JPH02121378A - 磁界センサ - Google Patents
磁界センサInfo
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- JPH02121378A JPH02121378A JP1231359A JP23135989A JPH02121378A JP H02121378 A JPH02121378 A JP H02121378A JP 1231359 A JP1231359 A JP 1231359A JP 23135989 A JP23135989 A JP 23135989A JP H02121378 A JPH02121378 A JP H02121378A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
- H01L29/157—Doping structures, e.g. doping superlattices, nipi superlattices
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特許請求の範囲の請求項1の前文に記載され
る如き磁界センサの如き有用な装置に関する。
る如き磁界センサの如き有用な装置に関する。
(従来の技術)
現在、多岐にわたる磁界センサが既に公知である。特に
関心の対象となるものは、両端部から正孔および電子の
電荷キャリアが注入される半導体素子を使用する種類の
磁気ダイオード・センサである。半導体素子は、内部の
電荷キャリアに対して非常に異なる再結合時間の少なく
とも2つの領域を含むように非均−にされる。検出され
るべき磁界は、特定の方向に半導体素子を横断させられ
る。この方向に、結果として生じるローレンツ力が前記
2つの領域の一方に最初に注入された電荷キャリアを前
記領域の他方へ偏位させる。このような偏位は、半導体
素子の二線部間に流れる電流量の変化を結果として生じ
る。この種の磁気ダイオード・センサの基本原理は4、
にataoka著論文「磁気抵抗デバイスの最近の進
展および不用」 (科学技術庁、電気機械研究所回報。
関心の対象となるものは、両端部から正孔および電子の
電荷キャリアが注入される半導体素子を使用する種類の
磁気ダイオード・センサである。半導体素子は、内部の
電荷キャリアに対して非常に異なる再結合時間の少なく
とも2つの領域を含むように非均−にされる。検出され
るべき磁界は、特定の方向に半導体素子を横断させられ
る。この方向に、結果として生じるローレンツ力が前記
2つの領域の一方に最初に注入された電荷キャリアを前
記領域の他方へ偏位させる。このような偏位は、半導体
素子の二線部間に流れる電流量の変化を結果として生じ
る。この種の磁気ダイオード・センサの基本原理は4、
にataoka著論文「磁気抵抗デバイスの最近の進
展および不用」 (科学技術庁、電気機械研究所回報。
1974年刊、第 182号)に記載されている。
本発明は、その用途がこれに限定されるものではないが
、特に自動車用に位置のセンサとしてよく使用される磁
気ダイオード型の磁気センサに関するものである。
、特に自動車用に位置のセンサとしてよく使用される磁
気ダイオード型の磁気センサに関するものである。
上記の種類の磁界センサにおいては、感度は主として下
記の2つのパラメータ、即ち(1)if!気ダイオード
を形成する半導体材料における電荷キャリアの移動度、
および(2)再結合時間TRに依存する。TRは、半導
体材料中への電荷キャリアの注入後1つの符号の電荷キ
ャリアが反対の符号の電荷キャリアと再結合するに要す
る平均時間である。再結合は、電荷キャリアがその電荷
収集電極に達する前に生じる。電荷キャリアが再結合す
8時この電荷キャリアに何が特に生じるかは知られてい
ないが、結果は磁気ダイオードの相補電極間の電流が減
少することである。
記の2つのパラメータ、即ち(1)if!気ダイオード
を形成する半導体材料における電荷キャリアの移動度、
および(2)再結合時間TRに依存する。TRは、半導
体材料中への電荷キャリアの注入後1つの符号の電荷キ
ャリアが反対の符号の電荷キャリアと再結合するに要す
る平均時間である。再結合は、電荷キャリアがその電荷
収集電極に達する前に生じる。電荷キャリアが再結合す
8時この電荷キャリアに何が特に生じるかは知られてい
ないが、結果は磁気ダイオードの相補電極間の電流が減
少することである。
磁界効果に対する高い感度のためには、経路に対し直角
の磁界が存在する際の電荷キャリアの経路の偏位蚕がキ
ャリアの移動度と磁界の強さとの積に比例する故に、電
荷キャリアの移動度が高くなければならない。
の磁界が存在する際の電荷キャリアの経路の偏位蚕がキ
ャリアの移動度と磁界の強さとの積に比例する故に、電
荷キャリアの移動度が高くなければならない。
また、磁界効果に対する高い感度のためには、半導体材
料中で電荷キャリアが移動できる平均距離が再結合時間
と電荷キャリアのドリフト速度との積に比例する故に、
キャリアの再結合時間が長くなければならない。
料中で電荷キャリアが移動できる平均距離が再結合時間
と電荷キャリアのドリフト速度との積に比例する故に、
キャリアの再結合時間が長くなければならない。
上記の種類のセンサに使用するため入手が容易な半導体
材料においては、間接バンドギャップ材料であるシリコ
ンの如き半導体材料が魅力のある長さのキャリア再結合
時間を有する。しかし、この材料は比較的低いキャリア
移動度を有する。上記の如く、磁界に対して高い感度を
有する磁気ダイオードを得るためには高い移動度が必要
とされる。一方、直接バンドギャップ材料であるGaA
s、InAs、Bll−、Sb、xおよびInSbの如
きある化合物半導体は、魅力的に、高いキャリア移動度
゛を存する。
材料においては、間接バンドギャップ材料であるシリコ
ンの如き半導体材料が魅力のある長さのキャリア再結合
時間を有する。しかし、この材料は比較的低いキャリア
移動度を有する。上記の如く、磁界に対して高い感度を
有する磁気ダイオードを得るためには高い移動度が必要
とされる。一方、直接バンドギャップ材料であるGaA
s、InAs、Bll−、Sb、xおよびInSbの如
きある化合物半導体は、魅力的に、高いキャリア移動度
゛を存する。
しかし、それらのキャリア再結合時間は通常望ましから
ず短いものである。再結合時間が短い故に、これらの材
料は要求される。程感度がよくない。本発明は、このよ
うな化合物、即ち直接バンドギャップ・半導体における
