｓ ｉｌ１体層体層台場Ｐ−０−
ｔ、 Ｐｉｌｔトもニ６．０ｍＷと十分低い値となり
、また再生ＣＮ比もディジタル記録に必要な４５ｄＢを
大きく上回る５１ｄＢが得られた。しかし、Ｃｕ１２．
０原子％を含むＳｉ３Ｎ４誘電体層を有するものではＰ
ｗ。ｐ ｔ ＋ Ｐ ｙ、はともに５．５ｍＷと余り
変わらないが、再生ＣＮ比は４２ｄＢとなり４５ｄＢを
下回る。第４図にＣｕ含有量と再生ＣＮ比。
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔ１
片の代わりに１ｍｍｘ １ｍｍｍｍＸ４Ｑ＋の寸法のＣ
ｕ片を埋め込んだＳｉ、Ｎ、焼結ターゲットを用いた場
合はＳｉＪ＊薄膜にＣｕを２．０原子％含有させた９Ｑ
ｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例１と全く
同じ構成でＣｕ含有量の異なる誘電体層２を有する光磁
気記録媒体を作成した。Ｃｕ２．０原子％を含むＳ Ｉ
３ Ｎ ４ ！Ｉ’ｓ ｉｌ１体層体層台場Ｐ−０−
ｔ、 Ｐｉｌｔトもニ６．０ｍＷと十分低い値となり
、また再生ＣＮ比もディジタル記録に必要な４５ｄＢを
大きく上回る５１ｄＢが得られた。しかし、Ｃｕ１２．
０原子％を含むＳｉ３Ｎ４誘電体層を有するものではＰ
ｗ。ｐ ｔ ＋ Ｐ ｙ、はともに５．５ｍＷと余り
変わらないが、再生ＣＮ比は４２ｄＢとなり４５ｄＢを
下回る。第４図にＣｕ含有量と再生ＣＮ比。
Ｐｗ。、い Ｐ６との関係をそれぞれ線４１．４２．４
３で示す。５ｉ３Ｎ４誘電体層２に含有されるＣｕの量
が０．２原子％を超えるあたりからＰ、。Ｐｔ＋７が低
下しはじめ、１０．０原子％を超えると再生ＣＮ比が４
５ｄＢ以下に劣化する。特にＣｕ含有量が１．０〜６．
０原子％の範囲では、再生ＣＮ比が５０〜５１ｄＢ、Ｐ
ｗ。、いＰ、は６．θ〜５．５ｍ Ｗとほぼ均一な特性
が実現できる。
３で示す。５ｉ３Ｎ４誘電体層２に含有されるＣｕの量
が０．２原子％を超えるあたりからＰ、。Ｐｔ＋７が低
下しはじめ、１０．０原子％を超えると再生ＣＮ比が４
５ｄＢ以下に劣化する。特にＣｕ含有量が１．０〜６．
０原子％の範囲では、再生ＣＮ比が５０〜５１ｄＢ、Ｐ
ｗ。、いＰ、は６．θ〜５．５ｍ Ｗとほぼ均一な特性
が実現できる。
実施例４：
誘電体層２としてＩｎを添加したＳｉ３Ｎ、を用いた実
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ
片の代わりに１ｍｍ ｘ １ｍｍ Ｘ４Ｑｍｍの寸法の
Ｉｎ片を埋め込んだＳｉ、Ｎ、焼結ターゲットを用いた
場合はＳ＋ｓＮ−薄膜にＩｎを３．４原子％含有させた
９Ｑｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例１と
全く同じ構成でＩｎ含有量の異なる誘電体層２ををする
光磁気記録媒体を作成した。Ｉｎ３，４原子％を含む５
ｉａＬ誘電体層の場合、ｐｗｏｐＬは６．５ｍＷ、
Ｐｅは６、 Ｑｍ Ｗと十分低い値となり、また再生Ｃ
Ｎ比もディジタル記録に必要な４５ｄＢを大きく上回る
５０．８ｄＢが得られた。しかし、Ｉｎ１１．９原子％
を含むＳｉ、Ｎ。
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ
片の代わりに１ｍｍ ｘ １ｍｍ Ｘ４Ｑｍｍの寸法の
Ｉｎ片を埋め込んだＳｉ、Ｎ、焼結ターゲットを用いた
場合はＳ＋ｓＮ−薄膜にＩｎを３．４原子％含有させた
９Ｑｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例１と
全く同じ構成でＩｎ含有量の異なる誘電体層２ををする
光磁気記録媒体を作成した。Ｉｎ３，４原子％を含む５
ｉａＬ誘電体層の場合、ｐｗｏｐＬは６．５ｍＷ、
Ｐｅは６、 Ｑｍ Ｗと十分低い値となり、また再生Ｃ
Ｎ比もディジタル記録に必要な４５ｄＢを大きく上回る
