NL8901689A - Magneto-optisch opslagmedium. - Google Patents

Description

Magneto-optisch opslagmedium

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een magneto-optisch opslagmedium waarop door middel van een laserbundel magneto-optisch informatie is opgeslagen, en de daarop opgeslagen informatie is gelezen door gebruik te maken van een magneto-optisch effekt.

In de nabije toekomst bereiken opnieuw beschrijfbare magneto-optische geheugens het stadium van realisatie. Het voor dergelijke magneto-optische geheugens gebruikte magneto-optische opslagmedium omvat een magnetische film die gemaakt is van amorfe materialen met een zeldzame aarde en overgangsmetaal, zoals TbFeCo, en is gevormd door de magnetische film op een van glas of hars vervaardigd substraat te leggen op een dusdanige manier dat de magnetische film een vertikaal gemagnetiseerde dunne film wordt met een as waarin gemakkelijk magnetisatie plaatsvindt loodrecht op een schijf-oppervlak. Het op een dergelijk opslagmedium opslaan van informatie wordt gedaan door met gebruikmaking van een laserbundel thermomagnetisch op de magnetische dunne film te schrijven. Het reproduceren of lezen van informatie wordt gedaan door het detecteren van rotatie van het polarisatievlak (Kerr-rotatie) van gereflecteerd licht van de magnetische dunne film, hetgeen veroorzaakt wordt door het Kerr-magneto-optische effekt.

De magnetische dunne film die tegenwoordig wordt gebruikt voor een vertikaal gemagnetiseerde dunne film, heeft een Kerr-rotatiehoek O^van 0,3-0,4° en een door de opgeslagen bit veroorzaakte modulatiefactor van reproducerend licht is zo klein als 1% of daaromtrent. Bijgevolg treedt een probleem op dat een lees-CN-verhouding bij het reproduceren niet genoeg is. In het algemeen is bekend dat de CN-verhouding bij het reproduceren 40 dB of meer moet zijn om een foutverhouding van een opslagmedium constant te houden. Voor grotere betrouwbaarheid is 45 dB of meer nodig. Teneinde dit nadeel te overkomen, is een methode voorgesteld om een CN-verhouding te verbeteren door het gebruik van de schijnbare vergroting van een Kerr-rotatiehoek die veroorzaakt wordt wanneer de reflectiviteit van een opslagmedium kleiner is gemaakt door een van SiO, A1N of dergelijke vervaardigde diëlektrische film tussen de magnetische dunne film en het substraat aan te brengen.

Wanneer een halfgeleider-laser wordt gebruikt voor het opslaan van informatie of deze te verwijderen van een magneto-optisch opslagmedium, neemt de omwentelings-snelheid van een schijf vaak toe om de overdrachtssnelheid van informatie te verbeteren. Een laserbundel belicht een punt op het opslagmedium gedurende een kortere tijd als de omwentelingssnelheid toeneemt.

Het kan daarom onmogelijk zijn om een opslagmediumtempera-tuur te verhogen tot een werkzaam punt voor opslag of verwijderen, dat wil zeggen de Curie-temperatuur. Aangezien de magnetische film wordt bestraald met de laserbundel door een transparant substraat en een diëlektrische laag, is het gebruik gewenst van de verbeterde diëlektrische film voor het opslaan en/of lezen van informatie met een hoge snelheid.

Het is dienovereenkomstig een doel van de onderhavige uitvinding een magneto-optisch opslagmedium te verschaffen dat een verbeterde opslaggevoeligheid biedt zonder verslechtering van de CN-verhouding bij het reproduceren.

Het is een ander doel van de onderhavige uitvinding om een magneto-optisch opslagmedium te verschaffen dat een hoge gegevensoverdrachtssnelheid mogelijk maakt ondanks het feit dat een halfgeleider-laserbundel wordt gebruikt voor het opslaan en reproduceren van informatie.

De onderhavige uitvinding verschaft een magneto-optisch opslagmedium omvattende: een substraat; een op het substraat gevormde diëlektrische laag, omvattende siliciumnitride en ten minste één element van de groep bestaande uit titaan, chroom, koper, indium, tin, platina en samarium; en een op de diëlektrische laag gevormde dunne magnetische film met een as waarin gemakkelijk magnetisatie plaatsvindt loodrecht op het oppervlak van het substraat.