通常短いキャリア再結合時間という上記の短所を克[鼠
する新しい試みを提供する。この試みは、従来のダイオ
ード構造よりも著しく長いキャリア再結合時間を呈する
特色のあるダイオード構造を形成するため後者の材料の
使用を含むものである。
ず短いものである。再結合時間が短い故に、これらの材
料は要求される。程感度がよくない。本発明は、このよ
うな化合物、即ち直接バンドギャップ・半導体における
通常短いキャリア再結合時間という上記の短所を克[鼠
する新しい試みを提供する。この試みは、従来のダイオ
ード構造よりも著しく長いキャリア再結合時間を呈する
特色のあるダイオード構造を形成するため後者の材料の
使用を含むものである。
(発明の要約)
本発明による磁界センサは、特許請求の範囲の請求項1
の特徴部分に記載される諸特徴を特徴とする。
の特徴部分に記載される諸特徴を特徴とする。
本論で述べる種類の磁界センサにおいて使用されるよう
に、本発明は高い移動度および長い再結合時間のキャリ
アを供する半導体素子を含む。この目的のため、直接゛
バンドギャップ材料から形成され、かつ非常に薄い交互
のn型およびP型のドープされた層からなる、望ましく
はその間に真性領域を持つ、その厚手方向に周期的なド
ーピング・プロフィールを有するドーピング超格子即ち
n−1−p−i超格子として種々公知である半導体素子
が用いらむる。
に、本発明は高い移動度および長い再結合時間のキャリ
アを供する半導体素子を含む。この目的のため、直接゛
バンドギャップ材料から形成され、かつ非常に薄い交互
のn型およびP型のドープされた層からなる、望ましく
はその間に真性領域を持つ、その厚手方向に周期的なド
ーピング・プロフィールを有するドーピング超格子即ち
n−1−p−i超格子として種々公知である半導体素子
が用いらむる。
ドーピング超格子の特性については、G、 !(。
Dohler、i論文「同調可能な特性を持つn−1−
p−iドーピング超格子準安定半導体」(Journa
lof Vacuum 5cience and Te
chnology%B第1巻、第2号、1983年4〜
6月号、278〜284頁)および論文「トート°ング
超格子の物理現象および応用J (rTwo−Dim
ensional Systems、 Physics
and New Devices: Proceedi
ngs of tile Ir+terna−tion
al Winterschool、Mauterns
dorf、Au5tria。
p−iドーピング超格子準安定半導体」(Journa
lof Vacuum 5cience and Te
chnology%B第1巻、第2号、1983年4〜
6月号、278〜284頁)および論文「トート°ング
超格子の物理現象および応用J (rTwo−Dim
ensional Systems、 Physics
and New Devices: Proceedi
ngs of tile Ir+terna−tion
al Winterschool、Mauterns
dorf、Au5tria。
1985J の 270〜284頁、Springer
Verlag。
Verlag。
Berlin、 1986年刊)において詳細に記載さ
れている。これらに論じられたように、ドーピング超格
子の異常な特性は、ドーピング層におけるイオン化不純
物の空間電荷の電位である超格子の電位の異なる性格か
ら生じる。ドーピング超格子に3けるこの空間電荷の電
位は、母体材料のバンド・エツジを変え、電子および正
孔が空間的に分離状態になる。この分離は、ドーピング
濃度および層の厚さの適当な選択によって制御する2こ
とができる。本発明に最も重要なものはこの後者の特性
である。キャリアの各層におけるキャリアの閉じ込めの
程度は、これら層を形成する半導体材料のバンドギャッ
プと直接関連している。正孔および電子のこの空間的な
分離は、キャリア濃度が増加すると共にドーピング超格
子電位の振幅が減少しかつ有効バンドギャップが増加す
るように、不純物の空間電荷の電位の部分的な補償をも
たらす結果となる。バンドギャップの同調性即ちバンド
ギャップの増加と関連するのは、トンネル現象の減少即
ち再結合のための熱的障壁の増加による再結合時間の同
調性即ち増加である。超格子におけるこのような空間的
分離は、キャリアがバルク材料(bulk mater
ial)即ち非超格子構造において呈する時間にわたる
キャリアの再結合時間を劇的に延長する。
れている。これらに論じられたように、ドーピング超格
子の異常な特性は、ドーピング層におけるイオン化不純
物の空間電荷の電位である超格子の電位の異なる性格か
ら生じる。ドーピング超格子に3けるこの空間電荷の電
位は、母体材料のバンド・エツジを変え、電子および正
孔が空間的に分離状態になる。この分離は、ドーピング
濃度および層の厚さの適当な選択によって制御する2こ
とができる。本発明に最も重要なものはこの後者の特性
である。キャリアの各層におけるキャリアの閉じ込めの
程度は、これら層を形成する半導体材料のバンドギャッ
プと直接関連している。正孔および電子のこの空間的な
分離は、キャリア濃度が増加すると共にドーピング超格
子電位の振幅が減少しかつ有効バンドギャップが増加す
るように、不純物の空間電荷の電位の部分的な補償をも
たらす結果となる。バンドギャップの同調性即ちバンド
ギャップの増加と関連するのは、トンネル現象の減少即
ち再結合のための熱的障壁の増加による再結合時間の同
調性即ち増加である。超格子におけるこのような空間的
分離は、キャリアがバルク材料(bulk mater
ial)即ち非超格子構造において呈する時間にわたる
キャリアの再結合時間を劇的に延長する。
しかし、移動度は有効に減少されない。超格子における
再結合時間は僅か増加するのではなく、バルク材料に対
して何倍もの大きさで増加さ・れる。例えば、寿命は1
乃至10ナノ秒から1秒以上まで増加され得る。更に、
層内の大きな過剰キャリア濃度は、同じドーピング濃度
のバルク材料に比して比較的小さな注入電流で達成でき
る。
再結合時間は僅か増加するのではなく、バルク材料に対
して何倍もの大きさで増加さ・れる。例えば、寿命は1
乃至10ナノ秒から1秒以上まで増加され得る。更に、
層内の大きな過剰キャリア濃度は、同じドーピング濃度
のバルク材料に比して比較的小さな注入電流で達成でき
る。
これまでドーピング超格子は、層に直角の電流に対して
層に直角に電界が確立される光電素子用として主として
提起されてきたように思われる。
層に直角に電界が確立される光電素子用として主として