５０．８ｄＢが得られた。しかし、Ｉｎ１１．９原子％
を含むＳｉ、Ｎ。
誘電体層を有するものでは Ｐｗ。ｐｔ＋Ｐｉはともに
５、５ｍ Ｗと余り変わらないが、再生ＣＮ比は４２．
８ｄＢとなり４５ｄＢを下回る。第５図にＩｎ含有量と
再生ＣＮ比＋ ’ＰＩＩＯＰＬ＋ Ｐｉとの関係をそ
れぞれ線５１．５２゜５３で示す。Ｓｉ、Ｎ、誘電体層
２に含有されるＩｎの量が０．２原子％を超えるあたり
からＰｗｏｐＬ＋ＰＫが低下しはじめ、１０．０原子％
を超えると再生ＣＮ比が４５ｄＢ以下に劣化する。特に
Ｉｎ含有量が１．０〜６，０原子％の範囲では、再生Ｃ
Ｎ比が５０〜５１ｄＢＳＰｗ。ｐｔ。
５、５ｍ Ｗと余り変わらないが、再生ＣＮ比は４２．
８ｄＢとなり４５ｄＢを下回る。第５図にＩｎ含有量と
再生ＣＮ比＋ ’ＰＩＩＯＰＬ＋ Ｐｉとの関係をそ
れぞれ線５１．５２゜５３で示す。Ｓｉ、Ｎ、誘電体層
２に含有されるＩｎの量が０．２原子％を超えるあたり
からＰｗｏｐＬ＋ＰＫが低下しはじめ、１０．０原子％
を超えると再生ＣＮ比が４５ｄＢ以下に劣化する。特に
Ｉｎ含有量が１．０〜６，０原子％の範囲では、再生Ｃ
Ｎ比が５０〜５１ｄＢＳＰｗ。ｐｔ。
Ｐ、は６．０〜５．５ｍ Ｗとほぼ均一な特性が実現で
きる。
きる。
実施例５：
誘電体層２としてＳｎを添加したＳｉ、Ｎ、を用いた実
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ
片の代わりにｌ ｍｍ ｘ ｌ ｍｍ ｘ４Ｑ＋ｔ＋＋
ｎの寸法のＳｎ片を埋め込んだＳｉ、Ｎ、焼結ターゲッ
トを用いた場合はＳｉ、Ｎ、薄膜にＳｎを４．７原子％
含有させた９０ｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は
実施例１と全く同じ構成でＳｎ含有量の異なる誘電体層
２を有する光磁気記録媒体を作成した。Ｓｎ４．７原子
％を含む５ｉＪ−誘電体層の場合、Ｐｗｏｐｔ＋Ｐｔは
ともに６．０ｍＷと十分低い値となり１、また再生ＣＮ
比もディジタル記録に必要な４５ｄＢを大きく上回る５
０．５ｄＢが得られた。しかし、５ｎ１１．２原子％を
含むＳｉ、、Ｎ、誘電体層を有するものではＰ、。、い
Ｐεはともに５．５ｍＷと余り変わらないが、再生Ｃ
Ｎ比は４２ｄＢとなり４５ｄＢを下回る。第６図にＳｎ
含有量と再生ＣＮ比。
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ
片の代わりにｌ ｍｍ ｘ ｌ ｍｍ ｘ４Ｑ＋ｔ＋＋
ｎの寸法のＳｎ片を埋め込んだＳｉ、Ｎ、焼結ターゲッ
トを用いた場合はＳｉ、Ｎ、薄膜にＳｎを４．７原子％
含有させた９０ｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は
実施例１と全く同じ構成でＳｎ含有量の異なる誘電体層
２を有する光磁気記録媒体を作成した。Ｓｎ４．７原子
％を含む５ｉＪ−誘電体層の場合、Ｐｗｏｐｔ＋Ｐｔは
ともに６．０ｍＷと十分低い値となり１、また再生ＣＮ
比もディジタル記録に必要な４５ｄＢを大きく上回る５
０．５ｄＢが得られた。しかし、５ｎ１１．２原子％を
含むＳｉ、、Ｎ、誘電体層を有するものではＰ、。、い
Ｐεはともに５．５ｍＷと余り変わらないが、再生Ｃ
Ｎ比は４２ｄＢとなり４５ｄＢを下回る。第６図にＳｎ
含有量と再生ＣＮ比。
ＰＷＯｐｔ＊Ｐｔとの関係をそれぞれ線６１．６２．６
３で示す。５ｉａＬ誘電体層２に含有されるＳｎの量が
０．２原子％を超えるあたりから Ｐ、。、い Ｐとが
低下しはじめ、１０．０原子％を超えると再生ＣＮ比が
４５ｄＢ以下に劣化する。特にＳｎ含有量が１．０〜６
．０原子％の範囲では、再生ＣＮ比が５０〜５１ｄＢ
％Ｆ 、。ｐ ｔ 。
３で示す。５ｉａＬ誘電体層２に含有されるＳｎの量が
０．２原子％を超えるあたりから Ｐ、。、い Ｐとが
低下しはじめ、１０．０原子％を超えると再生ＣＮ比が
