JPH021236A - 残響平面像の領域拡大方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、残響平面像（ＥＰＩ）システムに関し、特に
像の所望領域に領域拡大を形成する方法及び装置に関す
る。

［従来の技術およびその問題点」 残響平面像（ＥＰＩ）は、超高速のために実時間の動画
を形成できることが公知である。Ｐ、マンスフイールド
氏の物理学会誌ＣＩＯ，Ｌ５５゜１９７７年参照。しか
し、現行のＥＰＩシステムで得られた解像力は、より遅
い画像処理方法に基づく例えば現行の核磁気共鳴画像（
ＭＲＩ）装置と比較した時に、貧弱である。

「問題点を解決するための手段」 本発明の目的は、解像力に本来の利点を持ったＥＰＩ技
術（即ちズームできる像）によって形成された像の真の
迅速領域拡大を提供することである。

本発明は、少なくとも第１及び第２の像が定義領域で実
施され、第２の像の少なくとも定義一部分が制御信号の
使用で生成されて、これら第１及び第２の像が相互に引
算されて定義領域外の領域を抹消した定義部分を発生し
、この定義領域がその後定義領域の拡大像を生成するた
めに伸長されること特徴とする残響平面像システムに生
成された像の拡大方法も提供している。

第１の実施例においては、定義領域は、通常方形の結像
場内の中央区分を形成し、この中央区分が伸長されて完
全結像場を占めさせている。

第２の実施例においては、定義領域が完全結像場の幅の
１／４である区分を備えている。好ましくは、４個の像
が画像領域で実施され、各画像領域が定義された１／４
区分の選択によって相互に異なり、結像場のどの１／４
区分も拡大させている。

好ましくは、向上した像の生成後の回復のため、向上に
先立って完全な画像を参照するために、全部の像が電気
的に恒久的に記憶されている。

本発明は、選択的１８０°ＲＦ制御パルスを加算し、最
適な磁場勾配を発生して拡大領域を形成する電子制御手
段を含む残響平面像の領域拡大装置も提供している。

勿論、本発明は、残響平面像装置と、定義領域で少なく
とも第１及び第２の像を実施する実施手段とを含み、 この実施手段は、第２の結像工程において、第１及び第
２の像を記憶する追加の１８０°ＲＦ制御信号手段を用
いて像の所望部分を形成する手段と、これら２個の像を
合同する手段と、合同工程の後情報を右に拡張して、定
義領域での拡大画像を生成する手段とを備えた像向上装
置を提供している。

以下に、添付図面を参照して、本発明の詳細な説明する
。

「実施例」 選択的励起によってスライス選択後、輝点化残響平面像
（ＢＥＰＩ）による通常の未拡大単一スライス像（ガロ
ウェイ、グランネル及びマンスフィルド氏の物理学会誌
Ｃ７，Ｌ４５７．１９７４年参照）においては、核信号
が一連のへ関数パルスの形態において理想的に方形波で
変調されたｙ磁場勾配Ｇ、及びＸ磁場勾配Ｇ、に展開で
きている。

実際、台形近似波形がＧ、用に使用されるが、Ｇ。

が短期間印加され、輝点中に一定である。選択パルスタ
イミング及び磁場勾配は第１図に示している。図示のよ
うに、Ｇ、の初期位相は、十ｖｅ或は−ｖｅでよい。Ｇ
、輝点が全部子ｖ６或は−Ｖｅでよい。従って、核信号
ｓ　（ｔ）毎に４種の可能性即ちＳ＋＋　Ｓ″″−Ｓ−
＋及びＳ−があり、各々か単一ショット像を発生できる
。

スライス選択後時間ｔで回転基準枠の自由誘導減衰信号
５（ｔ）は、通常次式で求められる。

Ｓ　（１）＝　Ｓ　（ｋ）＝　ｒ、ｐ、　ｆ　ｐ　（ｒ
）ｅｘｐ［ｋ、ｒｌｄｒ　　（１）但し、Ｐ（ｒ）は、
位置ｒでのスライス内のスピン密度であり、ｋが次式で
求められる往復空間波ベクトルである。（マンスフィル
ド及びグラネル氏の物理学会誌Ｃ６，Ｌ４２２．１９７
３年、１９７５年物理学レビュー１２，３６１８、ユン
グレン氏の磁気共鳴誌の５４，３３８．１９８３年参照
）。