提起されてきたように思われる。
しかし、前掲のDohlerの2つの論・文の最初のも
のもまた、電極を介する種々の層に対する選択的なキャ
リアの注入によるドーピング超格子内のキャリア濃度の
同調について論じている。
のもまた、電極を介する種々の層に対する選択的なキャ
リアの注入によるドーピング超格子内のキャリア濃度の
同調について論じている。
特に、2つの間隔をおいた電極が設けられる研究につい
て述べうわていた。最初の間隔をおいた電極は、電子の
注入のため全てのn型層に対してオーミック接触を生じ
るが、p型層に対してはブロッキング接触を生じる。第
2の間隔をおいた電極は、正孔の注入のため全てのp型
層に対してオーミック接触を生じるが、全てのn型層に
対してはブロッキング接触を生じる。更に、系の二次元
特性を確立した層と平行かつ直角の磁界による磁気移転
実験に触れていた。しかし、磁気デバイスの用途につい
ては示唆されていない。
て述べうわていた。最初の間隔をおいた電極は、電子の
注入のため全てのn型層に対してオーミック接触を生じ
るが、p型層に対してはブロッキング接触を生じる。第
2の間隔をおいた電極は、正孔の注入のため全てのp型
層に対してオーミック接触を生じるが、全てのn型層に
対してはブロッキング接触を生じる。更に、系の二次元
特性を確立した層と平行かつ直角の磁界による磁気移転
実験に触れていた。しかし、磁気デバイスの用途につい
ては示唆されていない。
本発明による磁界センサにおいては、例示として磁気ダ
イオードである著しく長いキャリア再結合時間の層を大
部分有するドーピング超格子は、層に対して実質的に平
行なキャリアの流れを生じるため、上記の如く選択的な
電荷キャリア注入のため対向面に注入接触が設けら打る
。本装置は、順方向のバイアス下で、即ちn型領域に関
してP型頭域が正にバイアスされて作動する。ある層の
一端部に注入された電流キャリアはいこの層の種々の“
長手方向に移動し、隣接層かうこの層を分離するp−n
接合を通過し、次いで第2の層の他欄部への移動を完了
する。従って、層の主要面に実質的に平行である1つの
層の内部の軌道を移動した後、キャリアはこれら層の主
要面を隣接する層の主要面から分離するp−n接合と最
後に交差する。−旦このp−n接合を通過すると、キャ
リアは、第2の層の主要面と実質的に平行な軌道で第2
の層内を移動し続ける。
イオードである著しく長いキャリア再結合時間の層を大
部分有するドーピング超格子は、層に対して実質的に平
行なキャリアの流れを生じるため、上記の如く選択的な
電荷キャリア注入のため対向面に注入接触が設けら打る
。本装置は、順方向のバイアス下で、即ちn型領域に関
してP型頭域が正にバイアスされて作動する。ある層の
一端部に注入された電流キャリアはいこの層の種々の“
長手方向に移動し、隣接層かうこの層を分離するp−n
接合を通過し、次いで第2の層の他欄部への移動を完了
する。従って、層の主要面に実質的に平行である1つの
層の内部の軌道を移動した後、キャリアはこれら層の主
要面を隣接する層の主要面から分離するp−n接合と最
後に交差する。−旦このp−n接合を通過すると、キャ
リアは、第2の層の主要面と実質的に平行な軌道で第2
の層内を移動し続ける。
検出されるべき磁界は、層に対して直角の方向に加えら
れる。このため、電荷キャリアは層に平行な移動中磁界
と直角に横断方向に偏位することになる。
れる。このため、電荷キャリアは層に平行な移動中磁界
と直角に横断方向に偏位することになる。
更に、ドーピング超格子の各層は、各層における電荷キ
ャリアのこの横断方向の偏向が電荷キャリアをこのよう
な再結合領域へ移動させるように、短いキャリア再結合
時間の領域が与えられる。p−1−n型ダイオードにお
いては、ある電圧において再結合速度を増加するとその
相補電極間の有@電流を減少させる。従って、本発明に
よる装置においては、磁界は従来の磁気ダイオードと似
た方法で注入接点間の電流の減少として検出することが
できる。
ャリアのこの横断方向の偏向が電荷キャリアをこのよう
な再結合領域へ移動させるように、短いキャリア再結合
時間の領域が与えられる。p−1−n型ダイオードにお
いては、ある電圧において再結合速度を増加するとその
相補電極間の有@電流を減少させる。従って、本発明に
よる装置においては、磁界は従来の磁気ダイオードと似
た方法で注入接点間の電流の減少として検出することが
できる。
(実施例)
先ず第1図においては、半導体素子11は、薄い単結晶
n型層12と格子が整合した薄い単結晶p型層14とを
交互に含むドーピング単結晶超格子構造である。当接術
においては、n型とp型の層間に意図的にドープされな
い中間領域が存在しない場合でも、このような構造をn
−1−p−i超格子と説明するのが一般的慣例である。
n型層12と格子が整合した薄い単結晶p型層14とを
交互に含むドーピング単結晶超格子構造である。当接術
においては、n型とp型の層間に意図的にドープされな
い中間領域が存在しない場合でも、このような構造をn
−1−p−i超格子と説明するのが一般的慣例である。
これは、このような層と関連するエネルギ・バンドの静
電歪みが自由電荷キャリアの小さな濃度を持ち、そのた
め有効な真性導電率の中間領域を有効に生じることにな
る故である。好都合にも、素子11の層12および14
は、ガリウム・ヒ素、インジウム・ヒ素、アンチモン化
インジウム、あるいはビスマス−アンチモン合°金の如
き直接バンドギャップ化合物半導体からなる。このよう
な半導体材料は、バルクにおいて高いキャリア移動度を
持つがキャリア再結合時間が短いことが通常知られてい
る。
電歪みが自由電荷キャリアの小さな濃度を持ち、そのた
め有効な真性導電率の中間領域を有効に生じることにな
る故である。好都合にも、素子11の層12および14
は、ガリウム・ヒ素、インジウム・ヒ素、アンチモン化
インジウム、あるいはビスマス−アンチモン合°金の如
き直接バンドギャップ化合物半導体からなる。このよう
な半導体材料は、バルクにおいて高いキャリア移動度を
持つがキャリア再結合時間が短いことが通常知られてい
る。
本発明の構造においては、各層は好都合にも、層内に注
入される電荷キャリアのデバイ長よりも小さな厚さを持
つ。典型的には、これらの層は5乃至300ナノm(5
0乃至3000オングストローム)の範囲内の厚さを持
つ。設計および製造の便宜のため、必要ではないが各層
を実質的に同じ5さにすることが望ましい。各層におけ
る平均ドーピング濃度は、好都合にも、立方cm当たり
1016乃至10I8原子である。層の厚さが薄くなる