Hierbij kan de titanium-inhoud in de diëlektrische laag zich bevinden in een gebied van 0,2-10,0 at.%.

De titaniuminhoud kan zich bevinden in een gebied van 1,0-6,0 at.%.

De chroominhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.

Dé chroominhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.

De koperinhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.

De koperinhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.

De indiuminhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.

De indiuminhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.

De tininhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.

De tininhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.

De platinainhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.

De platinainhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.

De samariuminhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,3-7,5 at.% zijn.

De samariuminhoud kan in een gebied van 1,5-5,5 at.% zijn.

De dunne magnetische film kan zijn samengesteld van een legering van een zeldzame aarde en een overgangsmetaal .

De bovenstaande en andere doelen, effekten, kenmerken en voordelen van de uitvinding zullen in het hiernavolgende worden verduidelijkt onder verwijzing naar de tekening, waarin: fig. 1 een schematische dwarsdoorsnede toont van de structuur van een uitvoeringsvorm van een magneto-optisch opslagmedium volgens de onderhavige uitvinding; fig. 2 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Ti-inhoud in de Si3N4-laag; fig. 3 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen en het uitwis-laserver-mcjgen, afhangen van de Cr-inhoud in de Si3N4~laag; fig. 4 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Cu-inhoud in de Si3N4~laag; fig. 5 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen afhangen, van de In-inhoud in de Si3N4-laag; fig. 6 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Sn-inhoud in de Si3N4~laag; fig. 7 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Pt-inhoud in de Si3N4~laag; en fig. 8 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Sm-inhoud in de Si3N4~laag.

Fig. 1 is een schematische dwarsdoorsnede van een structuur van een uitvoeringsvorm van een magneto- optisch opslagmedium volgens de onderhavige uitvinding.

Het opslagmedium omvat een transparante plaat of substraat 1 gemaakt van glas of hars, een daarop aangebrachte diëlek-trische laag 2 met een samenstelling volgens de onderhavige uitvinding, een amorfe magnetische dunne film 3 gemaakt van TbFe of TbFeCo of dergelijke, gevormd op de diëlek-trische laag 2, en een op de magnetische film 3 aangebrachte beschermlaag 4 gevormd van een diëlektrische laag. De diëlektrische laag 2 is samengesteld uit silicium-nitride (S) en ten minste één element uit de groep bestaande uit titaan (Ti), chroom (Cr), koper (Cu), indium (In), tin (Sn), platina (Pt) en samarium (Sm).

De in het hiernavolgende besproken uitvoeringsvorm gebruikt als substraat 1 een voldoende ontgaste polycar-bonaatplaat met een diameter van 13,3 cm (5,25 inch), als dunne magnetische film 3 een Tb23Fe6gCog- of Tb24Fe7QCog-film die door een sputter-methode is gevormd, en als beschermlaag 4 een van dezelfde materialen en met dezelfde methode als de diëlektrische laag 2 vervaardigde film met een dikte van 100 nm.

Uitvoeringsvorm 1:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van SÏ3N4 dat Ti bevat, werden vervaardigd.

Eerst werd de diëlektrische laag 2 met een dikte van 90 nm op het substraat 1 gevormd door de RF-magnetron-methode onder de condities van een argon-gas-druk van 0,6 Pa en een sputtervermogen van 300 W. Wanneer een gesinterd Si3N4~doel, waarin een Ti-stuk met afmetingen van lmmxlmmx40mm was ingebed, werd gebruikt, was de Ti-inhoud in de Si3N4~laag 4,5 at.%. Vervolgens, door een TbFeCo-doel te gebruiken, werd een Tb24Fe7QCog-film met een dikte van 70 nm als de magnetische film 3 gevormd op de diëlektrische laag 2 door middel van de DC-magnetron-sputtermethode. De sputter-condities waren als volgt: - argon-gasdruk: 0,5 Pa; - sputtervermogen: 300 W.