【 ｋ＝ｆ、γ［ｉＧ　−（Ｌ　’）＋ＪＧ　ｙ（Ｌ　’）
］ｄｔ　’　　　（２）但し、γは磁気／ジャイロ比で
あり、Ｇ　、（ｒ　’）及びＧ、（１’）か線形時間依
存磁場磁場勾配である。

第２図は、前述した種々の磁場勾配合同物に対応するに
空間の種々の往路を示している。ｋ空間マツプの７−リ
エ変換（ＦＴ）形成においては、ｋ曲線の矢印が全部同
一方向に指示することが必要である。これは、２つの方
法、第１に２個の実験を迅速に連続して形成することに
よって、第２にＧ、の初期位相を反転することによって
達成される。両者の実験からの信号振幅を等しくさせる
ためには、第１及び第２の選択パルスが各々４５゜及び
９０°の章動角を持たなければならない。その後、これ
ら２例の信号残響列が編集され、組み継ぎされて、スピ
ン展開が全圧或は負の磁場勾配のいずれかで効果的に発
生する２個の信号を発生する。これら組み継ぎ信号のに
１曲線は全部員から正或は逆である。フーリエ変換発生
された２個の像は、相互に反転した鏡像である。しかし
、像空間における反復おける共加算はＳＮ比で１２倍改
良されている。上記の手順は２個のショット像工程であ
り、標準ＥＰＩに類似している。

第２の手順は真性ワンショット像のプロセスである。こ
こで、信号残響（エコー）は、９０°章動角或は他の任
意の低角度ｏｃ０を持つ一選択パルスの俣、好適な図示
しない電子メモリに記憶される。

同一方向を指示する全に曲線を得るｊごめには交互残響
からの時間占有信号が反復される。この編集された減衰
信号はその後−次元ＦＴを使用して７−リエ変換される
。この結像工程はＢＥＰ　Ｉ或はＢ　Ｅ　Ｓ　Ｔ（Ｂｌ
ｉｐｐｅｄ　Ｅｃｈｏ−ｐｌａｎａｒ　Ｓｉｎｇｌｅ−
ｐｕｌｓｅ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）として後に参照され
る。

方形波磁場勾配変調は、個別の残響の存続期間に互って
余り重要でない信号減衰である時に、離散信号サンプリ
ング毎に編集ＢＥＰ　１時間信号が次の離散関数に等価
である。

Ｓ　”（＋）−ΣΣΔ８ΔｖＰ　＋ｍｃｏｓ［ｌΔ（＋
１　、＋ｍΔ（１１，］Ｌ　　　　（３）但し、ｌ及び
ｍが整数であり、ρ１□が１の密度、領域Δ、Δ、を有
する第１ｍビクセルである。

サンプリング期間Ｔに亙る第３式の離散フーリエ変換は
、次の離散点間隔と、 Δω、＝Δω、＝２π／Ｔ−γΔ、Ｇ　、　　　　（４
）次の棒状間隔と、 Δω、−γΔ、Ｇ　、　　　　　　　　　　　　（５）
を持つ棒状スペクトルを得ている。スペク（・ル成分の
未重複にとっては、次の条件を満足しなければならない
。Δω、＝ＬΔω、　　　　　　（６）但し、ここでの
し及び以下のＭは、結像場のスパンである１及びｍの最
大数である。