程、ドーピング濃度は高くなり、各層における良好な導
電率を生じるに充分な自由キャリアを保証する。各層の
長さは、層内の電流′キャリアの拡散長より小さくなけ
ればならない。
入される電荷キャリアのデバイ長よりも小さな厚さを持
つ。典型的には、これらの層は5乃至300ナノm(5
0乃至3000オングストローム)の範囲内の厚さを持
つ。設計および製造の便宜のため、必要ではないが各層
を実質的に同じ5さにすることが望ましい。各層におけ
る平均ドーピング濃度は、好都合にも、立方cm当たり
1016乃至10I8原子である。層の厚さが薄くなる
程、ドーピング濃度は高くなり、各層における良好な導
電率を生じるに充分な自由キャリアを保証する。各層の
長さは、層内の電流′キャリアの拡散長より小さくなけ
ればならない。
更に、この長さは(TR×キャリアのドリフト速度)よ
り小さな長さでなければならない。
り小さな長さでなければならない。
一方、この長さはその端部間で短い再結合時間の領域の
有効なデポジションを生じるに充分な長さでなければな
らない。また、この長さは、検出が予期される磁界の強
さの作用下にある短い再結合時間の領域に対しての充分
な電流キャリアの偏位を生じる長さでな、ければならな
い。典型的には、この長さは10乃至500μmの範囲
内にある。僅かに2つの1層が時には充分であるが、必
要、な出力電流量に従って、素子11にこのような層が
合計10乃至100あることが望ましい。
有効なデポジションを生じるに充分な長さでなければな
らない。また、この長さは、検出が予期される磁界の強
さの作用下にある短い再結合時間の領域に対しての充分
な電流キャリアの偏位を生じる長さでな、ければならな
い。典型的には、この長さは10乃至500μmの範囲
内にある。僅かに2つの1層が時には充分であるが、必
要、な出力電流量に従って、素子11にこのような層が
合計10乃至100あることが望ましい。
素子ll内にこのような層を提供するため種々の公知の
手法が利用でき、例えば分子線結晶成長法(+olec
ular bearn epitaxy、 M B E
) 、化学気相成長法(chemical vapo
r deposition) 、有機金属気相分解結晶
成長法(metal−organo chemical
vapor deposition)がある。典型的に
は、種々の層は、得られるままの層12および14の格
子定数と非常によく一致する如き格子定数を持つ適当な
高抵抗率の単結晶基板上にエピタキシャル成長させられ
、その結果層12および14は実質的に単結晶となり、
大きなキャリア移動度および再結合時間を提供する。
手法が利用でき、例えば分子線結晶成長法(+olec
ular bearn epitaxy、 M B E
) 、化学気相成長法(chemical vapo
r deposition) 、有機金属気相分解結晶
成長法(metal−organo chemical
vapor deposition)がある。典型的に
は、種々の層は、得られるままの層12および14の格
子定数と非常によく一致する如き格子定数を持つ適当な
高抵抗率の単結晶基板上にエピタキシャル成長させられ
、その結果層12および14は実質的に単結晶となり、
大きなキャリア移動度および再結合時間を提供する。
本発明の磁気センサに使用するには、層】2および14
の各々においてキャリアが署しく短い再結合時間を持ち
かつキャリアが検出される磁界により偏向される領域を
生じることが重要である。本文において述べるように、
ある層に注入された電流キャリアが、隣接層内に行きわ
たるまでこの層の主要面と略々平行に移動し、次いでそ
の層の主要面と略々平行に移動し続ける。
の各々においてキャリアが署しく短い再結合時間を持ち
かつキャリアが検出される磁界により偏向される領域を
生じることが重要である。本文において述べるように、
ある層に注入された電流キャリアが、隣接層内に行きわ
たるまでこの層の主要面と略々平行に移動し、次いでそ
の層の主要面と略々平行に移動し続ける。
これは、如何にしてキャリアがこのデバイスの一端部か
ら他端部に至るかを示す。
ら他端部に至るかを示す。
これらの層と直角をなす磁界は、電流キャリアをこの層
の主要面と平行に偏位することになる。
の主要面と平行に偏位することになる。
本発明においては、このような磁界は、磁界が存在しな
い時よりも多くの電流キャリアを通かに高い再結合速度
を持つ各層の領域に通過させることになる。更に多くの
割合のキャリアが、こうして層12および14を通り抜
けるまたは平行に進むドラフトを完了することがで°き
ないことになる。これらの層の端部における電極間の測
定された電流は、このように検出される磁界の強さに従
って直接変調される。これらの層における低い再結合時
間の領域は、第2図に関して述べるように、素子の1つ
の面上に形成されることが望ましい。
い時よりも多くの電流キャリアを通かに高い再結合速度
を持つ各層の領域に通過させることになる。更に多くの
割合のキャリアが、こうして層12および14を通り抜
けるまたは平行に進むドラフトを完了することがで°き
ないことになる。これらの層の端部における電極間の測
定された電流は、このように検出される磁界の強さに従
って直接変調される。これらの層における低い再結合時
間の領域は、第2図に関して述べるように、素子の1つ
の面上に形成されることが望ましい。
第2図は、素子の平行なn型層12およびp型層14に
対して直角の方向の磁束Bの強さを測定する回路に結合
される磁気ダイオードにおいて使用される第1図に示し
た種類の半導体素子11の斜視図を略図的に示している
。
対して直角の方向の磁束Bの強さを測定する回路に結合
される磁気ダイオードにおいて使用される第1図に示し
た種類の半導体素子11の斜視図を略図的に示している
。
この目的のため、n型の注入電極18が層12および1
4の各々の一端部と接触するように素子の1つの面に沿
って設けられ、またp型の注入電極19が層12および
14の各々の反対の端部と接触するように素子の反対の
面に沿って設けられている。
4の各々の一端部と接触するように素子の1つの面に沿
って設けられ、またp型の注入電極19が層12および
14の各々の反対の端部と接触するように素子の反対の
面に沿って設けられている。
バイアス電圧は、電極I8が電子を選択的にn型層12
に注入しまた電極I9が正孔を選択的にp型層I4に対
して注入するように、適当な極性のt極18および19
間に接続されたDC電圧源20によって層12および1