. Verder werd op de magnetische film 3 de beschermlaag 4 met een dikte van 100 nm en dezelfde samenstelling als die van de diëlektrische laag 2 gevormd. Gedurende deze processen werd het opslagmedium niet blootgesteld aan lucht. Op een dergelijke manier, met uitzondering van het veranderen van het oppervlak van het Ti-stuk dat in het gesinterde Si3N4~doel werd ingebed, werden magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Ti-inhouden bevatte.

Een optimaal opslag-laservermogen Pwopt, een uitwis-laservermogen Pe voor het uitwissen van een signaal, en een CN-verhouding bij het reproduceren van aldus vervaardigde magneto-optische opslagmedia werden gemeten. In het algemeen is het zo dat, hoe hoger het opslag-vermogen wordt, des te hoger wordt de temperatuur van het medium, en het gedeelte waarin de temperatuur hoger wordt dan de werkzame temperatuur voor opslag (Curie-punt), breidt zich uit. Als resultaat zal de lengte van een geheugen-bit groot zijn. Dienovereenkomstig, wanneer het opslagsignaal (frequentie: f; werkcyclus: 50%)wordt opgenomen, hangt de werkcyclus van het reproductiesignaal af van het opslag-vermogen.

Het optimale opslag-laservermogen Pwopt wordt gedefinieerd als het opslag-vermogen waarbij de werkcyclus van het reproductiesignaal 50% wordt. Dan is de verhouding van het signaalniveau C (de signaalbreedte bij frequentie f) tot het niveau van de tweede harmoni-schen C2 (de signaalbreedte van 2f) het maximum wanneer het spectrum van het reproductiesignaal wordt geanalyseerd .

De CN-verhouding bij reproductie en het optimale opslag-laservermogen Pwopt werden gemeten onder de condities van een oppak-positiestraal van 30 mm en 60 mm, een omwentelingssnelheid van de schijf van 1800 tpm, een opslagfrequentie van 1,88 MHz, een aangelegd magnetisch .veld van 400 Oe, en een reproductie-laservermogen van 1 mW. De laserbundel had een golflengte van 830 nm.

Het magneto-optische opslagmedium met een SÏ3N4 diëlektrische laag met 2,5 at.% Ti had lage waarden van een optimaal opslag-laservermogen Pwopt van 6,5 mW bij het opslaan van een signaal en een uitwis-laserver-mogen Pe van 6,0 mW bij het uitwissen van een signaal.

De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 51,2 dB, hetgeen veel meer is dan een gewenste waarde van 45 dB voor digitale opslag. Aan de andere kant had het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 11,4 at.% Ti waarden van 5,5 mW voor Pwopt en 5,0 mW voor Pe, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, maar de CN-verhouding bij reproductie was 42,6 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 21, 22 en 23 in fig. 2 tonen respectievelijk de relatie tussen de Ti-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Ti-inhoud en Pwopt, en de Ti-inhoud en Pe. Wanneer de Ti-inhoud in de S13N4 diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Ti-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot minder dan 45 dB. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Ti, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 50-51 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 6,0-6,5 mW voor Pwopt en Pe.

Uitvoeringsvorm 2:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van S13N4 dat Cr bevat, werden vervaardigd.

De diëlektrische laag 2 bevattende 2,2 at.% Cr toegevoegd aan een dunne Si3N4-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd Si3N4~doel, waarin in plaats van het Ti-stuk een Cr-stuk met afmetingen van 1 mm x 1 mm x 40 mm was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Cr-stuk dat in het Si3N4-doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Cr-inhouden bevatte.

Het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 2,2 at.% Cr had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt en het uitwis-laservermogen Pe van respectievelijk 6,5 mW. De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 51 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een SÏ3N4 diëlektrische laag met 12,0 at.% Cr waarden van 6,0 mW voor Pwopt en 5,5 mW voor Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 43 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 31, 32 en 33 in fig. 3 tonen respectievelijk de relatie tussen de Cr-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Cr-inhoud en Pwopt, en de Cr-inhoud en Pe. Wanneer de Cr-inhoud boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Cr-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verminderd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Cr kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 50-51 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 6,0-6,5 mW vor Pwopt en Pe.