像を記載する点の合計数は次の通りである。

Ｐ＝ＬＭ　　　　　　　　　　　　　　　　（７）上記
から、全像配列を取り扱うに要求される合計帯域幅は次
の通りである。

Δω、Ｐ＝ＬＭΔω、＝ＭΔω、　　　　　　（８）第
１図及び第４式及び第５式を参照すると、複合ＦＴ毎に
次の通りに書き換えられる。

Ｔ＝τＰ＝Ｍτｖ　　　　　　　　　　　　（９）但し
、ｒはサンプリング間隔であり、ｙ磁場勾配残響がモジ
ュロ２τ、である。

我々がズームＥＰＩ　（ＺＥＰＩ）として参照する本発
明によるズーム効果は、次のように達成される。

結像場が幅ａの長方形であるとする。結像場を示す合計
周波数と共に第８式から、正規ＢＥＰ　Ｉ用の要求磁場
勾配強度を次のように示される。

Ｇ、＝ＭΔω、／γ、＝ＬＭΔωＸ／γ、＝２πＬＭ／
γ、Ｔ　　（１０）正方形の結像場Ｌ＝Ｍにとって、第
１０式は定数Ｔ毎に像配列寸法ＭにおけるＧ、の２乗従
属数を予言している。

ＺＥＰ　Ｉにおいては目的が大形像配列に通常関連する
空間的解像度の改善を小形固定配列寸法で達成すること
である。この場合、棒状空間Δω。

が第１０式において一定であり、従ってＧ、がＭに対し
て直接比例する。第８式及びズーム像においても同様で
あり、像を完全に記述するに要求される全帯域幅がＭ２
よりむしろＭに比例する。ｙ棒状空間従って磁場勾配変
調期間の事実は、Ｘ磁場勾配の広域化の増加が像を重複
或は位置合わせさせる手段を変化させない。これらの点
は棒状の実施例及び特定配列毎に期待される広域化のス
ペクトルの実施例に最良に示されている。第３ａ図は、
６４Ｘ６４の像スペクトルを示している。上記定義とし
ての漂的場が満足され、データ収集が第８式に従って制
限された帯域幅と仮定する。第３ｂ図は、二倍に拡大さ
れた時のズーム像スペクトルを示している。幾つかの像
情報は、受信器の帯域幅外ｌこあり、固定長帯域幅毎に
失ってしまう。

しかし、６４Ｘ１２８デ一タ点が捕捉されるように帯域
幅及びサンプリング率の両者をダブらせて、１２８ｘ６
４ピクセル像が構成できる。この像が広域化の外形の重
複によって多重化（折畳）された加工像を含んでいる。

第３Ｃ図は１２８Ｘ１２８用の像スペクトルを示してい
る。第３ｂ図に明白な重複は、ｙ磁場勾配スイッチ期間
の変化を伴うより広い棒状配置共存によって除去される
。

２個の実験的ズーム手順は、以下に記載され、ｘｍ場勾
配が増加した時に発生する上記に参照された像折畳効果
を効果的に除去している。両者の手順は、初期スライス
選択プラス選択１８０°パルス毎に９０°或は低角度の
選択パルスを使用している。

第１手順ＺＥＰ　Ｉ−２は、変形二重ＢＥＰ　Ｉ実験で
あり、第４図に示している。これ及び第１図間の相違は
、２個のＢＥＰ　Ｉ実験間に挟まれた選択１８０°パル
スである。これは、Ｘ磁場勾配パルスと共に、ズーム区
分選択工程を構成する。通常、１８０°パルスに追従す
る信号が存在しない。

しかし、残余信号からの干渉に対する予めの注意として
、ｙ軸或はＺ軸に沿い、或はｘｙｚ合成軸に沿うであろ
う短期間のバースト磁場勾配クエンチ或はスクランブル
パルスが好ましく使用される。

従って、ズーム区分選択工程が迅速に第２８ＥＰＩ実験
で追従される。スライス選択パルスα及びβは、低速反
復実験毎に各々４５°及び９０°でよく、或は低角度章
動パルスでよい。いずれの場合においても、これら角度
が次の式を満足しなけれはならない（マンスフィルド氏
の１９８４年ｍ気共鳴医療１，３７０）。

１ａｎｃｃ＝ｓｉｎβ　　　　　　　　　　　　（１１
）低角度ではα−βである。

もし、ＺＥＰ　Ｉ　−１或はＺＥＰＩ−２が高速反復モ
ードに応用されたならば、手順の最後にスライス選択１
８０°ＲＦパルスを含むことが好ましい。これは不均一
スピン格子緩和法から、結像品質における関連磁場勾配
を持つ連続ズーム実験において交互の長手スピン磁化を
なくしている。