4の対向する端部間に加えられる。
に注入しまた電極I9が正孔を選択的にp型層I4に対
して注入するように、適当な極性のt極18および19
間に接続されたDC電圧源20によって層12および1
4の対向する端部間に加えられる。
抵抗22は、この回路内で直列に接続され、その間の電
圧はこの回路に流れる電流の測定値として監視される。
圧はこの回路に流れる電流の測定値として監視される。
電極18が層14に関して順方向にバイアスが加えられ
、従って内部に電子を生じても、また電極19がn型層
12に関して順方向にバイアスが加えられ、従ってその
内部に正孔を生じても、電流の大部分は、2つの基本的
な理由から、それぞれn型層12とP型層14との間に
流れることになる。第1に、層12および14間の接触
面積は、それぞれ層12と電極19間あるいは層14と
電極18間の合計接触面積よりも通かに大きい。更に、
接触型VU18および19は層12および14よりも道
かに多量にドープされた材料と対応し、このためそれぞ
れ電極18と層14・間および電極19と層12間の接
触電位を上昇させる。約1019より大きなドーピング
濃度を電極18および19に用いることができる。
、従って内部に電子を生じても、また電極19がn型層
12に関して順方向にバイアスが加えられ、従ってその
内部に正孔を生じても、電流の大部分は、2つの基本的
な理由から、それぞれn型層12とP型層14との間に
流れることになる。第1に、層12および14間の接触
面積は、それぞれ層12と電極19間あるいは層14と
電極18間の合計接触面積よりも通かに大きい。更に、
接触型VU18および19は層12および14よりも道
かに多量にドープされた材料と対応し、このためそれぞ
れ電極18と層14・間および電極19と層12間の接
触電位を上昇させる。約1019より大きなドーピング
濃度を電極18および19に用いることができる。
注入電極18および】9は、前記層の反対側端部に多量
にドープした領域を形成するように、適当なイオン、特
に電極18に対してはドナー・イオン、また電g19に
対してはアクセプタ・イオンを打込むだけで容易に形成
することができる。次に材料は一般には熱により焼鈍さ
れて打込んだイオンを活性化し、打込みにより生じた損
傷を修復する。また、通常は、このような電極上に金属
コーティングを施してこれら電極に対する抵抗の小さな
接触の形成を容易にする。
にドープした領域を形成するように、適当なイオン、特
に電極18に対してはドナー・イオン、また電g19に
対してはアクセプタ・イオンを打込むだけで容易に形成
することができる。次に材料は一般には熱により焼鈍さ
れて打込んだイオンを活性化し、打込みにより生じた損
傷を修復する。また、通常は、このような電極上に金属
コーティングを施してこれら電極に対する抵抗の小さな
接触の形成を容易にする。
第2図に示される如き素子の前面24全体は、点彩で示
される短い再結合時間の領域となるよう処理される。各
々の層においてドリフトする注入された電子および正孔
は、磁界Bの作用から生じるロレンツ力により前記面2
4に向フて偏向される。この面を短い再結合時間の領域
に形成するための多くの手法が公知である。
される短い再結合時間の領域となるよう処理される。各
々の層においてドリフトする注入された電子および正孔
は、磁界Bの作用から生じるロレンツ力により前記面2
4に向フて偏向される。この面を短い再結合時間の領域
に形成するための多くの手法が公知である。
これらの手法には、化学的エツチング法、機械的研摩法
および非焼鈍イオン打込み法によって、これら面の結晶
構造に損傷を与えることが含まれる。
および非焼鈍イオン打込み法によって、これら面の結晶
構造に損傷を与えることが含まれる。
ガリウム・ヒ素素子の場合には、ガリウム・ヒ素を擬絶
縁材、即ち高い抵抗材料に転換する陽子衝撃法が公知で
ある。更に、この方法は、比較的長い再結合時間を生じ
る特性を有する打込まれたガリウム・ヒ素との界面を形
成する。
縁材、即ち高い抵抗材料に転換する陽子衝撃法が公知で
ある。更に、この方法は、比較的長い再結合時間を生じ
る特性を有する打込まれたガリウム・ヒ素との界面を形
成する。
従って、陽子衝突法は、必要に応じて、エピタキシャル
膜の(図示される)層の活性部分を(図示されない)層
の残りの部分から、あるいは周囲から隔離しながら、面
24と反対側の背面26を長い再結合ライフタイムに保
持するためこの背面の処理に使用することができる。こ
の例においては、電iiaおよび19は、面26を経て
残りのエピタキシャル膜まで延在してはならない。
膜の(図示される)層の活性部分を(図示されない)層
の残りの部分から、あるいは周囲から隔離しながら、面
24と反対側の背面26を長い再結合ライフタイムに保
持するためこの背面の処理に使用することができる。こ
の例においては、電iiaおよび19は、面26を経て
残りのエピタキシャル膜まで延在してはならない。
あるいはまた、もし磁気センサが磁界Bの方向に対称的
になるように意図されるならば、背面26は、反対方向
の磁界により偏向される正孔および電子もまた容易に再
結合するように前面24の方法で処理されねばならない
。
になるように意図されるならば、背面26は、反対方向
の磁界により偏向される正孔および電子もまた容易に再
結合するように前面24の方法で処理されねばならない
。
第2図に示、ルた設計において生じ得る欠点は、考えら
れるある半導体により前面24の損傷が表面層における
原子間の結合を破壊する傾向があり、これにより高い密
度の低移動度の自由キャリアを生じ前記面24が導通状
態となる傾向があることである。このような導電面は、
接点18および19間の電気的な短絡として作用し得、
さもなければ電流が監視されるバルク(bulk)部分
に流れることになる電流を反らせる。このため、センサ
の感度を低下させることになる。この問題に対して考え
られる解決策は、第3A図および第3B図に示されるよ
うに、電極18および19間で連続しない破損した表面
層を含むことである。
れるある半導体により前面24の損傷が表面層における
原子間の結合を破壊する傾向があり、これにより高い密
度の低移動度の自由キャリアを生じ前記面24が導通状
態となる傾向があることである。このような導電面は、
接点18および19間の電気的な短絡として作用し得、
さもなければ電流が監視されるバルク(bulk)部分
に流れることになる電流を反らせる。このため、センサ
の感度を低下させることになる。この問題に対して考え