４５ｄＢ以下に劣化する。特にＳｎ含有量が１．０〜６
．０原子％の範囲では、再生ＣＮ比が５０〜５１ｄＢ
％Ｆ 、。ｐ ｔ 。
Ｐｉは６．０〜６．５ｍＷとほぼ均一な特性が実現でき
る。
る。
実施例６：
誘電体層２としてｐｔを添加したＳｉ、Ｎ４を用いた実
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ
片の代わりに１ｍｍ ｘ １ ｍｍ Ｘ４（１ｍｍの寸
法のｐｔ片を埋め込んだ５１３Ｎ４焼結ターゲツトを用
いた場合はＳＩＪｍ薄膜にＰｔを３．５原子％含有させ
た９０ｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例１
と全く同じ構成でｐｔ含有量の異なる誘電体Ｍ２を有す
る光磁気記録媒体を作成した。Ｐｔ３．５原子％を含む
５１３Ｎ４誘電体層の場合、ｐ、。、ｔは６．５ｍＷ、
Ｐ、は６、０＋ｍ Ｗと十分低い値となり、また再
生ＣＮ比もディジタル記録に必要な４５ｄＢを大きく上
回る５１ｄＢが得られた。しかし、Ｐｔ１１．５原子％
を含むＳｉ、Ｎ、誘電体層を有するものではＰ、。Ｐ
ｔ ＋ Ｐ Ｅはともに５，５ｍＷと余り変わらないが
、再生ＣＮ比は４３ｄＢとなり４５ｄＢを下回る。第７
図にＰｔ含有量と再生ＣＮ比。
施例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ
片の代わりに１ｍｍ ｘ １ ｍｍ Ｘ４（１ｍｍの寸
法のｐｔ片を埋め込んだ５１３Ｎ４焼結ターゲツトを用
いた場合はＳＩＪｍ薄膜にＰｔを３．５原子％含有させ
た９０ｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例１
と全く同じ構成でｐｔ含有量の異なる誘電体Ｍ２を有す
る光磁気記録媒体を作成した。Ｐｔ３．５原子％を含む
５１３Ｎ４誘電体層の場合、ｐ、。、ｔは６．５ｍＷ、
Ｐ、は６、０＋ｍ Ｗと十分低い値となり、また再
生ＣＮ比もディジタル記録に必要な４５ｄＢを大きく上
回る５１ｄＢが得られた。しかし、Ｐｔ１１．５原子％
を含むＳｉ、Ｎ、誘電体層を有するものではＰ、。Ｐ
ｔ ＋ Ｐ Ｅはともに５，５ｍＷと余り変わらないが
、再生ＣＮ比は４３ｄＢとなり４５ｄＢを下回る。第７
図にＰｔ含有量と再生ＣＮ比。
Ｐｗｏｐ％＊ＰＫとの関係をそれぞれ線７１．７２．７
３で示す。５ｌ−８４ｇ電体層２に含有されるＰｔの量
が０．２原子％を超えるあたりからＰｖｏｐ！＋ＰＲが
低下しはじめ、１０．０原子％を超えると再生ＣＮ比が
４５ｄＢ以下に劣化する。特にｐｔ含有量が１．０〜６
．０原子％の範囲では、再生ＣＮ比が５０〜５１ｄＢＳ
Ｐ、。２．。
３で示す。５ｌ−８４ｇ電体層２に含有されるＰｔの量
が０．２原子％を超えるあたりからＰｖｏｐ！＋ＰＲが
低下しはじめ、１０．０原子％を超えると再生ＣＮ比が
４５ｄＢ以下に劣化する。特にｐｔ含有量が１．０〜６
．０原子％の範囲では、再生ＣＮ比が５０〜５１ｄＢＳ
Ｐ、。２．。
ｐＨは６．０〜６．５ｆｆＩＷとほぼ均一な特性が実現
できる。
できる。
実施例７：
誘電体層２として釦を添加したＳＩ３Ｎ４を用いた実施
例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ片
の代わりにｌ ｍｍ ｘ ｌ ｍｍ Ｘ４ｏｍｍの寸法
の軸片を埋め込んだＳｉ、Ｎ、焼結ターゲットを用いた
場合は５１３Ｎ−薄膜にＳｍを１．５原子％含有させた
９０ｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例１と
全く同じ構成でＳｍ含有量の異なる透電体層２を有する
光磁気記録媒体を作成した。Ｓｍ１．５原子％を含むＳ
ｉ、Ｎ、誘電体層の場合、 Ｐ ｗ ｏ ｐ Ｉは６．
ＯｍＷ、 Ｐｉは５．２ｆｆｌＷと十分低い値となり
、また再生ＣＮ比もディジタル記録に必要な４５［ＩＢ