選択的１８０°ＲＦパルスは直ち＋ｌ：　Ｚ　Ｅ　Ｐ　
Ｉ　−Ｉ手順に追従すべきであり、選択１８０’ＲＦバ
ルスは直ちにＺＥＰＩ−２の二重（２シヨツト）実験に
追従すべきである。

ズーム手順は第５図を参照して良く理解される。

第５ａ図はズーム実験の前半からのＢＥＰ像を示してい
る。士は像の信号位相を示している。第５ｂ図は実験の
後半からのＢＥＰ像を示している。

選択１８０°パルスは、示すように像のウェル定義区分
における信号位相を反転させる。２個の像の引算が中央
区分のみを残し、その後Ｘ軸に沿って伸長されて、全体
の像視野を満配にさせる。これは単純にＸ磁場勾配を増
加させることによって実施される。もし、別々に目視さ
れたならば、ズーム実験の各半分からの像がＸ軸に沿っ
て折畳まれて示される。しかし、これら像の共引算が完
全に加工像を除去している。ｙ軸に沿う像の伸長は、受
信器の固定した帯域幅を持ってＸ磁場勾配を増加して単
純に達成される。像の上部及び底での像データは、ろ過
（フィルタ）帯域幅外に押しやられ、視界から見えなく
なる。勿論、これら損失データは、Ｘ或はＸ磁場勾配を
増加させないで、受信器の帯域幅及びサンプル点の合計
数を増加させて保持してもよい。この場合、全伸長像マ
トリクスは時間或は磁場勾配強度のいずれかにおいて余
分の間接費を掛けないで供給できる。しかし、このよう
な研究は、大規模なデータ配列、特に大規模なフーリエ
変換の地理を伴っている。しかし、概略的に前述してい
るように、二倍ズーム毎に配列寸法が二重になっている
。これは、二倍における像解像度の増加がデータ配列寸
法及びＸ磁場勾配強度の四重化を意味する標準ＢＥＰ　
Ｉ或はＥＰＩと対照的である。

第２の領域像拡大手順（ＺＥＰ　Ｉ　−１）は、１つの
ＢＥＰ　Ｉのみを使用し、像の縁をこぼれるＸ軸に沿う
伸長データが回復できないように失わない限り真性のズ
ーム方法である。これはＸ磁場勾配伸長用の場合でない
。帯域幅及びサンプリングの同じ条件が適用される。パ
ルス手順タイミング図が第６図に示している。パルスを
持つ初期スライスを選択後、選択された信号がＸ磁場勾
配における振幅をゼロに減衰することを許容する。これ
がオンである間に、結像場内のズームされた区分を形成
する選択１８０°パルスが印加されている。

これらズーム区分内のスピンのみがスピン残響において
再度合焦される。スピン残響の頂点で、信号が単発工程
におけるＢＥＰ　Ｉによって試験される。Ｘ磁場勾配の
増加によって、再合焦された区分からの信号がＸ軸に沿
って伸長されて、結像場を埋めてもよい。区分の外部の
結像場から分与される信号かないので、折畳効果が存在
しない。ｙ軸に沿う伸長が第１のズーム方法に関して固
定された受信器の帯域幅を持つＸ磁場勾配の増加を要求
している。この実験の低反復率バージョンにおいては、
スライス選択パルス章動角が９０°である。