られる解決策は、第3A図および第3B図に示されるよ
うに、電極18および19間で連続しない破損した表面
層を含むことである。
第3A図および第3B図は、これまた集積された1対の
磁気ダイオード3oおよび4oを示す実施例におけるこ
のような解決策を示している。
磁気ダイオード3oおよび4oを示す実施例におけるこ
のような解決策を示している。
磁気ダイオード30および40は、■字形の溝即ちトレ
ンチ50により相互に電気的に分離されている。各ダイ
オードは、略々第1図に示される種類のドーピング超格
子を含む。各ダイオードは、半絶縁基板52上に層をな
したメサ(mesa)として認めることができる。典型
的には、この構造は、半絶縁基板上に所要数の層をエピ
タキシャル成長させ、その後これらの層を2つの個々の
ダイオード層を形成する2つの別の層の組に分割するた
めトレンチ50を形成することにより形成することがで
きる。この2組の層の各々は、その対向する端部に、電
極18と類似するそれ自体の離散したn型電極32.4
2アよび電極19と類似するp型電極、34.44が設
けられる。
ンチ50により相互に電気的に分離されている。各ダイ
オードは、略々第1図に示される種類のドーピング超格
子を含む。各ダイオードは、半絶縁基板52上に層をな
したメサ(mesa)として認めることができる。典型
的には、この構造は、半絶縁基板上に所要数の層をエピ
タキシャル成長させ、その後これらの層を2つの個々の
ダイオード層を形成する2つの別の層の組に分割するた
めトレンチ50を形成することにより形成することがで
きる。この2組の層の各々は、その対向する端部に、電
極18と類似するそれ自体の離散したn型電極32.4
2アよび電極19と類似するp型電極、34.44が設
けられる。
第3A図に示される如き短いキャリア再結合時間の一連
の別個の領域54がトレンチ50の壁面に沿って設けら
れている。典型的には、これら領域は、前記トレンチに
沿って適当に穿孔したマスクを設け、次いで所要の短い
再結合時間の領域54を形成するため(焼鈍しないイオ
ン打込み等により)マスクしない領域に選択的に損傷す
ることによって形成することができる。このような領域
54の間隔を保持することにより、短絡する導電層の形
成について前に論じた問題が回避される。
の別個の領域54がトレンチ50の壁面に沿って設けら
れている。典型的には、これら領域は、前記トレンチに
沿って適当に穿孔したマスクを設け、次いで所要の短い
再結合時間の領域54を形成するため(焼鈍しないイオ
ン打込み等により)マスクしない領域に選択的に損傷す
ることによって形成することができる。このような領域
54の間隔を保持することにより、短絡する導電層の形
成について前に論じた問題が回避される。
更に、点彩により示すように、ダイオード30および4
0の外表面35および45は、それぞれ第2図の実施例
における背面26に対して前に述べた方法で比較的長い
再結合時間の面となるように処理することができる。
0の外表面35および45は、それぞれ第2図の実施例
における背面26に対して前に述べた方法で比較的長い
再結合時間の面となるように処理することができる。
領域54は個別のものである故に、典型的にはキャリア
の再結合時間を短縮する目的に適する金属のデポジショ
ンにより、オーミック接触を提供する等のキャリア再結
合時間の短縮のための広範囲の手法を用いることが可能
である。
の再結合時間を短縮する目的に適する金属のデポジショ
ンにより、オーミック接触を提供する等のキャリア再結
合時間の短縮のための広範囲の手法を用いることが可能
である。
ガリウム・ヒ素の場合は、適当な金属には、AuGeN
i合金、インジウムおよびプラチナが含まれる。このよ
うな事例においては、金属を融解して非常に短いキャリ
ア再結合時間を持つ損傷された表面領域を形成するため
、金属のデポジションの間あるいはその後に構造が加熱
される。
i合金、インジウムおよびプラチナが含まれる。このよ
うな事例においては、金属を融解して非常に短いキャリ
ア再結合時間を持つ損傷された表面領域を形成するため
、金属のデポジションの間あるいはその後に構造が加熱
される。
ダイオード30内のキャリア30をトレンチ50に向け
て偏向する方向に印加された磁界が、ダイオード40に
おいては、このようなキャリアをトレンチ50ではなく
高い再結合時間の外縁部45に向けて偏向するため、2
つのダイオード30および40は反対の方向に作動する
ことが判るであろう。
て偏向する方向に印加された磁界が、ダイオード40に
おいては、このようなキャリアをトレンチ50ではなく
高い再結合時間の外縁部45に向けて偏向するため、2
つのダイオード30および40は反対の方向に作動する
ことが判るであろう。
逆に、ダイオード40のキャリアをトレンチ50に偏向
する方向の印加磁界が、ダイオード30において高い再
結合時間のその外縁部35に向けてこれらキャリアを偏
向させる結果となる。
する方向の印加磁界が、ダイオード30において高い再
結合時間のその外縁部35に向けてこれらキャリアを偏
向させる結果となる。
このような対をなす磁気ダイオードは、従来の抵抗ブリ
ッジの4つの分岐を形成するように、2つの磁気ダイ°
オードが2つの別の固定抵抗により補われる差動センサ
において特に有効である。このような差動構造は、温度
および電源の変動に対する改善された許容範囲をセンサ
に提供することが可能である。
ッジの4つの分岐を形成するように、2つの磁気ダイ°
オードが2つの別の固定抵抗により補われる差動センサ
において特に有効である。このような差動構造は、温度
および電源の変動に対する改善された許容範囲をセンサ
に提供することが可能である。
本文に述べた特定の実施例は軍に本発明の一般的原理の
事例に過ぎず、本発明の主旨および範囲から逸脱するこ
となく種々の変更が可能であることを理解すべきである
。
事例に過ぎず、本発明の主旨および範囲から逸脱するこ
となく種々の変更が可能であることを理解すべきである
。
最初に、本発明は再結合の諸事項における改善が最大と
なる直接バンドギャップ材料の使用が特に関心事である
が、シリコンおよびゲルマニウムの如き間接ギャップ材
料もまた関心事である。ある用途においては、比較的安
いコストあるいはセンサが使用されるシステムの他の部
品との比較的大きな互換性の如き他の理由から、このよ
うな材料が選好され得る。
なる直接バンドギャップ材料の使用が特に関心事である
が、シリコンおよびゲルマニウムの如き間接ギャップ材
料もまた関心事である。ある用途においては、比較的安