Uitvoeringsvorm 3:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van Si.jN4 dat Cu bevat, werden vervaardigd.

De diëlektrische laag 2 bevattende 2,0 at.% Cu toegevoegd aan een dunne Si3N4-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd Sij^-doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een Cu-stuk met afmetingen van 1 mm x 1 mm x 40 mm was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Cu-stuk dat in het gesinterde Si3N4~doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Cu-inhouden bevatte.

Het magneto-optische opslagmedium met een SÏ3N4 diëlektrische laag met 2,0 at.% Cu had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt en het uitwis-laservermogen Pe van respectievelijk 6,0 mW.

De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 51 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 12,0 at.% Cu waarden van 5,5 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 42 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 41, 42 en 43 in fig. 4 tonen respectievelijk de relatie tussen de Cu-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Cu-inhoud en Pwopt, en de Cu-inhoud en Pe. Wanneer de Cu-inhoud boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Cu-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Cu, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 50-51 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 6,0-6,5 mW voor Pwopt en Pe.

Uitvoeringsvorm 4:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van S13N4 dat In bevat, werden vervaardigd.

De diëlektrische laag 2 bevattende 2,5 at.% In toegevoegd aan een dunne Si3N4~film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd Si3N4~doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een In-stuk met afmetingen van lmmxlmmx40mm was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het In-stuk dat in het gesinterde Si3N4~doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere In-inhouden bevatte.

Het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 3,4 at.% In had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt van 6,5 mW en het uitwis-laservermogen Pe van 6,0 mW.

De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 50,8 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 11,9 at.%In waarden van 5,5 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 42,8 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 51, 52 en 53 in fig. 5 tonen respectievelijk de relatie tussen de In-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de In-inhoud en Pwopt, en de In-inhoud en Pe. Wanneer de In-inhoud in de S13N4 diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de In-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% In, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 50-51 dB voor de CN-verhouding bij bij reproductie, en 6,0-6,5 mW voor Pwopt en Pe.

Uitvoeringsvorm 5:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van S13N4 dat Sn bevat, werden vervaardigd .

De diëlektrische laag 2 bevattende 4,7 at.% Sn toegevoegd aan een dunne SÏ3N4-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd Si3N4~ doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een Sn-stuk met afmetingen van lmmxlmmx40mm was ingebed.

Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Sn-stuk dat in het gesinterde Si3N4~doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Sn-inhouden bevatte.

Het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 4,7 at.% Sn had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt en het uitwis-laservermogen Pe van respectievelijke 6,0 mW.

De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 50,5 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een Sij^ diëlektrische laag met 11,2 at.% Sn waarden van 5,5 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 42 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 61, 62 en 63 in fig. 6 tonen respectievelijk de relatie tussen de Sn-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Sn-inhoud en Pwopt, en de Sn-inhoud en Pe. Wanneer de Sn-inhoud in de S13N4 diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Sn-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Sn,kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 50-51 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 6,0-6,5 mW voor Pwopt en Pe.

Uitvoeringsvorm 6:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van S13N4 dat Pt bevat, werden vervaardigd.

De diëlektrische laag 2 bevattende 3,5 at.% Pt toegevoegd aan eén dunne Si3N4-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd S13N4-doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een Ft-stuk met afmetingen van 1 m x 1 mm x 40 mm was ingebed.

Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Pt-stuk dat in het gesinterde Si3N4~doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Pt-inhouden bevatte.

Het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlek-trische laag met 3,5 at.% Pt had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt van 6,5 mW en het uitwis-laservermogen Pe van 6,0 mW. De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 51 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 11,5 at.% Pt waarden van 6,5 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 43 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 71, 72 en 73 in fig. 7 tonen respectievelijk de relatie tussen de Pt-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Pt-inhoud en Pwopt, en de Pt-inhoud en Pe. Wanneer de Pt-inhoud in de S13N4 diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Pt-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij repro- ductie verminderd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Pt, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 50-51 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 6,0-6,5 mW voor Pwopt en Pe.

Uitvoeringsvorm 7:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van S13N4 dat Sm bevat, werden vervaardigd.