ＺＥＰ　Ｉ　−１及びＺＥＰＩ−２手順の両者が実務的
に試行された。第７図は、各々がＺＥＰ　１１実験にお
ける種々の段階に対応する種々の虚像を示している。第
７．１図は、未ズームＢＥＰ　Ｉ像であり、対象場が成
熟虚像として参照される種々の形状及び寸法のボトル及
び管の集合体を備えている。第７．２図は成熟虚像の縦
長一部をズームした選択区分（定義領域）を示している
。第７゜３図は、ズーム区分を選択しないで拡大した像
であり、Ｘ軸における折畳加工像が明確に示されている
。第７．４図は、折畳加工像がない全ズーム実験である
。この場合、像拡大がｘｙ両軸に沿って２倍である。第
７．１図の上部右側領域の小さな管の集合体の解像度が
非常に向上していることに注目すべきである。容管は、
回りに１．５ｍｍ間隔を持って５ｍｍの直径を有してい
る。この像の基本空間解像度がこの集合体の管を判別で
きる３＋＋＋ｍである。この管の同じ集合体が第７．４
図の完全にズームされた像で明確に判別される。

第８図は、生きた子豚の隔膜を通して実施したＺＥＰＩ
−２横断図を示している。第８．１図及び第８．３図は
心臓の種々のレベルでの未ズームＢＥＰ［横断図である
。第８．２図及び第８．４図は対応のズーム像であり、
主要心房及び組織の改良された解像度を示している。こ
れらズーム像は、１２８５！ｉｔの単発パルスの平均値
であり、４ＭＨｚのラーモア操作周波数で累算するため
に２分掛かっている。

第９図は、第８図と同じ横断図の像を示しているが、交
互ＺＥＰ　ｒ　−１手順で得られた像を示している。

本発明は、標準ＥＰＩ及び標準ＢＥＰＩ像が配列寸法と
して移植するにより困難であるが、解像度が上昇してい
るので有益である。これは、ｍｘｍ配列毎に、要求され
た磁場勾配強度がｍ２として変化するからである。しか
し、本発明によるズーム結像変数は要求された磁場勾配
強度がｍとして変化するのみである。

本発明によるズームの基本原理は固定の像配列寸法によ
って働くことである。従って、空間解像度の改良は目標
領域のより小さい領域を領域拡大することによって達成
される。２種のズームバージョンは、前にＺＥＰ　Ｉ　
−１及びＺＥＰ　１−２を記載している。ＺＥＰ　Ｉ−
２においては、全伸長データ組がズーム手順の僅かな変
更で回復できる。

これは、例えば、６４Ｘ６４ピクセル配列を持つスーム
実験が磁場勾配駆動器に追加の仕様を与えないで、１２
８Ｘ１２８ピクセル配列に改造できることを意味してい
る。２倍以上のズームが可能であるが、Ｘ軸の二重或は
三重に折畳まれるので、全マトリックスデータ組が回復
できない。ＺＥＰｌ−１において、全伸長データ組の半
分のみがｙ軸に沿って回復できる。ズーム区分外にはみ
出たＸ軸に沿う伸長データが全く回復できない。

両者のズームバージョンは、実際に試行して良好な結果
が得られた。非常に迅速に移動する標的にとっては、Ｚ
ＥＰｒ−１が結像時間に殆ど２倍の減少の利点を提供し
ている。これは、改良解像度に漸増的顕著になる倍数、
像の横ブレを防止する際に重要である。

ＺＥＰＩ−２は、より遅く、標的の動作が遅い時に非常
に有用である。二倍にズームした時には、より高解像度
での全結像場が回復できるので有益である。

更に、ズーム原理の変形は、４個の分離画像で生成でき
る２５６Ｘ２５６ピクセルと、６４Ｘ２５６基本配列寸
法とを備えた像が可能である。好適な高ｘ８１場勾配で
は四重折畳が発生する。しかし、これは、前述の二重折
畳の場合と同様に解決できる。本発明の更なる実施例に
よれば、これは、４Ｉ！の区画の各々において、像にお
ける４個の隣接区分に各々を選択的に反転して達成され
る。これら区分がＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄと指標されていると仮
定する（第１０ａ図参照）。Ｘ磁場勾配は、選択された
区分の幅が四重折畳を持つ６４点に等しくなるまで、増
加する。像は、次のように４個の区画の各々毎に全４個
の区分からの信号を備えている。