いコストあるいはセンサが使用されるシステムの他の部
品との比較的大きな互換性の如き他の理由から、このよ
うな材料が選好され得る。
また、前の論述において考えられた長い再結合時間は、
少なくとも1μ秒、一般には約100μ秒乃至1秒、あ
るいはそれ以上の大きさである。
少なくとも1μ秒、一般には約100μ秒乃至1秒、あ
るいはそれ以上の大きさである。
例えば領域24および54において使用される本文で考
察した短い再結合時間は、約1乃至100ナノ秒程度で
ある。移動度については、高い移動度とは、約8,00
0乃至go、ooocm2ボルト伺秒利の移動度を意味
する。低い移動度とは、500乃至1.500cm2ボ
ルド一1秒−1以下の大きさの移動度を意味する。発明
者達は下記の考えか、たを支持する充分なテスト・デー
タは持たないが、本発明における高低の再結合時間の比
率は少なくとも10:1、望ましくは約too : i
以上でなければならないと信じる。一方、ある状況にお
いては、本発明の利点は僅かに5:1の再結合時間比率
で達成可能であることが考えられる。
察した短い再結合時間は、約1乃至100ナノ秒程度で
ある。移動度については、高い移動度とは、約8,00
0乃至go、ooocm2ボルト伺秒利の移動度を意味
する。低い移動度とは、500乃至1.500cm2ボ
ルド一1秒−1以下の大きさの移動度を意味する。発明
者達は下記の考えか、たを支持する充分なテスト・デー
タは持たないが、本発明における高低の再結合時間の比
率は少なくとも10:1、望ましくは約too : i
以上でなければならないと信じる。一方、ある状況にお
いては、本発明の利点は僅かに5:1の再結合時間比率
で達成可能であることが考えられる。
更に、局所的な短い再結合時間の領域あるいは長い再結
合時間の領域を形成するため他の色々な手法が使用でき
よう。本文に述べた実施例においては、テストされる磁
界は、適当な方向に増加する磁界により出力電流を減少
するために、通常は長い再結合時間の領域に流れるキャ
リアを短い再結合時間の領域へ偏向させるため用いられ
ている。あるいはまた、キャリアが通常は短い反応時間
の領域に流れかつ検出されるべき磁界がこのような流れ
を長い再結合時間の領域に偏向するように作られ、これ
により出力電流が適当な方向に増加する磁界と共に増加
する構造が考案できよう。
合時間の領域を形成するため他の色々な手法が使用でき
よう。本文に述べた実施例においては、テストされる磁
界は、適当な方向に増加する磁界により出力電流を減少
するために、通常は長い再結合時間の領域に流れるキャ
リアを短い再結合時間の領域へ偏向させるため用いられ
ている。あるいはまた、キャリアが通常は短い反応時間
の領域に流れかつ検出されるべき磁界がこのような流れ
を長い再結合時間の領域に偏向するように作られ、これ
により出力電流が適当な方向に増加する磁界と共に増加
する構造が考案できよう。
更に、より高い感度を達成するため種々のブリッジ構造
の使用を含む特定の結果を達成するため、本発明の磁気
ダイオードと関連する種々の回路構造が考案できよう。
の使用を含む特定の結果を達成するため、本発明の磁気
ダイオードと関連する種々の回路構造が考案できよう。
更に、長短のキャリア再結合時間の領域に対して他の多
岐にわたる構成が可能である。
岐にわたる構成が可能である。
更にまた、本発明については特に磁気ダイオードに関し
て記載されたが、包含される原理は磁気抵抗および磁気
トランジスタに対しても適用可能である。
て記載されたが、包含される原理は磁気抵抗および磁気
トランジスタに対しても適用可能である。
第1図は交互のn型層とp型層とを含むドーピング超格
子の形態における半導体素子の一端部を示す概略平面図
、第2図は第1図に示した種類の半導体素子を含む本発
明の実施例による磁気ダイオード・センサを示す概略斜
視図、第3A図は差動センサにおいて有用な1対の磁気
ダイオードを含む本発明の別の実施例を示す平面図、お
よび第3B図は第3A図の線B−Bに関する断面図であ
る。 11・・・半導体素子、12・・・薄い単結晶n型層、
14・・・薄い単結晶p型層、18・・・n型の注入電
極、19・”p型の注入電極、20・・・DC電圧源、
22・・・抵抗、24・・・前面、26・・・背面、3
0.40・・・磁気ダイオード、35.45・・・外表
面、50・・・トレンチ、54・・・領域。 IG 江千′4臂濤手
子の形態における半導体素子の一端部を示す概略平面図
、第2図は第1図に示した種類の半導体素子を含む本発
明の実施例による磁気ダイオード・センサを示す概略斜
視図、第3A図は差動センサにおいて有用な1対の磁気
ダイオードを含む本発明の別の実施例を示す平面図、お
よび第3B図は第3A図の線B−Bに関する断面図であ
る。 11・・・半導体素子、12・・・薄い単結晶n型層、
14・・・薄い単結晶p型層、18・・・n型の注入電
極、19・”p型の注入電極、20・・・DC電圧源、
22・・・抵抗、24・・・前面、26・・・背面、3
0.40・・・磁気ダイオード、35.45・・・外表
面、50・・・トレンチ、54・・・領域。 IG 江千′4臂濤手
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、短いキャリア再結合時間の少なくとも1つの領域(
24、54)に隣接する長いキャリア再結合時間の少な
くとも1つの領域(26、30、40)を含み、検出さ
れるべき磁界により該長短の キャリア再結合時間の領域間にキャリアの偏向を生じる
半導体結晶素子(11、52)を含む磁界センサにおい
て、 該半導体素子(11、52)が、バルクにおいて比較的
短いキャリア再結合時間を呈するが高いキャリア移動度
を呈する半導体材料のn−i−p−i超構造により形成
された複数の層の ドーピング超格子を備えることを特徴とする磁界センサ
。 2、前記半導体素子(11、52)が直接バンド・ギャ
ップ半導体材料から形成されることを特徴とする請求項
1記載の磁界センサ。 3、前記超格子が少なくとも2つの層を含むことを特徴
とする請求項1記載の磁界センサ。 4、各層が該層における電荷キャリアのデバイ長より小
さな厚さを有することを特徴とする請求項1記載の磁界
センサ。 5、前記半導体素子(11、52)がガリウム・ヒ素で
あり、前記超格子は少なくとも10層を含み、各層の厚
さは該層における電荷キャリアのデバイ長より小さいこ
とを特徴とする請求項2記載の磁界センサ。 6、前記半導体素子(11、52)が、両端部において