を大きく上回る５０ｄＢが得られた。しかし、Ｓｍ９．
５原子％を含む５ＩＪ４誘電体層を有するものではＰＩ
１６ＰＬは４．５ｍＷ、 Ｐｉは４．０ｍＷと余り変
わらないが、再生ＣＮ比は４２ｄＢとなり４５ｄＢを下
回る。第８図にＳｍ含有量と再生ＣＮ比。
例である。実施例１で述べたのと同様な方法で、Ｔｉ片
の代わりにｌ ｍｍ ｘ ｌ ｍｍ Ｘ４ｏｍｍの寸法
の軸片を埋め込んだＳｉ、Ｎ、焼結ターゲットを用いた
場合は５１３Ｎ−薄膜にＳｍを１．５原子％含有させた
９０ｎｍの厚さの誘電体層２を得、その他は実施例１と
全く同じ構成でＳｍ含有量の異なる透電体層２を有する
光磁気記録媒体を作成した。Ｓｍ１．５原子％を含むＳ
ｉ、Ｎ、誘電体層の場合、 Ｐ ｗ ｏ ｐ Ｉは６．
ＯｍＷ、 Ｐｉは５．２ｆｆｌＷと十分低い値となり
、また再生ＣＮ比もディジタル記録に必要な４５［ＩＢ
を大きく上回る５０ｄＢが得られた。しかし、Ｓｍ９．
５原子％を含む５ＩＪ４誘電体層を有するものではＰＩ
１６ＰＬは４．５ｍＷ、 Ｐｉは４．０ｍＷと余り変
わらないが、再生ＣＮ比は４２ｄＢとなり４５ｄＢを下
回る。第８図にＳｍ含有量と再生ＣＮ比。
Ｐ、。ｐｔ＋ Ｐヨとの関係をそれぞれ線８１．８２．
８３で示す。Ｓ！Ｊａ誘電体層２に含有されるＳｍの量
が０．３原子％を超えるあたりからＰｗ。ｐｔ、ＰＩ！
が低下しはじめ、７．５原子％を超えると再生ＣＮ比が
４５（ｊＢ以下に劣化する。特に軸合を量が１．５〜５
．５原子％の範囲では、再生ＣＮ比が４９〜５０ｄＢ
、 Ｐ ｗ。ｐｔ 。
８３で示す。Ｓ！Ｊａ誘電体層２に含有されるＳｍの量
が０．３原子％を超えるあたりからＰｗ。ｐｔ、ＰＩ！
が低下しはじめ、７．５原子％を超えると再生ＣＮ比が
４５（ｊＢ以下に劣化する。特に軸合を量が１．５〜５
．５原子％の範囲では、再生ＣＮ比が４９〜５０ｄＢ
、 Ｐ ｗ。ｐｔ 。
Ｐεは４．０〜６． Ｏｍ Ｗとほぼ均一な特性が実現
できる。
できる。
垂直磁化膜を磁性薄膜とする光磁気記録媒体において、
基板と磁性薄膜との間に誘電体層として５１３Ｎ４１１
！にＴｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｐｔ、
Ｓｍのうちのいずれ゛か１つを含有させることにより
、信号再生時の再生ＣＮ比が十分大きく、かつ記録感度
、消去特性にすぐれた光磁気記録媒体が得られ、ディス
ク回転数を上げても半導体レーザの照射による記録およ
び消去が可能になった。
基板と磁性薄膜との間に誘電体層として５１３Ｎ４１１
！にＴｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｐｔ、
Ｓｍのうちのいずれ゛か１つを含有させることにより
、信号再生時の再生ＣＮ比が十分大きく、かつ記録感度
、消去特性にすぐれた光磁気記録媒体が得られ、ディス
ク回転数を上げても半導体レーザの照射による記録およ
び消去が可能になった。
第１図は本発明の一実施例の光磁気記録媒体の断面構造
図、第２図、第３図、第４図、第５図。 ＷＪＧ図、第７図、第８図はそれぞれＳｉ３Ｎ４膜中の
Ｔｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｐｔ、 Ｓ
ｍの含有量と再生ＣＮ比、最適記録レーザパワー、消去
レーザパワーとの関係線図である。 １ 基板、２ 誘電体層、３ 磁性薄膜、４第 ］ 図 Ｔｉ含有量（原子％） 第 図 Ｃ「含有量（原子％） 第 図 Ｃｕ含有量（原子％） 第４図 Ｉｎ含有量（原子％） 第 図 Ｓｎ含有量（原子％） 第６図 Ｐ土倉有量（原子％） 第７図 Ｓｍ含有量（原子％） 第８図
図、第２図、第３図、第４図、第５図。 ＷＪＧ図、第７図、第８図はそれぞれＳｉ３Ｎ４膜中の
Ｔｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕ、 Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｐｔ、 Ｓ