１、−Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ ２、　　Ａ−Ｂ＋Ｃ，＋Ｄ ３、　　Ａ十Ｂ−Ｃ＋Ｄ ４、　　Ａ十Ｂ十〇−Ｄ 次のパターンにおける信号を共加算して、１＋２＋３＋
４＝４Ａ １−２＋３＋４−４Ｂ １　＋２−３＋４−４Ｃ １＋２＋３−４＝４Ｄ 像の各領域は、全像が単一２５６Ｘ２５６配列に構成で
きるように、完全に回復できる。ズーム選択縁に沿う像
における折り目が最適化された選択反転手順を使用して
最小化してもよい。

もし、全結像工程が形成にｍ個のショットを実施したな
らば、ｍｌ７２の信号雑音比の改良が得られる。この実
施例においては、２倍の改良が得られ　Ｉこ　。

ｙ磁場勾配波形は理想的に方形波である。この場合、信
号は、反復空間波ベクトルの等しいインクリント（増量
）ｋ、がサンプル点間に発生するように線形的にサンプ
ルされる。実際において、切り替わり磁場勾配は、第４
図に示すように台形の波形を形成するスリューレートを
持っている。

このような場合において、信号サンプルは、全体の等し
い増量Δに、が理想の場合と同様にサンプル点間にある
ように、傾斜領域において非線形に配列されてもよい。

どの周期的ｙ磁場勾配波形は、例えば正弦波或は三角波
が図示の波形の代わりに使用されてもよく、この磁場勾
配下で展開する核信号がΔに、の等しい増量を発生する
好適な信号サンプリングパターンで非線形的にサンプリ
ングされる。

サンプリング時間は、次のように選択されなければなら
ない。

ｎ＝ｔ、２，３．、、、但し、ｔ、は、１０＝　０から
開始した信号サンプリング回数である。

ＺＥＰ　Ｉ　−１及びＺＥＰＩ−２の両者の変形は、生
成される振幅像よりむしろモジュラス像を許容して、更
に記載される。

目的は、第２図のＯからＯ′までのに空間スキャンの開
始点を効果的に移動させる（第１図、第４図及び第６図
でドツトでマークされた）追加の負のＸ磁場勾配パルス
を導入することである。これは、両者のズーム実験にお
いて、全に平面がスキャンされたことを意味している。

振幅ＦＴよりむしろ電力ＦＴが振幅残響列（これは低信
号振幅から始まり、減衰する前に最大値に増大する、第
１図、第４図及び第６図のドツト残響包路線参照）に形
成される。この変化の効果は生成像が信号位相に独立し
ていることである。これは局所場の不均質殆ど依存しな
い実験を形成する。これらズーム像のモジュラスバージ
ョンをＺ−ＭＥＰ　Ｉ　−１及びＺ−ＭＥＰＩ−２とし
て各々参照する。

像が位相に依存しないので、Ｚ−ＭＥＰＩ−２用、四折
り用尺より高倍率用に要求される加算及び減算が時間デ
ータに形成されなければならない。

Ｚ−ＭＥＰｒ−１は信号の加算及び減算が要求されない
。

これら技術の更なる応用は、化学シフト結像用である。

両者のＺＥＰ　Ｉ技術、例えば第１図、第４図及び第６
図のＺＥＰＩ−１及びＺＥＰＩ−２は、Ｇ、磁場勾配輝
点の除去で単純化される。像のＸ軸に沿う空間情報が化
学シフト情報で置換される。結果は、カラムを構成する
一連のボリューム要素からのＮＭＨ化学シフトスペクト
ルである。

カラムの断面寸法は、ズームスライス選択手順によって
決定される。カラムに沿う空間情報が直交方向の化学シ
フト情報によって、変調されたＧ。

磁場勾配の応用で得られる。それ故、結果は、軸に沿う
化学シフト情報を持つ二次元マツプであり、第二寸法に
沿うｙ空間情報がズーム手順によって定義された操縦量
から得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による単一或は二重輝点残響平面像（Ｂ
ＥＰＩ）実施例のパルス及びタイミング図、第２図は第
１図の実施例を示すに空間のマツプ図、第３図は広域化
棒状スペクトルのスケッチ図、第４図は本発明の第１実
施例用のパルス及びタイミング図、第５図は本発明の画
像区画の代表例図、第６図は本発明による第２実施例の
パルス及びタイミング図、第７〜９図は種々の実験結果
の写真図、第１０図は四重折り畳みのズーム実験の原理
図である。 図面の浄書（内容に変更なし） 出願人　　ナショナル　リサーチ テヘロンプメント　コーポレーション クエンダ Ｆｉｇ、　７０