、検出されるべき磁界が存在しない場合、隣接層から任
意の所与の層を分離するp/n接合と交差する前に、該
層内で直線状に流れるように、また検出されるべき磁界
が存在する時は、隣接層から前記所与の層を分離するp
/n接合と交差する前に、該層内で横断方向の偏向を生
じるようにキャリアを注入するために、 層の超格子を横切って延在するp型およびn型の注入接
点(18、19、32、34、42、44)を含むこと
を特徴とする請求項1記載の磁界 センサ。 7、短いキャリア再結合時間の前記領域(24、54)
が、前記半導体素子(11、52)の縁部表面に沿って
含まれることを特徴とする請求項6記載の磁界センサ。 8、短いキャリア再結合時間の前記領域(54)が不連
続な領域であることを特徴とする請求項7記載の磁界セ
ンサ。 9、前記半導体素子(52)が、1対の個々の超格子(
30、40)を形成するため、該半導体素子(52)の
全長に沿って層を横断方向に延在するトレンチ(50)
を含むことを特徴とする請求項1記載の磁界センサ。 10、個々の注入接点(32、34、42、44)が、
前記対の超格子(30、40)の各々の対向端部に含ま
れ、また短いキャリア再結合時間の前記の不連続領域(
54)がトレンチ(50)に沿って配置されることを特
徴とする請求項9記載の磁界センサ。 11、前記トレンチの壁面と対向する前記超格子の表面
が、長いキャリア再結合時間の連続する半絶縁領域(3
5、45)であることを特徴とする請求項10記載の磁
界センサ。 12、前記層の各々のドーパントの平均濃度が10^1
^6乃至10^1^6原子/cm^3であり、各層の厚
さが5乃至300ナノmの範囲内であることを特徴とす
る請求項5記載の磁界センサ。 13、半導体素子(11、52)が、ガリウム・ヒ素、
インジウム・ヒ素、アンチモン化インジウムおよびビス
マス・アンチモン合金からなるグループから選択される
材料から作ら れることを特徴とする請求項2記載の磁界 センサ。 14、前記センサが、交互に反対の導電率型からなる複
数の平坦な平行な層(12、14)のドーピング超格子
の形態の前記半導体素子(11)と、該素子(11)を
通して前記層(12、14)の面に直角の変化する成分
を有する磁束(B)を 通過させる手段と、前記素子(11)を通して前記層(
12、14)と平行に電流を流す手段(18、19、2
0)と、前記磁束(B)の前記変化する成分の大きさを
検出するため前記部分を流れる電流を検出する手段(2
2)とを含むことを特徴とする請求項1記載の磁界セン
サ。 15、前記半導体素子(11)が、化合物半導体から形
成され、前記超格子が10乃至100の層(12、14
)を有し、該層(12、14)の各々が5乃至300ナ
ノmの範囲内の厚さを有し、前記各層(12、14)に
おける平均ドーピング濃度が10^1^6乃至10^1
^8原子/cm^3の範囲内にあることを特徴とする請
求項14記載の磁界センサ。 16、各々が長短のキャリア再結合時間の前記領域(2
4、26)を含む層であって隣接する層が逆の導電型で
ある複数の平坦な平行な層(12、14)から形成され
たドーピング超格子を有する 前記半導体素子(11)と、該素子(11)の前記層(
12、14)の両端部におけるn型の注入接点(18)
およびp型の注入接点(19)とを具備し、各々の注入
接点が全ての層と接触するが前記層および該層間のp/
n接合を介して電流を流すよう異なる交互の層とブロッ
キング接触状態にあり、長短の再結合時間の前記領域が
前記層の長手方向に沿って配置され、前記層(12、1
4)に対して直角に前記素子(11)を通る磁束(B)
の成分により、該2つの領域の一方に流れる電流が該2
つの領域の他方へ横方向に偏向されることを特徴とする
磁気ダイオードとして形成される請求項1記載の磁界セ
ンサ。 17、各々が5乃至300ナノmの範囲内の厚さを有し
、かつ約10^1^6乃至10^1^8原子/cm^3
の範囲内の平均ドーピング濃度を有する10乃至100
個の層(12、14)を前記半導体素子(11)が含む
ことを特徴とする請求項16記載の磁気ダイオード。 18、前記半導体素子(11)が、ガリウム・ヒ素、ア
ンチモン化インジウム、インジウム・ヒ素およびビスマ
ス・アンチモン合金からなる グループから選択される化合物半導体から形成されるこ
とを特徴とする請求項17記載の磁気ダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US240778 | 1988-09-06 | ||
US07/240,778 US4926226A (en) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | Magnetic field sensors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02121378A true JPH02121378A (ja) | 1990-05-09 |
JP2781021B2 JP2781021B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
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EP (1) | EP0358322B1 (ja) |
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DE (1) | DE68919036T2 (ja) |
ES (1) | ES2062008T3 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1988-09-06 US US07/240,778 patent/US4926226A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
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- 1989-07-31 ES ES89307773T patent/ES2062008T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-06 JP JP1231359A patent/JP2781021B2/ja not_active Expired - Lifetime
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