JPH02122564A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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Publication number
JPH02122564A
JPH02122564A JP63276476A JP27647688A JPH02122564A JP H02122564 A JPH02122564 A JP H02122564A JP 63276476 A JP63276476 A JP 63276476A JP 27647688 A JP27647688 A JP 27647688A JP H02122564 A JPH02122564 A JP H02122564A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
region
photodiode
conductivity type
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63276476A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Abe
博史 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63276476A priority Critical patent/JPH02122564A/ja
Publication of JPH02122564A publication Critical patent/JPH02122564A/ja
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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Picture Signal Circuits (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像素子に関する 〔従来の技術〕 従来この種の固体撮像素子は、一導電型半導体基板の表
面に逆導電型のウェルを形成し、その表面に選択的にホ
トダイオードの一導電型領域を形成した縦型オーバーフ
ロートレイン構造となっていた。
第４図は従来の固体撮像素子の一例の断面図である。
固体撮像素子は、Ｎ型シリコン基板１の上層にＰ型ウェ
ル９ｂとその上層の一部にホトダイオード接合３を形成
するＮ型領域３Ｎとそれらの間にＮ型埋込領域４を形成
する。
これはホトダイオード接合３がらの光電変換キャリアを
転送する電荷転送素子の埋込チャネルとして動作する。
さらに埋込領域４とホトダイオードのＮ型領域３Ｎとの
間にＰ＋型チャネルストッパ領域５．シリコン基板１の
表面に絶縁膜８に囲まれてゲート電極６、そして表面に
はホトダイオード接合３に対応する受光窓Ｗ以外を遮光
膜７で覆っている。
Ｐ型ウェル９ｂはホトダイオード接合３でオーバフロー
する光電変換キャリアがＮ型シリコン基板１へ引抜かれ
る構造となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
固体撮像素子では第４図に示す様に、Ｐ型ウェルで発生
する電子の光電変換キャリアの大部分はホトダイオード
のＮ型領域に蓄積されるが、一部はＮ型シリコン基板に
吸収されるものと、一部はａ、ｂに示すように横方向拡
散によりＮ型埋込領域４に吸収されるものがあるに のスミア成分がホトダイオードのＮ型領域に蓄積される
分の０．１％位になるとテレビ画面では白い縦縞となる
。
上述した従来の固体撮像素子においては、このスミア成
分を小さくする事は避は難い構造となっていた。
本発明の目的は、スミア現象の生じない固体撮像素子を
提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の固体撮像素子は、一導電型の半導体基板の一主
面に形成された逆導電型ウェルと該逆導電型ウェルの上
層にｊｘ択的に形成されたホトダイオードと該ホトダイ
オードからの光電変換キャリアを受取る一導電型埋込領
域とを有する固体撮像素子において、前記逆導電型ウェ
ルの前記ホトダイオードに対応する領域が、前記一導電
型埋込領域に対応する領域よりも前記半導体基板の表面
から深く形成されて構成されている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
固体撮像素子は、第４図のＰ型ウェル９ｂをＰ−型ウェ
ル９及びＰ型ウェル１０に置換したことが異る意思外は
従来の固体撮像素子と同一である。
Ｐ型ウェルは、Ｎ型シリコン基板１の表面からの深さの
異る二種類からなっている。
すなわち、ホトダイオード接合３の下のＰ−型ウェル９
は、Ｎ型埋込領域４のＰ型ウェル１０よりもＮ型シリコ
ン基板１の中に深く形成されている。
またＰ−型ウェル９はＰ型ウェル１０よりも不純物濃度
は低くなっている。
それはホトダイオードのＮ型領域３Ｎからオーバフロー
する光電変換キャリアをＮ型シリコン基板１に吸収する
際にＰ−型ウェル９のみを空乏化して電子ａ、ｂをＮ型
埋込領域４に吸収させないためである。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
Ｎ型半導体基板１．の表面の一部にＰ−型ウェル９６を
形成して、その上にＮ型エピタキシャル層１１を堆積し
、所定の部分を形成する。
本実施例によれば、Ｐ型ウェル１０はＮ型埋込領域４の
下で浅くなっている為、光電変換キャリアの内Ｎ型埋込
領域４に拡散していく電子ａ、　ｂは、浅いＰ型ウェル
１０の部分でＮ型シリコン基板１に吸収され、従ってＮ
型埋込領域４には到達しない利点を有する。
第３図は本発明の第３の実施例の断面図である。
ＭＯＳ型の固体撮像素子は、ソースとしてのホトダイオ
ードと、トレインとしてのＮ＋型型数散層４ゲート電極
６．及びドレイン引出し電極１３とを有している。
本実施例の効果も前述の第１〜第２の実施例の場合と同
様である。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、Ｐ型ウェルをＮ型埋込領域
の下で浅くする事により、ホトダイオード下で発生する
光電変換キャリアの内Ｎ型埋込領域へ向って横方向拡散
する成分をＮ型半導体基板に吸収出来るのでスミア現象
を著しく低減できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は本発明の第１〜第３の実施例の断面図
、第４図は従来の固体撮像素子の一例の断面図である。 ・・Ｎ型シリコン基板、 ３・・・ホトダイオード接 ム ３Ｎ・・・Ｎ型領域、 ４・・・Ｎ型埋込領域、 ９８　・・・Ｐ 型ウェル、 ０・・・Ｐ型ウェル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　一導電型の半導体基板の一主面に形成された逆導電型
    ウェルと該逆導電型ウェルの上層に選択的に形成された
    ホトダイオードと該ホトダイオードからの光電変換キャ
    リアを受取る一導電型埋込領域とを有する固体撮像素子
    において、前記逆導電型ウェルの前記ホトダイオードに
    対応する領域が、前記一導電型埋込領域に対応する領域
    よりも前記半導体基板の表面から深く形成されているこ
    とを特徴とする固体撮像素子。
JP63276476A 1988-10-31 1988-10-31 固体撮像素子 Pending JPH02122564A (ja)

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JP63276476A JPH02122564A (ja) 1988-10-31 1988-10-31 固体撮像素子

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JPH02122564A true JPH02122564A (ja) 1990-05-10

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ID=17569983

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JP63276476A Pending JPH02122564A (ja) 1988-10-31 1988-10-31 固体撮像素子

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JP (1) JPH02122564A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60244068A (ja) * 1984-05-18 1985-12-03 Nec Corp 埋込みチヤネル電荷結合素子
JPS62291961A (ja) * 1986-06-12 1987-12-18 Hitachi Ltd 固体撮像装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60244068A (ja) * 1984-05-18 1985-12-03 Nec Corp 埋込みチヤネル電荷結合素子
JPS62291961A (ja) * 1986-06-12 1987-12-18 Hitachi Ltd 固体撮像装置

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