De diëlektrische laag 2 bevattende 1,5 at.%

Sm toegevoegd aan een dunne Si3N4-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd S13N4-doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een Sm-stuk met afmetingen van lmmxlmmx40mm was ingebed.

Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Sm-stuk dat in het gesinterde SÏ3N4-doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Sm-inhouden bevatte.

Het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 1,5 at.% Sm had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt van 6,0 vW en het uitwis-laservermogen Pe van 5,2 mW. De CN-verhou-ding bij het reproduceren kwam tot 50 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een S13N4 diëlektrische laag met 9,5 at.% Sm waarden van 4,5 mW voor Pwopt en 4,0 vW voor Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 42 dB, hetgeen minder is dan 45 dB.

De curven 81, 82 en 83 in fig. 8 tonen respectievelijk de relatie tussen de Sm-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Sm-inhoud en Pwopt, en de Sm-inhoud en Pe. Wanneer de Sm-inhoud in de S13N4 diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,3 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Sm-inhoud meer wordt dan 7,5 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,5-5,5 a1t.% Sm, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 49-50 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 4,0-6,0 mW voor Pwopt en Pe.

Zoals bovenbeschreven verschaft de onderhavige uitvinding een magneto-optisch opslagmedium dat uitstekende opslag-gevoeligheid en uitwis-karakteristieken heeft door de CN-verhouding bij reproductie op 45 dB of meer te houden door het gebruik van een Si3N4-film bevattende ten minste één van Ti, Cr, Cu, In, Sn, Pt en Sm tussen de magnetische film en het substraat. Door het bestralen met een halfgeleider-laserbundel kan informatie worden opgeslagen op en uitgewist van een dergelijk opslagmedium met een hoge omwentelingssnelheid.

De uitvinding is onder verwijzing naar voorkeurs^· uitvoeringsvormen gedetailleerd beschreven, en uit het voorgaande zal het nu duidelijk zijn voor een deskundige dat veranderingen en modificaties kunnen worden aangebracht zonder af te wijken van de uitvinding in zijn brede aspecten, en deze worden geacht binnen de geest van de uitvinding te vallen zoals beschreven in de conclusies.

Claims (16)

1. Magneto-optisch opslagmedium, omvattende: een substraat; een op het substraat gevormde diëlektrische laag van siliciumnitride met ten minste één element van de groep bevattende titaan, chroom, koper, indium, tin, platina en samarium; en een op de diëlektrische laag gevormde dunne magnetische film met een as waarin gemakkelijke magnetisa-tie plaatsvindt loodrecht op het oppervlak van het substraat.

2. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de titaan-inhoud in de diëlektrische laag in een gebied van 0,2-10,0 at.% is.

3. Maneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de titaan-inhoud in een gebied van 1,0-6,0 at.% is.

4. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de chroom-inhoud in de diëlektrische laag in een gebied van 0,2-10,0 at.% is.

5. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat de chroom-inhoud in een gebied van 1,0-6,0 at.% is.

6. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de koper-inhoud in de diëlektrische laag in een gebied van 0,2-10,0 at.% is.

7. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de koper-inhoud in een gebied van 1,0-6,0 at.% is.

8. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de indium-inhoud in de diëlektrische laag in een gebied van 0,2-10,0 at.% is.

9. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 8f met het kenmerk, dat de indium-inhoud in een gebied van 1 ,'0-6,0 at.% is.

10. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tin-inhoud in de diëlektrische laag in een gebied van 0,2-10,0 at.% is.

11. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat de tin-inhoud in een gebied van 1,0-6,0 at.% is.

12. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de platina-inhoud in de diëlektrische laag in een gebied van 0,2-10,0 at.% is.

13. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de platina-inhoud in een gebied van 1,0-6,0 at.% is.

14. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de samarium-inhoud in de diëlektrische laag in een gebied van 0,3-7,5 at.% is.

15. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat de samarium-inhoud in een gebied van 1,5-5,5 at.% is.

16. Magneto-optisch opslagmedium volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de dunne magnetische film is vervaardigd van een legering van een zeldzame aarde en een overgangsmetaal.