ｍの含有量と再生ＣＮ比、最適記録レーザパワー、消去
レーザパワーとの関係線図である。 １ 基板、２ 誘電体層、３ 磁性薄膜、４第 ］ 図 Ｔｉ含有量（原子％） 第 図 Ｃ「含有量（原子％） 第 図 Ｃｕ含有量（原子％） 第４図 Ｉｎ含有量（原子％） 第 図 Ｓｎ含有量（原子％） 第６図 Ｐ土倉有量（原子％） 第７図 Ｓｍ含有量（原子％） 第８図
Claims (1)
- １）基板上に誘電体層を介して基板面に垂直方向に磁化
容易軸を有する磁性薄膜を備えたものにおいて、前記誘
電体層がチタン、クロム、銅、インジウム、すず、白金
、サマリウムのうちのいずれか１つを含む四窒化三けい
素膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8527189A JPH02126445A (ja) | 1988-07-04 | 1989-04-04 | 光磁気記録媒体 |
| NL8901689A NL8901689A (nl) | 1988-07-04 | 1989-07-03 | Magneto-optisch opslagmedium. |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16660688 | 1988-07-04 | ||
| JP63-166606 | 1988-07-04 | ||
| JP8527189A JPH02126445A (ja) | 1988-07-04 | 1989-04-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126445A true JPH02126445A (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=26426286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8527189A Pending JPH02126445A (ja) | 1988-07-04 | 1989-04-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02126445A (ja) |
| NL (1) | NL8901689A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1571658A2 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-07 | NEC Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP8527189A patent/JPH02126445A/ja active Pending
- 1989-07-03 NL NL8901689A patent/NL8901689A/nl not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1571658A2 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-07 | NEC Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
| EP1571658A3 (en) * | 2004-03-03 | 2005-11-16 | NEC Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL8901689A (nl) | 1990-02-01 |
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