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. （１）残響平面像に通常使用される磁場勾配及び選択パ
   ルスと各々協働した追加の所定磁場勾配及びＲＦ制御パ
   ルスが拡大区分及びその区分の拡大倍率を定義即ち形成
   することを特徴とする選択的１８０°ＲＦ制御パルス及
   び磁場勾配の追加による残響平面像の領域拡大方法。
2. （２）少なくとも第１及び第２の像が定義領域で実施さ
   れ、第２の像の少なくとも定義一部分が制御信号の使用
   で生成されて、これら第１及び第２の像が相互に引算さ
   れて定義領域外の領域を抹消した定義部分を発生し、こ
   の定義領域がその後定義領域の拡大像を生成するために
   伸長されること特徴とする残響平面像システムに生成さ
   れた像の拡大方法。
3. （３）前記１８０°ＲＦ制御パルスは、拡大区分を形成
   する標的領域からスピン残響を形成するために使用され
   る特許請求の範囲第１項記載の領域拡大方法。
4. （４）ＮＭＲ化学シフトスペクトルは、特許請求の範囲
   第２項或は第３項記載の方法で選択されたカラムを形成
   する一連の連続要素から生成される特許請求の範囲第１
   項記載の領域拡大方法。
5. （５）前記像は、パワー即ち大規模フーリエ変換を使用
   することによって信号データから構成される特許請求の
   範囲第１項から第４項までのいづれかに記載の領域拡大
   方法。
6. （６）前記像は、振幅フーリエ変換を使用することによ
   って信号データから構成される特許請求の範囲第１項か
   ら第４項までのいづれかに記載の領域拡大方法。
7. （７）前記定義領域は、通常方形の結像場内の中央区分
   を形成し、この中央区分が伸長されて完全結像場を占め
   させる特許請求の範囲第１項記載の領域拡大方法。
8. （８）前記定義領域は、完全結像場の幅の１／４である
   区分を備えた特許請求の範囲第１項記載のＲＰＩシステ
   ムで発生した像の向上方法。
9. （９）４個の像は、各々が定義された１／４区分の選択
   によって相互に異なる画像領域で表示され、従って結像
   場のどの１／４区分も拡大させる特許請求の範囲第８項
   記載の向上方法。
10. （１０）前記像の全部は、向上した像の形成後回復する
    ため、向上工程に先立って完全な画像を参照するために
    電気的に恒久的に記憶される特許請求の範囲第２項から
    第９項までのいづれかに記載のＲＰＩシステムで発生し
    た像の向上方法。
11. （１１）選択的１８０°ＲＦ制御パルスを加算する電子
    制御手段と、最適な磁場勾配を発生して拡大領域を形成
    する電子制御手段とを含む残響平面像の領域拡大装置。
12. （１２）残響平面像装置と、定義領域で少なくとも第１
    及び第２の像を実施する実施手段とを含み、この実施手
    段は、第２の結像工程において、第１及び第２の像を記
    憶する追加の１８０°ＲＦ制御信号手段を用いて像の所
    望部分を形成する手段と、これら２個の像を合同する手
    段と、合同工程の後情報を右に拡張して、定義領域での
    拡大画像を生成する手段とを備えた像向上装置。
13. （１３）前記実施手段は、電子制御装置を備えた特許請
    求の範囲第１２項記載の装置。
14. （１４）前記電子制御装置は、通常方形の結像場内の中
    央区分として前記定義領域を選択するように操作される
    特許請求の範囲第１３項記載の装置。
15. （１５）前記電子制御装置は、完全結像場の１／４とし
    て、前記定義領域を選択するように操作される特許請求
    の範囲第１３項記載の装置。